CN106990581B - 具有集成的触摸感测组件的显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置包括：多条栅线；多条数据线；多个薄膜晶体管，每个连接到栅线之一和数据线之一；多个像素，每个包括第一电极和与第一电极绝缘并且连接到薄膜晶体管之一的第二电极，所述像素布置成多个像素行和多个像素列；以及连接到第一电极的多条感测线。所述栅线包括布置在各像素行的每个的前面和后面的前栅线和后栅线，并且前像素行的后栅线和后像素行的前栅线布置在相邻的像素行之间，以及两个像素列布置在相邻的数据线之间。

Description

具有集成的触摸感测组件的显示装置
技术领域
本公开的一方面总地涉及一种显示装置。更具体而言，本公开的一方面涉及具有集成的触摸感测组件的显示装置。
背景技术
传统的触摸感测显示装置典型地包括附接到显示面板的触摸屏。触摸屏可以被认为是信息输入器件。使用者观看在显示面板中产生的图像并通过按压或触摸触摸屏中的触摸传感器而输入信息。
最新的尝试集中于发展用于纤薄便携式终端例如智能手机和平板PC的触摸感测显示装置。
发明内容
根据本公开的一方面，提供一种与显示装置集成的触摸屏，其中组成触摸屏的元件布置在显示面板内，即，集成到显示面板中。
根据一实施方式，该显示装置可以包括：多条栅线；交叉栅线的多条数据线；多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管连接到栅线之一和数据线之一；多个像素，每个像素包括第一电极和与第一电极绝缘并且连接到薄膜晶体管之一的第二电极，所述像素布置成包括平行于栅线延伸的多个像素行和平行于数据线延伸的多个像素列的矩阵构造；以及连接到第一电极的多条感测线。所述栅线包括布置在各像素行的每个的前面和后面的前栅线和后栅线，并且前像素行的后栅线和后像素行的前栅线布置在相邻的像素行之间，以及两个像素列布置在相邻的数据线之间。
感测线可以基本上平行于数据线和栅线的至少一条取向。
感测线可以基本上平行于数据线取向并且每条布置在两个相邻的像素列之间。感测线和数据线可以交替地布置。
感测线可以基本上平行于栅线取向。感测线中的相应感测线可以布置在每个前像素行中的后栅线和相邻的后像素行中的前栅线之间。
感测线可以包含平行于栅线取向的第一感测线以及连接到第一感测线并且平行于数据线取向的第二感测线。第一感测线可以布置在前像素行的其中之一的后栅线与对应的后像素行的前栅线之间。第二感测线可以布置在与数据线相同的层上并且布置在相邻的像素列之间。
第二电极可以包含相互间隔开的多个分支单元以及连接分支单元的两侧的连接单元。
第二电极可以包含布置在假想的参考线的相反两侧的第一电极单元和第二电极单元，以及第一电极单元和第二电极单元每个可以包含多个分支单元以及连接分支单元的至少一侧的连接单元。
第一电极单元的分支单元和第二电极单元的分支单元可以在相对于参考线倾斜的方向上延伸。第一电极单元和第二电极单元可以具有相对于参考线倾斜的边缘。
数据线和感测线可以包含对应于第一电极单元取向的第一部分以及对应于第二电极单元取向的第二部分。数据线和感测线还可以包含基本上垂直于栅线的至少之一取向的直线单元。
第一电极可以包含覆盖多个像素区域的感测电极。感测电极的侧部可以基本上平行于对应数据线的对应侧部取向。
感测电极可以至少部分地交叠数据线。
相邻的感测电极之间的距离可以小于数据线的宽度。
此外，一种显示装置可以包含：第一基板，包括基底基板、布置在基底基板上的多条栅线、交叉栅线的多条数据线、布置在与栅线和数据线的至少之一相同的层上的多条感测线、以及连接到所述栅线中的相应栅线和所述数据线中的相应数据线的多个薄膜晶体管；与第一基板相对的第二基板；以及多个像素，布置成包括基本上平行于栅线取向的多个像素行和基本上平行于数据线取向的多个像素列的矩阵构造，所述像素位于第一基板和第二基板之间。每个像素包括：连接到感测线之一的第一电极；布置在第一电极上的电极绝缘层；第二电极，布置在电极绝缘层上并且连接到薄膜晶体管之一；和在第一电极和第二电极之间的光学层。栅线包括布置在各像素行的每个的前面和后面的前栅线和后栅线，并且前像素行的后栅线和后像素行的前栅线布置在相邻的像素行之间，以及两个像素列布置在相邻的数据线之间。
第二电极可以包括相互间隔开的多个分支单元以及连接分支单元的两侧的连接单元。
附图说明
图1是示出根据本公开的一实施方式的显示装置的平面图。
图2是放大了在其中布置图1中的感测电极的区域的一部分的概念图。
图3至5是示出布置在同一行且彼此邻近的两个像素、连接到所述两个像素的栅线和数据线、以及感测线的平面图。
