CN107113019B - 高频模块 - Google Patents

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Abstract

上述第一分波电路配置在上述第一放大电路与上述第二分波电路之间。在这样的电路的配置中，由于第一放大电路与第二分波电路在空间上夹着第一分波电路，所以不容易在从第一放大电路到第一分波电路的路径与经由第二分波电路的从第二天线端子到第二接收端子的路径之间的空间产生耦合(电磁场耦合以及静电耦合)。结果，即使产生第一收发部的发送信号的二次谐波且包含于第二分波电路的通频带的二次谐波，高频模块也由于不容易在该空间产生耦合，而能够抑制该二次谐波的向第二接收端子的泄漏，能够使第一频带以及第二频带的隔离特性提高。

Description

高频模块
技术领域
本发明涉及同时以无线收发不同的频带的信号的高频模块。
背景技术
近年来，作为同时以无线收发不同的频带的信号的通信方法，例如已知有载波聚合。作为与载波聚合对应的高频模块，按每个频带需要天线、接收电路、将发送信号放大的放大电路、以及分波电路。
若使实现载波聚合的高频模块小型化，则各频带的隔离(isolation)特性降低。具体而言，若使高频模块小型化，则被低频带(low-band)用的放大电路放大后的发送信号的高次谐波容易泄漏至高频带(high-band)用的接收电路。
鉴于此，专利文献1所记载的高频模块通过不使低频带用的放大电路所包含的匹配电路与基板内部的接地图案连接，而使其与基板背面的接地端子连接，从而抑制发送信号的高次谐波经由基板内部的接地图案泄漏至高频带用的接收电路。
专利文献1：日本特开2007－124202号公报
然而，专利文献1所记载的高频模块仅对经由接地图案的泄漏有效，而不能够抑制经由其它路径的泄漏。具体而言，在高频模块中，有时在元件间以及传输线路间产生电磁场耦合以及静电耦合(以下，仅称为耦合。)。若高频模块被小型化，则容易在元件间以及传输线路间产生耦合，容易形成基于该耦合的路径。专利文献1所记载的高频模块不能够抑制经由基于该耦合而形成的路径的泄漏。
发明内容
鉴于此，本发明的目的在于，提供同时以无线收发不同的频带的信号、且使各频带的隔离特性提高的高频模块。
高频模块是在基板配置有被构成为以第一频带(例如包含900MHz的频带)收发信号的第一收发部、和被构成为以比第一频带高的第二频带(包含1800MHz的频带)收发信号的第二收发部的模块。
具体而言，第一收发部具有：第一天线端子，与第一天线连接；第一接收端子，与接收电路连接；第一放大电路，构成为放大发送信号；以及第一分波电路，构成为使上述第一放大电路放大后的上述第一频带内的发送信号向上述第一天线端子通过，并且使来自上述第一天线端子的上述第一频带内的接收信号向上述第一接收端子通过。第二收发部具有：第二天线端子，与第二天线连接；第二接收端子，与接收电路连接；第二放大电路，构成为放大发送信号；以及第二分波电路，构成为使上述第二放大电路放大后的上述第二频带内的发送信号向上述第二天线端子通过，并且使来自上述第二天线端子的上述第二频带内的接收信号向上述第二接收端子通过。
另外，第一收发部以及第二收发部也可以为了天线侧与收发电路侧的阻抗匹配而分别包含匹配电路。
第一分波电路为了向第一天线端子输出中心频率为900MHz的发送信号，并向第一接收端子输出中心频率为940MHz的来自第一天线端子的接收信号，例如由多个SAW(Surface Acoustic Filter：声表面波滤波器)滤波器构成。同样，第二分波电路也为了在包含1800MHz的频带对信号进行分波而由多个SAW滤波器构成。
在本发明的高频模块中，在上述基板中，上述第一分波电路的位置在上述第一放大电路的位置与上述第二分波电路的位置之间。
在这样的电路的配置中，由于第一放大电路与第二分波电路在空间上夹着第一分波电路，所以不容易在从第一放大电路到第一分波电路的路径与经由第二分波电路的从第二天线端子到第二接收端子的路径之间的空间产生耦合(电磁场耦合以及静电耦合)。例如，在该配置中，不容易在用于实现第一放大电路的放大器元件与用于实现第二分波电路的元件之间的空间产生耦合。其中，该空间并不限定于基板外部的空间(例如基板表面)，也包括基板内部的空间。
结果，例如即使产生第一收发部的发送信号(中心频率为900MHz)的高次谐波且包含于第二分波电路的通频带的高次谐波，本发明的高频模块也由于不容易在从第一放大电路到第一分波电路的路径与经由第二分波电路的从第二天线端子到第二接收端子的路径之间的空间产生耦合，所以能够抑制该二次谐波的向第二接收端子的泄漏，能够使第一频带以及第二频带的隔离特性提高。
另外，可以还具备构成为切换多个上述第一分波电路中的任意一个第一分波电路与上述第一天线端子的连接、和多个上述第二分波电路中的任意一个第二分波电路与上述第二天线端子的连接，且配置在上述基板的开关，在上述基板中，上述第一分波电路的位置在上述第一放大电路的位置与上述开关的位置之间。
在该构成中，由于第一放大电路与开关在空间上夹着第一分波电路，所以更不容易在从第一放大电路到第一分波电路的路径与经由开关的从第二天线端子到第二分波电路的路径之间的空间产生耦合。
另外，也可以在上述基板中，上述第一放大电路的位置是上述基板的对角线的一端侧，在上述基板中，上述第二分波电路的位置是上述对角线的另一端侧。
即，该构成通过在基板中增长第一放大电路与第二分波电路的距离，能够进一步抑制产生上述的耦合。
另外，也可以上述基板具备：具有用于安装于其它基板的基板安装用电极的第一主面、和与上述第一主面对置的第二主面，上述第二接收端子配置在上述第一主面，在上述基板的俯视时，上述第二分波电路的区域与上述第二接收端子的区域重叠。
例如，在基板的俯视时，将第二分波电路的与第二接收端子连接的RX端子和与接收电路连接的第二接收端子分别配置为对置。该构成由于第二分波电路的RX端子与第二接收端子的布线变得更短，所以能够进一步抑制产生上述的耦合。
另外，也可以还具备在上述基板中被配置在上述第一放大电路的位置与上述第二分波电路的位置之间的导通孔导体。
由于第一放大电路与第二分波电路夹着导通孔导体，所以能够进一步抑制产生上述的耦合。
另外，也可以上述第二分波电路具有与上述第二放大电路连接的发送侧端子、和与上述第二接收端子连接的接收侧端子，在上述基板中，上述发送侧端子的位置与上述接收侧端子的位置相比靠上述第一放大电路侧。
另外，也可以在全部的第二分波电路中，各发送侧端子的各位置与各接收侧端子的各位置相比靠上述第一放大电路侧。
换言之，与第二接收端子连接的接收侧端子被配置为远离第一放大电路。通过这样配置第二分波电路的各端子，能够进一步抑制产生上述的耦合。
该发明的高频模块即使同时以无线收发不同的频带的信号，也能够使各频带的隔离特性提高。
附图说明
图1是表示实施方式1所涉及的高频模块的电路例的图。
图2是实施方式1所涉及的高频模块的俯视(元件安装面)图。
图3是实施方式1所涉及的高频模块的仰视(基板安装面)图。
图4(A)是实施方式1所涉及的高频模块的变形例所涉及的高频模块的俯视(元件安装面)图，(B)是A－A剖视图。
图5是表示实施方式2所涉及的高频模块的低频带侧的电路例的图。
图6是表示实施方式2所涉及的高频模块的高频带侧的电路例的图。
图7是实施方式2所涉及的高频模块的俯视(元件安装面)图。
具体实施方式
关于实施方式1所涉及的高频模块100的概要，高频模块100以LTE(Long TermEvolution：长期演进技术)标准收发信号(例如700MHz～2700MHz的信号)。高频模块100为了信号的收发而进行发送信号的放大、基于频率分割的发送信号与接收信号的分波、以及通信的频带切换。高频模块100实现载波聚合。即，高频模块100同时以无线收发多个频带的信号。
接下来，使用图1对高频模块100的详细进行说明。图1是表示高频模块100的电路例的图。
如图1所示，高频模块100具备低频带收发部10、和高频带收发部20。
低频带收发部10具备输入端子P10、和第一天线端子P17。输入端子P10被输入低频带的发送信号。第一天线端子P17与低频带用的天线ANT1连接。高频带收发部20具备输入端子P20、和第二天线端子P27。输入端子P20被输入高频带的发送信号。第二天线端子P27与高频带用的天线ANT2连接。
在本实施方式中，作为一个例子，以将低频带收发部10收发的第一频带的信号的频带设为600MHz～1000MHz，并将高频带收发部20收发的第二频带的信号的频带设为1600MHz～2700MHz为例进行说明。
低频带收发部10具备放大电路11、匹配电路12、子开关13、多个双工器(duplexer)14以及双工器15、以及主开关16。
放大电路11将被输入到输入端子P10的低频带(600MHz～1000MHz)的发送信号放大，并将放大后的发送信号输出给匹配电路12。匹配电路12例如具备电感器以及电容器，在第一天线ANT1侧与放大电路11侧之间匹配阻抗。
子开关13具备共用端子P13、多个个别(individual)端子P134、P135。共用端子P13与匹配电路12连接。个别端子P134与双工器14连接。个别端子P135与双工器15连接。
主开关16为了通过与子开关13的组，从双工器14以及双工器15选择匹配电路12与第一天线ANT1的路径所使用的双工器，而切换匹配电路12与任意一个双工器的连接、和该双工器与第一天线端子P17的连接。其中，切换基于从控制IC221(参照图2)输出的控制信号。
双工器14例如在LTE标准的频带(band)19(800MHz的频带)下，通过频率分割对发送信号和接收信号进行分波。具体而言，双工器14具备一个共用端子、和两个个别端子。双工器14具备一体形成为单一的壳体的发送侧滤波器St14、和接收侧滤波器Sr14。接收侧滤波器Sr14具有平衡－不平衡转换功能。
双工器14的共用端子与主开关16的个别端子P164连接。在双工器14的一个个别端子连接有发送侧滤波器St14、和子开关13的个别端子P134。在双工器14的另一个个别端子连接有接收侧滤波器Sr14、和接收端子P14。接收端子P14与实现高频模块100的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
发送侧滤波器St14例如是SAW(Surface Acoustic Wave：声表面波)滤波器，是以830MHz～845MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。接收侧滤波器Sr14例如是SAW滤波器，是以875MHz～890MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。此外，除了SAW滤波器之外，能够使用BAW(Bulk Acoustic Wave：体声波)滤波器。
双工器15例如在LTE标准的频带17(700MHz的频带)下，通过频率分割对发送信号和接收信号进行分波。具体而言，双工器15具备一个共用端子、和两个个别端子。双工器15具备一体形成为单一的壳体的发送侧滤波器St15、和接收侧滤波器Sr15。接收侧滤波器Sr15具有平衡－不平衡转换功能。
双工器15的共用端子与主开关16的个别端子P165连接。在双工器15的一个个别端子连接有发送侧滤波器St15、和子开关13的个别端子P135。在双工器15的另一个个别端子连接有接收侧滤波器Sr15、和接收端子P15。接收端子P15与实现高频模块100的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
发送侧滤波器St15例如是SAW滤波器，是以704MHz～716MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。接收侧滤波器Sr15例如是SAW滤波器，是以734MHz～746MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。
主开关16的共用端子P16与第一天线端子P17连接。第一天线ANT1是适合低频带的信号的收发的形状。
高频带收发部20具备与低频带收发部10相同的构成，收发的信号的频带彼此不同。高频带收发部20具备放大电路21、匹配电路22、子开关23、多个双工器24以及双工器25、以及主开关26。
放大电路21将被输入到输入端子P20的高频带(1600MHz～2700MHz)的发送信号放大，并将放大后的发送信号输出给匹配电路22。匹配电路22例如具备电感器以及电容器，在第二天线ANT2侧与放大电路21侧之间匹配阻抗。
子开关23具备共用端子P23、和多个个别端子P234、P235。共用端子P23与匹配电路22连接。个别端子P234与双工器24连接。个别端子P235与双工器25连接。
主开关26为了通过与子开关23的组，从双工器24以及双工器25选择匹配电路22与第二天线ANT2的连接路径所使用的双工器，而切换匹配电路22与任意一个双工器的连接、和该双工器与第二天线端子P27的连接。其中，切换基于从控制IC221输出的控制信号。
双工器24例如在LTE标准的频带1(2100MHz的频带)下，通过频率分割对发送信号与接收信号进行分波。具体而言，双工器24具备一个共用端子、和两个个别端子。双工器24具备一体形成为单一的壳体的发送侧滤波器St24、和接收侧滤波器Sr24。接收侧滤波器Sr24具有平衡－不平衡转换功能。
双工器24的共用端子与主开关26的个别端子P264连接。在双工器24的一个个别端子连接有发送侧滤波器St24、和子开关23的个别端子P234。在双工器24的另一个个别端子连接有接收侧滤波器Sr24、和接收端子P24。接收端子P24与实现高频模块100的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
发送侧滤波器St24例如是SAW滤波器，是以1920MHz～1980MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。接收侧滤波器Sr24例如是SAW滤波器，是以2110MHz～2170MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。
双工器25例如在LTE标准的频带7(2600MHz的频带)下，通过频率分割对发送信号和接收信号进行分波。具体而言，双工器25具备一个共用端子、和两个个别端子。双工器25具备一体形成为单一的壳体的发送侧滤波器St25、和接收侧滤波器Sr25。接收侧滤波器Sr25具有平衡－不平衡转换功能。
双工器25的共用端子与主开关26的个别端子P265连接。在双工器25的一个个别端子连接有发送侧滤波器St25、和子开关23的个别端子P235。在双工器25的另一个个别端子连接有接收侧滤波器Sr25、和接收端子P25。接收端子P25与实现高频模块100的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
发送侧滤波器St25例如是SAW滤波器，是以2500MHz～2570MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。接收侧滤波器Sr25例如是SAW滤波器，是以2620MHz～2690MHz为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。
主开关26的共用端子P26与第二天线端子P27连接。第二天线ANT2以适合高频带的信号的收发的形状形成。
以在LTE标准的频带19进行收发为例对高频模块100的动作进行说明。在LTE标准的频带19进行收发的情况下，控制IC221为了经由双工器14向第一天线ANT1输出发送信号，而进行切换子开关13以及主开关16的连接的控制。具体而言，控制IC221向子开关13以及主开关16输出使共用端子P13与个别端子P134连接、并使共用端子P16与个别端子P164连接的控制信号。
输入到输入端子P10的发送信号在被放大电路11放大之后，依次通过匹配电路12、子开关13、以及双工器14的发送侧滤波器St14，从而被滤波为704MHz～716MHz的频率成分成为主要的频率成分。其后，发送信号依次通过主开关16、以及第一天线端子P17，被输出至第一天线ANT1。
关于LTE标准的频带19的接收，第一天线ANT1接收到的接收信号依次通过第一天线端子P17、以及主开关16，被输入至双工器14。接收信号通过接收侧滤波器Sr14向接收端子P14输出875MHz～890MHz的频率成分。
高频模块100为了实现载波聚合，在LTE标准的频带19以外的频带也同时以无线收发信号。以下，以将与LTE标准的频带19同时收发信号的频带设为频带1为例进行说明。在以LTE标准的频带1收发信号的情况下，控制IC221为了经由双工器24向第二天线ANT2输出发送信号，而进行切换子开关23以及主开关26的连接的控制。具体而言，控制IC221向子开关23以及主开关26输出使共用端子P23与个别端子P234连接、并使共用端子P26与个别端子P264连接的控制信号。
输入到输入端子P20的发送信号在被放大电路21放大之后，依次通过匹配电路22、子开关23、以及双工器24的发送侧滤波器St24，从而被滤波为1920MHz～1980MHz的频率成分成为主要的频率成分。其后，发送信号依次通过主开关26的个别端子P264、共用端子P26、以及第二天线端子P27，输出给第二天线ANT2。
关于LTE标准的频带1的接收，第二天线ANT2接收到的接收信号依次通过第二天线端子P27、主开关26，被输入到双工器24。接收信号通过接收侧滤波器Sr24而向接收端子P24输出2110MHz～2170MHz的频率成分。
如以上那样，高频模块100在LTE标准的频带19(低频带)和频带1(高频带)同时以无线收发信号。同样，高频模块100在LTE标准的频带17和频带7同时以无线收发信号。此外，高频模块100也可以具备以LTE标准以外的标准(例如W－CDMA标准)收发信号的收发部。
接下来，本实施方式所涉及的高频模块100通过以下所示的特征结构，抑制从放大电路11输出的低频带的发送信号的高次谐波向高频带收发部20的接收端子P24、P25泄漏。图2是高频模块100的俯视(元件安装面)图。在图2中虚线是用于示出基板200的各区域的虚拟的线。
高频模块100如图2所示，在基板200配置实现图1的电路例的各元件而成。各元件按基板200的每个区域配置。
具体而言，基板200如图2所示，具有区域201、区域203、区域205、区域207、以及区域209。
在区域201配置有实现图1的电路例所示的放大电路11、匹配电路12、以及子开关13的各元件。具体而言，在区域201配置有放大器元件211、多个芯片元件(例如电阻、电容器、以及电感器等的任意一个)212、以及开关IC213。其中，放大器元件211以及开关IC213分别跨区域203进行配置。
放大电路11在区域201中，由放大器元件211和多个芯片元件212实现。匹配电路12在区域201中，由芯片元件212实现。子开关13在区域201中，由开关IC213实现。
在区域203配置有实现图1的电路例所示的放大电路21、匹配电路22、以及子开关23的各元件。放大电路21在区域203中，由放大器元件211和多个芯片元件212实现。匹配电路22在区域203中，由芯片元件212实现。子开关23在区域203中，由开关IC213实现。
在区域205配置有图1的电路例所示的双工器14以及双工器15。由于实际的高频模块100具备低频带用的三个以上双工器，所以在区域205也配置有双工器14以及双工器15以外的双工器DUP。
在区域207配置有图1的电路例所示的双工器24以及双工器25。由于实际的高频模块100具备高频带用的三个以上双工器，所以在区域207也配置有双工器24以及双工器25以外的双工器DUP。
在区域209配置有实现图1的电路例所示的主开关16以及主开关26的开关IC214。
如图2所示，区域201在基板200的俯视图中，配置在－X侧且+Y侧的基板200的角。区域203在基板200中配置在区域201的－Y侧。区域207配置在+X侧且－Y侧的基板200的角。即，在基板200的俯视时，区域207的位置是基板200的对角线的一端侧，区域201的位置是该对角线的另一端侧。区域207在Y方向较长，延伸至+X侧且+Y侧的基板200的角附近。区域209在基板200中为区域207的－X侧，并沿着基板200的－Y侧的边缘配置。区域209的Y方向的长度比区域207的Y方向的长度短。
这里，在基板200中，区域205的位置在区域201的位置与区域207的位置之间。具体而言，如图2所示，区域205具有从区域209的+Y侧的边界延伸至基板200的+Y侧的边缘的区域2051、和+X侧且+Y侧的基板200的角的区域2052。即，在基板200中，区域2051的位置在区域207的位置与区域201的位置之间。由此，在基板200中，配置在区域2051的双工器(包含双工器14、15)的各位置成为配置于区域207的双工器24以及双工器25的各位置与配置在区域201的放大器元件211以及开关IC213的各位置之间。由此，从放大电路11向子开关13的路径L与经由双工器24的从主开关26的共用端子P26向接收端子P24的路径H1在空间上夹着被配置在区域2051的低频带用的双工器。其中，在空间上夹着除了仅在基板200的外部(例如与基板200的上表面相比靠Y方向的空间)路径L与路径H1夹着低频带用的双工器之外，还包括在基板200的内部路径L与路径H1也夹着包含低频带用的双工器的路径。
在以LTE标准的频带19和频带1收发高频信号的情况下，由于路径L与路径H1在空间上夹着低频带用的双工器，所以在路径L与路径H1之间的空间不容易产生电磁场耦合以及静电耦合(以下，仅称为耦合。)。即，对于路径L以及路径H1所包含的元件以及传输线路，不容易在这些元件间以及传输线路间产生耦合。例如，不容易在路径L所包含的放大器元件211与路径H1所包含的双工器24之间的空间产生耦合。
结果，即使在从放大电路11输出LTE标准的频带19的发送信号(830MHz～845MHz的信号)的高次谐波，且该高次谐波包含双工器24的接收侧滤波器Sr24的通频带(2110MHz～2170MHz)的频率成分的情况下，本实施方式所涉及的高频模块100也能够抑制经由路径L以及路径H1的耦合而该高次谐波泄漏到接收端子P24，能够使LTE标准的频带1与频带19的隔离特性提高。
同样，在以LTE标准的频带17和频带7同时收发信号的情况下，由于路径L与经由双工器25的从共用端子P16到接收端子P25的路径H2也在空间上夹着低频带用的双工器，所以不容易在它们之间的空间产生耦合。
另外，高频模块100通过区域2052配置在区域207的+Y侧，也能够抑制路径L与路径H1、H2的耦合中的、在区域207的+Y侧的空间产生的耦合。
另外，在基板200中，区域205的区域2051的位置从区域209的位置观察靠近区域201侧。即，配置在区域2051的双工器14以及双工器15的各位置从配置在区域209的开关IC214的位置观察靠近配置在区域201的放大器元件211侧。
由此，不容易在从放大电路11到子开关13的路径L与经由主开关26的从第二天线端子P27到双工器24的路径H3之间的空间产生耦合。同样，不容易在路径L与经由主开关26的从第二天线端子P27到双工器25的路径H4之间的空间产生耦合。由此，高频模块100能够使LTE标准的各频带的隔离特性提高。
并且，本实施方式所涉及的高频模块100通过如以下那样调整双工器25的朝向，能够使LTE标准的各频带的隔离特性进一步提高。
如图2所示，双工器25具备与接收端子P25连接的RX端子251、和依次经由子开关23以及匹配电路22与放大电路21连接的TX端子252。RX端子251在双工器25中配置在X侧。TX端子252在双工器25中配置在－X侧。即，RX端子251被配置为远离在区域201实现的放大电路11。由此，在双工器25中，由于RX端子251被配置为远离在区域201实现的放大电路11，所以不容易在从路径L和从双工器25到接收端子P25的路径之间的空间产生耦合。
同样，除了双工器25之外，对于配置在区域207的全部的双工器也将各双工器配置为使RX端子位于与区域201相反的一侧。
另外，如图3的基板200的仰视(基板安装面)图所示，基板200具备用于安装到主基板(未图示)的多个电极261、和多个接地电极262。在基板200的俯视时，电极261A的区域与双工器25的RX端子251的区域重叠。该电极261A用于实现接收端子P25，与主基板的接收电路连接。若配置为RX端子251与电极261A重叠，则RX端子251与接收端子P25的路径更短。其中，图3以虚线示出配置在基板200的上表面的双工器25。
由于RX端子251与接收端子P25的路径变得更短，所以不容易在路径L与从RX端子251到接收端子P25的路径之间的空间产生耦合。此外，并不限定于在基板200的俯视时RX端子251的区域与电极261A的区域重叠的配置，即使是双工器25的区域与电极261A的区域重叠的配置，RX端子251与接收端子P25的路径也变短。
同样，对于区域207内的其它双工器，也可以将各双工器配置为在基板200的俯视时，各RX端子的区域与基板200的下表面的任意一个电极261的区域重叠。
此外，虽然在本实施方式中，对在低频带与高频带这两个频带同时收发信号的高频模块100进行了说明，但本实施方式也可以是在相互不同的三种以上频带同时收发信号的高频模块。例如即使在低频带(600MHz～1000MHz)的发送信号的高次谐波包含中频带(1400MHz～1600MHz)的频率成分的情况下，也能够通过在基板200中将低频带用的双工器配置在低频带用的放大电路与中频带用的双工器之间，来使各频带的隔离特性提高。
接下来，使用图4(A)以及图4(B)对高频模块100的变形例1所涉及的高频模块100A进行说明。图4(A)是高频模块100A的俯视图。图4(B)是A－A剖视图。其中，在图4(A)中，单点划线是用于表示配置导通孔导体的位置的虚拟的线。
高频模块100A为了划分区域205而在作为多层基板的基板200设置导通孔导体这一点与图2、以及图3所示的高频模块100不同。省略其它重复的构成的说明。
具体而言，如图4(A)所示，虚拟线900被设定为划分由区域2051以及区域209构成的区域与区域201。虚拟线901被设定为划分区域207与由区域205以及区域209构成的区域。
如图4(B)的A－A剖视图所示，在基板200的内部分别配置有多个导通孔导体、和多个内部布线。
具体而言，导通孔导体271如图4(B)所示，形成为在基板200内部向Z方向延伸。该导通孔导体271是沿着虚拟线900配置的多个导通孔导体中的一个导通孔导体。导通孔导体271经由内部布线272以及其它导通孔导体，与基板200的下表面的接地电极262A连接。
同样，导通孔导体273如图4(B)所示，形成为在基板200内部向Z方向延伸。该导通孔导体273是沿着虚拟线901配置的多个导通孔导体中的一个导通孔导体。导通孔导体273经由内部布线274以及其它导通孔导体，与基板200的下表面的接地电极262A连接。
各导通孔导体271以及各导通孔导体273用于抑制在元件间以及传输线路间产生的耦合。各导通孔导体271以及各导通孔导体273与低频带收发部10以及高频带收发部20的各构成电分离。因此，各导通孔导体271以及各导通孔导体273不对通过高频模块100A进行的信号的收发带来影响。同样，用于将各导通孔导体271以及各导通孔导体273与接地电极262A连接的各内部布线272以及各内部布线274也与低频带收发部10以及高频带收发部20的各构成电分离，不对通过高频模块100A进行的信号的收发带来影响。
控制IC221以及双工器DUP通过各端子与基板200的上表面的各安装电极连接，而被安装在基板200。如图4(B)所示，各安装电极经由导通孔导体275以及内部布线276与接地电极262B或者电极261连接。接地电极262B在基板200中，不与接地电极262A连接。即，双工器DUP等的信号的收发所需要的元件的接地图案在基板200中，不经由接地电极262A以及接地电极262B与不对信号的收发带来影响的导通孔导体271以及导通孔导体273的接地图案连接。
高频模块100A由于实现放大电路11的区域201与配置双工器24、25的区域207夹着多个导通孔导体271以及多个导通孔导体273，所以进一步抑制在从放大电路11到子开关13的路径L与经由双工器24、25的从主开关26到接收端子P24、P25的路径H1、H2之间的空间产生耦合。
另外，由于双工器DUP等的信号的收发所需要的元件的接地图案在基板200中不与不给信号的收发带来影响的导通孔导体271以及导通孔导体273的接地图案连接，所以从放大电路11输出的发送信号的高次谐波不容易经由包含导通孔导体271以及导通孔导体273的接地图案泄漏至接收端子P24、P25。
另外，各导通孔导体271以及各导通孔导体273也可以分别不经由内部布线272、274而直接与接地电极262A连接。由此，进一步抑制上述的耦合。
但是，高频模块100A也可以是仅沿着虚拟线900以及虚拟线901的任意一方的线配置多个导通孔导体的方式。
虽然在高频模块100A中，多个导通孔导体271以及多个导通孔导体273抑制了上述的耦合，但即使是导通孔导体以外的构成也能够抑制上述的耦合。
例如，如图4(C)的剖视图所示，在高频模块100B中，形成在基板200内部向Z方向延伸的多个导通孔导体281、和将在X方向相邻的两个导通孔导体281相互连接的引线键合282。由此，形成基板200的下面侧开口的コ字形的多个导体283。
这样，通过在基板200形成コ字形的多个导体283，形成与基板200的面方向平行的方向且为与多个导体283的排列方向(即图4(c)中的x轴方向)正交的方向成为各轴向的多个电感器。由此，更不容易产生路径间的向该轴向的耦合。
接下来，使用图5～7对实施方式2所涉及的高频模块100C、100D、100E进行说明。图5是表示高频模块100C的电路例的图。图6是表示高频模块100D的电路例的图。图7是在基板200安装了高频模块100C、以及100D的情况下的俯视(元件安装面)图。其中，图5是进行低频带的信号的收发的电路例，图6是进行高频带的信号的收发的电路例。
高频模块100C相对于高频模块100具备以GSM(Global System for MobileCommunications：全球移动通讯***。注册商标。)标准收发信号的低频带收发部30、和低频带收发部410。高频模块100D相对于高频模块100具备以GSM(注册商标。)标准收发信号的高频带收发部20、和高频带收发部40。高频模块100E通过在基板200中，在LTE标准用的低频带收发部10的放大电路11的位置与LTE标准用的高频带收发部20的放大电路21的位置之间配置GSM标准用的低频带收发部30的电路构成，来抑制从放大电路11输出的发送信号的高次谐波的向放大电路21的泄漏。省略与高频模块100重复的构成的说明。
高频模块100E是高频模块100C以及高频模块100E的实相体(mounting body)，具备LTE标准用的低频带收发部10、LTE标准用的高频带收发部20、GSM标准用的低频带收发部30、以及GSM标准用的高频带收发部40。
低频带收发部30以GSM900标准(900MHz的频带)收发信号。具体而言，如图5所示，低频带收发部30具备输入端子P30、放大电路31、匹配电路32、发送滤波器33、以及SAW滤波器34。
放大电路31放大被输入到输入端子P30的信号。放大电路31放大后的信号经由匹配电路32输入到发送滤波器33。发送滤波器33是以GSM900标准的发送信号为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。发送滤波器33的输出侧与主开关16C的个别端子P161连接。
SAW滤波器34具有平衡－不平衡转换功能。SAW滤波器34的一端与主开关16C的个别端子P162连接，作为平衡端子的另一端与接收端子P34连接。接收端子P34与实现高频模块100C的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
高频带收发部40以GSM1800(1800MHz的频带)标准以及GSM1900标准(1900MHz的频带)收发信号。具体而言，如图6所示，高频带收发部40具备输入端子P40、放大电路41、匹配电路42、发送滤波器43、以及天线共用器(diplexer)44。
放大电路41放大被输入到输入端子P40的信号。放大电路41放大后的信号经由匹配电路42输入到发送滤波器43。发送滤波器43是以GSM1800标准以及GSM1900标准的发送信号的频带为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。发送滤波器43的输出侧与主开关26C的个别端子P261连接。
天线共用器44具备SAW滤波器Sr441、和SAW滤波器Sr442。SAW滤波器Sr441是以GSM1800标准的接收信号的频带为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。SAW滤波器Sr441的一端与主开关26C的个别端子P262连接，另一端与接收端子P441连接。接收端子P441与实现高频模块100D的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。SAW滤波器Sr442是以GSM1900标准的接收信号的频带为通频带，并以其它频带为衰减频带的滤波器。SAW滤波器Sr442的一端与主开关26C的个别端子P263连接，另一端与接收端子P442连接。接收端子P442与实现高频模块100E的基板以外的主基板的接收电路(未图示)连接。
如图7所示，高频模块100E的基板200具有区域201、区域203A、区域205、区域207、区域209、区域206、以及区域208。
区域203A在配置实现图5的电路例所示的GSM标准的低频带用的放大电路31的各元件这一点与区域203不同。具体而言，放大电路31由跨区域201的放大器元件211和多个芯片元件212实现。
区域208配置在－X侧且－Y侧的基板200的角。区域206在基板200中配置在区域208的+Y侧。
在区域206配置有实现图6的电路例所示的GSM(注册商标)标准的高频带用的放大电路41的各元件。具体而言，在区域206配置有放大器元件291、和多个芯片元件212。放大器元件291跨区域208进行配置。放大电路41在区域206中，由放大器元件291和多个芯片元件212实现。
实现LTE标准的高频带用的放大电路21的各元件配置在区域208。具体而言，配置有跨区域206的放大器元件291和多个芯片元件212。
由于LTE标准的低频带用的放大电路11与LTE标准的高频带用的放大电路21夹着GSM(注册商标)标准的放大电路31、41，所以不容易在从放大电路11到子开关13的共用端子P13的路径L与从放大电路21到子开关23的共用端子P23的路径H5之间产生耦合。因此，从放大电路11输出的发送信号的高次谐波不容易由于路径L与路径H5的耦合而依次经由子开关23、以及双工器24、25泄漏至接收端子P24、P25。不过，即使LTE标准的放大电路11与放大电路21仅夹着GSM(注册商标)标准的放大电路31也能够抑制在路径L与路径H5之间产生耦合。
附图标记说明
10…低频带收发部，20…高频带收发部，11、21…放大电路，12、22…匹配电路，13、23…子开关，14、15、24、25…双工器，16、16C、26、26C…主开关，30…低频带收发部，40…高频带收发部，31、41…放大电路，32、42…匹配电路，33、43…发送滤波器，34…SAW滤波器，44…天线共用器，100、100A、100B、100C、100D、100E…高频模块，200…基板，211、291…放大器元件，212…芯片元件，213、214…开关IC，221…控制IC，251…RX端子，252…TX端子，261、261A…电极，262、262A、262B…接地电极，271、273…导通孔导体，272、274…内部布线，275…导通孔导体，276…内部布线，281…导通孔导体，282…引线键合，283…导体。

Claims (8)

1.一种高频模块，在基板配置有：第一收发部，构成为收发第一频带内的信号；以及第二收发部，构成为收发比上述第一频带高的第二频带内的信号，其中，
上述第一收发部具有：第一天线端子，与第一天线连接；第一接收端子，与接收电路连接；第一放大电路，构成为放大发送信号；以及第一分波电路，构成为使上述第一放大电路放大后的上述第一频带内的发送信号向上述第一天线端子通过，并且使来自上述第一天线端子的上述第一频带内的接收信号向上述第一接收端子通过，
上述第二收发部具有：第二天线端子，与第二天线连接；第二接收端子，与接收电路连接；第二放大电路，构成为放大发送信号；以及第二分波电路，构成为使上述第二放大电路放大后的上述第二频带内的发送信号向上述第二天线端子通过，并且使来自上述第二天线端子的上述第二频带内的接收信号向上述第二接收端子通过，
在上述基板中，上述第一分波电路的位置在上述第一放大电路的位置与上述第二分波电路的位置之间。
2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
还具备构成为切换多个上述第一分波电路中的任意一个第一分波电路与上述第一天线端子的连接、和多个上述第二分波电路中的任意一个第二分波电路与上述第二天线端子的连接，且被配置在上述基板的开关，
在上述基板中，上述第一分波电路的位置在上述第一放大电路的位置与上述开关的位置之间。
3.根据权利要求1所述的高频模块，其中，
在上述基板中，上述第一放大电路的位置是上述基板的对角线的一端侧，
在上述基板中，上述第二分波电路的位置是上述对角线的另一端侧。
4.根据权利要求2所述的高频模块，其中，
在上述基板中，上述第一放大电路的位置是上述基板的对角线的一端侧，
在上述基板中，上述第二分波电路的位置是上述对角线的另一端侧。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的高频模块，其中，
上述基板具备：具有用于安装于其它基板的基板安装用电极的第一主面、和与上述第一主面对置的第二主面，
上述第二接收端子配置在上述第一主面，
在上述基板的俯视时，上述第二分波电路的区域与上述第二接收端子的区域重复。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的高频模块，其中，
还具备在上述基板中被配置在上述第一放大电路的位置与上述第二分波电路的位置之间的导通孔导体。
7.根据权利要求1～4中任意一项所述的高频模块，其中，
上述第二分波电路具有与上述第二放大电路连接的发送侧端子、和与上述第二接收端子连接的接收侧端子，
在上述基板中，上述发送侧端子的位置与上述接收侧端子的位置相比靠上述第一放大电路侧。
8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，
在上述基板中，多个上述第二分波电路的各发送侧端子的各位置与各接收侧端子的各位置相比靠上述第一放大电路侧。
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