CN107215859A - 一种等离子体增强化学气相合成石墨烯的方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种等离子体增强化学气相合成石墨烯的方法。本发明采用固体催化剂模板、氮掺杂气体及气体碳源为原料,等离子体增强化学低温气相合成,经洗涤、抽滤和干燥得到掺杂或未掺杂石墨烯,所得石墨烯厚度小、结晶好的特点。本发明具有无污染、成本低、过程简单的特点。
Description
技术领域
本发明涉及石墨烯的制备领域,具体涉及一种等离子体增强化学气相合成石墨烯的方法。
背景技术
自2004年曼彻斯特大学研究组首次提出石墨烯(Graphene)的概念以来,单层sp2杂化碳构成的石墨烯作为碳家族的一颗璀璨明星,得到了物理、化学及材料学家的高度重视。和单壁碳纳米管类似,石墨烯具有超高电导率、极快的电子传输速度、高硬度、高比表面积以及室温量子霍尔效应,在电子输运器件、电极电容器件、传感器以及复合材料等领域中均有很好的应用前景。目前,石墨烯制备方法主要包括机械剥离法、化学氧化还原技术以及化学气相沉积技术。其中,机械剥离法尽管能够获得高质量的石墨烯片且电学性能优异,但产量极低,不适合规模化制备;采用湿法球磨技术制备石墨烯,尽管产率较高,但过程中大量使用有机溶剂[一种生产石墨烯的方法,专利申请号:200910193873.8];石墨氧化还原技术虽然可以宏量制备,但所制得的石墨烯结构缺陷多、石墨化程度低、机械性能和导电性差,且过程中用到强酸、强氧化剂和还原剂,过程繁琐、污染较大;采用金属如铜箔等作为催化剂模板常规化学气相沉积制备过程苛刻,需要高温(约1000℃)且需转移后使用、产率低、不适合宏量生产;而采用金属氧化物作为模板制备二维碳纳米材料,同样需要提前通过系列化学反应制备得到纳米氧化物,再进行二维石墨烯的生长;采用硅藻土作为模板生长石墨烯二维碳材料可以进行批量生长,然而过程中不仅需要对硅藻土进行硝酸和硫酸的预刻蚀处理,在高温1000℃生长后还需要使用氢氟酸或强碱强氧化钠除去模板 [三维石墨烯粉体的仿生模板CVD制备:通向高效溶液加工,《自然•通讯》,2016年,第7卷,第13440页]。因此,开发工艺简单、低温合成、成本低、污染小的石墨烯制备方法是使其在各领域应用得以促进发展的关键。
等离子体增强化学气相沉积技术沉积温度低,对基体的结构和物理性质影响小,所得样品厚度及成分均匀性好、致密、附着力强,可制备各种金属、无机和有机薄膜。采用此技术,可在硅、金属基底上制备机械及功能碳薄膜包括类金刚石膜、碳纳米管阵列、非晶碳膜等。同样,利用等离子体增强化学气相沉积技术在不同的金属、硅片以及氧化硅基底上可制备石墨烯墙阵列薄膜,可用于场发射电子器件[射频等离子体增强化学气相沉积技术制备碳纳米墙及其场发射特性,《应用表面科学》,2015年,第357卷,第1页,Appl. Surf. Sci.2015, 357, 1 ]。然而,上述报道并未合成出片层结构石墨烯。
发明内容
本发明的目的是提供一种低温、低成本、易于批量制备石墨烯粉体的方法。
本发明采用固体催化剂模板,以含碳气体作为碳源,氨气为氮掺杂源进行等离子体增强化学气相合成,通过洗涤、抽滤及干燥得到石墨烯粉体,所得石墨烯尺寸大、厚度小,在规模宏量制备方面优势突出。
一种等离子体增强化学气相合成石墨烯的方法,其特征在于该方法在等离子体增强化学气相合成设备中合成石墨烯,设备主要由真空***、等离子体引发电源、供气***、升温及压强控制***组成,具体过程为:
1)将固体催化剂模板置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内;所述的固体催化剂模板选择碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、氯化钾、氯化钠、硫酸钠或硫酸钾中的一种;
2)真空***抽真空至10-3帕以下,分别通入惰性气体或惰性/还原性混合气至50-5000Pa,升温至500-900℃,通入气相碳源,或者通入掺杂源气体,掺杂源气体为氨气,通过施加射频或直流源放电起辉合成0.5-150min,在惰性气体或还原气体保护下冷却至室温,抽净真空室内气体,充气至大气压获得固体产物;
3)将上述固体洗涤、抽滤、干燥得到石墨烯粉体。
本发明所述的气相碳源选自乙炔、乙烯或甲烷。
本发明所述的惰性气体为氮气或氩气,还原性气体为氢气。
本发明所述的等离子体引发电源为射频或直流电源。
本发明所述的射频功率为50-500W。
本发明所述的直流放电电压为200-800V,占空比为0.1-0.9。
本发明合成的石墨烯为二维层状结构,尺寸在1-20μm、厚度为1-20nm。
本发明具有如下优点:
1)所使用固体催化剂模板价格低廉,不需预处理;
2)合成温度低、结晶好、易掺杂,重复性好;
3)清洗过程使用蒸馏水或去离子水洗涤,过程中不使用强酸、强碱,环境友好、无污染。
本发明提供了一种简单制备石墨烯的方法,所用原材料丰富、廉价易得、环境友好、重复性好、产品质量稳定可靠;开辟了一种新的低温合成石墨烯的方法。
附图说明
图1是本发明实施例2中所得石墨烯的TEM照片。
图2是本发明实施例2中所得石墨烯的HR-TEM照片。
具体实施方式
实施例1
称取碳酸锂固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为300Pa,将碳酸锂固体加热至650℃,通入氢气(为氩气体积的120%)和乙炔(为氢气体积的20%)。加射频功率至150W,合成5min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。透射电镜(TEM)结果显示样品具有尺寸在5μm左右。
实施例2
称取碳酸钠固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为300Pa,将碳酸钠固体加热至750℃,通入氢气(为氩气体积的120%)和乙炔(为氢气体积的30%)。加射频功率至150W,合成10min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。图1和2分别为透射电镜(TEM)及高分辨透射电镜(HRTEM)图,结果显示样品具有较大尺寸,厚度在5nm左右。
实施例3
称取碳酸钾固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为500Pa,将碳酸钾固体加热至850℃,通入氢气(为氩气体积的100%)和乙炔(为氢气体积的20%)。加射频功率至 200W,合成100min,随后停止通入乙炔,自然冷却至室温后取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例4
称取碳酸钠固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为300Pa,将碳酸钠固体加热至650℃,通入氢气(为氩气体积的150%)和乙炔(为氢气体积的25%)。加射频功率至 150W,合成10min,随后停止通入乙炔,自然冷却至室温后取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。TEM结果发现石墨烯成大片状褶皱结构。
实施例5
称取硫酸钾固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气和氢气(为氩气体积的50%)至真空室压强为50Pa,将硫酸钾固体加热至900℃,通入乙烯(为氢气体积的50%)。加射频功率至 400W,合成3min,停止通入乙烯,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例6
称取氯化钠固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气和氢气(为氩气体积的100%)至真空室压强为2000Pa,将氯化钠固体加热至700℃,通入乙炔(为氢气体积的25%)。加射频功率至 400W,合成120min,随后停止通入乙炔,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到石墨烯粉体。通过TEM观察发现,石墨烯厚度尺寸在10μm左右,厚度约10nm左右。
实施例7
称取碳酸锂固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为400Pa,将碳酸锂固体加热至700℃,通入氢气(为氩气体积的100%)和乙炔(为氢气体积的25%)。加直流电压500V(占空比60%),合成20min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在80℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例8
称取硫酸钠置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为3000Pa,将硫酸钠固体加热至900℃,通入氢气(为氩气体积的100%)和乙炔(为氢气体积的25%)。加直流功率放电合成,电压为500V(占空比40%),合成20min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在80℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例9
称取氯化钾粉体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氮气至真空室压强为800Pa,将氯化钾固体迅速加热升温至600 ℃,通入氢气(为氮气体积的150%)和乙炔(为氢气体积的20%)。加直流电压800V(占空比20%),合成10min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在80℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例10
称取硫酸钠粉体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为100Pa,将硫酸钠固体加热至600℃,通入氢气(为氩气体积的50%)和乙炔(为氢气体积的50%)。加直流功率放电生长,电压为400V(占空比80%),合成60min,停止通入乙炔,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在80℃烘干后得到石墨烯粉体。
实施例11
称取碳酸钠固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为300Pa,将碳酸钠固体加热至750℃,通入氢气(为氩气体积的120%)和乙炔(为氢气体积的30%),同时通入氨气(为氢气体积的50%)作为掺杂源。加射频功率至150W,合成5min,停止通入乙炔和氨气,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到氮掺杂石墨烯粉体,其中通过x射线光电子能谱分析得出氮元素含量约为2.5%。
实施例12
称取氯化钠固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为300Pa,将氯化钠固体加热至650℃,通入氢气(为氩气体积的120%)和甲烷(为氢气体积的40%),同时通入氨气(为氢气体积的20%)作为掺杂源。加射频功率至300W,合成20min,停止通入甲烷和氨气,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到氮掺杂石墨烯粉体,其中通过x射线光电子能谱分析得出氮元素含量约为3.0%。
实施例13
称取硫酸钾固体置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内,抽真空至10-3Pa以下,通入氩气至真空室压强为1500Pa,将硫酸钾固体加热至680℃,通入氢气(为氩气体积的50%)和乙烯(为氢气体积的100%),同时通入氨气(为氢气体积的40%)作为掺杂源。加直流电压500V(占空比60%),合成120min,停止通入乙烯和氨气,自然冷却至室温后,取出固体样品。使用去离子水将上述固体样品洗涤、抽滤并在60℃烘干后得到氮掺杂石墨烯粉体。
Claims (6)
1.一种等离子体增强化学气相合成石墨烯的方法,其特征在于该方法在等离子体增强化学气相合成设备中合成石墨烯,设备主要由真空***、等离子体引发电源、供气***、升温及压强控制***组成,具体过程为:
1)将固体催化剂模板置于等离子体增强化学气相合成设备真空***内;所述的固体催化剂模板选择碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、氯化钾、氯化钠、硫酸钠或硫酸钾中的一种;
2)真空***抽真空至10-3帕以下,分别通入惰性气体或惰性/还原性混合气至50-5000Pa,升温至500-900℃,通入气相碳源,或者通入掺杂源气体,掺杂源气体为氨气,通过施加射频或直流源放电起辉合成0.5-150min,在惰性气体或还原气体保护下冷却至室温,抽净真空室内气体,充气至大气压获得固体产物;
3)将上述固体洗涤、抽滤、干燥得到石墨烯粉体。
2.如权利要求1所述的方法,其特征在于气相碳源选自乙炔、乙烯或甲烷。
3.如权利要求1所述的方法,其特征在于惰性气体为氮气或氩气,还原性气体为氢气。
4.如权利要求1所述的方法,其特征在于等离子体引发电源为射频或直流电源。
5.如权利要求4所述的方法,其特征在于射频功率为50-500W。
6.如权利要求4所述的方法,其特征在于直流放电电压为200-800V,占空比为0.1-0.9。
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