CN106848015B - 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 - Google Patents
一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106848015B CN106848015B CN201710134634.XA CN201710134634A CN106848015B CN 106848015 B CN106848015 B CN 106848015B CN 201710134634 A CN201710134634 A CN 201710134634A CN 106848015 B CN106848015 B CN 106848015B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- arrangement hole
- arrangement
- plane
- gan
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 54
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title abstract description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 51
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 20
- 241000209202 Bromus secalinus Species 0.000 claims abstract description 12
- 230000000737 periodic effect Effects 0.000 claims abstract description 12
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 18
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 6
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 4
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 abstract description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 14
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002488 metal-organic chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 238000007788 roughening Methods 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000003814 drug Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000007634 remodeling Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/10—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a light reflecting structure, e.g. semiconductor Bragg reflector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/005—Processes
- H01L33/0062—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds
- H01L33/0066—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound
- H01L33/007—Processes for devices with an active region comprising only III-V compounds with a substrate not being a III-V compound comprising nitride compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/20—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a particular shape, e.g. curved or truncated substrate
- H01L33/22—Roughened surfaces, e.g. at the interface between epitaxial layers
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
Abstract
本发明公开了一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，其公开的一种氮化物半导体发光二极管中，在图形化衬底的图形之间具有N个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层，周期N≥1，所述V形坑层的V形坑斜面为（10‑10）晶面，V形坑之间的平面为（0001）面，每一个周期V形坑层的材料为InxGa1‑xN/GaN(0<x<1)，厚度为5～50nm；该散射反射层的每一周期厚度为T，总厚度Ta=N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；通过斜面镀有反射层的凸形图形化衬底和V形坑斜面、平面镀有反射层的凹形V形坑构成凹凸排列的散射反射层，通过凸形图形化衬底和凹形V形坑改变光传输路径。
Description
技术领域
本发明涉及半导体光电器件领域，尤其涉及氮化物半导体发光二极管及制作方法领域。
背景技术
现今，发光二极管(LED)，特别是氮化物发光二极管因其较高的发光效率，在普通照明领域已取得广泛的应用。因氮化物半导体有源发光层发光后，光线经过半导体入射到空气存在全反射角，例如GaN的折射率为2.5，根据斯涅尔定律可计算出其全反射角仅为23.6度，导致GaN的光逸出效率仅为4.18％。氮化物半导体较低的光提取效率制约了其外量子效率的提升。为了提升光提取效率，一般可用图形化衬底、侧壁倒斜角或者正面粗化等方法，改变光的路径，从而提升光的逸出效率，从而提升氮化物半导体发光二极管的外量子效率。由于光提取率对于发光二极管的竞争性影响较大，然而，经过长期研究，我们发现目前的氮化物半导体发光二极管的光提取率还存在很大的提升空间。
发明内容
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术中的不足，提供一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法，其公开的发光二极管以及采用该制作方法制作的发光二极管能够提升氮化物半导体发光二极管的光提取效率和反射效率，增加产品竞争力。
为了达到上述目的，本发明提出结合凸形的图形化衬底和凹形的V形坑的散射反射层结构及其斜面平面的反射层，形成凹凸排列的多层散射反射镜，提升氮化物半导体发光二极管的光提取效率。
本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管采用以下技术方案予以实现：
一种氮化物半导体发光二极管，其在图形化衬底的图形之间具有N个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层，周期N≥1，所述V形坑层的V形坑(V-shappits)斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)面，每一个周期V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，厚度为5～50nm；该散射反射层的每一周期厚度为T，总厚度Ta＝N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；通过斜面镀有反射层的凸形图形化衬底和V形坑斜面、平面镀有反射层的凹形V形坑构成凹凸排列的散射反射层，通过凸形图形化衬底和凹形V形坑改变光传输路径，提升发光二极管的光提取效率和反射效率。
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的具体实施方式中：其包括图形化衬底，V形坑控制层，在图形化衬底的图形之间至少具有一个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层，缓冲层，第一导电型的第一半导体层，有源发光层，第二导电型的第二半导体层；所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN组合，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；所述散射反射层的周期数为N，每一周期厚度为T，总厚度Ta＝N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；所述V形坑控制层可控制形成开角范围为55～65度的V形坑层。
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的优选实施方式：所述V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面，InxGa1-xN/GaN组合，且0<x<1的多量子阱或超晶格的周期数20≥K≥3，优选K＝10；
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的优选实施方式：所述具有N个V形坑层和反射层构成的散射反射层的周期为N≥1，但N的取值要保证散射反射层的总厚度小于等于图形化衬底的图形高度。
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的优选实施方式：所述反射层的材料为Al反射镜或Ag反射镜等反射材料，优选Al反射镜。
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的优选实施方式：所述V形坑控制层材料为GaN与In组分InyGa1-yN/GaN超晶格的组合，In组分0.3>y>0.01,优选y＝0.05，In组分InyGa1-yN/GaN超晶格的组合的周期数20≥M≥3，优选M＝10。
作为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的优选实施方式：所述图形化衬底的材料为蓝宝石Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaN、AlN等衬底材料，优选蓝宝石Al2O3衬底。
本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法采用以下技术方案予以实现：
一种氮化物半导体发光二极管的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：
1)在平面衬底上制作图形化衬底的图形；
2)在图形化衬底的图形间隙沉积V形坑控制层，然后，沉积带有V形坑的第一V形坑层，所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面；所述V形坑(V-shappits)控制层可控制V形坑的尺寸、密度和开角，V形坑的开角范围为55～65度；
3)在第一V形坑层的斜面、平面和图形化衬底的斜面上沉积第一反射层；
4)在反射层上方沉积带有V形坑的第二V形坑层，V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑(V-shappits)之间的平面为(0001)晶面；所述V形坑控制层可控制V形坑的尺寸、密度和开角，V形坑的开角范围为55～65度；所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；
5)在第二V形坑层斜面和平面上沉积第二反射层；所述的V形坑层及反射层的周期数为N，每一周期厚度为T，构成的散射反射层的总厚度Ta＝N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；
6)在在周期数为N的V形坑和反射层构成多重散射反射层上沉积缓冲层；
7)在缓冲层上依次沉积第一导电型的第一半导体层，有源发光层，第二导电型的第二半导体层，从而制作氮化物半导体发光二极管；
作为上述制作方法的一种优选实施方式：所述V形坑控制层材料为GaN与In组分InyGa1-yN/GaN超晶格的组合，生长温度为600-900摄氏度，GaN优选温度750摄氏度，In组分InyGa1-yN/GaN超晶格优选800/900摄氏度；
作为上述制作方法的一种优选实施方式：所述缓冲层采用磁控溅射方法沉积，沉积材料为AlN、GaN或混晶AlGaN缓冲层，优选AlN缓冲层。
本发明有益效果是：
本发明公开的方案中，结合凸形的图形化衬底和凹形的V形坑(V-shappits)的散射反射层结构及其斜面平面的反射层，形成凹凸排列的多层散射反射镜，提升氮化物半导体发光二极管的光提取效率。具体的，本发明通过斜面镀有反射层的凸形图形化衬底和V形坑斜面、平面镀有反射层的凹形V形坑构成凹凸排列的散射反射层，通过凸形图形化衬底和凹形V形坑改变光传输路径，提升发光二极管的光提取效率和反射效率。
附图说明
图1为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(1)；
图2为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(2)；
图3为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(3)；
图4为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(4)；
图5为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(5)；
图6为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的步骤(6)；
图7为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法的步骤(7)。图7同样为本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的结构示意图。
附图标记说明：
100：衬底，101：图形化衬底的图形，102：V形坑控制层，103a：第一V形坑层：103b：第二V形坑层，104a：第一反射层，104b：第二反射层，105：散射反射层，106：缓冲层，107：第一导电型的第一半导体层，108：有源发光层，109：第二导电型的第二半导体层。
具体实施方式
下面结合附图及实施例描述本发明具体实施方式：
如图所示，其示出了本发明的具体实施例，现有技术中，因氮化物半导体有源发光层发光后，光线经过半导体入射到空气存在全反射角，例如GaN的折射率为2.5，根据斯涅尔定律可计算出其全反射角仅为23.6度，导致GaN的光逸出效率仅为4.18％。氮化物半导体较低的光提取效率制约了其外量子效率的提升。为了提升光提取效率，一般可用图形化衬底、侧壁倒斜角或者正面粗化等方法，改变光的路径，从而提升光的逸出效率，提升氮化物半导体发光二极管的外量子效率。
为了进一步提升图形化衬底的光提取效率，本发明公开的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法的具体实施例如图所示，包含以下步骤：
步骤(1)：在传统的蓝宝石平面衬底100上制作图形化衬底的图形101，该图形可采用干法蚀刻制作子弹型的图形，也可采用湿法蚀刻成金字塔状的图形；
步骤(2)：在图形化衬底的图形101间隙采用MOCVD外延生长沉积V形坑控制层102，V形坑控制层材料为GaN与In组分InyGa1-yN/GaN超晶格的组合，首先生长一层温度为750摄氏度的GaN层，然后，In组分InyGa1-yN/GaN超晶格，超晶格周期为M＝10，In组分为y＝0.05，InyGa1-yN生长温度为800摄氏度，GaN生长温度为900摄氏度。所述V形坑控制层可控制V形坑的尺寸、密度和开角，V形坑的开角范围为55～65度；接着，在图形化衬底的图形之间与V形坑控制层102上方沉积带有V形坑的第一V形坑层103a，V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面，所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN(x＝0.15)，每一周期厚度为15nm，InxGa1-xN/GaN的组合周期K＝10；
步骤(3)：在第一V形坑层103a的斜面平面和图形化衬底斜面沉积第一反射层104a，所述的反射层为Al反射镜，生长方法为在MOCVD反应室内，将反应室的NH3排干净，然后，通过氮气N2和氢气H2，将外延生长温度降至900摄氏度通过TMAl，沉积一层Al原子层，然后，升至1200摄氏度进行快速退火，形成Al反射镜；可重复以上步骤，以提升Al反射镜的致密性。
步骤(4)：在第一反射层104a上方沉积带有V形坑的第二V形坑层103b，V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面；所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，厚度为5～50nm；
步骤(5)：在第二V形坑层103b的斜面和平面上沉积第二反射层104b，所述的反射层为Al反射镜，生长方法为在MOCVD反应室内，将反应室的NH3排干净，然后，通过氮气N2和氢气H2，将外延生长温度降至900摄氏度通过TMAl，沉积一层Al原子层，然后，升至1200摄氏度进行快速退火，形成Al反射镜；可重复以上步骤，以提升Al反射镜的致密性。
所述的V形坑层及反射层的周期数为N(N≥1)，位于图形化衬底的图形之间，通过斜面镀有反射层的凸形图形化衬底和V形坑斜面、平面镀有反射层的凹形V形坑构成凹凸排列的散射反射层105，通过凸形图形化衬底和凹形V形坑改变光传输路径，提升发光二极管的光提取效率和反射效率。
每一周期的V形坑及反射层的厚度为T，散射反射层105的总厚度Ta＝N*T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；
步骤(6)：在周期数为N的V形坑和反射层构成多重散射反射层105上沉积缓冲层106，将制作成多重散射反射层105的外延片取出，在磁控溅射机台沉积一层AlN缓冲层106，构成籽晶层；
步骤(7)：在缓冲层106上依次沉积第一导电型的第一半导体层107，有源发光层108，第二导电型的第二半导体层109，从而制作成氮化物半导体发光二极管。
本发明通过结合凸形的图形化衬底和凹形的V形坑的N周期的散射反射层105结构以及其斜面镀的反射层，形成凹凸排列的多层散射反射层，可以极大地提升氮化物半导体发光二极管的光提取效率。
上面结合附图对本发明优选实施方式作了详细说明，但是本发明不限于上述实施方式，在本领域普通技术人员所具备的知识范围内，还可以在不脱离本发明宗旨的前提下做出各种变化，这些变化涉及本领域技术人员所熟知的相关技术，这些都落入本发明专利的保护范围。
不脱离本发明的构思和范围可以做出许多其他改变和改型。应当理解，本发明不限于特定的实施方式，本发明的范围由所附权利要求限定。
Claims (7)
1.一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：包括图形化衬底、V形坑控制层、在图形化衬底的图形之间至少具有一个周期的V形坑层和反射层构成的散射反射层、缓冲层、第一导电型的第一半导体层、有源发光层和第二导电型的第二半导体层；
所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN组合，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；所述散射反射层的周期数为N，每一周期厚度为T，总厚度Ta＝N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；所述V形坑控制层可控制形成开角范围为55～65度的V形坑。
2.根据权利要求1所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面，V形坑材料InxGa1-xN/GaN组合，且0<x<1的多量子阱或超晶格的周期数20≥K≥3。
3.根据权利要求1所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述反射层的材料为Al反射镜或Ag反射镜。
4.根据权利要求1所述的一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述图形化衬底的材料为蓝宝石Al2O3、Si、SiC、GaAs、GaN、AlN中的一种。
5.如权利要求1～4任一所述的一种氮化物半导体发光二极管的制作方法，其特征在于，包含以下步骤：
(1)在平面衬底上制作图形化衬底的图形；
(2)在图形化衬底的图形间隙沉积V形坑控制层，然后，沉积带有V形坑的第一V形坑层，所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面；所述V形坑控制层可控制V形坑的尺寸、密度和开角，V形坑的开角范围为55～65度；
(3)在第一V形坑层的斜面、平面和图形化衬底的斜面上沉积第一反射层；
(4)在反射层上方沉积带有V形坑的第二V形坑层，V形坑的斜面为(10-10)晶面，V形坑之间的平面为(0001)晶面；所述V形坑控制层可控制V形坑的尺寸、密度和开角，V形坑的开角范围为55～65度；所述V形坑层的材料为InxGa1-xN/GaN，且0<x<1，每一周期厚度为5～50nm，位于图形化衬底之间；
(5)在第二V形坑层的斜面和平面上沉积第二反射层；所述的V形坑层及反射层的周期数为N，每一周期厚度为T，构成的散射反射层的总厚度Ta＝N×T小于等于图形化衬底的图形高度H，即H≥Ta；
(6)在周期数为N的V形坑和反射层构成多重散射反射层上沉积缓冲层；
(7)在缓冲层上依次沉积第一导电型的第一半导体层，有源发光层，第二导电型的第二半导体层，从而制得最终产品。
6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述V形坑控制层材料为GaN与In组分InyGa1-yN/GaN超晶格的组合，生长温度为600～900摄氏度。
7.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于：所述缓冲层采用磁控溅射方法沉积，沉积材料为AlN、GaN或混晶AlGaN缓冲层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710134634.XA CN106848015B (zh) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201710134634.XA CN106848015B (zh) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN106848015A CN106848015A (zh) | 2017-06-13 |
| CN106848015B true CN106848015B (zh) | 2019-03-15 |
Family
ID=59137517
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201710134634.XA Expired - Fee Related CN106848015B (zh) | 2017-03-08 | 2017-03-08 | 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN106848015B (zh) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN108110106B (zh) * | 2017-12-14 | 2019-08-27 | 扬州乾照光电有限公司 | 一种led芯片的制备方法及led芯片 |
| CN109713077B (zh) * | 2018-12-01 | 2020-05-15 | 王星河 | 一种多重响应波段的半导体探测器 |
| CN113764555B (zh) * | 2021-07-28 | 2023-09-01 | 西安电子科技大学芜湖研究院 | 基于纳米图形***层的AlN紫外发光二极管及其制备方法 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368763B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-05-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN101345274A (zh) * | 2007-07-11 | 2009-01-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 |
| CN101504961A (zh) * | 2008-12-16 | 2009-08-12 | 华中科技大学 | 面发射多色发光二极管及其制造方法 |
| CN102169935A (zh) * | 2010-02-18 | 2011-08-31 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN103915533A (zh) * | 2014-04-10 | 2014-07-09 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 图形化衬底、倒装led芯片及其制作方法 |
| CN105742435A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-06 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
-
2017
- 2017-03-08 CN CN201710134634.XA patent/CN106848015B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7368763B2 (en) * | 2005-01-13 | 2008-05-06 | Hitachi, Ltd. | Semiconductor device and manufacturing method thereof |
