CN106329146A - 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法 - Google Patents

一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN106329146A
CN106329146A CN201610813900.7A CN201610813900A CN106329146A CN 106329146 A CN106329146 A CN 106329146A CN 201610813900 A CN201610813900 A CN 201610813900A CN 106329146 A CN106329146 A CN 106329146A
Authority
CN
China
Prior art keywords
thin film
film
flexible
absorbing device
wave absorbing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201610813900.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN106329146B (zh
Inventor
许向东
陈哲耕
戴泽林
蒋亚东
孙铭徽
谷雨
范凯
李欣荣
王福
连宇翔
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
University of Electronic Science and Technology of China
Original Assignee
University of Electronic Science and Technology of China
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by University of Electronic Science and Technology of China filed Critical University of Electronic Science and Technology of China
Priority to CN201610813900.7A priority Critical patent/CN106329146B/zh
Publication of CN106329146A publication Critical patent/CN106329146A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN106329146B publication Critical patent/CN106329146B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q15/00—Devices for reflection, refraction, diffraction or polarisation of waves radiated from an antenna, e.g. quasi-optical devices
    • H01Q15/0006—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices
    • H01Q15/0086—Devices acting selectively as reflecting surface, as diffracting or as refracting device, e.g. frequency filtering or angular spatial filtering devices said selective devices having materials with a synthesized negative refractive index, e.g. metamaterials or left-handed materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01Q—ANTENNAS, i.e. RADIO AERIALS
    • H01Q17/00—Devices for absorbing waves radiated from an antenna; Combinations of such devices with active antenna elements or systems

Landscapes

  • Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)

Abstract

本发明公开了一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法；所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述吸波器的制作方法为：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜。本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变其吸收系数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能，并且本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用。

