CN107329338B - 一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置,涉及显示技术领域，以降低外部静电对四边无边框显示面板的影响。所述阵列基板包括衬底基板，衬底基板包括边框形成区；衬底基板的表面设有第一导电层，第一导电层的表面形成有第一绝缘层，第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层，第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。所述阵列基板的制作方法用于制作上述技术方案所提的阵列基板。本发明提供的显示面板用于显示装置中。

Description

一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置。
背景技术
液晶显示器是一种超薄显示设备，其不仅能耗低，而且画质好，受到用户的广泛欢迎。现有液晶显示器的显示面板中一般设计有防静电结构，以降低外部静电对液晶显示器的影响。目前，常见的显示面板一般包括对盒在一起的阵列基板和彩膜基板，而按照阵列基板和彩膜基板与显示面的距离，具有如下两种设置方式：
第一种设置方式：阵列基板远离显示面，彩膜基板靠近显示面，这种设置方式常见于的有边框的显示面板中；为了防止外部静电对显示面板产生影响，在制作液晶显示器的模组化阶段，将导电胶带的一端贴在彩膜基板上，另一端贴在银胶点位置，并保证导电胶带与银胶点的地线引线连接，以构成防静电结构，以利用导电胶带将彩膜基板和阵列基板所积累的静电释放到地线引线中。
第二种设置方式：彩膜基板远离显示面，阵列基板靠近显示面，这种结构经常出现在四边无边框的显示面板中；但是，这种设置方式的显示面板在模组化阶段，阵列基板的功能膜层朝下，难以按照第一种设置方式贴覆导电胶带，这使得四边无边框的显示面板遭受外部静电影响的可能行比较大，导致四边无边框的显示面板的使用寿命降低。
发明内容
本发明的目的在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示面板、显示装置，以降低外部静电对四边无边框显示面板的影响，从而提高四边无边框显示面板的使用寿命。
为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：
一种阵列基板，该阵列基板包括衬底基板，所述衬底基板包括边框形成区；所述衬底基板的表面设有第一导电层，所述第一导电层的表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。
与现有技术相比，本发明提供的阵列基板中，在衬底基板的表面形成有第一导电层，第一导电层的表面形成有第一绝缘层，且第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层，第一导电层与第二导电层通过第三导电层电连接，也就是说，第一导电层通过第三导电层、第二导电层间接的与地线引线连接。此时，如果本发明提供的阵列基板应用于四边无边框显示面板类似结构的显示面板中，那么阵列基板的第一导电层最接近显示面板的显示面，这就使得外部静电对显示面板产生影响时，外部静电最先积累在第一导电层，而第一导电层间接的与地线引线连接，因此，本发明提供的阵列基板应用于四边无边框显示面板类似结构的显示面板中，无需贴覆导电胶带，就能够在显示面板受到外部静电的影响时，第一导电层能够将外部静电通过地线引线导入到地线中，从而降低了外部静电对四边无边框显示面板类似结构的显示面板的影响，以提高四边无边框显示面板类似结构的显示面板的使用寿命。
本发明还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法包括：
提供一衬底基板；所述衬底基板包括边框形成区；
所述衬底基板的表面形成第一导电层；
在所述第一导电层的表面形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层对应边框形成区的表面形成第二导电层，使得所述第二导电层与地线引线连接；
在所述第二导电层上方形成第三导电层，使得所述第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。
与现有技术相比，本发明提供的阵列基板的制作方法的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明还提供了一种显示面板，该显示面板包括上述技术方案提供的所述阵列基板。
