CN106830949B - 一种陶瓷烧制方法 - Google Patents

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Abstract

一种陶瓷烧制方法，包括:在窑炉内水平设置第一窑板；在所述第一窑板上铺设多个耐高温球；在所述多个耐高温球上铺设用于在陶瓷坯体的底部进行均匀支撑的至少两块第二窑板，相邻第二窑板之间均具有间隙；将陶瓷坯体置于所述第二窑板上，使其底部被所述至少两块第二窑板均匀支撑；启动窑炉烧制所述陶瓷坯体，烧制温度1100‑1300℃，时间6‑8小时。本发明方法在烧制陶瓷坯体的过程中，第二窑板会随着坯体收缩应力牵引而作相对移动，以此释放产品的收缩应力，彻底解决高端直边产品的变形问题，提高了产品的烧成合格率，也提升了此类产品的品质，降低了成本。

Description

一种陶瓷烧制方法
技术领域
本发明涉及陶瓷制造技术，尤其涉及一种陶瓷烧制方法。
背景技术
现有陶瓷坯体产品因烧成工艺的特殊性，最终产品需经过高温烧制而成，在烧成过程中坯体产品3会有10％左右的收缩，而用来承托产品的窑具是不收缩的，因此坯体产品3与窑具4接触的面就产生了收缩差，产生收缩应力造成产品烧成接触面的变形(参见图5(a)以及图5(b))，变成烧成废品。
现有的工厂为解决此类收缩变形，采用在窑具4上铺泥板5垫烧的方式。但因泥板强度低，承重能力差，在烧成过程中极易断裂。泥板5断裂后引起坯体产品3从泥板5断裂处A发生变形(参见图6(a)以及图6(b))，而且烧过的泥板不能回收利用。
发明内容
基于此，针对上述技术问题，提供一种陶瓷坯体承托窑具。
为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：
一种陶瓷烧制方法，包括:
在窑炉内水平设置第一窑板；
在所述第一窑板上铺设多个耐高温球；
在所述多个耐高温球上铺设用于在陶瓷坯体的底部进行均匀支撑的至少两块第二窑板，相邻第二窑板之间均具有间隙；
将陶瓷坯体置于所述第二窑板上，使其底部被所述至少两块第二窑板均匀支撑；
启动窑炉烧制所述陶瓷坯体，烧制温度1100-1300℃，时间6-8小时。
本方案还包括：在所述第一窑板上设置用于在所述耐高温球外侧进行限位的挡框，其厚度略低于所述耐高温球的直径。
所述间隙为30mm-40mm。
所述第二窑板为四块，四块第二窑板呈2×2矩阵铺设于所述多个耐高温球上，且均匀支撑于陶瓷坯体的底部。
所述耐高温球采用直径20mm的耐高温氧化铝球、耐高温碳化硅球或耐高温陶瓷球。
所述挡框的厚度为15-18mm。
所述第二窑板为矩形。
所述间隙为30mm。
所述烧制温度1200℃，时间7小时。
本发明方法在烧制陶瓷坯体的过程中，第二窑板会随着坯体收缩应力牵引而作相对移动，以此释放产品的收缩应力，彻底解决高端直边产品的变形问题，提高了产品的烧成合格率，也提升了此类产品的品质，降低了成本。
附图说明
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明：
图1为本发明方法的原理图；
图2为图1的俯视图；
图3为本发明方法在烧成后的示意图；
图4为图3的俯视图；
图5(a)为坯体产品通过传统方法烧成后的示意图；
图5(b)为图5(a)的俯视图；
图6(a)为坯体产品通过传统加铺泥板垫烧后的示意图；
图6(b)为图6(a)的俯视图。
具体实施方式
如图1-4所示，一种陶瓷烧制方法，包括:
一、在窑炉内水平设置第一窑板110。
二、在第一窑板110上铺设多个耐高温球130。
三、在多个耐高温球130上铺设用于在陶瓷坯体2的底部进行均匀支撑的至少两块第二窑板120，相邻第二窑板之间均具有间隙，确保第二窑板120在移动时不会相互干扰碰撞。
具体地，第二窑板120为矩形，上述间隙为30mm-40mm。
当陶瓷坯体产品的形状比较特殊时，如长条形，其较窄侧的收缩可以忽略不计，此时，第二窑板120选择两块或者三块即可。
三、将陶瓷坯体2置于第二窑板120上，使其底部被至少两块第二窑板120均匀支撑。
较佳的，第二窑板120为四块，四块第二窑板120呈2×2矩阵铺设于多个耐高温球130上，且均匀支撑于陶瓷坯体2的底部四角。
通过测量陶瓷坯体产品与窑板接触面的四个方向的收缩数据，确定在高温下其在理论状态下会发生相对位移距离30mm，故上述间隙为30mm。
四、启动窑炉烧制陶瓷坯体2，烧制温度1300-1400℃，时间6-8小时。
较佳的，烧制温度1200℃，时间7小时，效率高、烧成质量好。
为了对耐高温球130进行限位，本发明方法还在第一窑板110上设置用于在耐高温球外侧进行限位的挡框140，其厚度略低于耐高温球130的直径(不可低于耐高温球130的高度的一半)。
其中，耐高温球采用直径20mm的耐高温氧化铝球、耐高温碳化硅球或耐高温陶瓷球，挡框140的厚度为15-18mm。
本发明方法在烧制陶瓷坯体的过程中，第二窑板120会随着坯体收缩应力牵引而作相对移动，以此释放产品的收缩应力，彻底解决高端直边产品的变形问题，提高了产品的烧成合格率，也提升了此类产品的品质，降低了成本。
实施例1
一种陶瓷烧制方法，包括:
一、在窑炉内水平设置第一窑板110。
二、在第一窑板110上铺设多个耐高温陶瓷球130。
三、在多个耐高温陶瓷球130上铺设两块第二窑板120，相邻第二窑板之间的间隙为35mm。
三、将陶瓷坯体2置于第二窑板120上，使其底部被两块第二窑板120均匀支撑。
四、在第一窑板110上设置用于在耐高温陶瓷球130外侧进行限位的挡框140，其厚度为15mm。
五、启动窑炉烧制陶瓷坯体2，烧制温度1300℃，时间8小时。
本实施例烧制的陶瓷坯体为对长条形，其较窄侧的收缩可以忽略不计，故第二窑板120选择两块。
实施例2
一种陶瓷烧制方法，包括:
一、在窑炉内水平设置第一窑板110。
二、在第一窑板110上铺设多个耐高温氧化铝球130。
三、在多个耐高温氧化铝球130上铺设四块呈2×2矩阵的第二窑板120，相邻第二窑板之间的间隙为30mm。
三、将陶瓷坯体2置于第二窑板120上，使其底部被四块第二窑板120均匀支撑。
四、在第一窑板110上设置用于在耐高温氧化铝球130外侧进行限位的挡框140，其厚度为16mm。
五、启动窑炉烧制陶瓷坯体2，烧制温度1200℃，时间7小时。
本实施例烧制的陶瓷坯体为长宽差不多的规则形状，故第二窑板120选择四块。
但是，本技术领域中的普通技术人员应当认识到，以上的实施例仅是用来说明本发明，而并非用作为对本发明的限定，只要在本发明的实质精神范围内，对以上所述实施例的变化、变型都将落在本发明的权利要求书范围内。

