CN107045484B - 数据存储装置 - Google Patents
数据存储装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN107045484B CN107045484B CN201610671981.1A CN201610671981A CN107045484B CN 107045484 B CN107045484 B CN 107045484B CN 201610671981 A CN201610671981 A CN 201610671981A CN 107045484 B CN107045484 B CN 107045484B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- operation information
- controller
- reliability
- original
- management
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000013500 data storage Methods 0.000 title claims abstract description 51
- 238000007726 management method Methods 0.000 claims abstract description 109
- 238000012937 correction Methods 0.000 claims description 3
- 101100355577 Arabidopsis thaliana ARAC11 gene Proteins 0.000 description 45
- 102100025634 Caspase recruitment domain-containing protein 16 Human genes 0.000 description 41
- 108060001826 COP1 Proteins 0.000 description 30
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 13
- 230000004044 response Effects 0.000 description 8
- 101100091482 Caenorhabditis elegans rop-1 gene Proteins 0.000 description 6
- 101100523500 Arabidopsis thaliana ARAC4 gene Proteins 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 101150008672 csn-1 gene Proteins 0.000 description 2
- 101100282455 Arabidopsis thaliana AMP1 gene Proteins 0.000 description 1
- 101100218464 Haloarcula sp. (strain arg-2 / Andes heights) cop2 gene Proteins 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 238000011017 operating method Methods 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F13/00—Interconnection of, or transfer of information or other signals between, memories, input/output devices or central processing units
- G06F13/14—Handling requests for interconnection or transfer
- G06F13/16—Handling requests for interconnection or transfer for access to memory bus
- G06F13/1668—Details of memory controller
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
- G06F3/0619—Improving the reliability of storage systems in relation to data integrity, e.g. data losses, bit errors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
- G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
- G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
- G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
- G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
- G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
- G11C16/3445—Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
- G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
- G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
- G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
- G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
- G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0604—Improving or facilitating administration, e.g. storage management
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0602—Interfaces specially adapted for storage systems specifically adapted to achieve a particular effect
- G06F3/0614—Improving the reliability of storage systems
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0628—Interfaces specially adapted for storage systems making use of a particular technique
- G06F3/0629—Configuration or reconfiguration of storage systems
- G06F3/0632—Configuration or reconfiguration of storage systems by initialisation or re-initialisation of storage systems
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/06—Digital input from, or digital output to, record carriers, e.g. RAID, emulated record carriers or networked record carriers
- G06F3/0601—Interfaces specially adapted for storage systems
- G06F3/0668—Interfaces specially adapted for storage systems adopting a particular infrastructure
- G06F3/0671—In-line storage system
- G06F3/0673—Single storage device
- G06F3/0679—Non-volatile semiconductor memory device, e.g. flash memory, one time programmable memory [OTP]
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
- G11C29/52—Protection of memory contents; Detection of errors in memory contents
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Computer Security & Cryptography (AREA)
- Quality & Reliability (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
- Probability & Statistics with Applications (AREA)
Abstract
本发明涉及一种数据存储装置,其包括第一存储器装置,该第一存储器装置包括用于原始操作信息的操作信息区域并且适于基于原始操作信息执行第一初始化操作以及控制器,其适于对原始操作信息执行管理操作,其中操作信息区域的原始操作信息被禁止改变直到管理操作完成。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求于2016年2月5日提交的申请号为10-2016-0014674的韩国专利申请的优先权,其全文内容通过引用并入本文。
技术领域
各个实施例总体涉及数据存储装置并且,更特别地,涉及包括非易失性存储器装置的数据存储装置。
背景技术
数据存储装置响应于写入请求存储由外部装置提供的数据。数据存储装置也可以响应于读取请求将存储的数据提供至外部装置。使用数据存储装置的外部装置的示例包括计算机、数码相机、移动电话等。数据存储装置可以在外部装置的生产期间被嵌入在外部装置中或者可以被单独制造然后被连接至外部装置。
发明内容
在实施例中,数据存储装置包括:包括用于原始操作信息的操作信息区域并适于基于原始操作信息执行第一初始化操作的第一存储器装置,以及适于对原始操作信息执行管理操作的控制器,其中操作信息区域的原始操作信息被禁止改变直到管理操作完成。
在实施例中,数据存储装置可以包括第一非易失性存储器装置;和适于控制第一非易失性存储器装置以执行第一初始化操作或第二初始化操作的控制器,其中第一初始化操作基于原始操作信息被执行,并且第二初始化操作基于管理操作信息被执行,并且其中第一非易失性存储器装置检查原始操作信息的可靠性,并且控制器检查管理操作信息的可靠性。
在实施例中,数据存储装置可以包括:包括用于原始操作信息的操作信息区域的第一非易失性存储器装置;以及适于控制第一非易失性存储器装置以执行第一初始化操作或第二初始化操作的控制器,其中第一初始化操作基于原始操作信息被执行,并且第二初始化操作基于通过控制器的管理操作被管理的管理操作信息被执行。
附图说明
图1是示出根据本发明的实施例的数据存储装置的框图。
图2是示出图1所示的非易失性存储器装置的详细配置的示例的框图。
图3是根据本发明的实施例的为了帮助解释图1的非易失性存储器装置的第一初始化操作的示例的示意图。
图4是根据本发明的实施例的帮助说明图1的控制器的可靠性管理操作的示例的示意图。
图5是根据本发明的实施例的帮助说明图1的控制器的可靠性管理操作的示例的示意图。
图6是根据本发明的实施例的帮助说明图1的非易失性存储器装置的第二初始化操作的示例的示意图。
图7是根据本发明的实施例的用于原始操作信息的操作信息区域和用于管理的操作信息的存储区域的示例的示意图。
图8是示出根据本发明的实施例的固态驱动器(SSD)的示例的框图。
图9是示出根据本发明的实施例的数据存储装置被应用于其的数据处理***的示例的框图。
具体实施方式
在下文中,根据本发明的数据存储装置及其操作方法将参照通过本发明的示例性实施例参照附图被描述。然而,本发明可以以不同的形式被实现并且不应被理解为限于本文中阐述的实施例。相反,这些实施例被提供以详细描述本发明以达到本发明所属领域的技术人员能够实践本发明的程度。
应理解的是,本发明的实施例不限于附图中所示的细节,附图不必按比例绘制,并且在一些实例中,比例可能已经被放大以更清楚地描述本发明的某些特征。虽然特定的术语被使用,应注意的是所使用的术语只是为了描述特定的实施例并不是为了限定本发明的范围。
现在参照图1,根据本发明的实施例,数据存储装置10被提供。
根据图1的实施例,数据存储装置10可以响应于来自外部装置(未示出)的写入请求存储由外部装置提供的数据。而且,数据存储装置10可以响应于来自外部装置的读取请求向外部装置提供存储的数据。
例如,数据存储装置10可以由个人计算机存储卡国际协会(PCMCIA)卡、标准闪存(CF)卡、智能媒体卡、记忆棒、各种多媒体卡(MMC,eMMC,RS-MMC,和MMC-Micro)、各种安全数字卡(SD,Mini-SD,和Mini-SD)、通用闪速存储器(UFS)、固态驱动器(SSD)等被配置。
根据图1的实施例,数据存储装置10包括控制器100和非易失性存储器装置200A和200B。
控制器100可以控制数据存储装置10的一般操作的一种或多种。控制器100可以响应于由外部装置传输的写入请求将数据存储在非易失性存储器装置200A和200B中,并且可以响应于由外部装置传输的读取请求读取被存储在非易失性存储器装置200A和200B中的数据并将读取数据输出至外部装置。虽然图1示出了2个非易失性存储器装置200A和200B,应当注意的是实施例不限于此。
控制器100可以为用于存储在非易失性存储器装置200A的操作信息区域261A中的非易失性存储器装置200A的原始操作信息ROP1执行可靠性管理操作。
例如,控制器100可以产生用于原始操作信息ROP1的管理操作信息COP1。例如,控制器100可以通过错误校正码-编码(ECC-编码)原始操作信息ROP1来产生管理操作信息COP1。然后如可能需要的,控制器100可以检查管理操作信息COP1的可靠性。例如,控制器100可以通过ECC-编码管理操作信息COP1来检查管理操作信息COP1的可靠性。
然后控制器100可以将管理操作信息COP1存储在非易失性存储器装置200B中。虽然图1中示例了用于非易失性存储器装置200A的管理操作信息COP1被存储在非易失性存储器装置200B中,应当注意的是,根据实施例,管理操作信息COP1可以被存储在除了非易失性存储器装置200A的操作信息区域261A之外的区域中。同时,虽然图1示例了对用于非易失性存储器装置200A的原始操作信息ROP1的可靠性管理操作,应当注意的是,根据实施例,可靠性管理操作也可以以相同的方式被执行至用于非易失性存储器装置200B的原始操作信息ROP2。
根据实施例,为了提升非易失性存储器装置200B的操作性能,控制器100可以执行用于存储在非易失性存储器装置200B中的数据的后台操作,例如,垃圾收集操作、磨损均衡操作、读取回收操作和备份操作。控制器100也可以执行用于存储在非易失性存储器装置200B中的管理操作信息COP1的后台操作,并且后台操作可以包括对管理操作信息COP1的可靠性检查操作。换言之,可靠性检查操作可以被执行为后台操作的部分。
存储在操作信息区域261A中的原始操作信息ROP1可以被禁止改变直到控制器100的可靠性管理操作被执行。如果需要,控制器100可以在可靠性管理操作完成之后改变(例如擦除)在操作信息区域261A中的原始操作信息ROP1并使用操作信息区域261A作为可用存储区域。因此,基于可靠性管理的完成,通过擦除在操作信息区域261A中的原始操作信息ROP1并使用操作信息区域261A作为可用存储区域,非易失性存储器装置200A的可用存储空间可以被增加。
根据实施例,为确保非易失性存储器装置200B的更大可用存储空间,用于管理操作信息COP1的存储区域262B的数据密度可以大于用于原始操作信息ROP1的操作信息区域261A的数据密度。
控制器100可以通过第一和第二初始化操作中的一个来初始化非易失性存储器装置200A。如下文将描述的,第一初始化操作可以基于从操作信息区域261A读取的原始操作信息ROP1被执行,并且第二初始化操作可以基于通过控制器100的可靠性管理操作被管理的管理操作信息COP1被执行。换言之,第一初始化操作可以基于其可靠性被非易失性存储器装置200A检查的原始操作信息ROP1被执行,并且第二初始化操作可以基于其可靠性被控制器100检查的管理操作信息COP1被执行。
在可靠性管理操作之前,控制器100可以控制非易失性存储器装置200A以执行第一初始化操作。即,在可靠性管理操作之前,非易失性存储器装置200A可以通过由其本身检查原始操作信息ROP1的可靠性来执行第一初始化操作。
在可靠性管理操作之后,控制器100可以控制非易失性存储器装置200A以执行第二初始化操作。即,在可靠性管理操作之后,非易失性存储器装置200A可以基于被检查过可靠性并然后由控制器100提供的管理操作信息COP1执行第二初始化操作。特别的,在可靠性管理操作完成之后,控制器100擦除了操作信息区域261A的原始操作信息ROP1并使用了操作信息区域261A作为可用存储区域的情况下,非易失性存储器装置200A可以不再通过第一初始化操作被初始化,而可以仅通过第二初始化操作被初始化。
控制器100可以为存储在非易失性存储器装置200B的操作信息区域261B中的用于非易失性存储器装置200B的原始操作信息ROP2执行可靠性管理操作,并且可以以与非易失性存储器装置200A相同的方式初始化非易失性存储器装置200B。尽管没有被示出,在这种情况下,控制器100可以将用于非易失性存储器装置200B的管理操作信息COP2存储在非易失性存储器装置200A中。控制器100可以独立地初始化非易失性存储器装置200A和200B的每一个。例如,控制器100可以控制非易失性存储器装置200A以基于管理操作信息COP1执行第二初始化操作,并且可以基于原始操作信息ROP2控制非易失性存储器装置200B以执行第一初始化操作。
控制器100的可靠性检查性能可以优于易失性存储器装置200A和200B的每一个的可靠性检查性能。例如,控制器100可以比非易失性存储器装置200A具有更好的错误检测和校正能力。因此,原始操作信息ROP1可以通过控制器100的可靠性管理操作被更安全地管理。
根据控制器100的控制,非易失性存储器装置200A和200B的每一个可以存储从控制器100传输的数据并可以读出存储的数据并将读出的数据传输至控制器100。
非易失性存储器装置200A和200B可以包括操作信息区域261A和261B,其中用于非易失性存储器装置200A和200B的原始操作信息ROP1和ROP2被分别存储。例如,原始操作信息ROP1可以包括非易失性存储器装置200A的操作所必需的参数和选择信息。原始操作信息ROP1可以包括关于失败存储区域和用于替代失败存储区域的修复存储区域的信息,其被生成为检测非易失性存储器装置200A的结果。当非易失性存储器装置200A被制造时,原始操作信息ROP1可以被生成并被存储在操作信息区域261A中。因为原始操作信息ROP1是非易失性存储器装置200A所必需的数据,操作信息区域261A的原始操作信息ROP1可以被基本上禁止改变并且操作信息区域261A可以具有低数据密度以确保原始操作信息ROP1的可靠性。
非易失性存储器装置200A和200B的每一个可以在控制器100的控制下执行第一初始化操作或第二初始化操作。例如,非易失性存储器装置200A可以通过从操作信息区域261A读取原始操作信息ROP1、检查读取的原始操作信息ROP1的可靠性以及设置可靠性被检查的原始操作信息ROP1来执行第一初始化操作。而且,非易失性存储器装置200A可以通过根据可靠性管理操作从控制器100接收管理操作信息COP1并设置提供的管理操作信息COP1来执行第二初始化操作。
非易失性存储器装置200A和200B可以每一个包括闪速存储器、例如NAND闪存或NOR闪存、铁电随机存取存储器(FeRAM)、相变随机存取存储器(PCRAM)、磁阻随机存取存储器(MRAM)、电阻随机存取存储器(ReRAM)等。
图2示出了图1所示的非易失性存储器装置200A的详细配置的示例。图1的非易失性存储器装置200B可以被配置并以大体上与非易失性存储器装置200A相同的方式操作。
根据图2的实施例,非易失性存储器装置200A包括控制逻辑210、电压供应单元220、接口单元230、地址解码器240、数据输入/输出单元250和存储区域260。
控制逻辑210可以根据控制器100的控制,控制非易失性存储器装置200A的一般操作的一种或多种。控制逻辑210可以通过接口单元230接收从控制器100传输的命令,并可以响应于该命令将控制信号传输至非易失性存储器装置200A的内部单元。控制逻辑210可以根据控制器100的控制执行第一初始化操作或第二初始化操作。
控制逻辑210可以通过从操作信息区域261A读取原始操作信息ROP1、检查读取的原始操作信息ROP1的可靠性并将可靠性经过检查的原始操作信息ROP1设置在存储器装置200A的内部寄存器(例如,见图3的寄存器222)中来执行第一初始化操作。
控制逻辑210可以包括可靠性检查单元211。可靠性检查单元211可以检查从操作信息区域261A读取的原始操作信息ROP1的可靠性。例如,可靠性检查可以通过例如多数校验和/或循环冗余校验被执行。
根据控制逻辑210的控制,电压供应单元220可以产生非易失性存储器装置200A的一般操作所必需的各种操作电压。例如,电压供应单元220可以向存储区域260提供为擦除操作所必需的擦除电压。例如,电压供应单元220可以向地址解码器240提供待在写入和读取操作中使用的各种电压。
接口单元230在存储器装置200A和控制器100之间提供接口。任何合适的接口可以被采用。接口单元230可以与控制器100交换包括命令和地址和数据的各种控制信号。接口单元230可以将被输入到其的各种控制信号和数据传输至非易失性存储器装置200A的内部单元。
地址解码器240可以解码地址以选择待被存取在存储区域260中的部分。根据解码结果,地址解码器240可以选择性地驱动字线WL并控制数据输入/输出单元250以选择性地驱动位线BL。
数据输入/输出单元250可以将从接口单元230传输的数据通过位线BL传输至存储区域260。数据输入/输出单元250可以将从存储区域260读出的数据通过位线BL传输至接口单元230。数据输入/输出单元250可以感测当包括在存储区域260中的存储器单元响应于读取电压被打开和关闭时形成的电流并可以根据感测结果获得从存储器单元读取的数据。
存储区域260可以通过字线WL与地址解码器240联接,并可以通过位线BL与数据输入/输出单元250联接。存储区域260可以包括分别被设置在其中字线WL和位线BL彼此相交并且数据被存储在其中的区域的多个存储器单元。存储区域260可以包括二维或三维结构的存储器单元阵列。
存储区域260可以包括可用存储区域262A和操作信息区域261A。可用存储区域262A可以包括多个存储块BLK0至BLKn。例如,每一个存储块可以是擦除操作由其执行的单元。操作信息区域261A可以是原始操作信息ROP1被存储在其中的区域。例如,操作信息区域261A可以包括至少一个存储块。
图3是帮助帮助说明说明非易失性存储器装置200A的第一初始化操作的示例的图示。非易失性存储器装置200A根据控制器100的控制可以执行第一初始化操作。控制器100可以通过例如基于接通电源的初始化命令或信号或者通过来自主机的请求控制第一初始化操作。
根据图3的实施例,在步骤S11中,非易失性存储器装置200A从操作信息区域261A中读取原始操作信息ROP1。
在步骤S12中,非易失性存储器装置200A通过可靠性检查单元211检查读取的原始操作信息ROP1的可靠性。
接着,在步骤S13中,非易失性存储器装置200A将已经通过可靠性检查的原始操作信息ROP1设置在非易失性存储器装置200A的内部寄存器222中。
综上所述,根据图3的实施例,基于其可靠性由非易失性存储器装置200A检查的原始操作信息ROP1,第一初始化操作被执行。如果原始操作信息ROP1通过了可靠性检查,接着可靠性经过检查的信息被存储在非易失性存储器装置200A的内部寄存器中。
图4是帮助说明控制器100的可靠性管理操作的示例的图示。
根据图4的实施例,在步骤S21中,控制器100控制非易失性存储器装置200A读取原始操作信息ROP1并将读取的原始操作信息ROP1传输至控制器100。
控制器100也控制非易失性存储器装置200A以执行步骤S22至S24。详细地,在步骤S22中,非易失性存储器装置200A根据控制器100的控制从操作信息区域261A中读取原始操作信息ROP1。在步骤S23中,非易失性存储器装置200A可以检查所读取的原始操作信息ROP1的可靠性。在步骤S24中,非易失性存储器装置200A可以将可靠性经过检查的原始操作信息ROP1传输至控制器100。
在步骤S25中,控制器100基于所传输的原始操作信息ROP1产生管理操作信息COP1。例如,通过由ECC单元110来ECC-编码传输的原始操作信息ROP1,控制器100可以产生管理操作信息COP1。
在步骤S26中,控制器100可以将管理操作信息COP1存储在非易失性存储器装置200B的存储区域262B中。
根据实施例,在可靠性管理操作完成之后,控制器100可以擦除操作信息区域261A的原始操作信息ROP1并使用操作信息区域261A作为可用的存储区域。
图5是帮助说明控制器100的可靠性管理操作的示例的图示。作为后台操作的一部分,控制器100可以对存储在非易失性存储器装置200B的管理操作信息COP1执行可靠性管理操作。
根据图5的实施例,在步骤S31中,控制器100从非易失性存储器装置200B读取管理操作信息COP1。
在步骤S32中,控制器100可以检查管理操作信息COP1的可靠性。例如,控制器100可以通过由解码单元120来ECC-解码管理操作信息COP1来检查管理操作信息COP1的可靠性以产生可靠性经过检查的操作信息COP11。
在步骤S33中,控制器100将可靠性经过检查的操作信息COP11存储在非易失性存储器装置200B中。例如,当管理操作信息COP的可靠性很低时,即当管理操作信息COP1的错误发生率很高时,控制器100可以存储错误经过检查的操作信息COP11。
根据实施例,当管理操作信息COP1的可靠性在非易失性存储器装置200B中依然安全时,控制器100可以保留存储的操作信息COP1而不是产生并存储可靠性经过检查的操作信息COP11。
图6是帮助说明非易失性存储器装置200A的第二初始化操作的示例的图示。
在步骤S41中,控制器100读取管理操作信息COP1(或者可靠性经过检查的操作信息COP11,当如参照图5所述被产生时。
在步骤S42中,控制器100检查管理操作信息COP1的可靠性。例如,控制器100可以通过由解码单元120进行ECC-解码管理操作信息COP1来检查管理操作信息COP1的可靠性。控制器100可以通过检测并纠正来自管理操作信息COP1的错误来产生可靠性经过检查的操作信息COP12。
在步骤S43中,控制器100将可靠性经过检查的操作信息COP12传输至非易失性存储器装置200A。控制器100可以将可靠性经过检查的操作信息COP12与用于第二初始化操作的初始化命令一起传输至非易失性存储器装置200A。
非易失性存储器装置200A可以将从控制器100传输的操作信息COP12设置在其中的寄存器222中。
图7是示出了用于原始操作信息ROP1的操作信息区域261A和用于管理操作信息COP1的存储区域262B的示例的代表的简图。例如,操作信息区域261A的每一个和存储区域262B可以是存储块。
如上所述,因为原始操作信息ROP1是非易失性存储器装置200A的操作所必需的数据,用于确保原始操作信息ROP1的可靠性的各种措施可以被提供。例如,原始操作信息ROP1可以由可靠性检查单元211检查其可靠性,并且操作信息区域261A的原始操作信息ROP1基本上可以被禁止改变。
而且,根据图7的实施例,操作信息区域261A可以具有低数据密度。在操作信息区域261A中,只有预定的局部区域P11被用于存储原始操作信息ROP1,同时剩余区域P12可以是空闲的或可以被填充有虚拟数据。在这种情况下,因为被施加于原始操作信息ROP1上的影响由于剩余区域P12可能不被考虑,原始操作信息ROP1可以被安全地保留在操作信息区域261A中。
相反地,存储区域262B可以具有高于操作信息区域261A的数据密度。考虑到数据密度,因为管理操作信息COP1的可靠性由更高可靠性确保能力的控制器100管理并且不必进一步增加管理操作信息COP1的可靠性使其高达原始操作信息ROP1的可靠性,存储区域262B可以被全部用于存储不仅管理操作信息COP1,还有其它有意义的数据。
因此,当在可靠性管理操作完成之后,操作信息区域261A的原始操作信息ROP1被擦除并且操作信息区域261A变为可用存储区域时,非易失性存储器装置200A和200B的全部可用存储器容量可以增加。
图8是示出了根据本发明的实施例的固态驱动器(SSD)1000的示例的框图。
控制器1100可以控制主机装置1500和存储媒介1200之间的数据交换。控制器1100可以包括通过内部总线1170被有效联接的处理器1110、RAM1120、ROM1130、ECC单元1140、主机接口1150和存储媒介接口1160。
控制器1100可以与图1所示的控制器100大体上相似地操作。控制器1100可以对非易失性存储器装置NVM0至NVMn的原始操作信息执行可靠性管理操作。在可靠性管理操完成之后,控制器1100可以擦除操作信息区域的原始操作信息并使用操作信息区域作为可用存储区域。而且,控制器1100可以控制非易失性存储器装置NVM0至NVMn以执行第一初始化操作或第二初始化操作。通过传输由可靠性管理操作管理的管理操作信息,控制器1100可以控制非易失性存储器装置NVM0至NVMn以执行第二初始化操作。
处理器1110可以控制控制器1100的一般操作。根据主机装置1500的数据处理请求,处理器1110可以将数据存储在存储媒介1200中并从存储媒介1200中读取存储的数据。为了充分管理存储媒介1200,处理器1110可以控制SSD1000的内部操作,诸如合并操作、磨损均衡操作等。
而且,处理器1110可以以图1所示的控制单元110大体相似的方式操作。
RAM1120可以存储待被处理器1110使用的程序和程序数据。RAM1120可以临时存储从主机接口1150传输的数据(在将其转移至存储媒介1200之前),并可以临时存储从存储媒介1200传输的数据(在将其转移至主机装置1500之前)。
ROM1130可以存储待被处理器1110读取的程序代码。程序代码可以包括待被处理器1110处理的、用于处理器1110以控制控制器1100的内部单元的命令。
ECC单元140可以编码待被存储在存储媒介1200中的数据并可以编码从存储媒介1200读取的数据。根据ECC算法,ECC单元140可以检测并纠正数据中出现的错误。
主机接口1150可以与主机装置1500交换处理请求、数据等。
存储媒介接口1160可以将控制信号和数据传输至存储媒介1200。存储媒介接口1160可以被传输有来自存储媒介1200的数据。存储媒介接口1160可以通过多个通道CH0至CHn与存储媒介1200联接。
存储媒介1200可以包括多个非易失性存储器装置NVM0至NVMn。根据控制器1100的控制,多个非易失性存储器装置NVM0至NVMn中的每一个可以执行写入操作和读取操作。根据控制器1100的控制,非易失性存储器装置NVM0至NVMn中的每一个可以以与图1所示的非易失性存储器装置200A相同的方式来执行第一初始化操作或第二初始化操作。
图9是示出了根据实施例的数据存储装置2300被应用于其的数据处理***2000的示例的框图。数据存储装置2300可以是图1的数据存储装置10。
数据处理***2000可以包括计算机、笔记本电脑、上网本、智能电话、数字TV、数码相机、导航器等。数据处理***2000可以包括主处理器2100、主存储器装置2200、数据存储装置2300和输入/输出装置2400。数据处理***2000的内部单元可以通过***总线2500交换包括数据和控制信号的信号。
主处理器2100可以控制数据处理***2000的一般操作。例如,主处理器2100可以是诸如微处理器的中央处理单元。主处理器2100可以在主存储器装置2200上执行操作***、应用、装置驱动程序等的软件。
主处理器2100可以存储待被主处理器2100使用的程序和程序数据。主存储器装置2200可以临时存储待被传输至数据存储装置2300和输入/输出装置2400的数据。
数据存储装置2300可以包括控制器2310和存储媒介2320。数据存储装置2300可以以与图1所示的数据存储装置10大体相似的方式被配置并操作。
输入/输出装置2400可以包括能够与用户交换数据,诸如接收来自用户的用于控制数据处理***2000的命令或向用户提供处理的结果,的键盘、扫描仪、触摸屏、屏幕监控器、打印机、鼠标等。
根据实施例,数据处理***2000可以通过诸如LAN(局域网)、WAN(广域网)、无线网等的网络2600与至少一个服务器2700通信。数据处理***2000可以包括网络接口(未示出)以访问网络2600。
尽管各个实施例在上文中已经被描述,对于本领域技术人员可以理解的是所描述的实施例仅为示例。因此,本申请所描述的数据存储装置及其操作方法不应该基于所述实施被限制。在不脱离如权利要求所限定的本发明的精神和范围的情况下,很多其他实施例和/或其变型可以被相关领域中的技术人员设想到。
Claims (21)
1.一种数据存储装置,其包括:
第一非易失性存储器装置,其包括用于原始操作信息的操作信息区域并适于基于所述原始操作信息执行第一初始化操作;以及
控制器,其适于对所述原始操作信息执行管理操作,
其中所述操作信息区域的所述原始操作信息被禁止改变直到所述管理操作完成,
其中基于通过所述管理操作被管理的管理操作信息,所述控制器进一步控制所述第一非易失性存储器装置以执行第二初始化操作,
其中,在所述管理操作期间,所述控制器控制所述第一非易失性存储器装置以从所述操作信息区域读取所述原始操作信息、检查所述读取的原始操作信息的可靠性、并将所述可靠性经过检查的原始操作信息传输至所述控制器,并且
其中,在所述管理操作期间,所述控制器通过错误校正码-编码,即ECC-编码所述可靠性经过检查的原始操作信息来产生所述管理操作信息。
2.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中所述第一非易失性存储器装置通过从所述操作信息区域读取所述原始操作信息、检查读取的原始操作信息的可靠性并设置可靠性经过检查的原始操作信息来执行所述第一初始化操作。
3.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中在所述管理操作完成之后,所述控制器进一步擦除所述操作信息区域的所述原始操作信息,并使用所述操作信息区域作为可用存储区域。
4.根据权利要求1所述的数据存储装置,
进一步包括第二非易失性存储器装置,
其中所述控制器将所述管理操作信息存储在包括在所述第一和第二非易失性存储器装置中的至少一个中的存储区域中。
5.根据权利要求4所述的数据存储装置,其中所述存储区域的数据密度大于所述操作信息区域的数据密度。
6.根据权利要求1所述的数据存储装置,其中在所述管理操作期间所述控制器通过ECC解码所述管理操作信息来进一步检查所述管理操作信息的可靠性。
7.一种数据存储装置,其包括:
第一非易失性存储器装置,所述第一非易失性存储器装置包括用于存储原始操作信息的操作信息区域;以及
控制器,其适于控制所述第一非易失性存储器装置以执行第一初始化操作或第二初始化操作,
其中所述第一初始化操作基于所述原始操作信息被执行,并且所述第二初始化操作基于管理操作信息被执行,并且
其中所述第一非易失性存储器装置检查所述原始操作信息的可靠性,并且所述控制器检查所述管理操作信息的可靠性,
其中所述控制器通过对所述原始操作信息执行管理操作来产生管理操作信息,
其中,在所述管理操作期间,所述控制器控制所述第一非易失性存储器装置以从所述操作信息区域读取所述原始操作信息、检查读取的原始操作信息的可靠性、并将可靠性经过检查的原始操作信息传输至所述控制器,并且
其中,在所述管理操作期间,所述控制器通过ECC解码所述可靠性经过检查的原始操作信息来产生所述管理操作信息。
8.根据权利要求7所述的数据存储装置,其中所述第一非易失性存储器装置包括用于存储所述原始操作信息的操作信息区域,并且通过从所述操作信息区域读取所述原始操作信息、为所述读取的原始操作信息检查可靠性并设置所述可靠性经过检查的原始操作信息来执行所述第一初始化操作。
9.根据权利要求7所述的数据存储装置,其中在所述管理操作期间,所述控制器进一步检查所述管理操作信息的可靠性。
10.根据权利要求9所述的数据存储装置,
其中所述控制器传输所述可靠性经过检查的管理操作信息至所述第一非易失性存储器装置,并且
其中所述第一非易失性存储器装置通过设置所述可靠性经过检查的管理操作信息来执行所述第二初始化操作。
11.根据权利要求7所述的数据存储装置,其中在所述管理操作完成之后,所述控制器进一步控制所述第一非易失性存储器装置以执行所述第二初始化操作。
12.根据权利要求7所述的数据存储装置,
进一步包括第二非易失性存储器装置,
其中所述控制器将所述管理操作信息存储在所述第一和第二非易失性存储器装置中的至少一个中的存储区域中。
13.根据权利要求12所述的数据存储装置,其中所述存储区域的数据密度大于所述操作信息区域的数据密度。
14.根据权利要求7所述的数据存储装置,其中在所述管理操作完成之后,所述控制器进一步擦除所述操作信息区域的所述原始操作信息,并使用所述操作信息区域作为可用存储区域。
15.一种数据存储装置,其包括:
第一非易失性存储器装置,其包括用于原始操作信息的操作信息区域;以及
控制器,其适于控制所述第一非易失性存储器装置以执行第一初始化操作或第二初始化操作,
其中所述第一初始化操作基于原始操作信息被执行,并且所述第二初始化操作基于通过所述控制器的管理操作被管理的管理操作信息被执行,
其中,在所述管理操作期间,所述控制器控制所述第一非易失性存储器装置以从操作信息区域读取所述原始操作信息、检查读取的原始操作信息的可靠性、并将可靠性经过检查的原始操作信息传输至所述控制器,并且
其中,在所述管理操作期间,所述控制器通过ECC编码所述可靠性经过检查的原始操作信息来产生所述管理操作信息。
16.根据权利要求15所述的数据存储装置,其中所述第一非易失性存储器装置通过从所述操作信息区域读取所述原始操作信息、检查读取的原始操作信息的可靠性并设置可靠性经过检查的原始操作信息来执行所述第一初始化操作。
17.根据权利要求15所述的数据存储装置,其中在所述管理操作期间,所述控制器通过ECC解码所述管理操作信息进一步检查所述管理操作信息的可靠性。
18.根据权利要求17所述的数据存储装置,
其中所述控制器将可靠性经过检查的管理操作信息传输至所述第一非易失性存储器装置,并且
其中所述第一非易失性存储器装置通过设置所述可靠性经过检查的管理操作信息来执行所述第二初始化操作。
19.根据权利要求15所述的数据存储装置,
进一步包括第二非易失性存储器装置,
其中所述控制器将所述管理操作信息存储在所述第一和第二非易失性存储器装置中的至少一个中的存储区域中。
20.根据权利要求19所述的数据存储装置,其中所述存储区域的数据密度大于所述操作信息区域的数据密度。
21.根据权利要求15所述的数据存储装置,其中在所述管理操作完成之后,所述控制器进一步擦除所述操作信息区域的所述原始操作信息,并使用所述操作信息区域作为可用存储区域。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2016-0014674 | 2016-02-05 | ||
KR1020160014674A KR102504763B1 (ko) | 2016-02-05 | 2016-02-05 | 데이터 저장 장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107045484A CN107045484A (zh) | 2017-08-15 |
CN107045484B true CN107045484B (zh) | 2020-08-25 |
Family
ID=59498227
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201610671981.1A Active CN107045484B (zh) | 2016-02-05 | 2016-08-15 | 数据存储装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10013190B2 (zh) |
KR (1) | KR102504763B1 (zh) |
CN (1) | CN107045484B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20180106495A (ko) * | 2017-03-20 | 2018-10-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 |
CN108259229B (zh) * | 2017-12-25 | 2021-03-23 | 新华三技术有限公司 | 一种设备管理方法、装置及*** |
US11056200B2 (en) | 2019-07-31 | 2021-07-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Nonvolatile memory device and method of controlling initialization of the same |
KR102671597B1 (ko) | 2019-07-31 | 2024-06-03 | 삼성전자주식회사 | 비휘발성 메모리 장치 및 비휘발성 메모리 장치의 초기화 제어 방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101185067A (zh) * | 2005-05-23 | 2008-05-21 | 松下电器产业株式会社 | 存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储***及存储器控制方法 |
CN101689246A (zh) * | 2007-06-21 | 2010-03-31 | 株式会社东芝 | 存储器装置、电子装置以及主机设备 |
CN104050094A (zh) * | 2013-03-11 | 2014-09-17 | Lsi公司 | 管理高速缓存存储区的***、方法和计算机可读介质 |
CN104516688A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-15 | 成都市智讯联创科技有限责任公司 | 基于tf卡阵列的高速大容量存储技术和设备 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7191379B2 (en) * | 2003-09-10 | 2007-03-13 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Magnetic memory with error correction coding |
TW200604934A (en) * | 2004-07-16 | 2006-02-01 | Benq Corp | Firmware management system and method thereof |
JP5467270B2 (ja) * | 2010-04-28 | 2014-04-09 | 国立大学法人 東京大学 | データ入出力制御装置および半導体記憶装置システム |
US8818948B2 (en) * | 2011-04-06 | 2014-08-26 | Unisys Corporation | Dynamic disk redistribution |
KR20130070927A (ko) | 2011-12-20 | 2013-06-28 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 장치 및 그 동작 방법 |
KR101990971B1 (ko) * | 2012-01-30 | 2019-06-19 | 삼성전자 주식회사 | 메모리, 메모리 시스템, 및 메모리에 대한 에러 검출/정정 방법 |
US20130346735A1 (en) * | 2012-06-21 | 2013-12-26 | Ati Technologies Ulc | Enhanced system management bus |
-
2016
- 2016-02-05 KR KR1020160014674A patent/KR102504763B1/ko active IP Right Grant
- 2016-07-06 US US15/202,777 patent/US10013190B2/en active Active
- 2016-08-15 CN CN201610671981.1A patent/CN107045484B/zh active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101185067A (zh) * | 2005-05-23 | 2008-05-21 | 松下电器产业株式会社 | 存储器控制器、非易失性存储装置、非易失性存储***及存储器控制方法 |
CN100590608C (zh) * | 2005-05-23 | 2010-02-17 | 松下电器产业株式会社 | 存储器控制器及其控制方法、非易失性存储装置及*** |
CN101689246A (zh) * | 2007-06-21 | 2010-03-31 | 株式会社东芝 | 存储器装置、电子装置以及主机设备 |
CN104050094A (zh) * | 2013-03-11 | 2014-09-17 | Lsi公司 | 管理高速缓存存储区的***、方法和计算机可读介质 |
CN104516688A (zh) * | 2015-01-21 | 2015-04-15 | 成都市智讯联创科技有限责任公司 | 基于tf卡阵列的高速大容量存储技术和设备 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN107045484A (zh) | 2017-08-15 |
US20170228176A1 (en) | 2017-08-10 |
US10013190B2 (en) | 2018-07-03 |
KR102504763B1 (ko) | 2023-03-02 |
KR20170093370A (ko) | 2017-08-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US9940045B2 (en) | Address mapping table recovery upon power failure | |
US9817749B2 (en) | Apparatus and method of offloading processing from a data storage device to a host device | |
US10268540B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
KR102571747B1 (ko) | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 | |
US10083114B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
US20160179596A1 (en) | Operating method of data storage device | |
KR102513505B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치, 그것을 포함하는 데이터 저장 장치의 동작 방법 | |
CN107045484B (zh) | 数据存储装置 | |
KR20210030599A (ko) | 데이터를 분산 리드할 수 있는 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작방법 | |
US10191790B2 (en) | Data storage device and error recovery method thereof | |
US20170357461A1 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
CN108255637B (zh) | 数据存储装置及其操作方法 | |
US10026501B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
US10152372B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
US20150149740A1 (en) | Data storage device and data processing system including the same | |
US9852067B2 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
KR102632690B1 (ko) | 비휘발성 메모리 장치 및 그 프로그램 방법 | |
US10776008B2 (en) | Memory system and operating method thereof | |
KR20220070989A (ko) | 메모리 시스템 및 메모리 시스템의 동작 방법 | |
US9966148B1 (en) | Data storage device and operating method thereof | |
KR20150122493A (ko) | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 | |
US10186324B2 (en) | Nonvolatile memory device, memory system including thereof and operating method thereof | |
KR20210149314A (ko) | 메모리 시스템, 메모리 컨트롤러 및 메모리 시스템의 동작 방법 | |
KR20190084488A (ko) | 데이터 저장 장치 및 그것의 동작 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20240613 Address after: American Texas Patentee after: Mimi IP Co.,Ltd. Country or region after: U.S.A. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Patentee before: Sk Hynix Inc. Country or region before: Republic of Korea |