CN106835262B - 一种生长四硼酸铝盐晶体的方法 - Google Patents

一种生长四硼酸铝盐晶体的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及四硼酸铝盐晶体的生长方法。该方法采用新的NaF‑AlF3‑B2O3化合物体系作为助熔剂生长四硼酸铝盐晶体，可以减弱晶体生长过程中溶液某些成分的挥发，从而有效避免由于溶液某些成分的挥发所造成的晶体生长不稳定和晶体缺陷。采用本发明技术方案可生长获得大尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶，有利于提高利用该单晶制作的激光和非线性光学器件的性能。

Description

一种生长四硼酸铝盐晶体的方法
技术领域
本发明涉及一种单晶的生长方法，具体的说是涉及四硼酸铝盐晶体的助熔剂法生长。
背景技术
四硼酸铝盐晶体RAl3(BO3)4具有良好的物理化学性能以及较高的热导率和较小的热膨胀各向异性，耐强酸强碱，不潮解。该类晶体具有较大的非线性光学系数，适中的双折射率以及宽的透光波段，是一种优秀的非线性光学晶体材料。该类晶体中的部分R3+离子格位如果被某些稀土离子(如Nd3+，Yb3+和Er3+等)所占据，在半导体激光泵浦下可实现基波激光，因此也是一种优秀的激光晶体材料；若该晶体沿一定的相位匹配角切割，还可进一步实现自变频激光输出，从而称之为自变频激光晶体材料。由于该类晶体为非同成分熔化，所以必须采用助熔剂法进行生长。目前普遍采用的是以三氧化钼为基础的助熔剂体系，在生长过程中三氧化钼容易挥发，不仅造成晶体生长不稳定，而且Mo3+会进入晶体中成为杂质离子，从而降低所生长晶体的光学质量。
发明内容
本发明的目的在于提供一种新的助熔剂体系用于生长四硼酸铝盐单晶。该助熔剂体系能够有效降低高温溶液成分在晶体生长过程中的挥发，提高晶体生长的稳定性，从而获得厘米级尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶。
本发明包括如下技术方案：
1.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长四硼酸铝盐晶体RAl3(BO3)4，其中R为Y、Gd、Lu、Er、Yb、Nd、Dy、Tb、Sm元素中某一元素或若干元素的组合；将四硼酸铝盐化合物与NaF-AlF3-B2O3化合物体系按一定比例混合均匀后置于铂坩埚中，加热至1050-1150℃熔化并恒温一定时间，再降至溶液饱和温度点附近进行精确的饱和温度点的测试，获得精确的饱和温度点后，将溶液温度提高到饱和温度点以上5-15℃，再将固定在籽晶杆上的籽晶放入溶液中，恒温10-30小时后以0.5-3℃/天的速率降温，同时以5-30转/分的速率转动晶体。当晶体生长到所需尺寸后，停止转动晶体并提离液面，再以5-40℃/小时的速率降至室温，即可获得四硼酸铝盐晶体。
2.如项1所述的方法，其特征在于：四硼酸铝盐化合物与NaF-AlF3-B2O3化合物体系间的质量百分比为(20-30):100。
3.如项1所述的方法，其特征在于：NaF-AlF3-B2O3化合物体系中NaF、AlF3和B2O3化合物间的质量百分比为1:(1-2):(1.5-2.5)。
利用本发明技术方案提出的助熔剂体系生长四硼酸铝盐晶体，可以减弱晶体生长过程中溶液某些成分的挥发，因此可以有效避免由于溶液某些成分的挥发所造成的晶体生长不稳定和晶体缺陷。采用本发明技术方案可生长获得大尺寸和高光学质量的四硼酸铝盐单晶，有利于提高利用该单晶制作的激光和非线性光学器件的性能。
具体实施方式
实例1：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长YAl3(BO3)4晶体
分别称取43g的Y2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1050℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上10℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长24小时后以1℃/天的速率降温，并以15转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以40℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于15×20×30mm3的优质透明YAl3(BO3)4晶体。
实例2：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长GdAl3(BO3)4晶体
分别称取64g的Gd2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和104.5g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温15小时后降至1080℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上7℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长20小时后以0.5℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以30℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于10×25×25mm3的优质透明GdAl3(BO3)4晶体。
实例3：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长LuAl3(BO3)4晶体
分别称取71.8g的Lu2O3、509.3g的H3BO3、55.1g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和126.3g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1150℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温30小时后降至1060℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上15℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长30小时后以2℃/天的速率降温，并以25转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以20℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于20×30×25mm3的优质透明LuAl3(BO3)4晶体。
实例4：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长Nd0.04Y0.96Al3(BO3)4晶体
分别称取2.56g的Nd2O3、41.28g的Y2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1050℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上8℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长30小时后以1.5℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以35℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于20×20×30mm3的优质透明单晶Nd0.04Y0.96Al3(BO3)4晶体。
实例5：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长Yb0.1Gd0.9Al3(BO3)4晶体
分别称取7.5g的Yb2O3、57.7g的Gd2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1060℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上10℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长24小时后以2℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以40℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于15×15×30mm3的优质透明Yb0.1Gd0.9Al3(BO3)4晶体。
实例6：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长Er0.015Yb0.15Lu0.835Al3(BO3)4晶体
分别称取1.03g的Er2O3、10.67g的Yb2O3、60g的Lu2O3、509.3g的H3BO3、55.1g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和126.3g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀。。把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1060℃。用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上12℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点。恒温生长30小时后以1.5℃/天的速率降温，并以30转/分的速率转动晶体。当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。再以40℃/小时的速率退火至室温，获得尺寸大于15×20×25mm3的优质透明Er0.015Yb0.15Lu0.835Al3(BO3)4晶体。

Claims (7)

1.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：采用NaF-AlF3-B2O3化合物体系做助熔剂生长四硼酸铝盐晶体RAl3(BO3)4，其中R为Y、Gd、Lu、Er、Yb、Nd、Dy、Tb、Sm元素中某一元素或若干元素的组合；将四硼酸铝盐化合物与NaF-AlF3-B2O3化合物体系按质量百分比为(20-30):100混合均匀后置于铂坩埚中，加热至1050-1150℃熔化并恒温一定时间，再降至溶液饱和温度点附近进行精确的饱和温度点的测试，获得精确的饱和温度点后，将溶液温度提高到饱和温度点以上5-15℃，再将固定在籽晶杆上的籽晶放入溶液中，恒温10-30小时后以0.5-3℃/天的速率降温，同时以5-30转/分的速率转动晶体；当晶体生长到所需尺寸后，停止转动晶体并提离液面，再以5-40℃/小时的速率降至室温，即可获得四硼酸铝盐晶体；所述NaF-AlF3-B2O3化合物体系中NaF、AlF3和B2O3化合物间的质量百分比为1:(1-2):(1.5-2.5)。
2.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取43g的Y2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1050℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上10℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长24小时后以1℃/天的速率降温，并以15转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
3.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取64g的Gd2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和104.5g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温15小时后降至1080℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上7℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长20小时后以0.5℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
4.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取71.8g的Lu2O3、509.3g的H3BO3、55.1g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和126.3g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1150℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温30小时后降至1060℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上15℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长30小时后以2℃/天的速率降温，并以25转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
5.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取2.56g的Nd2O3、41.28g的Y2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1050℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上8℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长30小时后以1.5℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
6.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取7.5g的Yb2O3、57.7g的Gd2O3、514.3g的H3BO3、58.2g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和142.9g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1060℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上10℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长24小时后以2℃/天的速率降温，并以20转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
7.一种生长四硼酸铝盐晶体的方法，其特征在于：分别称取1.03g的Er2O3、10.67g的Yb2O3、60g的Lu2O3、509.3g的H3BO3、55.1g的Al2O3、333.4g的AlF3·3H2O和126.3g的NaF一起置于玛瑙研钵中研磨并混合均匀；把混合均匀的原料通过高温熔料炉在1100℃分多次熔化后倒入φ70×70mm3的铂坩埚内，并放置于晶体生长炉中，将生长炉升温至1150℃恒温20小时后降至1060℃；用不断下籽晶方法确定溶液的饱和温度点，然后将溶液升温至饱和温度点以上12℃后，将事先固定在籽晶杆上的籽晶缓慢地下降至液面以下，恒温半小时后降至饱和温度点；恒温生长30小时后以1.5℃/天的速率降温，并以30转/分的速率转动晶体；当降温量达80℃时，停止转动晶体并提离液面，结束生长。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN114686982B (zh) * 2020-12-29 2024-04-12 中国科学院福建物质结构研究所 一种四硼酸镓盐非线性光学晶体及其制备方法和用途
CN115161770A (zh) * 2021-04-06 2022-10-11 中国科学院福建物质结构研究所 一种稀土离子掺杂四硼酸镓盐晶体、键合晶体、及晶体的制备方法和用途
CN115182047A (zh) * 2021-04-06 2022-10-14 中国科学院福建物质结构研究所 一种自激活四硼酸镓盐晶体、键合晶体、及晶体的制备方法和用途

