CN107045237B - 阵列基板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。制造阵列基板的方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案，能够降低了制造成本。此外，有机材料图案层的引入增大了像素电极与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。

Description

阵列基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。
背景技术
在液晶显示装置(LCD)中，显示面板主要由薄膜晶体管阵列基板(TFT)、彩膜(CF)基板以及配置于这两个基板之间的液晶层(LC)所构成，其工作原理是通过在两个基板之间施加驱动电压来控制液晶层的液晶分子的旋转，以折射背光模组的光线，从而产生图像。
通常，薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)是由TFT阵列基板与CF基板对盒而形成的。在TFT位置的上方，液晶分子会由于层面不平整及缺乏电压控制而出现杂乱的取向，因此需要在CF基板一侧使用大块面积的黑色矩阵进行遮挡。在现有技术的制备工艺中，由于阵列基板和彩膜基板在对盒工艺中不可避免地会存在对位偏差，因此在一定程度上影响到TFT-LCD的产品质量。此外，当对位偏差过大时，彩膜会发生错位，而黑色矩阵等无法形成遮挡，从而会发生串色现象。由对位偏差导致的串色不良是一种严重的漏光现象，进而使得液晶无法正确地传导显示的图像。
COA(color filter on array)技术是一种将彩色滤光层直接形成在阵列基板上的集成技术，其能够有效解决液晶显示装置的对盒工艺中因对位偏差造成的漏光等问题，并能显著提高显示器的开口率。然而，在此技术中，仍存在着需要采用多个掩模进行图案化并且液晶显示器的显示面板的功耗高的问题。
发明内容
为了解决上述问题中的至少一个，本发明提供了一种阵列基板和一种制造阵列基板的方法。
根据本发明的一方面，提供了一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案。
在一个实施例中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案的步骤可以包括：形成具有预定厚度的透明感光材料层，并利用灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成第一中间图案；在第一中间图案上形成表面平坦的黑色感光材料层，利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成第二中间图案；以及通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案，从而形成黑色矩阵和有机材料图案。
在一个实施例中，形成第一中间图案的步骤可以包括：利用所述灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区、透明感光材料层的第二部分保留区和透明感光材料层的完全去除区，其中，所述第一中间图案包括透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区和透明感光材料层的第二部分保留区。
在一个实施例中，形成第二中间图案的步骤可以包括：利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区、黑色感光材料层的第二部分保留区和黑色感光材料层的完全去除区，其中，所述第二中间图案包括黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区和黑色感光材料层的第二部分保留区。
在一个实施例中，第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影与所述第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影不重合，第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影重合，第一中间图案的透明感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影重合。
在一个实施例中，通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案的步骤可以包括：完全去除第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区以形成有机材料图案，并部分地去除第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区以形成黑色矩阵；以及完全去除第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区、完全去除第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区和第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区以形成黑色矩阵和有机材料图案之间的过孔。
在一个实施例中，透明感光材料层可以为正性感光材料，黑色感光材料层可以为负性感光材料；或者，透明感光材料层可以为负性感光材料，黑色感光材料层可以为正性感光材料。
在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之前，所述方法还可以包括：形成薄膜晶体管，并形成钝化层和色阻层；并且，在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还可以包括形成像素电极。
在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还可以包括形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。
根据本发明的另一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括衬底基板、形成在衬底基板上的薄膜晶体管以及形成在包括薄膜晶体管的衬底基板上的黑色矩阵和有机材料图案，其中，黑色矩阵和有机材料图案同层设置。
在本发明中，在像素电极与栅极线和数据线之间形成由有机材料形成的有机材料图案层，有机材料图案层的引入增大了像素电极与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。此外，因为黑色矩阵和有机材料图案层可以采用同一个掩模来形成，所以降低了制造成本。
附图说明
包括附图以提供对本发明的进一步理解，附图并入本申请并组成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施例，并与描述一起用于解释本发明的原理。在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的阵列基板的示意性剖视图；
图2至图6分别是示出根据本发明的实施例的形成黑色矩阵和有机材料图案层的工艺步骤的示意性剖视图；
图7至图15分别是示出根据本发明的实施例的制造阵列基板的薄膜晶体管的方法的工艺步骤的示意性剖视图；以及
图16是示出根据本发明的实施例的显示面板的示意性剖视图。
具体实施方式
将理解的是，当元件或层被称作在另一元件或层“上”或者“连接到”另一元件或层时，该元件或层可以直接在另一元件或层上、直接连接到或直接结合到另一元件或层，或者也可以存在中间元件或中间层。相反，当元件被称作“直接”在另一元件或层“上”或者“直接连接到”另一元件或层时，不存在中间元件或中间层。同样的标号始终指示同样的元件。如在这里使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关所列的项目的任意组合和所有组合。
为了便于描述，在这里可使用空间相对术语，如“下”、“在…上方”、“上”、“在…下方”等来描述如图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。将理解的是，空间相对术语意在包含除了在附图中描述的方位之外的装置在使用或操作中的不同方位。
如这里所使用的，除非上下文另外明确指出，否则单数形式的“一个(种)”和“所述(该)”也意图包括复数形式。还将理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，说明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组。
在下文中，将参照附图详细地解释本发明。
图1是示出根据本发明的实施例的阵列基板的示意性剖视图。
参照图1，根据本发明实施例的阵列基板可以包括衬底基板1、形成在衬底基板上的薄膜晶体管以及形成在包括薄膜晶体管的衬底基板1上的黑色矩阵8和有机材料图案9，其中，黑色矩阵8和有机材料图案9同层设置。
具体地，根据本发明实施例的阵列基板可以包括：衬底基板1；形成在衬底基板1上的栅极图案层2；栅极绝缘层3，形成在衬底基板1上并覆盖栅极图案层2；有源图案层4，形成在位于栅极图案层2上的栅极绝缘层3上；源极S5和漏极D5，分别与有源图案层4接触并部分地覆盖栅极绝缘层3；钝化层6和色阻层7，依次形成在形成有源极S5和漏极D5的衬底基板1上；以及黑色矩阵8和有机材料图案9，形成在形成有钝化层6和色阻层7的衬底基板1上。
下面将参照图2至图6对形成黑色矩阵8和有机材料图案9的工艺进行详细描述。
概括地说，在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵8和有机材料图案9，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵8和有机材料图案9。下面将参照附图更详细地描述形成黑色矩阵8和有机材料图案9的工艺。
参照图2，在所形成的阵列基板1′(即，形成薄膜晶体管的衬底基板1)上形成具有预定厚度的透明感光材料层80。透明感光材料层80可以为有机正性光阻材料，并可以具有比如
Figure GDA0002149548100000051
的厚度。
参照图3，利用灰阶掩模16将透明感光材料层80进行曝光和显影，以形成第一中间图案80′。在实施例中，灰阶掩模16包括具有彼此不同的透光率的四个区域A1至A4。具体而言，灰阶掩模16的区域A1和A2对应于在阵列基板上用于连接像素电极和有源图案层4的过孔H，灰阶掩模16的区域A3对应于像素电极下方的有机材料图案9，灰阶掩模16的区域A4对应于在栅极线和数据线上方用于遮光的黑色矩阵8。
在实施例中，灰阶掩模16的四个区域A1至A4分别具有0％、30％、60％和100％的透光率，从而在曝光和显影后，所形成的有机材料图案80′具有厚度彼此不同的四个区域，其中，这四个区域的厚度从左至右分别是
Figure GDA0002149548100000052
和
Figure GDA0002149548100000053
然而，透光率的数值仅是个示例，这些区域可以根据需要而具有彼此不同的其他数值的透光率。
具体地，形成第一中间图案80′的步骤包括：利用灰阶掩模16将透明感光材料层80进行曝光和显影，以形成透明感光材料层80的完全保留区(与灰阶掩模16的区域A1对应)、透明感光材料层80的第一部分保留区(与灰阶掩模16的区域A2对应)、透明感光材料层80的第二部分保留区(与灰阶掩模16的区域A3对应)和透明感光材料层80的完全去除区(与灰阶掩模16的区域A4对应)，其中，第一中间图案80′包括透明感光材料层80的完全保留区、透明感光材料层80的第一部分保留区和透明感光材料层80的第二部分保留区。
参照图4，在第一中间图案80′上形成表面平坦的黑色感光材料层90。黑色感光材料层90可以为黑色负性光阻材料，并可以具有比如
Figure GDA0002149548100000061
的厚度。
参照图5，利用上面的灰阶掩模16将黑色感光材料层90进行曝光和显影，从而形成第二中间图案90′。如图所示，在曝光和显影后，第二中间图案90′的与灰阶掩模16的区域A1对应的区域被去除，从而留下的第二中间图案90′具有与灰阶掩模16的区域A2至A4对应的厚度彼此不同的三个区域。
具体地，形成第二中间图案90′的步骤包括：利用灰阶掩模16将黑色感光材料层90进行曝光和显影，以形成黑色感光材料层90的完全保留区(与灰阶掩模16的区域A4对应)、黑色感光材料层90的第一部分保留区(与灰阶掩模16的区域A3对应)、黑色感光材料层90的第二部分保留区(与灰阶掩模16的区域A2对应)和黑色感光材料层90的完全去除区(与灰阶掩模16的区域A1对应)，其中，第二中间图案90′包括黑色感光材料层90的完全保留区、黑色感光材料层90的第一部分保留区和黑色感光材料层90的第二部分保留区。
如图所示，第一中间图案80′的透明感光材料层80的完全保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案90′的黑色感光材料层90的完全保留区在衬底基板上的正投影不重合，第一中间图案80′的透明感光材料层80的第一部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案90′的黑色感光材料层90的第二部分保留区在衬底基板上的正投影重合，第一中间图案80′的透明感光材料层80的第二部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案90′的黑色感光材料层90的第一部分保留区在衬底基板上的正投影重合。
然后，参照图6，通过灰化工艺处理第一中间图案80′和第二中间图案90′，从而形成黑色矩阵8和有机材料图案9。
通过灰化工艺处理第一中间图案80′和第二中间图案90′的步骤包括：完全去除第二中间图案90′的黑色感光材料层的第一部分保留区以形成有机材料图案9，并部分地去除第二中间图案90′的黑色感光材料层的完全保留区以形成黑色矩阵8；以及完全去除第一中间图案80′的透明感光材料层80的完全保留区、完全去除第一中间图案80′的透明感光材料层80的第一部分保留区和第二中间图案90′的黑色感光材料层90的第二部分保留区以形成黑色矩阵8和有机材料图案9之间的过孔H。
在实施例中，透明感光材料层为正性感光材料，黑色感光材料层为负性感光材料。或者，透明感光材料层为负性感光材料，黑色感光材料层为正性感光材料。
由上可知，在本发明中，在像素电极与栅极线和数据线之间形成由有机材料形成的有机材料图案层，有机材料图案层的引入增大了像素电极与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。
此外，因为黑色矩阵和有机材料图案层可以采用同一个掩模来形成，所以降低了制造成本。
参照图13至图16，根据本发明实施例的阵列基板还可以包括：像素电极10，形成在形成有黑色矩阵8和有机材料图案9的衬底基板1上，并通过过孔H电连接到漏极D5；平坦化层11，形成在形成有像素电极10的衬底基板1上；以及公共电极12，形成在平坦化层11上。
在本发明的实施例中，色阻层7具体地形成在钝化层6与有机材料图案9之间。此外，色阻层7是指覆盖钝化层6的红/绿/蓝三原色彩色层。
由于在像素电极10与栅极线和数据线(未示出)之间形成由有机材料形成的有机材料图案9，有机材料图案9的引入增大了像素电极10与栅极线和数据线之间的间距，从而使像素电极10与栅极线和数据线之间的寄生电容减小，进而降低了液晶显示器的显示面板的功耗。
下面将参照图7至图15详细描述根据本发明的实施例的制造阵列基板的薄膜晶体管的方法的工艺步骤。
图7至图15分别是示出根据本发明的实施例的制造阵列基板的薄膜晶体管的方法的工艺步骤的示意性剖视图。
首先，参照图7，在衬底基板1上形成栅极图案层2。衬底基板1可以是无机基板或有机基板，并且可以是透明的、不透明的或半透明的。具体地，衬底基板1可以是从玻璃基板、石英基板、透明树脂基板等中选择的透明基板，其具有一定的坚固性并且是透光的。
栅极图案层2可以由通用的电极材料(例如，金属、合金、导电金属氧化物、导电金属氮化物等)形成。例如，栅极图案层2可以由金属诸如钛(Ti)、铂(Pt)、钌(Ru)、金(Au)、银(Ag)、钼(Mo)、铝(Al)、钨(W)、铜(Cu)、钕(Nd)、铬(Cr)、钽(Ta)、或包括上述金属的合金、或导电氧化物诸如In-Zn-O(氧化铟锌)(IZO)、Al-Zn-O(氧化铝锌)(AZO)、In-Sn-O(氧化铟锡)(ITO)、Ga-Zn-O(氧化镓锌)(GZO)或Zn-Sn-O(氧化锌锡)(ZTO)等来形成。此外，栅极图案层2可以具有单层结构或多层结构。
例如，可以在例如玻璃基板上沉积栅极材料层，然后在栅极材料层依次进行涂胶(比如，正性光刻胶)、曝光、显影、蚀刻和剥离，从而获得具有期望图案的栅极图案层2。
参照图8和图9，在形成有栅极图案层2的衬底基板1上形成栅极绝缘层3，并在位于栅极图案层2上的栅极绝缘层3上形成有源图案层4。
栅极绝缘层3可以由SiNx或SiO2形成。
具体地，可以在衬底基板1上形成覆盖栅极图案层2的栅极绝缘层3。栅极绝缘层3可以包括氧化硅(SiO2)层、氮氧化硅(SiOxNy)层或氮化硅(Si3N4)层。此外，栅极绝缘层3可以具有其中氧化硅层、氮氧化硅层和氮化硅层中的至少两层堆叠的结构。例如，栅极绝缘层3可以具有其中氮化硅层和氧化硅层堆叠的结构。在这种情况下，氮化硅层和氧化硅层可以顺序地设置在栅极图案层2上。并且，栅极绝缘层3可以由有机树脂材料形成。另外，可以根据实际需求形成具有特定厚度的栅极绝缘层3，在本发明中，栅极图案层3的厚度不受具体限制。
例如，可以采用各种工艺比如涂覆、溅射、热蒸发或化学气相沉积等在形成有栅极图案层2的衬底基板1上形成具有特定厚度的有机树脂材料来形成栅极绝缘层3。必要时，可以将有机树脂材料进行图案化，以形成具有预定图案的栅极绝缘层3。
例如，可以在形成有栅极绝缘层3的衬底基板1上沉积具有特定厚度的多晶硅层，然后将多晶硅层进行处理来形成有源图案层4。例如，可以在多晶硅上依次进行涂胶(比如，正性光刻胶)、曝光、显影、蚀刻和剥离，从而获得具有期望图案的有源图案层4。
然后，参照图10，可以在形成有有源图案层4的衬底基板1上形成源极S5和漏极D5。可以在栅极绝缘层3上形成分别接触有源图案层4的第一区和第二区(例如，两端)的源极S5和漏极D5。源极S5和漏极D5可以均具有单层结构或多层结构。源极S5和漏极D5的材料可以与栅极图案层2的材料相同或类似。源极S5和漏极D5可以均由与栅极图案层2相同的材料形成，或者由与栅极图案层2不同的材料形成。例如，源极S5和/或漏极D5中的每个可以由金属诸如Ti、Pt、Ru、Au、Ag、Mo、Al、W、Cu、Nd、Cr、Ta、或包括上述金属的合金、或导电氧化物诸如IZO、AZO、ITO、GZO或ZTO、或包括导电氧化物的化合物形成。
例如，可以在形成有有源图案层4的衬底基板1上沉积用于源极S5和漏极D5的材料层，然后在材料层上依次进行涂胶(比如，正性光刻胶)、曝光、显影、蚀刻和剥离，从而获得具有期望图案的源极S5和漏极D5。通过上述步骤形成了阵列基板的薄膜晶体管。
然后，参照图11和图12，在形成有源极S5和漏极D5的衬底基板1上依次形成钝化层6和色阻层7。
可以在栅极绝缘层3上设置覆盖有源图案层4、源电极S5和漏电极D5的钝化层6。钝化层6可以是氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层或有机层，或者可以具有其中氧化硅层、氮氧化硅层、氮化硅层和有机层中的至少两个堆叠的结构。例如，钝化层6可以具有由氧化硅或氮化硅形成的单层结构、或者包括氧化硅层和设置在氧化硅层上的氮化硅层的多层结构。另外，钝化层6可以具有包括两层或更多层的多层结构。在这种情况下，钝化层6可以包括顺序堆叠的氧化硅层、氮氧化硅层和氮化硅层。在本发明中，源极S5、漏极D5和钝化层6的厚度的范围不受限制，并可以根据需要而改变。
可以在钝化层6上形成色阻层7。具体地，可以在形成有钝化层6的衬底基板1上形成覆盖整个钝化层6的色阻层7，即，形成红色/绿色/蓝色滤色块。可以通过涂胶、曝光和显影来形成色阻层7。
再参照图13，在形成有钝化层6和色阻层7的衬底基板上形成黑色矩阵8和有机材料图案9，其中，有机材料图案9和黑色矩阵8同层设置。可以通过上面描述的工艺来形成有机材料图案9与黑色矩阵8，以及有机材料图案9与黑色矩阵8之间的过孔H。
在本发明中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵8和有机材料图案9。
在形成有黑色矩阵8和有机材料图案9的衬底基板1上形成像素电极10，像素电极10通过过孔H电连接到漏极D5。可以首先沉积金属氧化物层(比如，ITO层)，然后采用涂胶(正性光刻胶)、曝光、显影、灰化、蚀刻和剥离的工艺，由此形成具有预定图案的像素电极10。
参照图14，在形成有像素电极10的衬底基板1上形成平坦化层11。可以用丙烯酸类树脂、环氧树脂、酚醛树脂、聚酰胺类树脂、聚酰亚胺类树脂、不饱和的聚酯类树脂、聚亚苯醚类树脂、聚苯硫醚类树脂和苯并环丁烯(BCB)中的一种或多种材料等来形成平坦化层11。
参照图15，在平坦化层11上形成公共电极12。类似地，可以首先沉积金属氧化物层(ITO层)，然后可以通过涂胶(正性光刻胶)、曝光、显影、蚀刻和剥离的工艺，由此来形成公共电极12。
参照图16，将通过上述步骤制得的阵列基板与另一基板(其可以是如上所述的基板，比如玻璃基板)进行组合，二者之间设置有隔离柱13，并且在它们之间灌入液晶15，由此形成用于例如液晶显示器的显示面板。
本发明还提供了一种显示面板，其包括如上描述的阵列基板。
此外，本发明还提供了一种制造显示面板的方法，所述方法包括根据上面描述的方法制造的阵列基板。此外，制造显示面板的方法还包括将所制造的阵列基板与另一基板进行组合，二者之间设置有隔离柱；以及在阵列基板和另一基板之间形成液晶层。
已经针对附图给出了对本发明的特定示例性实施例的前面的描述。这些示例性实施例并不意图是穷举性的或者将本发明局限于所公开的精确形式，并且明显的是，在以上教导的启示下，本领域普通技术人员能够做出许多修改和变化。因此，本发明的范围并不意图局限于前述的实施例，而是意图由权利要求和它们的等同物所限定。

Claims (7)

1.一种制造阵列基板的方法，所述方法包括：在形成有薄膜晶体管的衬底基板上形成黑色矩阵和有机绝缘图案，其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案，所述黑色矩阵和所述有机材料图案同层设置，
其中，在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之前，所述方法还包括：形成薄膜晶体管，并形成钝化层和色阻层；
在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还包括形成像素电极，并在形成有像素电极的衬底基板上形成平坦化层，且在所述平坦化层上形成公共电极；
其中，采用同一个掩模来形成黑色矩阵和有机材料图案的步骤包括：
形成具有预定厚度的透明感光材料层，并利用灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成第一中间图案；
在第一中间图案上形成表面平坦的黑色感光材料层，利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成第二中间图案；以及
通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案，从而形成黑色矩阵和有机材料图案。
2.根据权利要求1所述的制造阵列基板的方法，其中，形成第一中间图案的步骤包括：
利用所述灰阶掩模将透明感光材料层进行曝光和显影，以形成透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区、透明感光材料层的第二部分保留区和透明感光材料层的完全去除区，其中，所述第一中间图案包括透明感光材料层的完全保留区、透明感光材料层的第一部分保留区和透明感光材料层的第二部分保留区。
3.根据权利要求1所述的制造阵列基板的方法，其中，形成第二中间图案的步骤包括：
利用所述灰阶掩模将黑色感光材料层进行曝光和显影，以形成黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区、黑色感光材料层的第二部分保留区和黑色感光材料层的完全去除区，其中，所述第二中间图案包括黑色感光材料层的完全保留区、黑色感光材料层的第一部分保留区和黑色感光材料层的第二部分保留区。
4.根据权利要求1-3中的任一项所述的制造阵列基板的方法，其中，第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影与所述第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区在衬底基板上的正投影不重合，第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影重合，第一中间图案的透明感光材料层的第二部分保留区在衬底基板上的正投影与第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区在衬底基板上的正投影重合。
5.根据权利要求4所述的制造阵列基板的方法，其中，通过灰化工艺处理第一中间图案和第二中间图案的步骤包括：
完全去除第二中间图案的黑色感光材料层的第一部分保留区以形成有机材料图案，并部分地去除第二中间图案的黑色感光材料层的完全保留区以形成黑色矩阵；以及
完全去除第一中间图案的透明感光材料层的完全保留区、完全去除第一中间图案的透明感光材料层的第一部分保留区和第二中间图案的黑色感光材料层的第二部分保留区以形成黑色矩阵和有机材料图案之间的过孔。
6.根据权利要求1所述的制造阵列基板的方法，其中，透明感光材料层为正性感光材料，黑色感光材料层为负性感光材料；或者，透明感光材料层为负性感光材料，黑色感光材料层为正性感光材料。
7.根据权利要求5所述的制造阵列基板的方法，在衬底基板上形成黑色矩阵和有机材料图案之后，所述方法还包括形成像素电极，所述像素电极通过所述过孔与薄膜晶体管的漏极电连接。
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