Description

一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法
技术领域
本发明属于太赫兹技术领域，涉及一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法。
背景技术
太赫兹波(THz)，通常指频率为0.1-10THz的电磁波，具有一些独特的物理特性，如高透性，所以可以应用在安检或质检过程中的无损检测领域；低能性，不会导致光致电离而破坏被检物质，非常适用于针对人体或其他生物样品的活体检查等领域；指纹谱性，故太赫兹光谱成像技术能够分辨物体的形貌，鉴别物体的组分，分析物体的物理化学性质。正是由于太赫兹波独特的优点，逐渐成为国际研究热点，世界各国对太赫兹基础及应用成果都给予了极大的关注。
由于难以在自然界寻找到有效的太赫兹响应材料，一种具有天然材料所不具备的超常电磁响应性质的人工复合结构，即电磁超材料(Metamaterial，简称超材料)，越来越引起学术界与工业界的广泛注意(参见R.M.Walser,“Electromagnetic matematerials”,Proc.SPIE,2001,4467,1-15文献)。利用超材料，可以实现完美透镜、隐身斗篷、电磁波完美吸收器、完美滤波器等特殊器件(参见Zheludev N I,“The road ahead formetamaterials”,Science,2010,328(5978),582-583文献)。
遗憾的是，传统的超材料一旦制备完成，仅能对特定波长的THz产生响应(参见TaoH,Bingham C M,Strikwerda A C,et al.,“Highly flexible wide angle of incidenceterahertz metamaterial absorber:design,fabrication,and characterization”,Phys.Rev.B 2008,78(24),241103文献)。如果希望对不同的频率的太赫兹波产生吸收，则需要重新设计、制备。而且，太赫兹超材料的制备通常是通过传统的光刻等步骤，工艺参数随着光刻图形的改变而存在差别。相关的超材料重新设计及制备过程比较繁琐。因此，本领域亟待开发制备更为简单而且可调控的太赫兹超材料吸波器。
发明内容
本发明的目的之一提供一种柔性太赫兹超材料吸波器，能够对太赫兹响应特性进行调节。
本发明的目的之二提供一种柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，制作方法简单，且可重复利用材料。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种柔性太赫兹超材料吸波器，所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述图形化的金属薄膜的金属图形呈现为太赫兹响应图形。
所述图形化的金属薄膜的金属图形不受特别限制，可以是业内所知的太赫兹响应图形中的一种，比如方型、圆型和椭圆型中的一种或几种混合形状的周期性结构图形。
所述金属薄膜不受特别限制，比如铝(Al)、金(Au)、钛(Ti)、氮化钛(TiNx)、硅化钛(TiSix)、钛钨合金(TiWx)、钨(W)、硅化钨(WSix)、氮化钨(WNx)、镍(Ni)、硅化镍(NiSix)、氮化镍(NiNx)、钽(Ta)、氮化钽(TaNx)、铁(Fe)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、铬(Cr)和镍铬合金(NiCr)中的一种或几种的复合物，金属薄膜的厚度为5-4000nm。
所述柔性介质薄膜不受特别限制，比如聚酰亚胺(PI)薄膜、聚乙烯(PE)薄膜、聚丙烯(PP)薄膜、聚苯乙烯(PS)薄膜、苯并环丁烯(BCB)薄膜、派瑞林(Parylene)薄膜、氮化硅(SiNx)薄膜、非晶硅(α-Si)薄膜、氮氧化硅(SiNxOy)薄膜、氧化铝(AlOx)薄膜、氧化铬(CrOx)薄膜和氧化铬铝(CrxAlyO)中的一种或几种的复合物，柔性介质薄膜的厚度为1-100μm，介电常数为1-12。
本发明能够通过外力弯曲的形式对所述吸波器的太赫兹响应特性进行调节：当在外力作用下吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生红移，而且弯曲程度越大，则红移越明显；当在外力作用下吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生蓝移，而且弯曲程度越大，则蓝移越明显。
上述柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜，即得到所述柔性太赫兹超材料吸波器。
作为本发明的优选方案，所述制作方法包括以下具体步骤：
(1)清洗双面抛光的衬底，并干燥处理；
(2)在衬底的一面沉积一层或多层的非晶介质薄膜；
(3)在非晶介质薄膜的表面旋涂一层光刻胶，并烘烤；
(4)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的周期性结构图形；
(5)采用反应离子刻蚀非晶介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶介质薄膜的具有方型、圆型和椭圆型中的一种或几种混合形状的周期性结构图形；
(6)对衬底的另一面重复步骤(2)-(3)；
(7)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的开窗结构图形；
(8)采用反应离子刻蚀非晶介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶介质薄膜的开窗结构图形；
(9)采用刻蚀方法，将步骤(8)得到的开窗结构图形裸露的衬底进行刻蚀，得到具有周期性结构图形的非晶介质薄膜，即图形化的遮掩薄膜；
(10)清洗柔性介质薄膜，并干燥处理；
(11)在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；
(12)将步骤(9)制备的图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜；
(13)将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜，即得到所述柔性太赫兹超材料吸波器。
作为上述制作方法的优选方案：
所述衬底为单晶硅衬底；当步骤(9)采用干法刻蚀时，所述衬底为硅(100)、硅(111)和硅(110)中的一种单晶硅衬底；当步骤(9)采用湿法刻蚀时，所述衬底为硅(100)单晶硅衬底，使用的腐蚀液为浓度为1wt.％–60wt.％的KOH水溶液，采用水浴、油浴或空气浴控制湿法刻蚀的反应温度，反应温度范围为30-120℃，湿法刻蚀的时间为0.5-20h。
所述非晶介质薄膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜中的一种或几种的复合膜，其厚度为10nm-10μm；所述步骤(2)中，沉积非晶介质薄膜的方法为等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、电子束蒸发、真空热蒸发和磁控溅射***中的一种；当采用等离子体增强化学气相沉积时，其工作频率为高频、低频或高频与低频交替混合使用。
所述步骤(5)与(8)中，反应离子刻蚀采用的反应气体为CF4、CHF3、C3F8、SF6和NF3中的一种或几种。
所述步骤(5)与(8)中，去除剩余光刻胶的方法为：采用丙酮、丁酮、甲醇和乙醇中的一种或几种试剂作为除胶剂，通过超声，除去剩余的光刻胶。
所述步骤(11)与(12)中，沉积金属薄膜的方法为电子束蒸发、真空热蒸发、磁控溅射和金属有机物化学气相沉积中的一种。
本发明的有益效果在于：
1、本发明的柔性太赫兹超材料吸波器具有柔性、可伸缩的特点，能够通过施加外力发生弯曲，由此改变超材料参数，因此可以很方便地调节其太赫兹响应性能。
2、本发明的制作方法简单，且所制成的遮掩薄膜可多次重复利用，减少了光刻次数，降低了成本，还使后续制备更为简单。
附图说明
图1为柔性太赫兹超材料吸波器的示意图；
图2为柔性太赫兹超材料吸波器的实物图；
图3为柔性太赫兹超材料吸波器的制作工艺流程图；
图4为遮掩薄膜的实物照片；
图5为柔性太赫兹超材料吸波器的太赫兹响应测试结果。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明的优选实施例进行详细的描述。
图1为本实施例的柔性太赫兹超材料吸波器的示意图；图2为本实施例的柔性太赫兹超材料吸波器的实物图，a为光学显微镜照片，b为弯曲时照片；如图所示，所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜1、一层柔性介质薄膜2和一层连续的金属薄膜3；所述图形化的金属薄膜的金属图形呈现为方型的周期性结构图形，P为方块单元周期边长72μm，a为方型边长52μm。
如图3所示，本实施例的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，包括以下具体步骤：
(1)清洗双面抛光的硅(100)单晶硅衬底，并干燥处理；
本步骤中，清洗过程为：先将衬底放入丙酮溶液中超声清洗10min；取出衬底，然后放入无水乙醇中超声清洗10min；取出衬底，再用去离子水冲洗4次，直至清洗干净，最后用氮气将衬底吹干；
(2)采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)，在衬底的一面沉积一层非晶SiNx介质薄膜(如图3中a所示)；
本步骤中，采用PECVD沉积SiNx薄膜的工艺条件为：射频工作频率为高频13.56MHz、低频380KHz，二者交替使用；反应气体为SiH4和NH3，通气流量比率SiH4:NH3＝1:5；沉积温度为250℃；非晶SiNx薄膜的沉积厚度为1μm；
(3)在非晶SiNx介质薄膜的表面旋涂一层光刻胶，并烘烤；
本步骤中，先将样品放置在烘箱中120℃烘烤20min，去除表面的水分；然后，旋涂光刻胶，并放置在热板上100℃烘烤3min；
(4)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的方型的周期性结构图形(如图3中b所示)；
本步骤中，采用紫外光刻技术对光刻胶曝光，显影后得到光刻胶的方型的周期性结构图形；
(5)采用反应离子刻蚀非晶SiNx介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶SiNx介质薄膜的方型的周期性结构图形(如图3中c所示)；