与现有技术相比，本发明提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
本发明还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案提供的所述的显示面板。
与现有技术相比，本发明提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的显示面板的有益效果相同，在此不做赘述。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本发明的进一步理解，构成本发明的一部分，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：
图1为本发明实施例提供的阵列基板的结构示意图；
图2为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的结构示意图；
图3为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程框图一；
图4为本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的流程框图二；
图5为本发明实施例提供的显示面板的结构示意图；
附图标记：
1-阵列基板， 10-衬底基板；
11-第一导电层， 12-第一绝缘层；
120-绝缘层过孔， 13-第二导电层；
14-隔离层， 141-隔离层第一过孔；
142-隔离层第二过孔， 15-第三导电层；
2-彩膜基板， 3-各向异性导电胶；
AA-显示区， BM-非显示区。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1和图5，本发明实施例提供的阵列基板1，包括衬底基板10，该衬底基板10包括边框形成区，边框形成区对应阵列基板1的非显示区BM；衬底基板10的表面设有第一导电层11，第一导电层11的表面形成有第一绝缘层12，第一绝缘层12对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层13，第一导电层11与第二导电层13通过第三导电层15电连接。
下面结合图1-图3对本发明实施例提供的阵列基板的制作过程进行详细说明。
步骤S100：提供一衬底基板10；衬底基板10包括边框形成区BM；在衬底基板10的表面形成第一导电层11；
步骤S200：在第一导电层11的表面形成第一绝缘层12；
步骤S300：在第一绝缘层12对应边框形成区的表面形成第二导电层13，使得第二导电层13与地线引线连接；
步骤S500：在第二导电层13上方形成第三导电层15，使得第一导电层11与所述第二导电层13通过第三导电层15电连接。
如图5所示，本发明实施例提供的阵列基板1应用于显示面板时，阵列基板1与彩膜基板2对盒在一起，且阵列基板1靠近显示面，彩膜基板2远离显示面，即阵列基板的衬底基板10背离第一导电层11的表面作为显示面板的出光面，也就是显示面板的显示面。其中，图5中省略了位于阵列基板1与彩膜基板2之间的液晶层，但并不代表液晶层不存在。
当进行外部静电测试或使用时，外部静电首先积聚到第一导电层11，而第一导电层11与第二导电层13之间通过第三导电层15电连接，且第二导电层13与地线引线连接，这样第一导电层11所积聚的外部静电就能够通过第三导电层15以及第二导电层13释放到地线中，从而降低外部静电对显示面板的影响。
基于上述实施例提供的阵列基板的结构以及防外部静电过程可知，在衬底基板10的表面形成有第一导电层11，第一导电层11的表面形成有第一绝缘层12，且第一绝缘层12对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层13，第一导电层11与第二导电层13通过第三导电层15电连接，也就是说，第一导电层11通过第三导电层15、第二导电层13间接的与地线引线连接。此时，如果本发明实施例提供的阵列基板1应用于四边无边框显示面板类似结构的显示面板(阵列基板1靠近显示面，彩膜基板2远离显示面)中，那么阵列基板1的第一导电层11最接近显示面板的显示面，这就使得外部静电对显示面板产生影响时，外部静电最先积累在第一导电层11，而第一导电层11间接的与地线引线连接，因此，本发明提供的阵列基板应用于四边无边框显示面板类似结构的显示面板中，无需贴覆导电胶带，就能够在显示面板受到外部静电的影响时，第一导电层11能够将外部静电通过地线引线导入到地线中，从而降低了外部静电对四边无边框显示面板类似结构的显示面板的影响，以提高四边无边框显示面板类似结构的显示面板的使用寿命。
