CN107357095A - 液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

一种液晶显示装置，包括：基板；第一耦合电极，布置在基板上；第一绝缘层，布置在第一耦合电极上；第二耦合电极，布置在第一绝缘层上并电容性耦合至第一耦合电极；第二绝缘层，布置在第二耦合电极上；以及像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极布置在第二绝缘层上并彼此电绝缘，其中，第一子像素电极经由限定在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一接触孔电连接至第一耦合电极，并且第二子像素电极经由限定在第二绝缘层中的第二接触孔电连接至第二耦合电极。

Description

液晶显示装置

本申请要求于2016年5月3日提交的韩国专利申请号10-2016-0054772的优先权并且要求由此产生的所有权益，通过引证将其全部内容结合在此。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种液晶显示(“LCD”)装置。

背景技术

作为最广泛使用的显示装置之一的液晶显示(“LCD”)装置通常包括诸如像素电极和共用电极的场产生电极形成在其上的两个基板以及***在两个基板之间的液晶层。LCD装置通过将电压施加至场产生电极以在液晶层中产生电场(其确定液晶层中液晶分子的定向以调节入射光的偏振)来显示图像。

LCD装置的实例是垂直配向(“VA”)模式LCD装置，其在没有电场的情况下，将液晶分子配向成使得液晶分子的长轴垂直于上面板和下面板。VA模式LCD装置由于其高对比度和宽参考视角而变得很突出。如本文中使用的，“参考视角”表示对应于1:10的对比度的视角或灰度级之间的亮度反转的有限角。

对于VA模式LCD装置，已提出各种技术以使侧面可视性变得尽可能接近正面可视性，包括通过将每一个像素电极划分成两个子像素电极并分别向两个子像素电极提供不同的电压来提供不同的透射率的技术。

发明内容

为了实现垂直配向(“VA”)模式的液晶显示(“LCD”)装置并向两个子像素电极分别提供不同的电压，已提出使用两个或更多个薄膜晶体管(“TFT”)的方法。然而，在这种方法中，由于提供多个TFT和多个接触孔，VA模式的LCD装置的开口率会降低。

本发明的示例性实施方式提供了一种LCD装置，其确保了足够高的开口率并且同时提供了改善的可视性。

然而，本发明的示例性实施方式不限于本文阐述的那些。通过参考以下给出的本发明的详细描述，本发明的以上和其他示例性实施方式对本发明所属领域的普通技术人员而言将变得更显而易见。

根据本发明的示例性实施方式，提供了一种液晶显示装置。液晶显示装置，包括：基板；第一耦合电极，布置在基板上；第一绝缘层，布置在第一耦合电极上；第二耦合电极，布置在第一绝缘层上并电容性地耦合至第一耦合电极；第二绝缘层，布置在第二耦合电极上；以及像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极布置在第二绝缘层上并彼此电绝缘，其中，第一子像素电极经由限定在第一绝缘层和第二绝缘层中的第一接触孔电连接至第一耦合电极，并且第二子像素电极经由限定在第二绝缘层中的第二接触孔电连接至第二耦合电极。

根据本发明的另一示例性实施方式，提供了一种液晶显示装置。液晶显示装置，包括：基板；第一耦合电极，布置在基板上；第一绝缘层，布置在第一耦合电极上；第二耦合电极，布置在第一绝缘层上并电容性地耦合至第一耦合电极；第二绝缘层，布置在第二耦合电极上；以及像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，第一子像素电极和第二子像素电极布置在第二绝缘层上并彼此电绝缘，其中，第一子像素电极经由限定在第二绝缘层中的第一接触孔电连接至第二耦合电极，并且第二子像素电极经由限定在第一绝缘层和第二绝缘层中的第二接触孔电连接至第一耦合电极。

根据示例性实施方式，可以提供确保足够高的开口率并且同时提供改善的可视性的LCD装置。

从以下的详细描述、附图和权利要求，其他特征和示例性实施方式将是显而易见的。

附图说明

通过参考附图更详细地描述本公开的示例性实施方式，本公开的上述和其他示例性实施方式、优点和特征将变得更加显而易见，其中：

图1是根据本发明的液晶显示(“LCD”)装置的像素的示例性实施方式的平面图。

图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图。

图3是沿着图1的线II-II’截取的截面图。

图4是沿着图1的线III-III’截取的截面图。

图5是示出了图1的像素电极的放大平面图。

图6是示出了图5的区域A的放大平面图。

图7是沿着图6的线IV-IV’截取的截面图。

图8是图1的LCD装置的像素的示例性实施方式的等效电路图。

图9是示出了图1的LCD装置的示例性实施方式的改进的曲线图。

图10是根据本发明的LCD装置的像素电极的另一示例性实施方式的平面图。

图11是根据本发明的LCD装置的像素电极的另一示例性实施方式的平面图。

图12是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图13是沿图12的线V-V’截取的截面图。

图14是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图15是沿着图14的线VI-VI’截取的截面图。

图16是沿图14的线VII-VII’截取的截面图。

图17是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图18是沿着图17的线VIII-VIII’截取的截面图。

图19和图20是示出了在连续两帧上分别施加给图17的像素的元件的电压的曲线图。

图21是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图22是沿着图21的线IX-IX’截取的截面图。

图23是根据本发明的LCD装置的像素的另一示例性实施方式的平面图。

图24是沿着图23的线X-X’截取的截面图。

具体实施方式

现在将参照附图在下文中更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的优选实施方式。然而，本发明可以以不同的形式体现并且不应当被解释为限于本文所阐述的实施方式。而是，提供这些实施方式使得本公开将详尽和完整，并且将本发明的范围充分传达给本领域的技术人员。贯穿说明书，相同的参考标号表示相同的部件。在附图中，为清晰起见，层和区域的厚度被夸大。

将理解的是，虽然在本文中可以使用术语第一、第二、第三等来描述各种元件，但这些元件不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一元件区分开。因此，在不背离本发明的教导的情况下，下文所讨论的第一元件可以被称为第二元件。

在本文中所使用的术语仅用于描述特定实施方式的目的，而并非旨在限制。如在本文中所使用的，单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式(其包括“至少一个”)，除非内容另有明确说明。“或者”是指“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列举项的任意和所有组合。将进一步理解的是，当在本说明书中使用术语“包括(comprises)”和/或“包括(comprising)”或者“包含(includes)”和/或“包含(including)”时，是指存在所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件、和/或部件，但并不排除存在或者添加一个或多个其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。

为了便于描述，在本文中可使用诸如“在…下面”、“在…下方”、“下部”、“在…上方”、“上部”等空间相对术语来描述如附图中示出的一个元件或特征与另一(或另外多个)元件或特征的关系。将理解的是，除图中描绘的定向之外，空间相对术语旨在包括使用或运行中的装置的不同定向。例如，如果将图中的装置翻转，则被描述为在其他元件或特征下方或下面的元件将被定向为在其他元件或特征上方。因此，示例性术语“在…下方”可涵盖在…上方和在…下方两个定向。装置可被另行定向(例如，旋转90度或者位于其他定向)并且相应地解释文中所用的空间相对描述符。

考虑到所讨论的测量以及与特定数量的测量相关的误差(即，测量***的限制)，如本文使用的“大约”或“近似”包括所述值和在由本领域普通技术人员确定的特定值的偏差的可接受范围内的平均值。例如，“大约”可以指在一个或多个标准偏差之内、或者在所述值的±30％、20％、10％、5％之内。

除非另有明确限定，本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与由本发明所属领域的普通技术人员所通常理解的相同含义。将进一步理解的是，诸如在通常使用的词典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关领域和本发明的上下文下的含义一致的含义，并且这些术语将不以理想化或过于正式的意思来解释，除非本文明确如此定义。

参照为理想化的实施方式的示意性示图的截面示图，在本文中描述了示例性实施方式。因此，预期作为例如制造技术和/或公差的结果的来自示图形状的变体。因此，在本文中描述的实施方式不应当解释为局限于如在本文中示出的区域的特定形状，而是包括例如由制造导致的在形状上的偏差。在示例性实施方式中，示出或者描述为平坦的区域通常可以具有粗糙的和/或非线性的特征。而且，示出的锐角可以是圆的。因此，在图中所示出的区域在本质上是示意性的并且其形状并不旨在示出区域的精确形状并且并不旨在限制权利要求的范围。

下文中，将参照附图详细描述本发明的示例性实施方式。

图1是根据本发明的示例性实施方式的液晶显示(“LCD”)装置的像素的平面图，图2是沿着图1的线I-I’截取的截面图，图3是沿着图1的线II-II’截取的截面图，图4是沿着图1的线III-III’截取的截面图，以及图5是示出了图1的像素电极的放大平面图。

参照图1至图5，根据示出的示例性实施方式的LCD装置包括第一显示基板100、第二显示基板300以及液晶层200。

第一显示基板100可以是像素电极180和薄膜晶体管(“TFT”)167布置于其上的基板。TFT 167可以控制提供至像素电极180的数据电压。第二显示基板300是布置为面对第一显示基板100的对向基板。液晶层200包括液晶分子210并***于第一显示基板100和第二显示基板300之间。

根据示例性实施方式的LCD装置包括以矩阵形式布置的至少一个像素10。可以独立地控制像素10的灰度级。像素10可以是用于显示特定颜色的基本单元。像素10包括显示区域11和非显示区域12，显示区域11将入射到第一显示基板100的底部上的光穿过其向第二显示基板300的顶部传输并显示实际颜色，并且非显示区域12对应于除显示区域11以外的区域。

在下文中将描述第一显示基板100。

第一显示基板100包括第一基底基板110。在示例性实施方式中，第一基底基板110可以是透明绝缘基板。在示例性实施方式中，例如，第一基底基板110可以是玻璃基板、石英基板、或透明树脂基板。

在一些示例性实施方式中，第一基底基板110可以沿着特定方向弯曲。在一些其他示例性实施方式中，第一基底基板110可具有柔性。即，第一基底基板110可以通过卷起、折叠、或者弯曲变形。

栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125布置在第一基底基板110上。

栅极线122发送栅极信号Vgate，栅极信号Vgate控制将在下面详细地描述的TFT167。栅极线122可以在第一方向D1上延伸。

第一方向D1可以是在布置有第一基底基板110的平面上方平行于第一基底基板110的一边的方向，并且可以被定义为由从图1的左侧延伸到右侧的任意直线表示的方向。然而，第一方向D1不特别限制为平行于第一基底基板110的一边，并可以是在任意特定方向上延伸穿过第一基底基板110的一条直线表示的方向。

栅极信号Vgate可以是由外部源提供的具有可变电压的信号。可由栅极信号Vgate的电压控制TFT 167的导通或截止。

栅电极124可以设置为从栅极线122突出并且可以是形成TFT 167的元件中的一个。

第一耦合电极125可以与将在下面描述的第二耦合电极168重叠，并且因此可以电容性地耦合至第二耦合电极168。第一耦合电极125可以感应被提供至第二耦合电极168的电压。第一耦合电极125可以与栅电极124或栅极线122电绝缘，并且可以不与栅电极124或栅极线122重叠。

与延伸经过一个以上的像素10的栅极线122不同，第一耦合电极125可以布置在每一个像素10中。第一耦合电极125可以十字的形式布置在显示区域11中并且可以被设置为甚至在显示区域11的外部具有预定区域以连接至TFT 167。

栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125可以包括相同的材料。在示例性实施方式中，例如，栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125可以包括铝(Al)、Al基金属(诸如，Al合金)、银(Ag)、Ag基金属(诸如，Ag合金)、铜(Cu)、Cu基金属(诸如，Cu合金)、钼(Mo)、Mo基金属(诸如，Mo合金)、铬(Cr)、钽(Ta)、钛(Ti)等。栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125可具有单层结构或可具有包括具有不同的物理特性的两个导电膜的多层结构。

由于第一耦合电极125和栅极线122使用相同的材料设置在相同的层中，所以不需要另外的图案化或者掩膜处理。因此，根据示例性实施方式的LCD装置的制造成本可以被最小化。

栅极绝缘层130布置在栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125上。栅极绝缘层130可以包括绝缘材料。在示例性实施方式中，例如，栅极绝缘层130可以包括氮化硅或氧化硅。栅极绝缘层130可具有单层结构或可具有包括具有不同的物理性能的两个绝缘膜的多层结构。

半导体层140布置在栅极绝缘层130上。半导体层140可以与栅电极124至少部分地重叠。在示例性实施方式中，例如，半导体层140可以包括非晶硅、多晶硅、或氧化物半导体。

半导体层140可以与栅电极124至少部分地重叠并可以由将在下面描述的源电极165和漏电极166至少部分地重叠。在示例性实施方式中，半导体层140布置在布置有栅电极124的区域内和周围，但可以布置为覆盖比布置有栅电极124的区域大的区域。更具体地，在使用不同的掩膜布置半导体层140、数据线162、源电极165、以及漏电极166的情况下，半导体层140可以仅设置在布置有栅电极124的区域内和周围。在都使用相同的掩膜设置半导体层140和数据线162的情况下，半导体层140可以被布置为由所有的数据线162、源电极165、以及漏电极166重叠。

尽管没有具体地示出，但在示例性实施方式中，欧姆接触构件可以另外设置在半导体层140上。在示例性实施方式中，例如，欧姆接触构件可以包括掺杂有高浓度的n型杂质的n+氢化非晶硅或硅化物。欧姆接触构件可以成对地布置在半导体层140上。布置在源电极165、漏电极166、以及半导体层140中的欧姆接触构件可以使源电极165、漏电极166、以及半导体层140具有欧姆接触性能。在半导体层140包括氧化物半导体的情况下，可以不提供欧姆接触构件。

数据线162、源电极165、漏电极166、以及第二耦合电极168布置在半导体层140和栅极绝缘层130上。

数据线162可以在第二方向D2上延伸并可以与栅极线122交叉。

第二方向D2可以是在布置有第一基板110的平面上方与第一方向D1交叉的方向，例如，是由从图1的顶部延伸到底部的任意直线表示的方向。在示例性实施方式中，第一方向D1和第二方向D2可以直角彼此交叉。

数据线162可以通过栅极绝缘层130与栅极线122、栅电极124、以及第一耦合电极125绝缘。

数据线162可以将数据信号Vdata提供至源电极165。数据信号Vdata可以是由外部源提供的具有可变电压的信号。可以由数据信号Vdata控制像素10的灰度级。

源电极165可以从数据线162分支并可以与栅电极124至少部分地重叠。源电极165可以经由半导体层140将由数据线162提供的数据信号Vdata提供至漏电极166。

在平面图中，漏电极166可以在半导体层140上方与源电极165间隔开并可以与栅电极124部分地重叠。如图1所示，源电极165可以距漏电极166预定距离面对漏电极166，但本发明不限于此。即，在可替换的示例性实施方式中，源电极165可以以“U”形状延伸并且可以围绕漏电极166。

半导体层140可以布置在彼此隔开的源电极165与漏电极166之间的区域中。即，源电极165和漏电极166可以与半导体层140部分地重叠或者接触并可以面向彼此而使半导体层140***在其间。

第二耦合电极168可以通过电容性地耦合至第一耦合电极125而形成耦合电容器Cc。即，在第一耦合电极125和第二耦合电极168布置为彼此重叠的区域中，耦合电容器Cc可具有布置在第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的栅极绝缘层130作为介电体。提供至第一耦合电极125的预定百分比的电压可以被感应至第二耦合电极168。第二耦合电极168可以被设置为与第一耦合电极125重叠。第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的重叠区域越大，设置在第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的耦合电容器Cc的电容越高。

耦合电容器Cc的电容越高，在第一耦合电极125中产生的电压与在第二耦合电极168中产生的电压越相似。耦合电容器Cc的电容越低，在第一耦合电极125中产生的电压与在第二耦合电极168中产生的电压的差异越大。

通过控制耦合电容器Cc的电容，可以控制施加于第一子像素电极181的电压和施加于第二子像素电极182的电压的比例，并且这将参照图8在下面详细地描述。

第二耦合电极168可以十字的形式布置在显示区域11中。如上所述，第一耦合电极125也可以十字的形式布置在显示区域11中。因此，第一耦合电极125和第二耦合电极168可以彼此重叠，在显示区域11中形成十字的形状。

数据线162、源电极165、漏电极166、以及第二耦合电极168可以包括相同的材料。在示例性实施方式中，例如，数据线162、源电极165、漏电极166、以及第二耦合电极168可以包括Al、Cu、Ag、Mo、Cr、Ti、Ta或其合金。数据线162、源电极165、漏电极166、以及第二耦合电极168可具有多层结构，该多层结构包含含有耐高温金属的下部膜和布置在下部膜上的低电阻上部膜，但本发明不限于此。

由于像素电极180的上述结构，十字形暗区域可以设置在显示区域11的中间。十字形的第一耦合电极125和第二耦合电极168可以布置为与十字形暗区域重叠。因此，由于包括不透明导电材料的第一耦合电极125和第二耦合电极168的存在而导致的显示区域11的透射率可能出现的任意减小可以被最小化。

栅电极124、半导体层140、源电极165、以及漏电极166可以形成TFT 167。TFT 167可以布置在像素10中，具体地，可以布置在除显示区域11以外的区域中。

TFT 167的输入端子可以对应于源电极165，TFT 167的输出端子可以对应于漏电极166，并且TFT 167的控制端子可以对应于栅电极124。

由于第二耦合电极168和数据线162使用相同的材料被设置在相同的层中，不需要另外形成图案化或者掩膜处理。因此，根据示例性实施方式的LCD装置的制造成本可以被最小化。

第一钝化层171布置在数据线162、TFT 167、以及第二耦合电极168上。第一钝化层171可以包括无机绝缘材料。第一钝化层171可以布置为覆盖数据线162、TFT 167、以及第二耦合电极168。第一钝化层171可以保护数据线162、TFT 167、以及第二耦合电极168不受布置在其上的元件的影响。

滤色器层172布置在第一钝化层171上。在示例性实施方式中，滤色器层172可以包括光敏有机组合物，该光敏有机组合物包含用于实现颜色的颜料，并且例如，颜料可以包括红色、绿色、以及蓝色颜料中的任一种。在示例性实施方式中，例如，滤色器层172可以包括多个滤色器。在示例性实施方式中，例如，多个滤色器中的每一个可以显示多个基色(诸如，红色、绿色、及蓝色)中的任一个，但本发明不限于此。即，在另一实例中，例如，多个滤色器中的每一个可以显示青色、品红、黄色、以及白色中的任一个。

平坦化层173布置在滤色器层172上。平坦化层173可以平坦化布置在平坦化层173与第一基底基板110之间的元件产生的任何区域高度差异。

第二钝化层174布置在平坦化层173上。在示例性实施方式中，第二钝化层174可以包括无机绝缘材料，诸如，氧化硅、氮化硅、或者氮氧化硅。第二钝化层174可以抑制液晶层200被有机材料(诸如，来自平坦化层173和滤色器层172的溶剂)污染。因此，可以防止在根据示例性实施方式的LCD装置的驱动过程中可能出现的缺陷(诸如，图像粘附)。在示例性实施方式中，可以不设置第二钝化层174。

像素电极180和屏蔽电极183布置在第二钝化层174上。

像素电极180包括彼此电绝缘的第一子像素电极181和第二子像素电极182。第一子像素电极181和第二子像素电极182可以成对地布置在每一个像素10中。另外，第一子像素电极181和第二子像素电极182可以使用相同的材料设置在相同的层中。第一子像素电极181和第二子像素电极182可以布置为彼此不重叠。

第一子像素电极181可以经由第一接触孔184物理连接至漏电极166和第一耦合电极125，并可以因此被提供有来自漏电极166的数据信号Vdata，第一接触孔184穿透栅极绝缘层130、第一钝化层171、滤色器层172、平坦化层173、以及第二钝化层174。从漏电极166提供的数据信号Vdata可以经由布置在第一接触孔184中的第一子像素电极181提供至第一耦合电极125。因此，提供至漏电极166的数据信号Vdata可以被提供至第一子像素电极181和第一耦合电极125两者。

第一接触孔184可以限定在每一个像素10的非显示区域12中。由于第一接触孔184连接布置在不同层中的三个导电材料，第一接触孔184的深度可以从第一接触孔184的一部分至另一部分是变化的。即，第一接触孔184包括第一高度部分184_1和第二高度部分184_2，第一高度部分184_1具有从第一基底基板110的顶表面至布置在第一接触孔184中的第一子像素电极181的顶表面的第一高度dt1，第二高度部分184_2具有从第一基底基板110的顶表面至布置在第一接触孔184中的第一子像素电极181的顶表面的第二高度dt2。第二高度dt2可以小于第一高度dt1。

更具体地，第二高度部分184_2可以穿透栅极绝缘层130、第一钝化层171、滤色器层172、平坦化层173、以及第二钝化层174并且因此可以暴露第一耦合电极125。第一高度部分184_1可以穿透第一钝化层171、滤色器层172、平坦化层173、以及第二钝化层174并且因此可以暴露漏电极166。分别由第一高度部分184_1和第二高度部分184_2暴露的第一耦合电极125和漏电极166可以通过第一子像素电极181被物理连接和电连接。更具体地，TFT167的输出端子(即，漏电极166)和第一子像素电极181可以在第一高度部分184_1中彼此接触，并且第一耦合电极125和第一子像素电极181可以在第二高度部分184_2中彼此接触。第一子像素电极181可以从第一高度部分184_1延伸至第二高度部分184_2。

第二子像素电极182可以经由第二接触孔185物理连接并且电连接至第二耦合电极168并且因此可以接收在第二耦合电极168中产生的电压，第二接触孔185穿透第一钝化层171、滤色器层172、平坦化层173、以及第二钝化层174。提供至第二耦合电极168的电压可以是通过设置在第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的耦合电容器Cc被感应至第二耦合电极168的电压。

第二接触孔185可以限定在每一个像素10的非显示区域12中。

第二接触孔185可以限定为与第一耦合电极125间隔开并与第一耦合电极125重叠，使得栅极绝缘层130***其间。第一耦合电极125布置在第二接触孔185下方。因此，在第二接触孔185与第二耦合电极168重叠的情况下，第一耦合电极125和第二耦合电极168可以彼此重叠。因此，通过使用其中限定了第二接触孔185的区域，可以容易确保耦合电容器Cc的电容。

第一子像素电极181包括第一主干电极181_1和多个第一分支电极181_2。第一主干电极181_1可以沿着第二方向D2从显示区域11延伸。第一分支电极181_2可以相对于第一方向D1或第二方向D2沿着对角线方向从第一主干电极181_1延伸。

第一微缝181_3布置在彼此平行布置的第一分支电极181_2间。第一微缝181_3可以是其中没有设置透明导电材料的开口。第一微缝181_3布置在彼此平行的第一分支电极181_2间，并且因此可以在与第一分支电极181_2相同的方向上延伸。

第一主干电极181_1包括第一主干扩展部分181_11和第一主干延伸部181_12。

在示例性实施方式中，第一主干扩展部分181_11可以布置在第一主干电极181_1的中心，具体地，可以布置在显示区域11的中心，并且例如可以设置为菱形形状。例如，由于第一主干扩展部分181_11位于显示区域11的中心并且是菱形形状，当液晶分子210朝向第一主干扩展部分181_11的中心斜置时，类似程度的影响可以施加于第一主干扩展部分181_11的多侧上的液晶分子210。因此，在显示区域11的中心处的十字形暗区域的形成可以被最小化。

第一主干延伸部181_12可以沿着第二方向D2从第一主干扩展部分181_11的两侧延伸。第一分支电极181_2的大部分可以从第一主干延伸部181_12延伸并且可以具有小于第一主干扩展部分181_11的宽度的宽度。

第二子像素电极182包括第二主干电极182_1、第三主干电极182_2、第四主干电极182_3、以及多个第二分支电极182_4。

第二主干电极182_1和第三主干电极182_2可以沿着第二方向D2从显示区域11延伸。与穿过显示区域11的中心在第二方向D2上延伸的第一主干电极181_1不同，第二主干电极182_1和第三主干电极182_2可以沿着显示区域11的外侧在第二方向D2上延伸。在示例性实施方式中，参照图5的平面图，例如，第二主干电极182_1可以沿着显示区域11的左侧在第二方向D2上延伸，并且第三主干电极182_2可以沿着显示区域11的右侧在第二方向D2上延伸。

第四主干电极182_3可以在显示区域11中沿着第一方向D1延伸并且可以不物理连接至第二主干电极182_1和第三主干电极182_2。第四主干电极182_3被布置为与第一子像素电极181不重叠并且可以沿着显示区域11的外侧在第一方向D1上延伸。在示例性实施方式中，参照图5的平面图，例如，第四主干电极182_3可以沿着显示区域11的顶侧在第一方向D1上延伸。

第二分支电极182_4可以相对于第一方向D1或第二方向D2沿着对角线方向从第二主干电极182_1或第三主干电极182_2延伸。在示例性实施方式中，第二分支电极182_4不从第四主干电极182_3延伸，但本发明不限于此。即，必要时，第二分支电极182_4还可以被配置为甚至从第四主干电极182_3延伸。

由于第二主干电极182_1、第三主干电极182_2、以及第四主干电极182_3沿着显示区域11的多侧布置，第二分支电极182_4可以基本上向着显示区域11的中心延伸。因此，第二分支电极182_4可以分别被布置为与从第一主干电极181_1延伸的第一分支电极181_2间隔开并面对第一分支电极181_2。第二分支电极182_4可以分别布置在第一分支电极181_2的延长线上。第一分支电极181_2在垂直于第一分支电极181_2延伸的方向的方向上的宽度可以与第二分支电极182_4在垂直于第二分支电极182_4延伸的方向的方向上的宽度相同。

第二微缝182_5布置在彼此平行布置的第二分支电极182_4间。第二微缝182_5可以是其中没有设置透明导电材料的开口。第二微缝182_5布置在彼此平行的第二分支电极182_4间，并且因此可以在与第二分支电极182_4相同的方向上延伸。

如上所述，第一子像素电极181和第二子像素电极182被布置为彼此不重叠。因此，显示区域11可以分成三个区域，即，布置有第一子像素电极181的第一畴区域(domainregion)DM1，布置有第二子像素电极182的第二畴区域DM2，以及作为第一畴区域DM1与第二畴区域DM2之间的区域的第三畴区域DM3。第一畴区域DM1可以布置在显示区域11的中间并且可以基本上在第二方向D2上延伸，第二畴区域DM2可以围绕第一畴区域DM1，并且第三畴区域DM3可以围绕第二畴区域DM2。

如上所述，第一子像素电极181被提供有直接来自漏电极166的电压，并且第二子像素电极182被提供有由第一耦合电极125和第二耦合电极168感应的电压。因此，提供至第一子像素电极181的电压和提供至第二子像素电极182的电压可以彼此不同。因此，可以在第一畴区域DM1中产生相对强的电场，并且可以在第二畴区域DM2中产生相对弱的电场。由于第三畴区域DM3中没有设置特定的导电材料，因此在第三畴区域DM3中可以产生比在第一畴区域DM1和第二畴区域DM2中产生的电场弱的电场。因此，在第一畴区域DM1中产生最强的电场，并且在第三畴区域DM3中产生最弱的电场。由于在显示区域11中可以产生具有各种强度的电场，所以根据示例性实施方式的LCD装置的可视性可以得到改进。下面将参照图6和图7详细地描述根据分别在第一畴区域DM1、第二畴区域DM2、以及第三畴区域DM3中产生的电场的液晶分子210的特性。

屏蔽电极183可以布置在与布置有像素电极180的层相同的层中，并且可以包括与像素电极180的材料相同的材料。屏蔽电极183可以被布置为与像素电极180不重叠并且可以与像素电极180电绝缘。

屏蔽电极183可以处于浮置状态，即，不从外部源提供特定电压的状态，但本发明不限于此。即，在可替换的示例性实施方式中，屏蔽电极183可以被提供有具有均匀电平的电压，例如，共用电压。

屏蔽电极183可以被布置为与数据线162大部分重叠。如上所述，数据信号Vdata被提供至数据线162。由于数据信号Vdata的电压倾向于频繁地并显著地变化，所以在数据信号Vdata的影响下液晶分子210可能在非预期的方向上被配向，而可以通过屏蔽电极183解决这个问题。

屏蔽电极183布置为不仅与数据线162重叠，而且还与栅极线122和TFT 167重叠。与栅极线122和TFT 167重叠的屏蔽电极183的部分，就像与数据线162重叠的屏蔽电极183的部分，可以防止液晶分子210的失配。

第一配向层(未示出)可以布置在像素电极180和屏蔽电极183上。第一配向层可以控制液晶层200中的液晶分子210的初始配向角。

在下文中将描述第二显示基板300。

第二显示基板300可以包括第二基底基板310、遮光构件320、保护层330、以及共用电极340。

第二基底基板310可以被布置为面对第一基底基板110。第二基底基板310可以足够耐用以承受外部冲击。第二基底基板310可以是透明的绝缘基板。在示例性实施方式中，例如，第二基底基板310可以是玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等。第二基底基板310可以是平板的形状，或者可以在特定方向上弯曲。

遮光构件320布置在第二基底基板310的面对第一显示基板100的表面上。遮光构件320可以布置为与栅极线122、数据线162、第一耦合电极125、第二耦合电极168、TFT 167、第一接触孔184、以及第二接触孔185重叠。换言之，遮光构件320可以布置为与除显示区域11以外的几乎整个区域重叠，并且可以阻挡除显示区域11以外的区域中的光的透射。

保护层330布置在遮光构件320的面对第一显示基板100的表面上。保护层330可以减少遮光构件320产生的任何高度差。换言之，保护层330的面对第一显示基板100的表面可以基本上是平坦的。在示例性实施方式中，可以不设置保护层330。

在示例性实施方式中，滤色器层172可以布置在遮光构件320与保护层330之间。即，滤色器层172可以设置在第二显示基板300中，而非设置在第一显示基板100中。在这些示例性实施方式中，保护层330可以减少由遮光构件320和滤色器层172产生的任何高度差。

共用电极340布置在保护层330上。在示例性实施方式中，共用电极340可以包括透明导电材料，诸如，氧化铟锡(“ITO”)、氧化铟锌(“IZO”)、氧化铟锡锌(“ITZO”)、或者铝掺杂的氧化锌(“AZO”)。共用电极340可以布置在第二基底基板310的整个表面上。由外部源提供的共用信号(例如，共用电压)可以被施加至共用电极340，并且共用电极340可以与像素电极180一起产生电场。

第二配向层(未示出)可布置在共用电极340上。第二配向层可以执行与第一配向层类似的功能。即，第二配向层可以控制液晶层200中的液晶分子210的初始配向。

将会在下文中描述液晶层200。

液晶层200包括具有介电各向异性和折射各向异性的液晶分子210。在液晶层200中没有电场的情况下，液晶分子210可以相对于第一显示基板100和第二显示基板300的表面基本上垂直地配向。响应于在第一显示基板100和第二显示基板300之间产生的电场，液晶分子210可以在第一显示基板100和第二显示基板300之间以特定方向旋转，或可以倾斜，从而改变光的偏振。

在下文中将参照图6和图7描述可视性改进。

图6是图5的区域A的放大平面图。

更具体地，图6示出了在将预定电压提供至第一子像素电极181和第二子像素电极182的状态下区域A中的液晶分子210倾斜的方向。在图1的示例性实施方式中，液晶分子210最初在平行于第一方向D1的方向上倾斜。

参照图6，第一畴区域DM1中的液晶分子210可以倾斜以相对于第一方向D1形成第一角度θ1。在第二畴区域DM2中的液晶分子210可以倾斜以相对于第一方向D1形成第二角度θ2。在第三畴区域DM3中的液晶分子210可以倾斜以相对于第一方向D1形成第三角度θ3。

如在图5中示出，区域A可以对应于显示区域11的左下部分。当在显示区域11中产生电场时，液晶分子210可以向着布置有像素电极180的显示区域11的中心倾斜。因此，在区域A中，液晶分子210可以倾斜以指向右上方。

由于在第一畴区域DM1中产生最强的电场，所以液晶分子210的长轴可以被配向为平行于第一分支电极181_2延伸的方向。即，第一分支电极181_2延伸的方向与第一方向D1形成的角度可以与第一角度θ1相同。

在第二畴区域DM2中产生比在第一畴区域DM1中弱的电场。因此，液晶分子210的长轴通常具有平行于第二分支电极182_4延伸的方向配向的趋向，但可以倾斜以指向第二分支电极182_4延伸的方向与第一方向D1(其是液晶分子210的初始配向方向)之间的任意方向。由于第一分支电极181_2延伸的方向和第二分支电极182_4延伸的方向彼此平行，所以第二角度θ2会小于第一角度θ1。

第三畴区域DM3会不仅受分别在第一畴区域DM1和第二畴区域DM2中产生的电场的影响，还会受液晶分子210分别在第一畴区域DM1和第二畴区域DM2中倾斜的方向的影响。第一畴区域DM1和第二畴区域DM2对第三畴区域DM3的影响在高灰度级处(即，将相对高电压提供至第一子像素电极181时)可以是明显的，并在低灰度级处(即，将相对低电压提供至第一子像素电极181时)可以是有限的。因此，第三畴区域DM3中的液晶分子210可以在与它们的初始配向方向类似的方向上倾斜。因此，第三角度θ3可以小于第二角度θ2。

由于液晶分子210的长轴与第一方向D1形成的角度在显示区域11中多样化，根据图1的示例性实施方式的LCD装置的可视性可以得到改进。

图7是沿着图6中的线IV-IV’截取的截面图。

更具体地，图7示出了在将预定电压提供至第一子像素电极181和第二子像素电极182的表面上的状态下沿着垂直于第一基底基板110和第二基底基板310的表面的方向的截面上沿着图6的线IV-IV’的区域中的液晶分子210所倾斜的方向。在图1的示例性实施方式中，液晶分子210最初在平行于第一方向D1的方向上倾斜。

参照图7，第一畴区域DM1中的液晶分子210可以倾斜为相对于第一基底基板110的表面形成第四角度θ4，第二畴区域DM2中的液晶分子210可以倾斜为相对于第一基底基板110的表面形成第五角度θ5，并且第三畴区域DM3中的液晶分子210可以倾斜为相对于第一基底基板110的表面形成第六角度θ6。第五角度θ5可以大于第六角度θ6，并且第四角度θ4可以大于第五角度θ5。即，液晶分子210在其中生成了最强的电场的第一畴区域DM1中可以倾斜最大并且在其中生成了最弱的电场的第三畴区域DM3中倾斜最小。

由于液晶分子210的长轴与第一基底基板110形成的角度在显示区域11中多样化，所以根据图1的示例性实施方式的LCD装置的可视性可以得到改进。

图8是图1的根据示例性实施方式的LCD装置的等效电路图。

参照图8，第一液晶电容器Clc_h表示设置在第一子像素电极181与共用电极340之间的液晶电容，第二液晶电容器Clc_l表示设置在第二子像素电极182与共用电极340之间的液晶电容，以及耦合电容器Cc表示设置在第一耦合电极125与第二耦合电极168之间的耦合电容。

提供至共用电极340的电压可以是共用电压Vcom。当响应于共用电压Vcom施加于第一子像素电极181的电压被定义为第一子像素电压Vpixel_h并且响应于共用电压Vcom施加于第二子像素电极182的电压被定义为第二子像素电压Vpixel_l时，根据以下分压等式第一子像素电压Vpixel_h满足以下等式：

<分压等式>

Vpixel_h＝Vpixel_l*(Clc_h/(Clc_h+Clc_l))

由于Clc_h/(Clc_h+Clc_l)总是小于1，第二子像素电压Vpixel_l总是低于第一子像素电压Vpixel_h。通过控制耦合电容器Cc的电容，可以控制第二子像素电压Vpixel_l与第一子像素电压Vpixel_h的比例。可以通过控制第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的重叠面积或者第一耦合电极125和第二耦合电极168之间的距离来控制耦合电容器Cc的电容。

图9是示出了图1的根据示例性实施方式的LCD装置的可视性的改进的曲线图。

参照图9，X轴表示灰度级，并且Y轴表示由用户看到的实际亮度。由Y轴表示的最大亮度是100％。100％的最大亮度被定义为，当从LCD装置的正面看时，在从0至255的范围内的多个灰度级中具有255的灰度级的LCD装置的亮度。

如在图9中所示，第一线L1表示当从图1的根据示例性实施方式的LCD装置的正面看时图1的根据示例性实施方式的LCD装置的每个灰度级的亮度，第二线L2表示当从根据比较例的LCD装置的侧面看时根据比较例的LCD装置的每个灰度级的亮度，以及第三线L3表示当从图1的根据示例性实施方式的LCD装置的侧面看时图1的根据示例性实施方式的LCD装置的每个灰度级的亮度。

如本文中使用的，表述“从正面看”表示从第一显示基板100的中心垂直延伸的直线上的点看LCD装置的情况，以及表述“从侧面看”表示以相对于第一显示基板100的表面的法线方向成30°的角度从第一显示基板100的中心延伸的直线上的点看LCD装置的情况。根据比较例的LCD装置是其中在每个像素10中设置并驱动两个TFT 167的LCD装置。

在大部分灰度级范围内(具体地，在0至210的灰度级的范围内)第三线L3与第一线L1之间的间隙小于第二线L2与第一线L1之间的间隙。即，图1的根据示例性实施方式的LCD的侧面亮度与正面亮度之间的差异小于根据比较例的LCD的侧面亮度与正面亮度之间的差异。通常，LCD装置的侧面亮度与正面亮度之间的差异在0至210的低灰度级的范围内是明显的。因此，与根据比较例的LCD装置相比，图1的根据示例性实施方式的LCD装置显然在低灰度级具有改进的可视性。

图10是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素电极的平面图。

在图1到图10中，相同的参考数字表示相同的元件，并且因此，将省去或者简化对其的描述。在下文中将描述图10的示例性实施方式，主要集中于与图1的示例性实施方式的不同之处。

参照图10，在像素电极480中，第一子像素电极481的第一分支电极481_2可具有不同的长度，且第二子像素电极482的第二分支电极482_4也可以具有不同的长度，而在图5的像素电极180中，第一分支电极181_2的长度和第二分支电极182_4的长度大致上是均一的。在示例性实施方式中，第一主干电极481_1的第一主干延伸部481_12和第一微缝481_3可以与第一主干电极181_1的第一主干延伸部181_12和第一微缝181_3(参照图5)相似，并且第二子像素电极482的第二主干电极482_1、第三主干电极482_2、以及第四主干电极482_3和第二微缝482_5可以与第二主干电极182_1、第三主干电极182_2、以及第四主干电极182_3和第二微缝182_5(参照图5)相似。

更具体地，第一分支电极481_2中的一些可以进一步远离第一主干扩展部分481_11更长地延伸，并且第二分支电极482_4中的一些可以进一步远离第一主干扩展部分481_11更短地延伸。

因此，与图5的像素电极180的第一畴区域DM1和第三畴区域DM3相比，第一畴区域DM1可以变宽，并且第三畴区域DM3可以变窄。即，通过控制第一分支电极481_2的长度和第二分支电极482_4的长度，可以控制第一畴区域DM1、第二畴区域DM2、以及第三畴区域DM3的面积。

第一分支电极481_2的长度和第二分支电极482_4的长度不限于图10的示例性实施方式。即，在可替换的示例性实施方式中，第一分支电极481_2中的一些可以进一步远离第一主干扩展部分481_11更短地延伸，并且第二分支电极482_4中的一些可以进一步远离第一主干扩展部分481_11更长地延伸。在该可替换实例中，与图5的像素电极180的第一畴区域DM1和第三畴区域DM3相比，第一畴区域DM1可以进一步变窄，并且第三畴区域DM3可以进一步变宽。

图11是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素电极的平面图。

参照图11，在像素电极580中，彼此相邻的每对第一子像素电极581的第一分支电极581_2和第二子像素电极582的第二分支电极582_4可以布置为延伸但彼此不重叠，而在图5的像素电极180中，第二分支电极182_4分别布置在第一分支电极181_2的延长线上。

在示例性实施方式中，第一主干电极581_1的第一主干扩展部分581_11和第一主干延伸部581_12可以与第一主干电极181_1的第一主干扩展部分181_11和第一主干延伸部181_12(参照图5)相似，并且第二主干电极582_1、第三主干电极582_2、以及第四主干电极582_3可以与第二主干电极182_1、第三主干电极182_2、以及第四主干电极182_3(参照图5)相似。

由于第一分支电极581_2和第二分支电极582_4交替设置以彼此啮合，第一分支电极581_2和第二分支电极582_4彼此面对的区域可以变宽。因此，第二畴区域DM2可以相对变宽，并且第一畴区域DM1和第三畴区域DM3可以相对变窄。

图12是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图，以及图13是沿着图12的线V-V’截取的截面图。

参照图12和图13，与图1的LCD装置的像素10不同，根据示例性实施方式的LCD装置的像素1010进一步包括维持电极1126。

维持电极1126布置在第一基底基板1110上。维持电极1126可以布置在与布置有栅极线1122和第一耦合电极1125的层相同的层中并且可以包括与栅极线1122和第一耦合电极1125的材料相同的材料。维持电极1126可以与栅极线1122和第一耦合电极1125电绝缘。

维持电极1126可以基本上在第一方向D1上延伸并且可以布置为被TFT 1167的输出端子的一部分(即，漏电极1166的一部分)重叠。

维持电极1126可以与漏电极1166的一部分形成维持电容器并可具有预定电容。维持电极1126可以设置有具有预定电平的维持电压。维持电压可以是大致均一的并可具有与共用电压Vcom相同的电平。

漏电极1166经由第一接触孔1184物理连接并且电连接至像素电极1180的第一子像素电极1181和第一耦合电极1125并且因此可以防止第一子像素电极1181所充的电压的急剧下降。当TFT 1167导通或截止时，第一子像素电极1181所充的电压会急剧下降，因此，LCD装置的显示质量会下降。维持电极1126可以防止这样的急剧电压降并且因此可以改进LCD装置的显示质量。在示例性实施方式中，第二耦合电极1168可以设置为与第一耦合电极1125重叠。

图14是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图，图15是沿着图14的线VI-VI’截取的截面图，以及图16是沿图14的线VII-VII’截取的截面图。

参照图14到图16，根据示例性实施方式的LCD装置的像素2010与图1到图4的LCD装置的像素10的不同之处在于，其进一步包括维持电极2126。像素2010与像素10的不同之处还在于，由第一接触孔2184和第二接触孔2185连接的元件和第一耦合电极2125和第二耦合电极2168的形状。

更具体地，第一耦合电极2125在显示区域2011内在第二方向D2上延伸并被布置为由第一主干电极2181_1的一部分重叠。与图1到图4的示例性实施方式相比，显示区域2011中的第一耦合电极2125和第二耦合电极2168之间的重叠面积可以减小。相反，在除显示区域2011以外的区域中的第一耦合电极2125和第二耦合电极2168的面积可以增大。即，第一耦合电极2125和第二耦合电极2168彼此重叠的区域可以另外设置在TFT 2167与第一接触孔2184和第二接触孔2185之间。

与第一耦合电极2125不重叠的第一主干电极2181_1的一部分可以布置为与维持电极2126重叠。维持电极2126可以基本上在第一方向D1上延伸，但也可以在与第一主干电极2181_1重叠的区域内在第二方向D2上延伸，第二方向是第一主干电极2181_1延伸的方向。与第一耦合电极2125不同，第二耦合电极2168可以布置为与第一主干电极2181_1的大部分重叠。因此，第二耦合电极2168和维持电极2126可以彼此重叠。

因此，维持电极2126可以在与第一耦合电极2125重叠的区域中形成维持电容器。

在示例性实施方式中，漏电极2166连接至第二耦合电极2168和像素电极2180的第一子像素电极2181并且第一耦合电极2125电连接至像素电极2180的第二子像素电极2182，而在图1到图4的示例性实施方式中，漏电极166电连接至第一耦合电极125和第一子像素电极181并且第二耦合电极168电连接至第二子像素电极182。在示例性实施方式中，第一分支电极2181_2可以与第一分支电极181_2相似(参照图5)。

更具体地，漏电极2166可以电连接至第二耦合电极2168，并且第二耦合电极2168和第一子像素电极2181可以经由第一接触孔2184电连接，第一接触孔2184穿透第一显示基板2100的第二钝化层2174、平坦化层2173、滤色器层2172、以及第一钝化层2171。第一耦合电极2125和第二子像素电极2182可以经由第二接触孔2185电连接，第二接触孔2185穿透第一显示基板2100的第二钝化层2174、平坦化层2173、滤色器层2172、第一钝化层2171、以及栅极绝缘层2130。

即，提供至漏电极2166的电压可以经由第二耦合电极2168直接地提供至第一子像素电极2181。提供至漏电极2166的预定百分比的电压可以被感应至第一耦合电极2125并且被感应至第一耦合电极2125的电压可以被提供至第二子像素电极2182。

图17是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图，以及图18是沿着图17的线VIII-VIII’截取的截面图。

参照图17和图18，根据示例性实施方式的LCD装置的像素3010与图14到图16的像素2010的不同之处在于第二耦合电极3168与在包括像素3010的行之前的行中的先前像素3010_p的先前栅极线3122_p重叠。

第二耦合电极3168不仅通过电容性地耦合至第一耦合电极3125形成耦合电容器Cc，而且还通过电容性地耦合至先前像素3010_p的先前栅极线3122_p形成维持电容器。

限定为穿透第二钝化层3174、平坦化层3173、以及滤色器层3172中的全部或一些的先前第一凹陷图案3186_p可以布置在第二耦合电极3168与先前像素3010_p的先前栅极线3122_p之间的重叠区域中。先前第一凹陷图案3186_p可以被先前像素3010_p的先前屏蔽电极3183_p重叠。在示例性实施方式中，第一显示基板3100的第一钝化层3171可以布置在第二耦合电极3168上。

在先前像素3010_p的先前屏蔽电极3183_p被布置为与先前第一凹陷图案3186_p重叠的情况下，第一耦合电极3125不仅通过电容性地耦合至先前像素3010_p的先前栅极线3122_p形成维持电容器，而且还与先前像素3010_p的先前屏蔽电极3183_p一起形成屏蔽电容器。

先前第一凹陷图案3186_p朝向第一基底基板3110凹陷越多，第一耦合电极3125与先前像素3010_p的先前屏蔽电极3183_p之间的距离越短，并且因此，屏蔽电容器的电容变得越大。因此，通过控制先前第一凹陷图案3186_p朝向第一基底基板3110凹陷的程度，可以控制屏蔽电容器的电容，因此，可以控制维持电容器对像素电极3180的第一子像素电极3181的影响。在示例性实施方式中，第一接触孔3184可以与第一接触孔2184类似(参照图14)。

根据本示例性实施方式，维持电容器不仅防止第一子像素电极3181所充的电压急剧的下降，而且还改善了第一子像素电极3181的电压充电速率，并且这在下文中将参照图19和图20详细地描述。

图19和图20是示出了分别施加至图17的像素的元件的电压的曲线图。

图17的示例性实施方式的LCD装置可以被驱动为改变每一个像素3010的共用电压Vcom的极性从而提高显示质量。其中第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l被驱动为高于共用电压Vcom的帧被称为正极性帧，而其中第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l被驱动为低于共用电压Vcom的帧被称为负极性帧。

图19是从负极性到正极性的帧切换的曲线图，以及图20是从正极性到负极性的帧切换的曲线图。

参照图19，响应于先前栅极信号Vgate_n-1被提供至先前像素3010_p的先前栅极线3122_p，由于维持电容器的影响，第二耦合电极3168的电压可以增大，并且因此，第一子像素电极3181的电压(即，第一子像素电压Vpixel_h)可以增大。另外，由于耦合电容器Cc的影响，第一耦合电极3125的电压可以增大，并且因此，像素电极3180的第二子像素电极3182的电压(参照图17)(即，第二子像素电压Vpixel_l)可以增大。

此后，响应于栅极信号Vgate_n被提供至像素3010的栅极线3122，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l可以另外增大。换言之，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l可以增大两次。由于第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l在完全升高之前预先稍微升高，所以像素3010的充电速率可以改善。

参照图20，在负极性帧中，像在图19的正极性帧中一样，响应于先前栅极信号Vgate_n-1被提供至先前像素3010_p的先前栅极线3122_p，由于维持电容器的影响，第二耦合电极3168的电压可以增大，并且因此，第一子像素电极3181的电压(即，第一子像素电压Vpixel_h)可以增大。另外，在负极性帧中，像在图19的正极性帧中一样，由于耦合电容器Cc的影响，第一耦合电极3125的电压可以增大，并且因此，第二子像素电极3182的电压(即，第二子像素电压Vpixel_l)可以增大。

此后，响应于栅极信号Vgate_n被提供至像素3010的栅极线3122，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l可以急剧下降，这是因为，在负极性帧中，提供了具有低于共用电压Vcom的电压的数据信号Vdata，而在正极性帧中，提供了具有高于共用电压Vcom的电压的数据信号Vdata。

由于提供至先前像素3010_p的先前栅极线3122_p的先前栅极信号Vgate_n-1的电压急剧减小，可发生反冲现象，在这种现象中，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l急剧下降。即，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l由于先前像素3010_p的先前栅极线3122_p的影响会急剧下降，并且由于数据信号Vdata的影响同样会急剧下降。由于对于第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l中的这样的急剧下降的两个原因，第一子像素电压Vpixel_h和第二子像素电压Vpixel_l改变的方向是一样的，所以，像素3010的充电速率可以改善。

图21是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图，以及图22是沿着图21中的线IX-IX’截取的截面图。

参照图21和图22，根据示例性实施方式的LCD装置的像素4010与图1到图4的LCD装置的像素10的不同之处在于，其进一步包括维持电极4126，仅包括第一接触孔4184并且具有处于浮置状态的第一耦合电极4125。

更具体地，第一耦合电极4125可以在显示区域4011中在第二方向D2上延伸并且可以被浮置而未设置任何特定电压。

第二耦合电极4168包括第二耦合延伸部4168_2和第二耦合扩展部分4168_1。

第二耦合延伸部4168_2可以在显示区域4011内在第二方向D2上延伸。在非显示区域4012中，第二耦合延伸部4168_2可以电连接至漏电极4166并且还可以经由第一接触孔4184电连接至像素电极4180的第一子像素电极4181，第一接触孔4184穿透第一显示基板4100的第二钝化层4174、平坦化层4173、滤色器层4172、以及第一钝化层4171。

第二耦合扩展部分4168_1可以布置在非显示区域4012中并且可以电容性地耦合至第二子像素电极4182。在示例性实施方式中，第二耦合扩展部分4168_1可以布置在显示区域4011的上部中，如在图21中所示。

第一耦合电极4125可以布置为被第二耦合电极4168重叠。与先前的示例性实施方式不同，第一耦合电极4125可以布置为被第二耦合电极4168重叠主要用于防止根据示例性实施方式的LCD装置的显示质量由于从第一耦合电极4125反射或散射的光被用户看到而下降，而不是用于电容性地耦合至第二耦合电极4168。因此，第一耦合电极4125可以处于浮置状态。如上所述，第一耦合电极4125和TFT 4167的半导体层4140可以布置为彼此接触并彼此重叠，并且由TFT 4167的半导体层4140反射或散射光的程度可以大于由第二耦合电极4168反射或散射光的程度。在该实例中，第一耦合电极4125可以进一步防止根据示例性实施方式的LCD装置的显示质量下降。

第二子像素电极4182可以布置为在除显示区域4011以外的区域中与第二耦合扩展部分4168_1重叠，并且第二子像素电极4182和第二耦合电极4168可以电容性地耦合。即，由于第二子像素电极4182和第二耦合电极4168被布置为彼此重叠，耦合电容器Cc可以设置在子第二像素电极4182与第二耦合电极4168之间，并且不同的电压可以提供至像素电极4180的第一子像素电极4181和第二子像素电极4182。

为了在第二耦合扩展部分4168_1与第二子像素电极4182之间形成充分的电容耦合，可以提供穿透第二钝化层4174、平坦化层4173、以及滤色器层4172中的全部或一些的第二凹陷图案4186。第二凹陷图案4186可以被第二子像素电极4182重叠。由于第二凹陷图案4186的存在，第二子像素电极4182可以邻近第二耦合扩展部分4168_1布置并且可以与第二耦合扩展部分4168_1形成充分的电容耦合。

维持电极4126可以基本上在第二方向D2上延伸并且可以设置为被第二耦合扩展部分4168_1重叠。因此，维持电极4126可以与第二耦合电极4168形成维持电容器。第二耦合电极4168不仅与维持电极4126形成维持电容器，而且也与第二子像素电极4182形成耦合电容器Cc。

图23是根据本发明的另一示例性实施方式的LCD装置的像素的平面图，以及图24是沿着图23的线X-X’截取的截面图。

参照图23和图24，在示例性实施方式中，与图21和图22的示例性实施方式不同，第二耦合扩展部分5168_1和维持电极5126布置在显示区域5011的下部中。第二凹陷图案5186也可以布置在显示区域5011的下部中。

由于没有必要沿着第二方向D2越过显示区域5011发送信号，在显示区域5011中可以不设置第二耦合延伸部4168_2。即，第二耦合延伸部4168_2可以仅设置在与第一接触孔5184重叠的区域中。因此，可能由第二耦合电极5168引起的透射率的减小可以被最小化。

另外，由于没有设置第二耦合延伸部4168_2，不需要第一耦合电极4125以防止由第二耦合延伸部4168_2反射或散射光。因此，维持电极5126可以布置在第二耦合电极5168的下方。尽管已参考本发明的示例性实施方式具体示出并描述了本发明，但是本领域的普通技术人员将理解的是，在不背离由以下权利要求限定的本发明的精神和范围的情况下，在其中可做出形式和细节上的各种改变。示例性实施方式应被认为是仅出于描述的意义而不是为了限制。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：

基板；

第一耦合电极，布置在所述基板上；

第一绝缘层，布置在所述第一耦合电极上；

第二耦合电极，布置在所述第一绝缘层上并电容性地耦合至所述第一耦合电极；

第二绝缘层，布置在所述第二耦合电极上；以及

像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极布置在所述第二绝缘层上并彼此电绝缘，

其中：

所述第一子像素电极经由限定在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第一接触孔电连接至所述第一耦合电极；并且

所述第二子像素电极经由限定在所述第二绝缘层中的第二接触孔电连接至所述第二耦合电极。

2.根据权利要求1所述的液晶显示装置，进一步包括：

栅极线，布置在与布置有所述第一耦合电极的层相同的层中，并在所述基板上方在第一方向上延伸；以及

数据线，布置在与布置有所述第二耦合电极的层相同的层中，并在所述基板上方在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸。

3.根据权利要求2所述的液晶显示装置，进一步包括：

薄膜晶体管，布置在所述基板上并包括连接至所述数据线的输入端子，连接至所述第一子像素电极和所述第一耦合电极的输出端子，以及连接至所述栅极线的控制端子。

4.根据权利要求3所述的液晶显示装置，其中，所述薄膜晶体管的所述输出端子、所述第一耦合电极、以及所述第一子像素电极经由所述第一接触孔彼此连接。

5.根据权利要求4所述的液晶显示装置，其中：

所述第一接触孔包括第一高度部分和第二高度部分，所述第一高度部分具有距所述基板的顶表面的第一高度，所述第二高度部分具有距所述基板的顶表面的第二高度；

所述第一高度部分与所述第一耦合电极、所述薄膜晶体管的输出端子、以及所述第一子像素电极重叠；并且

所述第二高度部分与所述第一耦合电极和所述第一子像素电极重叠。

6.根据权利要求5所述的液晶显示装置，其中：

在所述第一高度部分中，所述薄膜晶体管的所述输出端子与所述第一子像素电极彼此接触；并且

在所述第二高度部分中，所述第一耦合电极与所述第一子像素电极彼此接触。

7.根据权利要求3所述的液晶显示装置，进一步包括：

维持电极，布置在与布置有所述栅极线和所述第一耦合电极的层相同的层中，与所述栅极线和所述第一耦合电极电绝缘，并电容性地耦合至所述薄膜晶体管的所述输出端子。

8.根据权利要求2所述的液晶显示装置，其中，所述第一接触孔和所述第二接触孔被限定为在所述第一方向上彼此相邻。

9.根据权利要求8所述的液晶显示装置，其中，在所述基板的平面图中，所述第一接触孔和所述第二接触孔被限定在所述像素电极与所述栅极线之间。

10.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第二接触孔被限定为与所述第一耦合电极重叠。

11.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一耦合电极和所述第二耦合电极被布置为不与所述第二子像素电极重叠。

12.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极布置在相同的层中并彼此不重叠。

13.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

所述第一子像素电极包括第一主干电极和多个第一分支电极，所述第一主干电极在与第一方向交叉的第二方向上延伸，所述多个第一分支电极相对于所述第一方向和所述第二方向沿着对角线方向从所述第一主干电极延伸；并且

所述第二子像素电极包括第二主干电极和第三主干电极、第四主干电极、以及多个第二分支电极，所述第二主干电极和所述第三主干电极在所述第二方向上延伸，所述第四主干电极在所述第一方向上延伸并且连接所述第二主干电极和所述第三主干电极，所述多个第二分支电极相对于所述第一方向和所述第二方向沿着所述对角线方向从所述第二主干电极、所述第三主干电极、或所述第四主干电极延伸。

14.根据权利要求1所述的液晶显示装置，其中：

多个像素布置在所述基板上，多个像素中的每一个包括所述第一耦合电极、所述第二耦合电极、所述第一子像素电极和所述第二子像素电极，并且所述第一接触孔和所述第二接触孔限定在多个像素中的每一个中；

所述多个像素中的每一个包括显示区域和非显示区域，所述显示区域是矩形的并使光透过，所述非显示区域是除所述显示区域以外的区域；并且

所述第一接触孔和所述第二接触孔被限定在所述非显示区域中以在第一方向上彼此相邻。

15.根据权利要求14所述的液晶显示装置，进一步包括：

信号线，布置在与布置有所述第一耦合电极的层相同的层中，与所述第一耦合电极绝缘，并在所述第一方向上延伸，

其中，在所述基板的平面图中，所述第一接触孔和所述第二接触孔限定在所述显示区域与所述信号线之间。

16.根据权利要求14所述的液晶显示装置，其中，所述第一耦合电极和所述第二耦合电极在所述显示区域内重叠的区域是十字形。

17.一种液晶显示装置，包括：

基板；

第一耦合电极，布置在所述基板上；

第一绝缘层，布置在所述第一耦合电极上；

第二耦合电极，布置在所述第一绝缘层上并电容性地耦合至所述第一耦合电极；

第二绝缘层，布置在所述第二耦合电极上；以及

像素电极，包括第一子像素电极和第二子像素电极，所述第一子像素电极和所述第二子像素电极布置在所述第二绝缘层上并彼此电绝缘，

其中：

所述第一子像素电极经由限定在所述第二绝缘层中的第一接触孔电连接至所述第二耦合电极；并且

所述第二子像素电极经由限定在所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中的第二接触孔电连接至所述第一耦合电极。

18.根据权利要求17所述的液晶显示装置，进一步包括：

栅极线，布置在与布置有所述第一耦合电极的层相同的层中，并在所述基板上方在第一方向上延伸；

数据线，布置在与布置有所述第二耦合电极的层相同的层中，并在所述基板上方在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸；以及

薄膜晶体管，布置在所述基板上并包括连接至所述数据线的输入端子，连接至所述第二耦合电极的输出端子，以及连接至所述栅极线的控制端子。

19.根据权利要求18所述的液晶显示装置，进一步包括：

维持电极，布置在与布置有所述栅极线和所述第一耦合电极的层相同的层中，与所述栅极线和所述第一耦合电极电绝缘，并电容性地耦合至所述第二耦合电极。

20.根据权利要求18所述的液晶显示装置，其中：

多个像素，布置在所述基板上，所述多个像素以矩阵形式布置；

所述薄膜晶体管、所述第一耦合电极、所述第二耦合电极、所述第一子像素电极、以及所述第二子像素电极布置在所述多个像素中的每一个中；并且

所述第二耦合电极延伸以与所述栅极线重叠，所述栅极线控制布置在前一行中的先前像素中的先前薄膜晶体管。