本步骤中，反应离子刻蚀SiNx薄膜的工艺条件为：刻蚀反应气体为CHF3，气体流量为20sccm，刻蚀速率为60nm/min，刻蚀时间为20min；过刻20％，使得结构图形裸露的SiNx薄膜完全被刻蚀，直至衬底表面；将刻蚀好的结构在丙酮中进行超声，除去剩余的光刻胶；
(6)对衬底的另一面重复步骤(2)-(3)(如图3中d所示)；
(7)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的开窗结构图形(如图3中e所示)；
本步骤中，采用紫外光刻技术对光刻胶曝光，显影后得到光刻胶的开窗结构图形；
(8)采用反应离子刻蚀非晶SiNx介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶SiNx介质薄膜的开窗结构图形(如图3中f所示)；
(9)采用湿法刻蚀方法，将步骤(8)得到的开窗结构图形裸露的衬底进行刻蚀，得到具有周期性结构图形的非晶SiNx介质薄膜，即图形化的遮掩薄膜(如图3中g所示，实物如图4所示)；
在湿法刻蚀中，开窗结构图形中部裸露的衬底被刻蚀掉，开窗结构图形边缘未刻蚀的SiNx薄膜将阻止衬底被刻蚀；未被刻蚀的衬底作为框架结构，便于后续步骤对吸波器进行操作；
湿法刻蚀的工艺条件为：腐蚀液为33.3wt.％KOH水溶液，刻蚀反应温度为75℃；采用水浴或油浴控制反应温度，刻蚀时间6h左右，直至衬底刻蚀完全，最后留下SiNx薄膜及硅框架；
(10)清洗柔性介质薄膜，并干燥处理；
本步骤中，清洗过程为：先将柔性介质薄膜放入丙酮溶液中超声清洗10min；取出柔性介质薄膜，然后放入无水乙醇中超声清洗10min；取出柔性介质薄膜，再用去离子水冲洗2次，直至清洗干净，柔性介质薄膜最后在通风干燥箱中烘干；
(11)采用磁控溅射，在柔性介质薄膜的一个表面沉积厚度为200nm的一层连续的Al金属薄膜(如图3中h和i所示)；
(12)将步骤(9)制备的图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后采用磁控溅射在表面沉积厚度为200nm的另一层Al金属薄膜(如图3中j和k所示)；
(13)将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的Al金属薄膜，即得到所述柔性太赫兹超材料吸波器(如图3中l所示)。
经如下分析，可证明本实施例的柔性太赫兹超材料吸波器通过施加外力弯曲，从而调节太赫兹吸收频段，是性能优良的太赫兹滤波吸波器。
使用PerkinElmer公司的Spectrum400傅里叶红外光谱仪的远红外组件，对实施例制作的柔性太赫兹超材料吸波器进行吸收性能测试。
图5的实际测试结果显示，未受外力作用时，此时曲率半径为无穷大，所测得的吸波器的中心响应频率为4.80THz，图5所示“R＝∞”曲线；施加外力使吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面，且曲率半径为2.5cm时，所测得吸波器的中心响应频率为4.63THz，图5所示“Rin1＝2.5”曲线；同一方向增大施加外力，使吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面，且曲率半径为1.0cm时，所测得吸波器的中心相应频率为4.57THz，图5所示“Rin2＝1.0”曲线；继续在同一方向增大施加外力，使吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面，且曲率半径为0.8cm时，所测得吸波器的中心响应频率为4.45THz，图5所示“Rin3＝0.8”曲线。
另一方面，如果施加外力，使吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面，且曲率半径为2.5cm时，所测得吸波器的中心响应频率为4.80THz，图5所示“Rout1＝2.5”曲线；同一方向增大施加外力，使吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面，且曲率半径为1.0cm时，所测得吸波器的中心响应频率为4.92THz，图5所示“Rout2＝1.0”曲线；继续增大施加外力，使吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面，且曲率半径为0.8cm时，所测得超吸波器的中心响应频率为5.26THz，图5所示“Rout3＝0.8”曲线。
图5结果表明，当外力作用使吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生红移，而且弯曲程度越大，则红移越明显；当外力作用使吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生蓝移，而且弯曲程度越大，则蓝移越明显。
最后说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非限制，尽管通过参照本发明的优选实施例已经对本发明进行了描述，但本领域的普通技术人员应当理解，可以在形式上和细节上对其作出各种各样的改变，而不偏离所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围。