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070437A (zh) * 1992-06-12 1993-03-31 山东大学 一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺
CN1148638A (zh) * 1996-07-23 1997-04-30 山东大学 掺稀土四硼酸铝钆晶体及其生长方法
JP2003096448A (ja) * 2001-09-27 2003-04-03 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用蛍光体
CN1455030A (zh) * 2002-05-03 2003-11-12 中国科学院福建物质结构研究所 自倍频蓝色激光晶体掺钕硼酸钆铝
CN1778999A (zh) * 2004-11-28 2006-05-31 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学材料硼酸钆铝
CN1780074A (zh) * 2004-11-28 2006-05-31 中国科学院福建物质结构研究所 一种激光晶体材料掺铥硼酸钆铝及其制备方法和用途
CN1958881A (zh) * 2005-11-01 2007-05-09 中国科学院福建物质结构研究所 硼酸盐激光晶体Li6R (1－x) REx（BO3）3及其制备方法和用途
CN101545137A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 中国科学院福建物质结构研究所 一类铒离子激活硼酸盐激光晶体及其制备方法与用途
CN101831705A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 钨酸盐助溶剂体系生长YAl3(BO3)4晶体的方法
CN101831706A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法
CN102140690A (zh) * 2010-12-31 2011-08-03 陈哲艮 光致发光晶片及其制备方法和应用
CN103290475A (zh) * 2012-02-27 2013-09-11 中国科学院理化技术研究所 GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1070437A (zh) * 1992-06-12 1993-03-31 山东大学 一种复合功能晶体掺镥四硼酸铝钇钕生长工艺
CN1148638A (zh) * 1996-07-23 1997-04-30 山东大学 掺稀土四硼酸铝钆晶体及其生长方法
JP2003096448A (ja) * 2001-09-27 2003-04-03 Sumitomo Chem Co Ltd 真空紫外線励起発光素子用蛍光体
CN1455030A (zh) * 2002-05-03 2003-11-12 中国科学院福建物质结构研究所 自倍频蓝色激光晶体掺钕硼酸钆铝
CN1778999A (zh) * 2004-11-28 2006-05-31 中国科学院福建物质结构研究所 一种非线性光学材料硼酸钆铝
CN1780074A (zh) * 2004-11-28 2006-05-31 中国科学院福建物质结构研究所 一种激光晶体材料掺铥硼酸钆铝及其制备方法和用途
CN1958881A (zh) * 2005-11-01 2007-05-09 中国科学院福建物质结构研究所 硼酸盐激光晶体Li6R (1－x) REx（BO3）3及其制备方法和用途
CN101545137A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 中国科学院福建物质结构研究所 一类铒离子激活硼酸盐激光晶体及其制备方法与用途
CN101831705A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 钨酸盐助溶剂体系生长YAl3(BO3)4晶体的方法
CN101831706A (zh) * 2009-03-13 2010-09-15 中国科学院福建物质结构研究所 一种紫外低吸收YAl3(BO3)4晶体的生长方法
CN102140690A (zh) * 2010-12-31 2011-08-03 陈哲艮 光致发光晶片及其制备方法和应用
CN103290475A (zh) * 2012-02-27 2013-09-11 中国科学院理化技术研究所 GdAl3(BO3)4晶体生长助熔剂及GdAl3(BO3)4晶体生长方法

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