图6是沿图3中的线I-I'截取的截面图。
图7是沿图3中的线II-II'截取的截面图。
图8是沿图3中的线III-III'截取的截面图。
图9是示出根据另一实施方式的显示装置的局部平面图，以及图10是沿图9中的线IV-IV'截取的截面图。
图11是示出根据另一实施方式的显示装置的局部平面图，以及图12是沿图11中的线V-V'截取的截面图。
图13是示出根据另一实施方式的部分电极的平面图，以及图14是图13中的区域EA的放大图。
具体实施方式
在下文中，将参考附图详细描述本公开的示例性实施方式。各个图可以不按比例绘制。所有数值都是近似的，而且可以变化。特定材料和组成的所有示例将被认为是非限制性的，且仅是示例性的。可以替代地使用其它适当的材料和合成物。
图1是示出根据本公开的一实施方式的显示装置的平面图。
参考图1，显示装置可以包括显示面板100和触摸驱动单元200。
触摸屏(未示出)可以被包括在显示面板100中，并且触摸屏可以感测使用者的触摸位置。显示面板100可以包括第一基板(未示出)、第二基板(未示出)以及布置在第一基板和第二基板之间的多个像素，如已知的。第一和第二基板的其中之一可以包括多条栅线、交叉栅线的多条数据线、以及连接到栅线和数据线的多个薄膜晶体管。每个像素可以连接到薄膜晶体管之一。
像素可以是例如液晶显示装置的一个像素、电泳显示装置的像素、电润湿显示装置的像素或有机发光显示装置的像素。根据本公开的一实施方式，为了说明的方便，该像素可以是液晶显示装置的像素。此外，虽然未示出，该像素可以通过使用自背光单元提供的光来显示图像。
该像素可以包括第一电极、第二电极以及通过第一和第二电极形成的电场而透射光的液晶层。第一和第二电极的其中之一，例如第二电极，可以连接到薄膜晶体管并且接收驱动信号。
第一和第二电极的其中之一，例如第一电极，可以接收公共电压信号以与第二电极一起形成电场。此外，第一电极可以包括被图案化以覆盖多个像素区域的多个电极图案。该像素可以布置在像素区域中。此外，电极图案可以是触摸屏的感测电极TSE。也就是，第一电极可以包括多个感测电极TSE。
感测电极TSE可以每个均具有多边形形状，例如正方形形状。此外，感测电极TSE可以通过感测线SL连接到触摸驱动单元200。因此，感测电极TSE可以在通过感测线SL施加触摸扫描信号时感测使用者的触摸位置。
感测线SL可以将从触摸驱动单元20施加的触摸扫描信号传输到感测电极TSE。此外，感测线SL可以将从感测电极TSE接收的触摸感测信号，例如电容变化，传输到触摸驱动单元200。
触摸驱动单元200可以产生用于感测触摸的触摸扫描信号，并将该信号传输到感测电极TSE。布置在触摸驱动单元200和显示面板100之间的切换单元210可以切换被传输到感测电极TSE的触摸扫描信号。
图2是放大了在其中布置图1中的感测电极的区域的一部分的概念图。
参考图1和图2，显示面板100可以包括多条栅线Gi(a)、Gi(b)、Gi+1(a)和Gi+1(b)，交叉栅线Gi(a)、Gi(b)、Gi+1(a)和Gi+1(b)的多条数据线Dj和Dj+1，以及平行数据线Dj和Dj+1的感测线SL。还包括连接栅线Gi(a)、Gi(b)、Gi+1(a)和Gi+1(b)以及数据线Dj和Dj+1的薄膜晶体管TFT，以及布置成多个像素列和多个像素行的多个像素P1、P2、P3和P4。多个像素P1、P2、P3和P4可以分别连接到薄膜晶体管TFT。
栅线Gi(a)、Gi(b)、Gi+1(a)和Gi+1(b)可以包括分别布置在每个像素行的前面和后面的前栅线Gi(a)和Gi+1(a)以及后栅线Gi(b)和Gi+1(b)。此外，前像素行中的后栅线和后像素行中的前栅线可以布置在这些相邻的像素行之间。例如，第i(i是自然数)个像素行中的后栅线Gi(b)和第(i+1)个像素行中的前栅线Gi+1(a)可以都布置在第i个像素行和第(i+1)个像素行之间。
两个像素行可以布置在相邻的数据线Dj和Dj+1之间。
感测线SL之一可以布置在相邻的数据线Dj和Dj+1之间。感测线SL之一可以布置在两个相邻的像素列之间以及相邻的数据线Dj和Dj+1之间。例如，感测线SL之一可以布置在第j(j是自然数)个像素列和第(j+1)个像素列之间。此外，感测线SL和数据线Dj和Dj+1可以交替地布置。
更详细地，像素P1、P2、P3和P4可以包括彼此相邻并且布置在第i个像素行中的第一像素P1和第二像素P2以及彼此相邻并且布置在第(i+1)个像素行中的第三像素P3和第四像素P4。第一像素P1和第三像素P3可以在列方向上彼此相邻，并且布置在第j个像素列。第一像素P1和第三像素P3可以都电连接到布置在第j个像素列中的数据线Dj。此外，第二像素P2和第四像素P4可以在列方向上彼此相邻，并且布置在第(j+1)个像素列。因此，第二像素P2和第四像素P4可以电连接到布置在第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1。
布置在第i个像素行中的前栅线Gi(a)可以电连接到第一像素P1，布置在第i个像素行中的后栅线Gi(b)可以电连接到第二像素P2。布置在第(i+1)个像素行中的前栅线Gi+1(a)可以电连接到第三像素P3，布置在第(i+1)个像素行中的后栅线Gi+1(b)可以电连接到第四像素P4。布置在第i个像素行中的后栅线Gi(b)和布置在第(i+1)个像素行中的前栅线Gi+1(a)可以彼此相邻。
此外，第一像素P1和第三像素P3可以布置在感测线SL的左侧，第二像素P2和第四像素P4可以布置在感测线SL的右侧。
当栅信号被施加到前栅线Gi(a)，驱动信号被施加到第j个像素列中的数据线Dj，并且公共电压信号被施加到感测线SL时，第一像素P1可以透射光。
当栅信号被施加到后栅线Gi(b)，驱动信号被施加到第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1，并且公共电压信号被施加到感测线SL时，第二像素P2可以透射光。
当栅信号被施加到后栅线Gi+1(a)，驱动信号被施加到第j个像素列中的数据线Dj，并且公共电压信号被施加到感测线SL时，第三像素P3可以透射光。
当栅信号被施加到后栅线Gi+1(b)，驱动信号被施加到第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1，并且公共电压信号被施加到感测线SL时，第四像素P4可以透射光。
图3至5是示出布置在同一行且彼此邻近的两个像素、连接两个像素的栅线和数据线以及感测线的平面图。图6是沿图3中的线I-I'截取的截面图，图7是沿图3中的线II-II'截取的截面图，图8是沿图3中的线III-III'截取的截面图。
参考图1至8，显示面板100可以包括第一基板110、与第一基板110相对的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之间的所述多个像素P1和P2。第一像素P1和第二像素P2可以布置在同一像素行。
第一基板110可以包括基底基板SUB、以及布置在基底基板SUB上的薄膜晶体管TFT1和TFT2。薄膜晶体管TFT1和TFT2可以包括连接第一像素P1的第一薄膜晶体管TFT1以及连接第二像素P2的第二薄膜晶体管TFT2。
基底基板SUB1可以包括绝缘材料，并可以透射光。基底基板SUB可以是刚性基板或柔性基板。刚性基板可以包括玻璃基板、石英基板、玻璃陶瓷基板和/或结晶玻璃基板。柔性基板可以包括包含聚合物有机材料的薄膜基板和/或塑料基板。此外，柔性基板可以包括玻璃纤维增强塑料(FRP)。
期望的是，用于基底基板SUB的材料具有对制造工艺期间的高处理温度的抵抗力(或耐热性)。
所述多条栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)以及交叉栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的所述多条数据线Dj和Dj+1可以布置在基底基板SUB上。
栅线可以包括分别布置在每个像素行的前面和后面的前栅线Gi(a)和Gi+1(a)和后栅线Gi-1(b)和Gi(b)。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以均分别连接到栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的其中之一以及数据线Dj和Dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶体管TFT1可以连接到第i个像素行中的前栅线Gi(a)以及第j个像素列中的数据线Dj。第二薄膜晶体管TFT2可以连接到第i个像素行中的后栅线Gi(b)以及第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1。
感测线SL可以布置在相邻的数据线Dj和Dj+1之间。感测线SL可以布置在与数据线Dj和Dj+1相同的层上。例如，感测线SL可以布置在第一像素P1和第二像素P2之间。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以均包括栅电极GE、半导体有源层SA、源电极SE和漏电极DE。
栅电极GE可以连接到栅线Gi(a)和Gi(b)的其中之一。例如，第一薄膜电极TFT1的栅电极GE可以连接到第i个像素行中的前栅线Gi(a)，第二薄膜电极TFT2的栅电极GE可以连接到第i个像素行中的后栅线Gi(b)。栅电极GE可以布置在与栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)相同的层上，例如布置在基底基板SUB上。
栅绝缘层GI可以布置在栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)以及栅电极GE上。栅绝缘层GI可以使栅电极GE和半导体有源层SA绝缘。换言之，栅绝缘层GI可以布置在栅电极GE和半导体有源层SA之间。栅绝缘层GI可以包括硅氧化物和硅氮化物的其中之一。例如，栅绝缘层GI可具有其中包括硅氧化物的绝缘层和包括硅氮化物的绝缘层层叠的结构。
半导体有源层SA可以布置在栅绝缘层GI上。半导体有源层SA的至少一部分可以交叠栅电极GE。半导体有源层SA可以包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(p-Si)和氧化物半导体的其中之一。此外，在半导体有源层SA中，连接源电极SE和漏电极DE的区域可以是在其中掺杂或注入杂质的源极区和漏极区。源极区和漏极区之间的区域可以是沟道区。
源电极SE的一端部分可以连接到半导体有源层SA的一个端部分，并且源电极SE的另一端部可以连接到数据线Dj和Dj+1之一。例如，第一薄膜晶体管TFT1的源电极SE可以连接到第j个像素列中的数据线Dj，第二薄膜晶体管TFT2的源电极SE可以连接到第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1。
漏电极DE可以连接到半导体有源层SA的另一侧，并且布置为与源电极SE间隔开。
数据线Dj和Dj+1和感测线SL可以包括包含与半导体有源层SA相同材料的半导体材料层SCL，并且还可以包括布置在半导体材料层SCL上的导电层CL。导电层CL可以包括与源电极SE和漏电极DE相同的材料。
具有其中栅电极GE布置在半导体有源层SA下面的底栅结构的薄膜晶体管TFT被示为薄膜晶体管TFT的一示例，但是本发明的实施方式不限于此。例如，薄膜晶体管TFT可具有其中栅电极GE布置在半导体有源层SA上方的顶栅结构。
第一保护层PSV1可以布置于在其上布置薄膜晶体管的基底基板SUB上。第一保护层PSV1可以覆盖薄膜晶体管TFT。第一保护层PSV1可以包括硅氧化物和硅氮化物的其中之一。
滤色器CF可以布置在第一保护层PSV1上。滤色器CF可以包括包含有机绝缘材料的有机溶剂以及分散在有机溶剂中以产生颜色的染料或颜料。因此，滤色器CF可以通过透射或反射来自外部源的光而产生颜色。滤色器CF可以是红色、绿色、蓝色、青色、品红色和黄色滤色器的其中之一。
第二保护层PSV2可以布置在滤色器CF上。第二保护层PSV2可以包括与第一保护层PSV1相同的材料。换言之，第二保护层PSV2可以包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
像素P1和P2可以布置在第二保护层PSV2上。像素P1和P2可以包括布置在第二保护层PSV2上的第一电极CE、布置在第一电极CE上的电极绝缘层PSV3、布置在电极绝缘层PSV3上并且通过接触孔连接到漏电极DE的第二电极PE、以及根据由第二电极PE产生的电场透射光或不透射光的光学层LC。光学层LC可以是包括多个液晶分子的液晶层。
第一电极CE可以包括透明导电氧化物。例如，第一电极CE可以包括铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)的其中之一。
此外，第一电极CE可以包括被图案化以覆盖所述多个像素区域的电极图案。第一电极CE的电极图案可以通过接触孔连接到感测线SL。
第一电极CE可以通过感测线SL接收公共电压信号。因此，第一电极CE可以作为公共电极操作，其与第二电极PE形成电场并由此驱动液晶分子。
第一电极CE的电极图案还可以通过感测线SL接收触摸扫描信号。因此，当通过感测线SL施加触摸扫描信号时，第一电极CE可以作为感测电极操作，其感测使用者的触摸位置。因而，电极图案可以作为图1中示出的触摸屏的感测电极TSE操作。
电极绝缘层PSV3可以包括与第一保护层PSV1相同的材料。例如，电极绝缘层PSV3可以包括硅氧化物和硅氮化物中的至少一种。
第二电极PE可以作为像素电极操作，其在通过薄膜晶体管TFT施加驱动信号时，与第一电极CE形成电场并驱动液晶分子。第二电极PE可以包括与第一电极CE相同的材料。
如图3所示，第二电极PE可以包括相互平行且间隔开地布置的多个分支单元PE1以及连接分支单元PE1的两侧的连接单元PE2。连接单元PE2之一可以连接到薄膜晶体管TFT。
此外，如图4和5所示，第二电极PE可以包括布置在假想的参考线(显示为图4的像素P2中的虚线)的两侧的第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2。第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2可以均包括所述多个分支单元PE1以及连接分支单元PE1的至少一侧的连接单元PE2。
第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以在从参考线倾斜的方向上延伸。例如，第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以在相对于参考线对称的方向上延伸。
如图4所示，第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以彼此分离，即，可以占据它们的像素的不同部分。
如图5所示，第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以彼此分离。此外，第二电极PE的第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2可以均具有相对于参考线倾斜的形状。数据线Dj和Dj+1和感测线SL可具有对应于第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2中的弯折的弯折形状。
例如，数据线Dj和Dj+1和感测线SL可以包括对应于第一电极单元PEP1倾斜的第一倾斜部IP1、对应于第二电极单元PEP2倾斜的第二倾斜部IP2、以及平坦单元FP，该平坦单元FP不倾斜，即，没有第一倾斜部IP1或第二倾斜部IP2。
第二基板120可以与第一基板110相对，并且可以通过密封剂附接到第一基板110。第二基板120可以包括与第一基板110相同的材料。
在显示装置中，第一电极CE可以是触摸屏的感测电极。因此，与包括附接到显示面板100的表面的触摸屏的显示装置相比，本发明的实施方式的显示装置可以更薄。
以下，本公开的其它实施方式呈现在图9至14中。参考图9至14，即使在不同图中显示，相同的附图标记始终指代相同的元件，并且伴随简要描述。此外，参考图9至14，将主要描述与图1至8的差异，以免重复说明。
图9是示出根据一实施方式的显示装置的局部平面图，图10是沿图9中的线IV-IV'截取的截面图。
参考图1、2、9和10，例如，显示面板100可以包括第一基板110、与第一基板110相对的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之间的多个像素，例如像素P1和P2。第一像素P1和第二像素P2可以布置在同一像素行中。
第一基板100可以包括基底基板SUB以及布置在基底基板SUB上的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以包括连接第一像素P1的第一薄膜晶体管TFT1以及连接第二像素P2的第二薄膜晶体管TFT2。
此外，栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)以及交叉栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的数据线Dj和Dj+1布置在基底基板SUB上。
栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)可以包括前栅线Gi(a)和Gi+1(a)以及后栅线Gi-1(b)和Gi(b)。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以分别连接到栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的其中之一以及数据线Dj和Dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶体管TFT1可以连接到第i个像素行中的前栅线Gi(a)以及第j个像素列中的数据线Dj。第二薄膜晶体管TFT2可以连接到第i个像素行中的后栅线Gi(b)以及第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1。
此外，感测线SL可以布置在第i个像素行中的后栅线Gi(b)与第(i+1)个像素行中的前栅线Gi+1(a)之间。感测线SL平行于栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)。感测线SL可以布置在与栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)相同的层上，例如，布置在基底基板SUB上。
第一像素P1和第二像素P2可以布置在数据线Dj和Dj+1之间。
像素P1和P2可以包括布置在第二保护层PSV2上的第一电极CE、布置在第一电极CE上的电极绝缘层PSV3、布置在电极绝缘层PSV3上并且通过接触孔连接漏电极DE的第二电极PE、以及根据由第二电极PE产生的电场透射光的光学层LC。
第一电极CE可以通过接触孔连接到感测线SL。第一电极CE可以通过感测线SL接收公共电压信号。因此，第一电极CE可以作为公共电极操作，其形成电场并驱动液晶分子。
此外，第一电极CE可以通过感测线SL接收触摸扫描信号。因此，当通过感测线SL施加触摸扫描信号时，第一电极CE可以作为感测电极操作，其感测使用者的触摸位置。
图11是示出根据另一实施方式的显示装置的局部平面图，图12是沿图11中的线V-V'截取的截面图。
参考图1、2、11和12，显示面板100可以包括第一基板110、与第一基板110相对的第二基板120、以及布置在第一基板110和第二基板120之间的多个像素诸如像素P1和P2。第一像素P1和第二像素P2可以布置在同一像素行中。
第一基板100可以包括基底基板SUB以及布置在基底基板SUB上的薄膜晶体管TFT。薄膜晶体管TFT可以包括连接第一像素P1的第一薄膜晶体管TFT1以及连接第二像素P2的第二薄膜晶体管TFT2。
栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)以及交叉栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的数据线Dj和Dj+1布置在基底基板SUB上。
栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)可以包括前栅线Gi(a)和Gi+1(a)以及后栅线Gi-1(b)和Gi(b)。
第一薄膜晶体管TFT1和第二薄膜晶体管TFT2可以分别连接到栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的其中之一以及数据线Dj和Dj+1的其中之一。例如，第一薄膜晶体管TFT1可以连接到第i个像素行中的前栅线Gi(a)以及第j个像素列中的数据线Dj。第二薄膜晶体管TFT2可以连接到第i个像素行中的后栅线Gi(b)以及第(j+1)个像素列中的数据线Dj+1。
第一像素P1和第二像素P2可以布置在数据线Dj和Dj+1之间并且彼此相邻。
感测线SL可以包括第一感测线SL1和第二感测线SL2。第一感测线SL1可以电连接到第二感测线SL2。
此外，第一感测线SL1可以布置在第i个像素行中的后栅线Gi(b)与第(i+1)个像素行中的前栅线Gi+1(a)之间。第一感测线SL1平行于栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)。第一感测线SL1可以布置在与栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)相同的层上，例如，布置在基底基板SUB上。
第二感测线SL2可以布置在相邻的数据线Dj和Dj+1之间。第二感测线SL2可以布置在与数据线Dj和Dj+1相同的层上。例如，第二感测线SL2可以布置在第一像素P1和第二像素P2之间。
像素P1和P2可以包括布置在第二保护层PSV2上的第一电极CE、布置在第一电极CE上的电极绝缘层PSV3、布置在电极绝缘层PSV3上并且通过接触孔连接漏电极DE的第二电极PE、以及根据由第二电极PE产生的电场透射光或截断光的光学层LC。
第一电极CE可以通过接触孔连接到感测线SL1、SL2。第一电极CE可以通过第二感测线SL2接收公共电压信号。因此，第一电极CE可以作为公共电极操作，其在通过第二感测线SL2施加公共电压信号时形成电场并驱动液晶分子。
此外，第一电极CE可以通过感测线SL例如第一感测线SL1接收触摸扫描信号。因此，当通过感测线SL施加触摸扫描信号时，第一电极CE可以作为感测电极操作，其感测使用者的触摸位置。
图13是示出根据另一实施方式的部分电极的平面图，图14是图13中的区域EA的放大图。
参考图1、2、13和14，显示面板100可以包括第一基板、第二基板以及布置在第一基板和第二基板之间的所述多个像素P1和P2。第一基板和第二基板的其中之一可以包括所述多条栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)以及交叉栅线Gi-1(b)、Gi(a)、Gi(b)和Gi+1(a)的数据线Dj和Dj+1。这些基板的其中之一还可以包括连接到数据线Dj和Dj+1的所述多个薄膜晶体管，例如TFT1和TFT2。像素P1和P2的每个可以连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2之一。
像素P1和P2可以包括第一电极、第二电极PE以及根据由第一和第二电极形成的电场透射光的液晶层。
第一电极和第二电极PE的其中之一，例如第一电极，可以接收公共电压信号以形成电场。此外，第一电极可以包括将被图案化以覆盖所述多个像素区域的电极图案。像素区域可以是在其中分别布置像素的区域。此外，电极图案可以是触摸屏的感测电极TSE。
感测电极TSE可具有多边形形状，例如正方形的形状。此外，感测电极TSE可以通过感测线SL连接到触摸驱动单元200。因此，感测电极TSE可以在通过感测线SL施加触摸扫描信号时感测使用者的触摸位置。
第一电极和第二电极PE的其中之一，例如第二电极PE，可以连接到薄膜晶体管TFT1和TFT2并且接收驱动信号。
第二电极PE可以包括布置在参考线的两侧的第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2。第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2可以包括多个分支单元PE1以及连接分支单元PE1的至少一侧的连接单元PE2。
第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以在相对于参考线倾斜的方向上延伸。例如，第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以在相对于参考线对称的方向上延伸。
如图14所示，第一电极单元PEP1的分支单元PE1和第二电极单元PEP2的分支单元PE1可以彼此连接。此外，第二电极PE的第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2可以具有其外边缘相对于参考线倾斜的形状。数据线Dj和Dj+1以及感测线SL可以弯折以对应于第一电极单元PEP1和第二电极单元PEP2的倾斜角。
例如，数据线Dj和Dj+1和感测线SL可具有对应于第一电极单元PEP1在第一倾斜部IP1倾斜的部分、对应于第二电极单元PEP2在第二倾斜部IP2倾斜的部分、以及连接所述倾斜部分的笔直或竖直部分。
感测电极TSE的至少一侧，例如对应于数据线Dj和Dj+1的侧部，可以包括Z字形形状。对应于数据线Dj和Dj+1的侧部的对应第一倾斜部IP1的区域可以平行于第一倾斜部IP1。对应于数据线Dj和Dj+1的侧部的对应第二倾斜部IP2的区域可以平行于第二倾斜部IP2。对应于数据线Dj和Dj+1的笔直部分的区域也可以是笔直的。
此外，对应于数据线Dj和Dj+1的侧部可以交叠数据线Dj和Dj+1。因此，相邻感测电极TSE之间的距离可以小于数据线Dj和Dj+1的宽度。当感测电极TSE的对应于数据线Dj和Dj+1的侧部可以交叠数据线Dj和Dj+1时，可以防止被感测电极TSE覆盖的区域中的光泄漏。
如上所述，显示装置可以包括在显示面板内组成触摸屏的元件。此外，因为像素的电极之一还可以作为触摸感测电极，所以更纤薄的显示装置可以产生。
实施方式被提供以更诚实地且完全地公开本发明并且将本发明的精神完全传达给本发明所属领域中的技术人员，并且本发明的范围应该通过本发明的权利要求被理解。因此，本领域的普通技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离如由权利要求书所阐述的本发明的精神和范围。因此，本领域的普通技术人员将理解，可以在形式和细节上进行各种改变，而不脱离如由权利要求书所阐述的本发明的精神和范围。因此，本发明的技术范围不限于说明书的详细描述而是由权利要求的范围限定。以上描述的和其它实施方式的各种特征可以以任何方式混合和匹配，以产生按照本发明的另一些实施方式。
本申请要求享有2016年1月20日在韩国知识产权局提交的第10-2016-0006907号韩国专利申请的优先权，该韩国专利申请的整体内容通过引用被全部合并于此。

Claims (16)

1.一种显示装置，包括：
在基板上的多条栅线；
交叉所述栅线的多条数据线；
多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管连接到所述栅线之一和所述数据线之一；
绝缘层，直接设置在所述薄膜晶体管上并且覆盖所述薄膜晶体管；
滤色器，直接设置在所述绝缘层上；
保护层，直接设置在所述滤色器上并且覆盖所述滤色器；
第一电极，直接设置在所述保护层上；
多个像素，每个像素包括所述第一电极的一部分和与所述第一电极绝缘并且连接到所述薄膜晶体管之一的第二电极，所述像素布置成包括平行于所述栅线延伸的多个像素行和平行于所述数据线延伸的多个像素列的矩阵构造；以及
连接到所述第一电极的多条感测线，
其中所述第一电极设置在所述多个薄膜晶体管中的每个上，并且包括电连接到对应的感测线并与所述多个像素中的至少一个相关联的多个感测电极，
其中所述第二电极的第一部分位于所述绝缘层的孔内部并位于所述保护层的相对的两个部分之间，
其中所述保护层的所述相对的两个部分中的每个直接接触所述绝缘层和所述第二电极，
其中所述第一电极设置在所述第二电极的在所述绝缘层的所述孔的相反两侧的两个第二部分中的每个与所述滤色器之间，
其中所述栅线包括布置在各像素行的每个的前面和后面的前栅线和后栅线，并且前像素行的后栅线和后像素行的前栅线布置在相邻的像素行之间，
其中两个像素列布置在相邻的数据线之间，以及
其中所述感测线包含平行于所述栅线取向的第一感测线和连接到所述第一感测线并且平行于所述数据线取向的第二感测线。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二感测线布置在两个相邻的像素列之间。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第二感测线和所述数据线交替地布置。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第一感测线布置在所述前像素行的其中之一的所述后栅线与对应的后像素行的所述前栅线之间。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述第二感测线布置在与所述数据线相同的层上并且布置在相邻的像素列之间。
6.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第二电极包含相互间隔开的多个分支单元以及连接所述分支单元的两侧的连接单元。
7.根据权利要求2所述的显示装置，其中所述第二电极包含布置在假想的参考线的相反两侧的第一电极单元和第二电极单元，以及
所述第一电极单元和所述第二电极单元每个包含多个分支单元以及连接所述分支单元的至少一侧的连接单元。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中所述第一电极单元的所述分支单元和所述第二电极单元的所述分支单元在相对于所述假想的参考线倾斜的方向上延伸。
9.根据权利要求8所述的显示装置，其中所述第一电极单元和所述第二电极单元具有相对于所述假想的参考线倾斜的边缘。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中所述数据线和所述第二感测线包含对应于所述第一电极单元取向的第一部分以及对应于所述第二电极单元取向的第二部分。
11.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述数据线和所述第二感测线还包含垂直于所述栅线的至少之一取向的直线单元。
12.根据权利要求10所述的显示装置，其中所述感测电极覆盖多个像素区域。
13.根据权利要求12所述的显示装置，其中所述感测电极的侧部平行于对应数据线的对应侧部取向。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其中所述数据线和所述第二感测线每个具有垂直于所述栅线的至少之一取向的部分。
15.根据权利要求14所述的显示装置，其中所述感测电极至少部分地交叠所述数据线。
16.根据权利要求15所述的显示装置，其中相邻的感测电极之间的距离小于所述数据线的宽度。
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