Claims (10)

1.一种柔性太赫兹超材料吸波器，其特征在于：所述吸波器由上至下依次包括一层图形化的金属薄膜、一层柔性介质薄膜和一层连续的金属薄膜；所述图形化的金属薄膜的金属图形呈现为太赫兹响应图形。
2.根据权利要求1所述的柔性太赫兹超材料吸波器，其特征在于：所述图形化的金属薄膜的金属图形呈现为方型、圆型和椭圆型中的一种或几种混合形状的周期性结构图形。
3.根据权利要求1所述的柔性太赫兹超材料吸波器，其特征在于：所述金属薄膜为铝、金、钛、氮化钛、硅化钛、钛钨合金、钨、硅化钨、氮化钨、镍、硅化镍、氮化镍、钽、氮化钽、铁、铂、铜、银、铬和镍铬合金中的一种或几种的复合物，金属薄膜的厚度为5-4000nm。
4.根据权利要求1所述的柔性太赫兹超材料吸波器，其特征在于：所述柔性介质薄膜为聚酰亚胺薄膜、聚乙烯薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜、苯并环丁烯薄膜、派瑞林薄膜、氮化硅薄膜、非晶硅薄膜、氮氧化硅薄膜、氧化铝薄膜、氧化铬薄膜和氧化铬铝薄膜中的一种或几种的复合物，柔性介质薄膜的厚度为1-100μm，介电常数为1-12。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的柔性太赫兹超材料吸波器，其特征在于：能够通过外力弯曲的形式对所述吸波器的太赫兹响应特性进行调节：当在外力作用下吸波器向底层金属方向弯曲、形成凹面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生红移，而且弯曲程度越大，则红移越明显；当在外力作用下吸波器向表层金属方向弯曲、形成凸面时，相对未受外力作用时吸波器的响应频率发生蓝移，而且弯曲程度越大，则蓝移越明显。
6.权利要求1至5任意一项所述的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，其特征在于：在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；将图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜，再将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜，即得到所述柔性太赫兹超材料吸波器。
7.根据权利要求6所述的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，其特征在于：所述制作方法包括以下具体步骤：
(1)清洗双面抛光的衬底，并干燥处理；
(2)在衬底的一面沉积一层或多层的非晶介质薄膜；
(3)在非晶介质薄膜的表面旋涂一层光刻胶，并烘烤；
(4)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的周期性结构图形；
(5)采用反应离子刻蚀非晶介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶介质薄膜的具有方型、圆型和椭圆型中的一种或几种混合形状的周期性结构图形；
(6)对衬底的另一面重复步骤(2)-(3)；
(7)对光刻胶曝光，显影后，得到光刻胶的开窗结构图形；
(8)采用反应离子刻蚀非晶介质薄膜并去除剩余光刻胶，得到非晶介质薄膜的开窗结构图形；
(9)采用刻蚀方法，将步骤(8)得到的开窗结构图形裸露的衬底进行刻蚀，得到具有周期性结构图形的非晶介质薄膜，即图形化的遮掩薄膜；
(10)清洗柔性介质薄膜，并干燥处理；
(11)在柔性介质薄膜的一个表面沉积一层连续的金属薄膜；
(12)将步骤(9)制备的图形化的遮掩薄膜覆盖在柔性介质薄膜的另一个表面上，然后在表面沉积另一层金属薄膜；
(13)将遮掩薄膜与柔性介质薄膜分开，在柔性介质薄膜的另一个表面上得到具有与遮掩薄膜互补图案的图形化的金属薄膜，即得到所述柔性太赫兹超材料吸波器。
8.根据权利要求7所述的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，其特征在于：所述衬底为单晶硅衬底；当步骤(9)采用干法刻蚀时，所述衬底为硅(100)、硅(111)和硅(110)中的一种单晶硅衬底；当步骤(9)采用湿法刻蚀时，所述衬底为硅(100)单晶硅衬底，使用的腐蚀液为浓度为1wt.％–60wt.％的KOH水溶液，采用水浴、油浴或空气浴控制湿法刻蚀的反应温度，反应温度范围为30-120℃，湿法刻蚀的时间为0.5-20h。
9.根据权利要求7所述的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，其特征在于：所述非晶介质薄膜为氮化硅薄膜、氧化硅薄膜和氮氧化硅薄膜中的一种或几种的复合膜，其厚度为10nm-10μm；所述步骤(2)中，沉积非晶介质薄膜的方法为等离子体增强化学气相沉积、低压化学气相沉积、常压化学气相沉积、电子束蒸发、真空热蒸发和磁控溅射***中的一种；当采用等离子体增强化学气相沉积时，其工作频率为高频、低频或高频与低频交替混合使用。
10.根据权利要求7所述的柔性太赫兹超材料吸波器的制作方法，其特征在于：所述步骤(5)与(8)中，反应离子刻蚀采用的反应气体为CF4、CHF3、C3F8、SF6和NF3中的一种或几种；所述步骤(5)与(8)中，去除剩余光刻胶的方法为：采用丙酮、丁酮、甲醇和乙醇中的一种或几种试剂作为除胶剂，通过超声，除去剩余的光刻胶；所述步骤(11)与(12)中，沉积金属薄膜的方法为电子束蒸发、真空热蒸发、磁控溅射和金属有机物化学气相沉积中的一种。
CN201610813900.7A 2016-09-09 2016-09-09 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法 Expired - Fee Related CN106329146B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610813900.7A CN106329146B (zh) 2016-09-09 2016-09-09 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201610813900.7A CN106329146B (zh) 2016-09-09 2016-09-09 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN106329146A true CN106329146A (zh) 2017-01-11
CN106329146B CN106329146B (zh) 2019-11-08

Family

ID=57787861

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201610813900.7A Expired - Fee Related CN106329146B (zh) 2016-09-09 2016-09-09 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN106329146B (zh)

Cited By (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107037505A (zh) * 2017-04-17 2017-08-11 电子科技大学 一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构及其制备方法
CN107114006A (zh) * 2017-03-29 2017-08-29 香港中文大学（深圳） 完美吸收体的制造方法
CN107275797A (zh) * 2017-06-21 2017-10-20 天津工业大学 一种宽带太赫兹吸收体
CN107453052A (zh) * 2017-08-11 2017-12-08 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料
CN107479215A (zh) * 2017-07-13 2017-12-15 华中科技大学 一种太赫兹超材料调制方法及其产品
CN107919533A (zh) * 2017-11-13 2018-04-17 中国计量大学 一种外力可调节太赫兹波吸收器
CN108121090A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 中国科学院金属研究所 一种力场调控的太赫兹波柔性光学窗口及其制备方法和应用
CN108470986A (zh) * 2018-03-27 2018-08-31 电子科技大学 一种基于DAST的Salisbury屏柔性太赫兹吸波器及其制备方法
CN108732138A (zh) * 2017-04-15 2018-11-02 大连理工大学 一种光子超颖表面生物传感器
CN108933335A (zh) * 2018-08-18 2018-12-04 南昌大学 一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法
CN109212651A (zh) * 2018-09-21 2019-01-15 上海大学 一种基于Mylar的太赫兹波段的半波片
CN109469958A (zh) * 2018-09-20 2019-03-15 北京航天易联科技发展有限公司 一种太赫兹人体安检仪用环境控制***
CN109888501A (zh) * 2019-02-18 2019-06-14 黄山学院 极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构
CN110098489A (zh) * 2019-05-16 2019-08-06 哈尔滨工业大学 一种基于四纳米柱耦合振子的近红外波段线性热光可调超窄带吸收体
CN110247192A (zh) * 2019-05-13 2019-09-17 华中科技大学 一种柔性电阻膜频率选择表面、其制备方法和应用
CN110911850A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 中国人民解放军空军工程大学 一种调节柔性超材料薄膜局部应变的吸波特性调控方法
CN112038776A (zh) * 2020-09-09 2020-12-04 哈尔滨工业大学 一种可拉伸弹性十字超材料的制备方法
CN112930103A (zh) * 2021-01-25 2021-06-08 浙大宁波理工学院 一种拓扑自适应电磁吸波结构及其制备方法
CN113571919A (zh) * 2021-07-07 2021-10-29 佛山(华南)新材料研究院 一种吸波器件及其制备方法

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545618A (zh) * 2013-09-25 2014-01-29 华中科技大学 一种太赫兹波段宽带吸收超材料
CN203707290U (zh) * 2014-03-11 2014-07-09 中国计量学院 周期性大小正方形结构的太赫兹波吸收器
CN103969712A (zh) * 2014-04-11 2014-08-06 上海理工大学 一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法
CN104505598A (zh) * 2014-12-17 2015-04-08 国家纳米科学中心 一种金属/柔性介质层/金属周期结构吸波材料及其制备方法
CN104993199A (zh) * 2015-08-07 2015-10-21 电子科技大学 一种超薄的太赫兹中高频宽带滤波器及其制作方法
CN105896098A (zh) * 2016-04-25 2016-08-24 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于多谐振吸收叠加的宽频带太赫兹超材料吸收器

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103545618A (zh) * 2013-09-25 2014-01-29 华中科技大学 一种太赫兹波段宽带吸收超材料
CN203707290U (zh) * 2014-03-11 2014-07-09 中国计量学院 周期性大小正方形结构的太赫兹波吸收器
CN103969712A (zh) * 2014-04-11 2014-08-06 上海理工大学 一种广角偏振无关的宽频太赫兹波吸收器制作方法
CN104505598A (zh) * 2014-12-17 2015-04-08 国家纳米科学中心 一种金属/柔性介质层/金属周期结构吸波材料及其制备方法
CN104993199A (zh) * 2015-08-07 2015-10-21 电子科技大学 一种超薄的太赫兹中高频宽带滤波器及其制作方法
CN105896098A (zh) * 2016-04-25 2016-08-24 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种基于多谐振吸收叠加的宽频带太赫兹超材料吸收器

Non-Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
HUAN ZHANG, YIJUN FENG: "Bandwidth Enhanced Metamaterial Absorber at Terahertz Frequency", 《2012 INTERNATIONAL WORKSHOP ON METAMATERIALS (META)》 *
N. R. HAN ET AL: "Broadband multi-layer terahertz metamaterials fabrication and characterization on flexible substrates", 《OPTICS EXPRESS》 *
XINLONG XU ET AL: "Flexible Visible Infrared Metamaterials and Their Applications in Highly Sensitive Chemical and Biological Sensing", 《NANO LETTERS》 *

Cited By (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108121090A (zh) * 2016-11-29 2018-06-05 中国科学院金属研究所 一种力场调控的太赫兹波柔性光学窗口及其制备方法和应用
CN107114006A (zh) * 2017-03-29 2017-08-29 香港中文大学（深圳） 完美吸收体的制造方法
CN108732138A (zh) * 2017-04-15 2018-11-02 大连理工大学 一种光子超颖表面生物传感器
CN107037505B (zh) * 2017-04-17 2018-11-13 电子科技大学 一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构及其制备方法
CN107037505A (zh) * 2017-04-17 2017-08-11 电子科技大学 一种基于可变表面方阻的可调谐超材料结构及其制备方法
CN107275797A (zh) * 2017-06-21 2017-10-20 天津工业大学 一种宽带太赫兹吸收体
CN107479215A (zh) * 2017-07-13 2017-12-15 华中科技大学 一种太赫兹超材料调制方法及其产品
CN107479215B (zh) * 2017-07-13 2019-10-25 华中科技大学 一种太赫兹超材料调制方法及其产品
CN107453052A (zh) * 2017-08-11 2017-12-08 中国科学院上海微***与信息技术研究所 一种电磁吸收超材料
CN107919533A (zh) * 2017-11-13 2018-04-17 中国计量大学 一种外力可调节太赫兹波吸收器
CN108470986A (zh) * 2018-03-27 2018-08-31 电子科技大学 一种基于DAST的Salisbury屏柔性太赫兹吸波器及其制备方法
CN108470986B (zh) * 2018-03-27 2020-10-09 电子科技大学 一种基于DAST的Salisbury屏柔性太赫兹吸波器及其制备方法
CN108933335A (zh) * 2018-08-18 2018-12-04 南昌大学 一种调控雷达吸波材料吸收频率的新方法
CN109469958A (zh) * 2018-09-20 2019-03-15 北京航天易联科技发展有限公司 一种太赫兹人体安检仪用环境控制***
CN109469958B (zh) * 2018-09-20 2020-12-25 北京航天易联科技发展有限公司 一种太赫兹人体安检仪用环境控制***
CN109212651A (zh) * 2018-09-21 2019-01-15 上海大学 一种基于Mylar的太赫兹波段的半波片
CN109888501A (zh) * 2019-02-18 2019-06-14 黄山学院 极化不敏感的拓扑绝缘体电磁诱导透明材料的单元结构
CN110247192A (zh) * 2019-05-13 2019-09-17 华中科技大学 一种柔性电阻膜频率选择表面、其制备方法和应用
CN110247192B (zh) * 2019-05-13 2020-06-02 华中科技大学 一种柔性电阻膜频率选择表面的制备方法和应用
CN110098489A (zh) * 2019-05-16 2019-08-06 哈尔滨工业大学 一种基于四纳米柱耦合振子的近红外波段线性热光可调超窄带吸收体
CN110098489B (zh) * 2019-05-16 2021-07-20 哈尔滨工业大学 一种基于四纳米柱耦合振子的可调超窄带吸收体
CN110911850A (zh) * 2019-11-29 2020-03-24 中国人民解放军空军工程大学 一种调节柔性超材料薄膜局部应变的吸波特性调控方法
CN112038776A (zh) * 2020-09-09 2020-12-04 哈尔滨工业大学 一种可拉伸弹性十字超材料的制备方法
CN112930103A (zh) * 2021-01-25 2021-06-08 浙大宁波理工学院 一种拓扑自适应电磁吸波结构及其制备方法
CN113571919A (zh) * 2021-07-07 2021-10-29 佛山(华南)新材料研究院 一种吸波器件及其制备方法
CN113571919B (zh) * 2021-07-07 2023-06-16 佛山(华南)新材料研究院 一种吸波器件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN106329146B (zh) 2019-11-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN106329146B (zh) 一种柔性太赫兹超材料吸波器及其制作方法
CN110071372A (zh) 一种超材料全吸收柔性太赫兹吸波器及其制备方法
CN104993199B (zh) 一种超薄的太赫兹中高频宽带滤波器及其制作方法
CN108470986A (zh) 一种基于DAST的Salisbury屏柔性太赫兹吸波器及其制备方法
US9419583B2 (en) Nano- and micro-electromechanical resonators
US8894871B2 (en) Lithography method using tilted evaporation
US20130052463A1 (en) Metamaterial composition, methods, and applications
US8921789B2 (en) Tunable compliant optical metamaterial structures
JP2016528498A (ja) 選択的波長赤外吸収体を有する焦電性窒化アルミニウムｍｅｍｓ赤外センサ
CN107251320A (zh) 多频带波长选择性结构
CN105259733B (zh) 一种用于曲面图形化的柔性掩膜板制备方法
CN107170849A (zh) 一种条型超表面结构偏振相关窄带探测器及其制备与应用
CN107533155B (zh) 结构物的制造方法
CN104535198A (zh) 基于超材料吸收器的太赫兹微测辐射热计及其制备方法
CN104505561B (zh) 一种多波段太赫兹滤波器及其制作方法
US20160033401A1 (en) Plasmonic structure with enhanced bandwidth
Lewicka et al. Nanorings and nanocrescents formed via shaped nanosphere lithography: a route toward large areas of infrared metamaterials
CN109932058A (zh) 一种基于阵列滤光片的微型光谱仪
CN110082847A (zh) 一种硅基mems闪耀光栅的制备方法
Marasso et al. A new method to integrate ZnO nano-tetrapods on MEMS micro-hotplates for large scale gas sensor production
CN105048103A (zh) 一种用于吸收太赫兹波的超薄金属膜的制备方法
CN117517255A (zh) ***椭圆型超表面折射率传感器及其制备方法
JP2009128086A (ja) 表面プラズモンセンサ
CN105923600B (zh) 一种幅度可调的太赫兹近场激发型分子传感器及其制造方法
CN108365345B (zh) 一种用于太赫兹微测辐射热计的天线结构及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20191108

Termination date: 20210909

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee