CN107431057A - 包括反射层的各向异性导电膜(acf) - Google Patents

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Abstract

公开了一种各向异性导电膜(ACF)。在一种方法中，该ACF包括非反射性粘合剂层，其包括顶表面，随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒，和沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层。所述反射层包含至少5重量％的反射性颗粒。

Description

包括反射层的各向异性导电膜(ACF)
技术领域
本公开大体上涉及各向异性导电膜(ACF)。更具体地，本公开涉及包括非反射性粘合剂层和反射层的ACF。所述反射层可以是包括反射添加剂的粘合剂层，或者是薄膜沉积反射层。当ACF是发光装置或光透射装置(light-transmitting device)的一部分时，ACF的反射层导致改善的光输出和色纯度特性。此外，该ACF的反射层还可以改善ACF对电极基板(substrate)的附着性。
发明背景
各向异性的导电膜(ACF)通常用于平板显示器驱动集成电路(IC)键合(bonding)。典型的ACF键合过程包括：第一步骤，其中将ACF附着到面板玻璃的电极上；第二步骤，其中将驱动器IC键合焊盘与面板电极对准；和第三步骤，其中向键合焊盘施加压力和热量以便使ACF在几秒钟内熔化和固化。ACF的导电颗粒在面板电极和驱动器IC之间提供各向异性的导电性。
随着在电子设备例如智能电话和电子平板中使用高分辨显示器成为市场趋势，对超细间距ACF的需要显著增加。然而，随着间距尺寸减小，电极的尺寸也必须变得更小并且需要更高浓度的导电颗粒以便在所连接的电极上提供需要的颗粒密度从而确保令人满意的导电性或阻抗。
传统ACF的导电颗粒通常随机分散在ACF中。由于X-Y导电率，这种分散体系的颗粒密度存在限制。在使用传统ACF的许多键合工艺中，只有小部分的导电颗粒被捕获在电极上。大多数颗粒实际上被冲出到电极之间的间隔区域，并且在某些情形中导致ACF的X-Y平面中的不期望的短路。在细间距键合应用中，导电颗粒的密度应足够高以便使足够数目的导电颗粒键合在每个键合焊盘上键。然而，由于导电颗粒的高密度和随机分散的特性，两个键合焊盘之间的绝缘区域中的短路或不期望的高导电率的可能性也增加。
固定阵列ACF克服了传统ACF的一些缺点。固定阵列ACF的导电颗粒以预定的阵列图案排列。固定阵列ACF已被认为是实现超细间距IC的高分辨率连接的最有效方法之一。例如，利用导电颗粒密度为至少30,000pcs/mm2的固定阵列ACF已经证实了小至约300到400μm2的最小键合面积以及窄至3μm的最小键合空间。讨论固定阵列ACF的一些参考文献包括：例如Liang，R.C.等人，“Fixed-Array Anisotropic Conductive Film(FACF)for Ultra FinePitch Applications,”，International Conference on Flexible and PrintedElectronics(ICFPE)Proceedings，Paper S1-2-4，Hsinchu，Taiwan(2010)；“Ultra FinePitch Anisotropic Conductive Film with Fixed Array of Conductive Particles,”IDW’10Proceeding,p.1909,Paper FMC4-4,Fukuoka,Japan(2010)；“Ultra-Fine PitchFixed Array ACF,”Tech on Chinese(2011年3月1日)；以及Liang等人的美国专利申请公开第2014/0141195号。
固定阵列ACF也具有一些缺陷。具体地，如果固定阵列ACF的导电颗粒的密度过高，那么固定阵列ACF与电极基板的附着是不可复制的。例如20,000pcs/mm2以上的导电颗粒密度可阻碍固定阵列ACF与电极基板的附着，因为固定阵列ACF的表面主要被非粘性导电颗粒阵列覆盖。此外，由于导电性颗粒诸如金(Au)、镍(Ni)或其它金属化聚合物颗粒的高浓度(即>30,000pcs/mm2)，固定阵列ACF的着色可能相对较暗或呈褐色，并且色泽暗淡(hazy)。如果将ACF与发光装置诸如发光二极管(LED)或有机LED(OLED)结合使用，那么固定阵列ACF的暗颜色可能会对从该发光装置发射和/或反射的光强度和色纯度产生负面影响。如果在光透射或反射装置诸如液晶显示(LCD)显示器中使用固定阵列ACF，也存在类似的问题。
在用以缓解装置的光强度和色纯度的劣化的一种尝试中，将反射性颜料例如二氧化钛(TiO2)添加到发光装置的已有粘合剂层中。然而，向已有的粘合剂层添加反射性颜料不会改善装置的反射率、光输出或色纯度，除非反射性颜料的浓度高于一定阈值(通常≥10％)。然而，在粘合剂中这种高浓度的反射性颜料往往在微流体颗粒转移过程中导致颗粒转移效率和均匀性的显著劣化。相比之下，在含有低浓度的反射性颜料的厚粘合剂层内的光散射将导致不透明度的改善以及反射率百分比的降低。目前可用的粘合剂层通常包括相对低百分比(即小于2％)的反射性颜料作为填料。因此，本领域中需要具有高浓度导电颗粒的改进的固定阵列ACF，当用于发光装置和光透射或反射装置时，其导致改进的反射率、光输出和色纯度特性。
发明概述
在一方面，公开了一种各向异性导电膜(ACF)，该各向异性导电膜包括非反射性粘合剂层，其包括顶表面，随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒，和沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层。所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
在另一方面，公开了一种ACF，该ACF包括非反射性粘合剂层，其包括顶表面，随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒，和沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的薄膜沉积反射层。所述薄膜沉积反射层包括第二顶表面。该ACF还包括沿所述薄膜沉积反射层的第二顶表面设置的辅助粘合剂层。
在又一方面，公开了一种发光装置，该发光装置包括：发光壳体，该发光壳体包括多个发光元件；电极基板；设置在所述发光壳体和所述发光基板之间的多个芯片凸点(chipbump)；以及将所述发光壳体和所述电极基板电连接的ACF。所述ACF包括：非反射性粘合剂层，其包括顶表面；随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；以及沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层。所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
在另一实施方案中，公开了光反射装置，该光反射装置包括：壳体，电极基板，设置在所述光反射元件和所述电极基板之间的多个芯片凸点，以及将所述壳体和所述电极基板电连接的ACF。所述ACF包括：非反射性粘合剂层，其包括顶表面；随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；以及沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层。所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
从以下描述、附图和所附权利要求书，所公开的方法和***的其它目的和优点将是明显的。
附图简述
图1是包括反射性粘合剂层的所公开ACF的侧截面视图；
图2是图1所示的ACF的替代实施方案，其中所述ACF包括薄膜沉积反射层而不是反射性粘合剂层；
图3是包括图1所示的所公开ACF的发光装置的实施方案；和
图4是包括图1所示的所公开ACF的光透射装置的实施方案。
发明详述
图1是所公开的各向异性导电膜(ACF)10的示意性侧截面视图。ACF 10包括多个导电颗粒20、第一非反射性粘合剂层22、第二反射性粘合剂层24和离型衬垫26(releaseliner)。本领域的普通技术人员将易于理解：所述非反射性粘合剂层22、反射性粘合剂层24和离型衬垫26在图中没有按比例绘制，并且离型衬垫26可能实际上厚于非反射性粘合剂层22和反射性粘合剂层24。非反射性粘合剂层22包括第一顶表面30以及第二底表面32。反射性粘合剂层24也包括第一顶表面34以及第二底表面36。如下面更详细所述并且如图2中所示，在替代实施方案中，ACF 100可以包括薄膜沉积反射层124而不是反射性粘合剂层24。ACF 100还包括单独的另外的粘合剂层128。
回到图1，可以沿着反射性粘合剂层24的顶表面34提供离型衬垫26，并且该离型衬垫用于承载ACF 10。沿非反射性粘合剂层22的顶表面30设置反射性粘合剂层24，并且可以沿着非反射性粘合剂层22的底表面32设置导电颗粒20。用于ACF的任何导电颗粒20可用于实施本公开。Liang等人共同拥有的美国专利8,802,214中公开了可用于ACF 10的导电颗粒20的一些实例，通过引用将整体并入本文。在一个实施方案中，非反射性粘合剂层22包括浓度为至少20,000pcs/mm2的导电颗粒20，并且在一个具体实施方案中至少为30,000pcs/mm2。
在一个示例性实施方案中，ACF 10是非随机或固定阵列ACF。也就是说，导电颗粒20排列在沿非反射性粘合剂层22的底表面32的预定位置。Liang的‘214专利公开了一种制造固定阵列ACF的方法。然而，虽然描述了固定阵列ACF，但是应当理解，本公开不仅限于固定阵列ACF。相反，本公开也可以应用于传统的ACF，其中导电颗粒20随机分散在非反射性粘合剂层22内。
在图1所示的实施方案中，导电颗粒20部分地嵌入非反射性粘合剂层22内，但是应当理解，在另一实施方案中，导电颗粒20也可以完全嵌入非反射性粘合剂层22内。导电颗粒20可以从填充的微腔阵列转移到非反射性粘合剂层22上从而产生ACF 10，并且Liang的‘214专利对此进行了公开。
非反射性粘合剂层22可以是热塑性的、热固性的或它们的前体。有用的粘合剂包括但不限于压敏粘合剂、热熔粘合剂、可热固化或可辐射固化的粘合剂。粘合剂可包含例如环氧化物、酚醛树脂、胺-甲醛树脂、聚苯并噁嗪、聚氨酯、氰酸酯、丙烯酸、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯、乙烯基聚合物、橡胶如聚(苯乙烯-共聚-丁二烯)以及它们的嵌段共聚物、聚烯烃、聚酯、不饱和聚酯、乙烯基酯、环氧树脂、苯氧基树脂、丙烯酸树脂、聚己内酯、聚醚、和聚酰胺。环氧化物，氰酸酯和多官能丙烯酸酯是特别有用的。催化剂或固化剂(包括潜伏性固化剂)可用来控制粘合剂的固化动力学。用于环氧树脂的有用固化剂包括但不限于：二氰基二酰胺(DICY)，己二酸二酰肼，2-甲基咪唑及其包封产物例如获自Asahi Chemical Industry的在液体双酚A环氧树脂中的Novacure HX分散体，胺类例如乙二胺、二亚乙基三胺、三亚乙基四胺、BF3胺加合物，Ajinomoto Co.Inc.提供的Amicure，锍盐例如二氨基二苯砜、对羟基苯基苄基甲基六氟锑酸锍。也可使用偶联剂来改善ACF的耐久性，所述偶联剂包括但不限于：钛酸盐、锆酸盐和硅烷偶联剂如缩水甘油氧基丙基三甲氧基硅烷和3-氨基丙基三甲氧基硅烷。固化剂和偶联剂对基于环氧化物的ACF性能的影响可以参见S.Asai,et al.,J.Appl.Polym.Sci.,56,769(1995)。通过引用将该论文整体并入本文。
在一个实施方案中，非反射性粘合剂层22可包括约4μm至约25μm的厚度。在一个具体实施方案中，非反射性粘合剂层22的厚度可以为约2μm至约15μm，且特别是约3μm至约8μm。在一个实施方案中，反射性粘合剂层24可以包括从约1μm至约10μm的厚度，且特别是约2μm至约6μm。在一个具体实施方案中，反射性粘合剂层24的厚度可以在约3μm至约5μm的范围内。
应当理解，反射性粘合剂层24包括反射性颗粒，该反射性颗粒改善ACF 10的反射率。除了改进的反射率之外，反射性颗粒还可以改善ACF 10与电极基板76的附着(示于图3中)。不受理论约束，认为反射性粘合剂层24中的反射性颗粒可以要么起着局部缺陷的作用从而在键合及非键合区域的边界处提供使反射性粘合剂层24断裂所需的裂纹萌生和扩展，要么作为替代，降低ACF 10与离型衬垫26的粘附。
在一个实施方案中，反射性粘合剂层24的反射性颗粒可以是白色颜料，例如二氧化钛(TiO2)。然而，应当理解，反射性颗粒不限于二氧化钛。例如，反射性颗粒可以是其它类型的白色颜料，例如但不限于氧化锌(ZnO)和氧化锆(ZrO2)。在一个实施方案中，反射性颗粒可以是全聚合物颗粒，例如塑料颜料。特别地，反射性颗粒可以是由Rohm and Haas(现为密歇根州Midland的Dow Chemical Company)生产的全交联聚合物颗粒。在另一实施方案中，反射性颗粒可以是反射或回归反射的颗粒，该颗粒是电绝缘体或用电绝缘体包封的导电体。反射或回归反射颗粒的一些实例是：空心玻璃微球、云母、胆甾型液晶颜料颗粒和高折射率氧化物。高折射率氧化物的一些实例包括但不限于：铟锡氧化物(ITO)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化锆(ZrO2)以及它们的合金。在一个实施方案中，可以使用低指数无色填料如氮化硼(SN)、氧化铝(Al2O3)、氧化硅(SiO2)、碳酸钙(CaCO3)或硫酸钙(CaSO4)或其组合来改善带颜料粘合剂层的反射率。
反射性颗粒的形状可以是例如基本上球形、鳞片状、无定形或针状。如果反射性颗粒具有基本上球形的形状，则应当理解如果反射性颗粒的直径过小，则可能会遭受光反射。然而，如果直径过大，那么导电颗粒所致的各向异性连接往往受到抑制。因此，在一个实施方案中，反射性颗粒的平均直径可以在约0.1μm至约5μm的范围内。在具体的实施方案中，反射性颗粒的直径可以在约0.2μm至约1μm的范围内。如果反射性颗粒包括鳞片状形状，那么其较长直径可以在约0.1μm至约10μm的范围内，并且在一个具体实施方案中为约0.2μm至约1μm，并且其厚度可以在约1μm至约10μm的范围内，以及在一个具体实施方案中为约2μm至约5μm。如果反射性颗粒被绝缘涂层覆盖，那么反射性颗粒的尺寸是包括所述绝缘涂层的尺寸。
应当理解，如果反射性粘合剂层24内的反射性颗粒的百分比过高，这可能导致在预键合期间与电极基板76或芯片凸点80(图3所示)的粘附性降低。反射性颗粒的百分比过高也可能导致降低的耐冲击性、抗热震性和耐湿性。同样，如果粘合剂层24内的反射性颗粒的百分比过低，那么可能遭受光反射。反射性粘合剂层24提供至少20％的反射率。在一个实施方案中，反射性粘合剂层24提供至少30％的反射率，并且在一个具体实施方案中，反射性粘合剂层24提供至少50％的反射率。反射性粘合剂层24可以包括按重量计至少5％(≥5％)的反射性颗粒，并且在一个具体实施方案中，按重量计至少10％(≥10％)的反射性颗粒。在一个实施方案中，反射性粘合剂层24内的反射性颗粒的百分比可以在约10重量％至约20重量％的范围内，这导致至少50％的光反射率。应当理解，在反射性粘合剂层24内也可以使用较高百分比的反射性颗粒，然而这可能导致所得装置的粘附性或可靠性降低。具体地，反射性粘合剂层24内的反射性颗粒的最大百分比为约30重量％。
在一个实施方案中，离型衬垫26的底表面70可首先是微压花的，且反射性粘合剂层24可以涂覆在离型衬垫26上。作为替代，在另一实施方案中，可改为非反射性粘合剂层22的顶表面30被微压花，并且反射性粘合剂层24可以涂覆在非反射性粘合剂层22的顶表面30上。换句话说，离型衬垫26或非反射性粘合剂层22可以包括预压花的表面，并且反射性粘合剂层24可以涂覆在相应的预压花表面上。
图2是ACF 100的替代实施方案，其中通过薄膜沉积例如无电镀或电镀、气相沉积或溅射将反射层124沉积或涂覆到非反射性粘合剂层122的顶表面130。换句话说，非反射性粘合剂层122可以是电镀层或无电镀层、气相沉积层或反射溅射层。可使用中性色金属或金属氧化物层，例如银(Ag)、铝(Al)、二氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及它们的合金，其厚度范围为约5至约300nm厚，并且在一个具体实施方案中为约10至100nm厚。
在图2所示的实施方案中，反射层124是不包括粘合剂的薄膜沉积反射层。因此，可以沿反射层124的顶表面134设置辅助或附加的粘合剂层128，以便一旦除去离型衬垫126就可与观视层(图2所示)产生粘性接触(tacky contact)。具体地，粘合剂层128在电子产品(例如LED)的组装时与观视层产生粘性接触，下面将对此进行更详细的描述。粘合剂层128的组成可以与非反射性粘合剂层122或反射性粘合剂层124相同或不同。可以将反射层124层压或沉积到非反射性粘合剂层122上。作为替代，可以首先将反射层124沉积到附加的粘合剂层128上，该附加的粘合剂层被预涂覆在离型衬垫126上，然后将所得薄膜沉积粘合剂层压到非反射性粘合剂层122上。然后可以将导电颗粒120填充到微腔阵列(未示出)中以及从微腔阵列转移到非反射性粘合剂层122。
继续参考图2，在使用气相沉积技术的情形中，通过如下工艺制造ACF 100：其中通过气相沉积或溅射首先将反射层124沉积或涂覆在非反射性粘合剂层122的顶表面130上，以及可沿反射层的顶表面设置附加粘合剂层(未示出)以便与观视层产生粘性接触。然后可以通过微流体填充过程将导电颗粒120填充到微腔阵列中，并随后使用Liang的‘214专利中公开的颗粒转移工艺将导电颗粒120转移到非反射层122上。作为替代，回到图1，在反射性颜料为颗粒的实施方案中，可以通过首先将反射性粘合剂层24涂覆到离型衬垫26的底表面70上或者非反射性粘合剂层22的顶表面30上来制造ACF 10。然后可以通过微流体填充工艺将导电颗粒20填充到微腔阵列中，然后使用Liang的‘214专利中公开的颗粒转移工艺将导电颗粒转移到非反射层22上。
图3是发光装置72的示例性图示。ACF 10可用于将发光装置72的发光壳体74电连接到发光装置72的电极基板76。发光壳体72可以含有或包括多个发光元件，例如LED或有机LED(OLED)、迹线或电极、基板、以及光学和封装子***(未示出)。发光装置72可包括设置在发光装置72的发光元件74和电极基板76之间的多个芯片凸点80。由图3可见，导电颗粒20可以是可变形的，并且在键合过程期间通过芯片凸点80被挤压成大致椭圆形，以便建立改善的竖向电连接。在图3所示的实施方案中，发光壳体74的发光元件，例如LED或OLED(在图3中LED不可见)，构建在芯片凸点80的顶部。
从发光壳体74的发光元件发射的光线82可以穿过发光装置72到达观察者(未示出)。由图3可见，一部分光线82a可以沿着发光壳体74的上表面84转向并且返回朝向发光芯片凸点80。然后光线82a可被ACF 10的反射性粘合剂层24反射到返回朝向发光壳体74的上表面84的方向。换句话说，ACF 10的反射性粘合剂层24用于再次反射光并且还改善总的光输出。
参考图1和图3两者，可以使用典型的ACF/键合工艺制造发光装置72，其中将ACF10首先放置在电极基板76的顶表面88上，在这里导电颗粒20面朝下，对着顶部电极基板76的顶表面88。然后可以通过辊子或压印将压力施加到ACF 10和电极基板76。在一个实施方案中，以约0.2至约0.3MPa在约70℃至80℃之间的温度，施加压力持续约1秒至约3秒。然后可以除去离型衬垫26(图1所示)。然后可以将芯片凸点80放置在ACF 10的顶部。通过玻璃上芯片(COG)键合机施加约60MPa的高压待续约5秒，并且然后可施加约150℃至180℃的加热持续约5至10秒钟从而完成ACF 10、电极基板76和芯片凸点80之间的键合。
图4是可与装置诸如液晶显示器(LCD)和电子纸显示器(EPD)一起使用的光反射或透反装置272。光反射装置272包括与图3所示的发光装置72相似的结构，区别在于壳体74不包括发光元件诸如LED。相反，不同于图3所示的发光装置72，光线82由外部光源(未示出)产生，并且从观视侧(未示出)通过壳体74的上表面84进入光反射装置272。光线82然后可被ACF 10的反射性粘合剂层24反射到返回朝向壳体74的上表面84的方向。
总体参考附图，所公开的ACF包括反射层以及非反射性粘合剂层。需要所述反射层以实现高的反射率，同时使用所述非反射性粘合剂层以便在微流体转移过程期间促进导电颗粒的转移。反射层可以是反射性粘合剂层(如图1所示)或者是薄膜沉积的反射层(如图2所示)。当ACF是发光、光透射或透反装置的一部分时，ACF的反射层导致改善的光输出和色纯度特性。另外，在预键合期间，ACF还导致ACF 10与电极基板76(图3所示)的改良附着。本领域普通技术人员将容易理解，该改善的键合能力是预料不到的但却是期望的结果，因为当导电颗粒的浓度增加时通常会经历ACF的可附着性降低。
实施例1
在实施例1中，制备了具有层压到非反射性粘合剂层上的反射性粘合剂层的固定阵列ACF。具体而言，将包含31.5份来自InChem Corp.的苯氧基树脂(PKFE)、5.2份来自Arkema Chemicals Company的丙烯酸嵌段共聚物M52N、3.0份来自Sigma-Aldrich的双酚A二环氧化物、4.0份的来自Sigma-Aldrich的甘油三环氧化物、0.5份来自MomentivePerformance Materials，Inc.的Silwet 7622、3.3份来自Cabot Corp.的CAB-O-Sil L90和49.4份来自Asahi Chemicals的HXA 3922的环氧粘合剂层(I)组合物涂覆在2密耳的T-10离型膜(获自Eastman Chemical Company的聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)离型衬垫)上，目标厚度为6.0±0.5μm。以5.5±0.5μm的目标厚度将包含80份粘合剂(I)和20份二氧化钛(TiO2)(获自DuPont的Ti-Pure R706)的反射性粘合剂层(II)涂覆在2密耳的PET基板上，在涂覆之前即刻用0.08至0.10kw的电晕对所述基板进行预处理。通过层压机以6英尺/分钟(fpm)的速度将两个涂覆膜层压，辊温度为约60℃。将T-10离型膜剥离，并将所得环氧复合粘合膜进一步在50℃下以6fpm进行加热。所得粘合剂膜的总厚度为11.5±0.5μm。
通过微流体颗粒填充工艺用3.2μm直径的导电Au/Ni镀覆聚合物颗粒预填充约5μm(开口直径)和约3-4μm(深度)和2-3μm(间隔)的微腔阵列，随后将颗粒转移到处于65℃和5.5fpm的上述复合粘合剂膜上，如Liang的‘214专利以及美国专利公开2014/0312501、2014/0261992和2013/0071636(全部属于Liang等人)中所述，通过引用将它们整体并入本文。重复颗粒填充和转移过程以实现至少30,000pcs/mm2的最大导电颗粒密度，然后以70℃、6fpm进行压延处理从而将导电颗粒基本上推入粘合剂膜中。
实施例2
在实施例2中，除了将反射性粘合剂层(II)的厚度减小到2.5±0.5μm并且所得的复合环氧粘合剂膜的总厚度为约8.5±0.5μm之外，重复实施例1的上述步骤。表1中示出层压的环氧树脂的紫外-可见光谱结果，并且表2中示出导电颗粒密度、键合之后的颗粒捕获以及键合集成电路(IC)芯片的剪切力。从表1和表2中可见，在IC键合之后能够以令人满意的(>35％)的颗粒捕获率(定义为在键合之后在芯片凸点或电极上捕获的颗粒的百分数)和剪切力(>25MPa)实现至少55％的反射率和至少97％的颗粒转移效率(在微流体填充/转移过程之后转移到粘合剂膜上的导电颗粒数目与阵列上的微腔数目的比率)。当反射层的厚度增加到5.5μm时，可以实现>70％的反射率(实施例1)。应注意的是，在表2中，捕获率是根据由1500μm2的凸点尺寸获得的数据确定。
表1反射性ACF的紫外-可见光谱结果
表2颗粒密度、捕获率和剪切力性能结果
*捕获率是根据从1500μm2的凸点尺寸获得的数据确定
实施例3
在实施例3中，制备没有反射层的比较性固定阵列ACF。具体而言，使用实施例1的步骤制备没有反射层的固定阵列ACF，区别仅在于使用11.5±0.5μm厚度的粘合剂层(I)。
实施例4
在实施例4中，制备比较性固定阵列ACF。具体而言，以实施例3的步骤制备具有11.5±0.5μm厚度的单一粘合剂层(III)的固定阵列ACF，区别在于粘合剂层(III)含有粘合剂层(I)和实施例1的反射性粘合剂层(II)的均匀混合物。
表4-6中示出了实施例3和4的ACF的紫外-可见光谱、键合芯片的键合附着性和性能。从表4可以看出，仅含有非反射性粘合剂(I)层的比较性实施例3的ACF显示出可忽略的反射率。此外，与具有复合粘合剂层(I)+(II)的实施例1相比时，实施例4的ACF也显示出极低百分比的反射率，即使两个ACF都包含完全相同量的反射性颜料。
将ACF(两者厚度均为11.5μm)预键合，并且附着性结果示于表5中。包含复合粘合剂层的ACF(实施例1)表现出比实施例3和4的ACF更容易附着到ITO玻璃，键合压力更低且键合时间更短。在表6中也可以观察到，实施例1和3的ACF表现出比实施例1显著更高的捕获率和剪切力。还发现具有复合反射性粘合剂层的固定阵列ACF(实施例1)在微流体颗粒填充/转移过程中表现出比具有单一混合物粘合剂层的ACF更高的颗粒转移效率，即使两个实施例中的成分基本相同也是如此。
表4反射性ACF相对于非反射性ACF的紫外-可见光谱结果
表5在变化的键合条件下ACF与ITO玻璃的附着性结果
*来自5C存储、在25C温热1小时分钟的ACF
表6非反射性ACF的颗粒密度、捕获率及剪切力性能结果
*捕获率是根据从1500μm2的凸点尺寸获得的数据确定
已详细且参照具体的实施方案描述了本公开，将清楚的是：在不偏离以下权利要求书的精神和范围的情况下，许多变化和修改也是可能的。

Claims (30)

1.一种各向异性导电膜(ACF)，该各向异性导电膜包含：
非反射性粘合剂层，其包括顶表面；
随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；和
沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层，其中所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
2.根据权利要求1的ACF，其中所述ACF是固定阵列ACF并且所述导电颗粒排列在沿所述非反射性粘合剂层的底表面的预定位置。
3.根据权利要求2的ACF，其中所述导电颗粒沿所述非反射性粘合剂层的底表面部分地嵌入。
4.根据权利要求1的ACF，其中所述反射性颗粒选自：反射性颗粒和回归反射性颗粒。
5.根据权利要求1的ACF，其中所述反射性颗粒选自：电导体和电绝缘体。
6.根据权利要求1的ACF，其中所述反射性颗粒是选自如下的高折射率氧化物：氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化锆(ZrO2)以及它们的合金。
7.根据权利要求1的ACF，其中所述反射性颗粒选自：空心玻璃微球、云母、胆甾型液晶颜料颗粒和全交联的聚合物颗粒。
8.根据权利要求1的ACF，其中所述反射层包含选自如下的填料颗粒：氧化锌(ZnO)、氮化硼(SN)、氧化硅(S iO2)、氧化铝(Al2O3)、碳酸钙(CaCO3)或硫酸钙(CaSO4)、及其组合。
9.根据权利要求1的ACF，其中所述反射层包括至少10重量％的反射性颗粒。
10.根据权利要求9的ACF，其中所述非反射性粘合剂层的顶表面是预压花的。
11.根据权利要求1的ACF，其包含沿所述反射层的顶表面设置的离型衬垫。
12.根据权利要求11的ACF，其中所述离型衬垫的底表面是预压花的。
13.根据权利要求1的ACF，其中所述反射性粘合剂层包括约1μm至约10μm的厚度。
14.根据权利要求1的ACF，其中所述非反射性粘合剂层包括浓度为至少20,000pcs/mm2的导电颗粒。
15.一种各向异性导电膜(ACF)，该各向异性导电膜包含：
非反射性粘合剂层，其包括顶表面；
随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；和
沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的薄膜沉积反射层，所述薄膜沉积反射层包括第二顶表面；以及
沿所述薄膜沉积反射层的第二顶表面设置的辅助粘合剂层。
16.根据权利要求15的ACF，其中所述ACF是固定阵列ACF并且所述导电颗粒排列在沿所述非反射性粘合剂层的底表面的预定位置。
17.根据权利要求16的ACF，其中所述导电颗粒沿所述非反射性粘合剂层的底表面部分地嵌入。
18.根据权利要求15的ACF，其中所述反射层包括至少10重量％的反射性颗粒。
19.根据权利要求15的ACF，其中所述薄膜沉积反射层是气相沉积层。
20.根据权利要求15的ACF，其中所述薄膜沉积反射层是反射性溅射层。
21.一种发光装置，该发光装置包括：
发光壳体，该发光壳体包括多个发光元件；
电极基板；
设置在所述发光壳体和所述电极基板之间的多个芯片凸点；以及
各向异性导电膜(ACF)，所述各向异性导电膜将所述发光壳体与所述电极基板电连接，所述各向异性导电膜包含：
非反射性粘合剂层，其包括顶表面；
随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；和
沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层，
其中所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
22.根据权利要求21的发光装置，其中所述反射层包括至少10重量％的反射性颗粒。
23.根据权利要求21的发光装置，其中所述反射性颗粒是选自如下的高折射率氧化物：氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化锆(ZrO2)以及它们的合金。
24.根据权利要求21的发光装置，其中所述反射性颗粒选自：空心玻璃微球、云母、胆甾型液晶颜料颗粒和全交联的聚合物颗粒。
25.根据权利要求21的发光装置，其中所述反射层包含选自如下的填料颗粒：氧化锌(ZnO)、氮化硼(SN)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳酸钙(CaCO3)或硫酸钙(CaSO4)、及其组合。
26.一种光反射或透反装置，其包括：
壳体；
电极基板；
设置在所述光反射元件和所述电极基板之间的多个芯片凸点；和
各向异性导电膜(ACF)，所述各向异性导电膜将所述壳体和所述电极基板电连接，所述各向异性导电膜包括：
非反射性粘合剂层，其包括顶表面；
随所述非反射性粘合剂层一起被包括的多个导电颗粒；以及
沿所述非反射性粘合剂层的顶表面设置的反射性粘合剂层，其中所述反射层包括至少5重量％的反射性颗粒。
27.根据权利要求26的光反射或透反装置，其中所述反射层包括至少10重量％的反射性颗粒。
28.根据权利要求26的光反射或透反装置，其中所述反射性颗粒是选自如下的高折射率氧化物：氧化铟锡(ITO)、氧化锌(ZnO)、二氧化钛(TiO2)、氧化铟锌(IZO)、氧化锡(SnO)、氧化锆(ZrO2)以及它们的合金。
29.根据权利要求26的光反射或透反装置，其中所述反射性颗粒选自：空心玻璃微球、云母、胆甾型液晶颜料颗粒和全交联的聚合物颗粒。
30.根据权利要求26的光反射或透反装置，其中所述反射层包含选自如下的填料颗粒：氧化锌(ZnO)、氮化硼(SN)、氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、碳酸钙(CaCO3)或硫酸钙(CaSO4)、及其组合。
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