Claims (8)

1.一种陶瓷烧制方法，其特征在于，包括:
在窑炉内水平设置第一窑板；
在所述第一窑板上铺设多个耐高温球；
在所述多个耐高温球上铺设用于在陶瓷坯体的底部进行均匀支撑的至少两块第二窑板，相邻第二窑板之间均具有间隙；
将陶瓷坯体置于所述第二窑板上，使其底部被所述至少两块第二窑板均匀支撑；
启动窑炉烧制所述陶瓷坯体，烧制温度1100-1300℃，时间6-8小时；
还包括：在所述第一窑板上设置用于在所述耐高温球外侧进行限位的挡框，其厚度略低于所述耐高温球的直径。
2.根据权利要求1所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述间隙为30mm-40mm。
3.根据权利要求2所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述第二窑板为四块，四块第二窑板呈2×2矩阵铺设于所述多个耐高温球上，且均匀支撑于陶瓷坯体的底部。
4.根据权利要求3所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述耐高温球采用直径20mm的耐高温氧化铝球、耐高温碳化硅球或耐高温陶瓷球。
5.根据权利要求4所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述挡框的厚度为15-18mm。
6.根据权利要求5所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述第二窑板为矩形。
7.根据权利要求6所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述间隙为30mm。
8.根据权利要求7所述的一种陶瓷烧制方法，其特征在于，所述烧制温度1200℃，时间7小时。
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