考虑到外部静电出现的随机性，上述实施例提供的阵列基板中，第一导电层11和第一绝缘层12在衬底基板10的正投影覆盖衬底基板10的整个表面，这样不管显示面板的显示面任何部位有外部静电产生，都能够被第一导电层11导入到地线中；而第一绝缘层12在衬底基板10的正投影覆盖衬底基板10的整个表面，则能够防止阵列基板1的显示区AA所具有的薄膜晶体管与第一导电层11接触，从而发生短路。而为了不影响显示面板显示画面，此时第一导电层11为透光导电材料，一般为氧化铟锡材料，第一绝缘层12为透光绝缘材料，以保证通过阵列基板1的显示区AA。
如图1所示，衬底基板10还包括显示形成区，显示形成区与阵列基板1的显示区AA对应；此时，第一绝缘层12对应显示形成区的表面形成有薄膜晶体管，其具体可以是顶栅结构的薄膜晶体管，也可以是底栅结构的薄膜晶体管。
为了简化阵列基板的制作过程，以底栅结构的薄膜晶体管为例，限定薄膜晶体管的栅极层与第二导电层13同层设置，这样就能够利用一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅极层和第二导电层13，从而简化阵列基板的制程。
具体的，薄膜晶体管的栅极层与第二导电层13同层设置时，薄膜晶体管的栅极层和第二导电层13所使用的材料相同，也就是说，在一次构图工艺同时形成薄膜晶体管的栅极层和第二导电层13时，先在第一绝缘层12的表面溅射一层金属膜，然后利用掩膜版光刻金属层，接着显影，就能完成薄膜晶体管的栅极层和第二导电层13的制作。
进一步，如图1所示，上述实施例中第二导电层13的表面形成有覆盖第一绝缘层12对应边框形成区的隔离层14；如图2所示，隔离层14开设有隔离层第一过孔141和隔离层第二过孔142，第一绝缘层开设有与隔离层第二过孔142连通的绝缘层过孔120；隔离层第一过孔141在衬底基板10的正投影，位于第二导电层13在衬底基板10的正投影内；隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120在衬底基板10的正投影，均位于第一导电层11在衬底基板的正投影内；第三导电层15覆盖在隔离层14的表面，第三导电层15通过隔离层第一过孔141与所述第一导电层11电连接，第三导电层15依次通过隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120与第一导电层11电连接。其中，为了方便开设隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120，可以在一次刻蚀工艺中，在隔离层14上开设隔离层第二过孔142时，在第一绝缘层12上开设绝缘层过孔120，这种一次刻蚀工艺所开设的隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120不仅相互连通，而且二者在衬底基板10的正投影重合，以保证在形成第三导电层15时，第三导电层的材料能够顺利的通过隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120与第一导电层11接触。
如图1和图5所示，考虑到现有阵列基板1的非显示区BM一般会设置与地线引线连接的金属层，并在该金属层上点银胶，以实现阵列基板1与彩膜基板2的信号连接。因此，将衬底基板10的边框形成区分为银胶点区域和非银胶点区域，银胶点区域是指衬底基板10与点银胶的位置相对应的区域，非银胶点区域是指衬底基板10与非点银胶的位置相对应的区域。
而由于现有阵列基板中金属层与地线引线连接，因此，可以将现有技术中的金属层作为第二导电层13。此时，第二导电层13在衬底基板10的正投影应当位于衬底基板10的银胶点区；相应的，在制作隔离层第一过孔141时，为了使得第三导电层15能够通过隔离层第一过孔141与第二导电层13电连接，应当保证隔离层第一过孔141在衬底基板10的正投影位于衬底基板10的银胶点区域，当然隔离层第一过孔141也可以是原来用于点银胶时，开设在隔离层14上的过孔，这样就无需在隔离层上专门开设对应第二导电层13的过孔。至于隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120在衬底基板10的正投影是位于衬底基板的银胶点区域，还是非银胶点区域，则根据实际情况决定。
而鉴于显示面板的显示区AA用于图像显示，为了减少过孔对图像显示的影响，可限定隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120在衬底基板10的正投影位于衬底基板10的边框形成区的非银胶点区域。但应当注意到是，隔离层第一过孔141和隔离层第二过孔142之间的距离不宜过远，否则会使得电阻过大，而无法将外部静电导入到地线中。
具体的，隔离层第二过孔142在衬底基板10的正投影，与第二导电层13在衬底基板10的正投影错开的前提下，尽量减小隔离层第二过孔142在衬底基板10的正投影的外缘，到第二导电层13在衬底基板10的正投影的外缘之间的距离。
而考虑到薄膜晶体管的栅极层的表面还有栅极绝缘层、半导体层、源漏极，且栅极绝缘层和半导体层不涉及到信号传递，因此，将隔离层14限定为层叠设置的第二绝缘层和半导体层，并且考虑到有源层的材料同样为半导体材料，因此，还可以限定有源层与半导体层同层设置，以在同一构图工艺中形成有源层和隔离层的半导体层；和/或，
上述薄膜晶体管的绝缘层还可以与第二绝缘层同层设置，以在形成薄膜晶体管的绝缘层时，一起形成第二绝缘层。但考虑到薄膜晶体管的绝缘层一般包括栅极绝缘层和钝化层，这使得第二绝缘层分为第一子层和第二子层。此时，在形成第二绝缘层的时候，就需要分成二步，即在沉积栅极绝缘层的时候，可同时形成第二绝缘层的第一子层；在沉积钝化层时，可同时形成第二绝缘层的第二子层。而由于栅极绝缘层与钝化层之间还包括有源层和源漏极，因此，形成第二绝缘层的第一子层和第二绝缘层的第二子层之间，还应当包括与有源层在同一构图工艺中同时形成的半导体层。
可以知道的是，对于ADS显示面板来说，一般在薄膜晶体管的表面形成像素电极，此时，可限定像素电极与第三导电层15同层设置且连成一体，像素电极的材料与第三导电层15的材料相同，从而在形成像素电极时，可以一起形成第三导电层15，从而简化阵列基板的制程。
而对于HADS显示面板来说，一般在薄膜晶体管的表面形成公共电极；此时，可限定公共电极与第三导电层15同层设置且连成一体，公共电极的材料与第三导电层15的材料相同，从而在形成公共电极时，可以一起形成第三导电层15，从而简化阵列基板的制程。
另外，上述公共电极和像素电极一般均为氧化铟锡材料，如果要第三导电层15与公共电极或像素电极一起形成，则第三导电层15的材料应当也是氧化铟锡材料。
本发明实施例还提供了一种阵列基板的制作方法，该阵列基板的制作方法如图2和图3所示，具体步骤如下：
步骤S100：提供一衬底基板10；该衬底基板10包括边框形成区；在衬底基板10的表面形成第一导电层11；
步骤S200：在第一导电层11的表面形成第一绝缘层12；
步骤S300：在第一绝缘层对应边框形成区的表面形成第二导电层13，使得第二导电层13与地线引线连接；
步骤S500：在第二导电层13上方形成第三导电层15，使得第一导电层11与第二导电层13通过第三导电层15电连接。
与现有技术相比，本发明实施例提供的阵列基板的制作方法的有益效果与上述实施例提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
可以理解的是，上述实施例提供的阵列基板的制作方法中，衬底基板还包括显示形成区，其与显示面板的显示区AA对应，显示面板的显示区AA一般形成有阵列化排布的薄膜晶体管，而为了进一步提高阵列基板对外部静电的抵抗能力，上述第一导电层11和第一绝缘层12在衬底基板10的正投影覆盖衬底基板10的整个表面，第一导电层11为透光导电材料，一般为氧化铟锡材料，第一绝缘层12为透光绝缘材料，以保证第一导电层11和第二绝缘层12不影响图像显示。
考虑到现有阵列基板一般采用4mask工艺或5mask工艺制作而成，而本发明实施例提供的阵列基板中，第一导电层11和第一绝缘层12需要覆盖衬底基板10表面，因此，在开始4mask工艺或5mask工艺前，先形成如上的第一导电层11和第一绝缘层12。
进一步，在衬底基板10的表面形成第一导电层11，在第一导电层11的表面形成第一绝缘层12后，上述阵列基板的制作方法还包括：
在所述第一绝缘层12对应显示形成区的表面形成薄膜晶体管；薄膜晶体管可以是顶栅结构的薄膜晶体管，也可以是底栅结构的薄膜晶体管。
下面以底栅结构的薄膜晶体管为例，说明如何简化阵列基板的制作工艺。
首先，在制作薄膜晶体管的栅极层时，可以考虑与第二导电层13在一次构图工艺中形成；即先在第一绝缘层的表面溅射一层金属层，然后利用图案化工艺形成栅极层和第二导电层13。
其次，在制作薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层以及钝化层时，一般是在整层沉积栅极绝缘层和钝化层，有源层也需要进行图案化处理。为了避免不必要的材料浪费，在制作薄膜晶体管的栅极绝缘层、有源层和钝化层时，同时上述实施例提供的阵列基板的制作方法还包括步骤S400：在第二导电层13的表面形成隔离层14，使得隔离层14覆盖所述第一绝缘层12对应边框形成区；其中，隔离层包括层叠设置的半导体层和第二绝缘层；且薄膜晶体管的有源层与半导体层通过一次构图工艺形成，至于第二绝缘层，则是与薄膜晶体管的绝缘层一起沉积而成。而考虑到薄膜晶体管的绝缘层分为栅极绝缘层和钝化层，因此，形成第二绝缘层时，也应当分为两个部分形成，具体形成过程参考前文相应部分描述。
如图4所示，上述在第二导电层13的表面形成隔离层14后，在第二导电层13上方形成第三导电层15具体包括如下步骤：
步骤S510：在隔离层14开设隔离层第一过孔141；
步骤S520：在隔离层14还开设隔离层第二过孔142，在第一绝缘层12开设与隔离层第二过孔142连通的绝缘层过孔120；
步骤S530：在隔离层14的表面形成第三导电层15，使得第三导电层15通过隔离层第一过孔141与第二导电层13电连接，第三导电层15依次通过隔离层第二过孔142和绝缘层过孔120与第一导电层11电连接。
需要说明的是，上述在第一绝缘层对应显示形成区的表面形成薄膜晶体管后，阵列基板的制作方法还包括：
在薄膜晶体管的表面形成与第三导电层15一起形成的像素电极或公共电极。
其中，像素电极或公共电极一般为整层溅射即可，因此，在薄膜晶体管的表面整层溅射像素电极或公共电极时，实质上也就相当于在隔离层14的表面形成了第三导电层15，也就是说，像素电极或公共电极与第三导电层15在一次形成工艺中形成。具体形成工艺可以是溅射，也可以其他工艺。
如图5所示，本发明实施例还提供了一种显示面板，包括上述技术方案提供的阵列基板1。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示面板的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
可以理解的是，上述显示面板中，除了阵列基板1外，还包括与阵列基板1对盒的彩膜基板2，彩膜基板2与阵列基板1相对的表面还形成有透光导电电极，透光导电电极可以为氧化铟锡，或其他透明导电材料。此时，通过各向异性导电胶将阵列基板1的侧面与彩膜基板2的侧面连接起来，使得阵列基板1的第一导电层11通过各向异性导电胶3中的导电离子与彩膜基板2中的透光导电电极连接，使得彩膜基板内部所产生的一部分静电通过第一导电层11释放到地线中，以提高静电的导出率。
另外，由于阵列基板1的第一导电层11通过各向异性导电胶3中的导电离子与彩膜基板2中的透明导电电极连接，且第一导电层11通过第三导电层15与第二导电层13电连接，因此，彩膜基板2的透明导电电极相当于通过第一导电层11与第二导电层13连接，由此可见，本发明实施例提供的显示面板只需通过各向异性导电胶3将阵列基板1的侧面与彩膜基板2的侧面连接起来，就能够将彩膜基板内部所产生的静电释放到地线中，而无需在阵列基板1上点银胶以及贴导电胶带将彩膜基板内部所产生的静电释放到地线中。
本发明实施例还提供了一种显示装置，该显示装置包括上述技术方案提供的显示面板。
与现有技术相比，本发明实施例提供的显示装置的有益效果与上述技术方案提供的阵列基板的有益效果相同，在此不做赘述。
其中，上述实施例提供的显示装置可以为手机、平板电脑、电视机、显示器、笔记本电脑、数码相框或导航仪等任何具有显示功能的产品或部件。
在上述实施方式的描述中，具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (9)

1.一种阵列基板，包括衬底基板，所述衬底基板包括边框形成区；其特征在于，所述衬底基板的表面设有第一导电层，所述第一导电层的表面形成有第一绝缘层，所述第一绝缘层对应边框形成区的表面形成有与地线引线电连接的第二导电层，所述第二导电层的表面形成有覆盖所述第一绝缘层对应边框形成区的隔离层；
所述隔离层开设有隔离层第一过孔和隔离层第二过孔；
所述第一绝缘层开设有绝缘层过孔；
第三导电层覆盖在所述隔离层的表面，所述第三导电层通过所述隔离层第一过孔与所述第二导电层电连接，所述第三导电层通过所述隔离层第二过孔和所述绝缘层过孔与第一导电层电连接；
所述第一导电层和所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影覆盖所述衬底基板的表面，所述第一导电层为透光导电材料，所述第一绝缘层为透光绝缘材料；
所述阵列基板的所述衬底基板背离所述第一导电层的表面作为显示面板的出光面。
2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述衬底基板还包括显示形成区，所述第一绝缘层对应显示形成区的表面形成有薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的栅极层与所述第二导电层同层设置；和/或，
所述阵列基板还包括像素电极，所述第三导电层与所述像素电极同层设置，和/或；
所述阵列基板还包括公共电极，所述第三导电层与所述公共电极同层设置。
3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述第一绝缘层开设有与所述隔离层第二过孔连通的绝缘层过孔；
所述隔离层第二过孔和所述绝缘层过孔在所述衬底基板的正投影，均位于所述第一导电层在所述衬底基板的正投影内；
所述第三导电层依次通过所述隔离层第二过孔和所述绝缘层过孔与第一导电层电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述边框形成区包括银胶点区域和非银胶点区域，所述隔离层第一过孔在所述衬底基板的正投影位于所述银胶点区域，所述隔离层第二过孔和所述绝缘层过孔的正投影均位于所述非银胶点区域；
所述隔离层包括层叠设置的半导体层和第二绝缘层；其中，
所述薄膜晶体管的有源层与所述半导体层同层设置；和/或，
所述薄膜晶体管的绝缘层与所述第二绝缘层同层设置。
5.一种如权利要求1-4任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一衬底基板；所述衬底基板包括边框形成区；在所述衬底基板的表面形成第一导电层；
在所述第一导电层的表面形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层对应边框形成区的表面形成第二导电层，使得所述第二导电层与地线引线连接；
在所述第二导电层上方形成第三导电层，使得所述第一导电层与所述第二导电层通过第三导电层电连接。
6.根据权利要求5所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述第一导电层和所述第一绝缘层在所述衬底基板的正投影覆盖所述衬底基板的表面，所述第一导电层为透光导电材料，所述第一绝缘层为透光绝缘材料；所述衬底基板还包括显示形成区，所述在所述第一导电层的表面形成第一绝缘层后，所述阵列基板的制作方法还包括：
在所述第一绝缘层对应显示形成区的表面形成薄膜晶体管；所述薄膜晶体管的栅极层与所述第二导电层在一次构图工艺中形成；
所述在所述第一绝缘层对应显示形成区的表面形成薄膜晶体管后，所述阵列基板的制作方法还包括：
在所述薄膜晶体管的表面形成像素电极，所述像素电极与所述第三导电层在一次形成工艺中形成；或，
在所述薄膜晶体管的表面形成公共电极，所述公共电极与所述第三导电层在一次形成工艺中形成。
7.根据权利要求6所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，所述在所述第一绝缘层对应边框形成区的表面形成第二导电层后，所述在所述第二导电层上方形成第三导电层前，所述阵列基板的制作方法还包括：
在所述第二导电层的表面形成隔离层，使得所述隔离层覆盖所述第一绝缘层对应边框形成区；所述隔离层包括层叠设置的半导体层和第二绝缘层；所述薄膜晶体管的有源层与所述半导体层通过一次构图工艺形成；
所述在所述第二导电层上方形成第三导电层包括：
在所述隔离层开设隔离层第一过孔；
在所述隔离层还开设隔离层第二过孔，在所述第一绝缘层开设与所述隔离层第二过孔连通的绝缘层过孔；
在所述隔离层的表面形成第三导电层，使得所述第三导电层通过所述隔离层第一过孔与所述第二导电层电连接，所述第三导电层依次通过所述隔离层第二过孔和所述绝缘层过孔与第一导电层电连接。
8.一种显示面板，其特征在于，包括权利要求1-4任一项所述阵列基板。
9.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求8所述的显示面板。
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