| CN101345274A (zh) * | 2007-07-11 | 2009-01-14 | 中国科学院半导体研究所 | 一种利用图形化衬底提高GaN基LED发光效率的方法 |
| CN101504961A (zh) * | 2008-12-16 | 2009-08-12 | 华中科技大学 | 面发射多色发光二极管及其制造方法 |
| CN102169935A (zh) * | 2010-02-18 | 2011-08-31 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件 |
| CN103915533A (zh) * | 2014-04-10 | 2014-07-09 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 图形化衬底、倒装led芯片及其制作方法 |
| CN105742435A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-06 | 安徽三安光电有限公司 | 一种发光二极管及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN106848015A (zh) | 2017-06-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TW573372B (en) | GaN-based III-V group compound semiconductor light-emitting diode and the manufacturing method thereof | |
| US8563997B2 (en) | Semiconductor light emitting device | |
| US8390010B2 (en) | Solid state lighting devices with cellular arrays and associated methods of manufacturing | |
| CN101740700B (zh) | 发光器件 | |
| CN106848015B (zh) | 一种氮化物半导体发光二极管及其制作方法 | |
| US20100123118A1 (en) | LED Epitaxial Wafer with Patterned GaN based Substrate and Manufacturing Method For the Same | |
| CN106848013B (zh) | 一种半导体发光二极管及其制作方法 | |
| CN1996630A (zh) | 发光二极管及其制造方法以及在电子设备中的应用 | |
| TWI419364B (zh) | Light emitting device | |
| US7049638B2 (en) | High-brightness gallium-nitride based light emitting diode structure | |
| US9337384B2 (en) | Light-emitting diode and fabrication method thereof | |
| CN102244168A (zh) | 发光二极管及其制造方法 | |
| CN101093866A (zh) | 氮化物半导体发光器件的透明电极及其制法 | |
| CN1510765A (zh) | 氮化镓基ⅲ-ⅴ族化合物半导体led的发光装置及其制造方法 | |
| US9570654B2 (en) | Nitride light emitting diode and fabrication method thereof | |
| JP7167330B2 (ja) | 光取出し効率を向上させるための紫外ｌｅｄチップ及びその製造方法 | |
| CN109768126B (zh) | 一种发光二极管外延片的制造方法 | |
| CN108346718A (zh) | 利用低折射率材料为介质的复合图形衬底及其制作方法 | |
| US7345321B2 (en) | High-brightness gallium-nitride based light emitting diode structure | |
| CN101861662A (zh) | 发光器件 | |
| CN106025024A (zh) | 一种氮化物发光二极管及其制作方法 | |
| CN101488549B (zh) | 能增加出光率的led制作方法 | |
| KR101338274B1 (ko) | 질화물계 발광 소자 및 그 제조방법 | |
| TWI385820B (zh) | 半導體發光元件及其製造方法 | |
| CN101859835A (zh) | 发光二极管结构及其制造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| PB01 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20211216 Address after: 237161 A1 building, Lu'an University Science Park, Sanshipu Town, Jin'an District, Lu'an City, Anhui Province Patentee after: Anhui Geen Semiconductor Co.,Ltd. Address before: No. 27, Binhai community, Shijing Town, Nan'an City, Quanzhou City, Fujian Province Patentee before: Wang Xinghe |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20220623 Address after: 362343 No. 27, Binhai community, Shijing Town, Quanzhou City, Fujian Province Patentee after: Wang Xinghe Address before: 237161 A1 building, Lu'an University Science Park, Sanshipu Town, Jin'an District, Lu'an City, Anhui Province Patentee before: Anhui Geen Semiconductor Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190315 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |