CN106531895B - 量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置 - Google Patents

量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明公开量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，所述量子点发光二极管依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜。本发明以掺杂硫化铜薄膜来制备空穴注入层，这是因为所用的掺杂硫化铜不仅材料便宜，而且无毒稳定。另外，通过采用掺杂硫化铜代替传统的PEDOT:PSS作为空穴注入层，能够很好地调节ITO表面功函数、CuS的能带结构和载流子传输性能，有效地提高空穴注入效率和透光性，从而提高QLED器件的发光效率、稳定性和使用寿命。

Description

量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置
技术领域
本发明涉及量子点发光二极管技术领域，尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置。
背景技术
量子点（Quantum dots, QDs）是一种颗粒尺寸为1~10 nm的纳米晶材料，其具有发射光谱窄、发光效率高、发光稳定性好、发光光谱随尺寸可调等特殊优点，有潜力取代传统的有机或无机发光体成为下一代发光器件的核心部分。基于量子点的发光二极管（Quantumdot light-emitting diodes, QLED）与传统的LED和有机发光二极管（Organic light-emitting diode, OLED）相比在色饱和度、稳定性和制备成本上表现出明显的优势，有望成为下一代显示和照明技术的有力竞争者。
目前所研究的QLED器件中，大多数采用聚（3,4-乙撑二氧噻吩）-聚苯乙烯磺酸（PEDOT:PSS）作为空穴注入层，其主要作用是使空穴顺利从ITO阳极注入到量子点发光层。但是PEDOT:PSS具有很强的吸水性和极强的酸性（pH≈2~3），容易腐蚀ITO，严重影响QLED器件的稳定性。此外，PEDOT:PSS的功函数（约为5.2 eV）比量子点的价带浅，且不能同时保证PEDOT:PSS层与不同量子点之间形成欧姆接触，对电子的注入存在一定的影响，最终会导致器件发光效率降低。为此，有必要寻找更加合适的材料作为QLED器件的空穴注入层。
目前，已有不少报道使用无机p型金属氧化物作为QLED器件的空穴注入/传输层材料，如NiOx、MoOx、WOx、VOx、NiLiMgO等。尽管如此，这些金属氧化物空穴注入/传输层制备过程较为复杂，对ITO的表面粗糙度和透光度带来一定的影响，而且一般具有较低的空穴注入/传输效率，难以满足工业化生产的需求。
因此，现有技术还有待于改进和发展。
发明内容
鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，旨在解决现有空穴注入层材料的空穴注入效率和透光性较低的问题。
本发明的技术方案如下：
一种量子点发光二极管，其中，所述量子点发光二极管依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；
其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜。
所述的量子点发光二极管，其中，掺杂硫化铜为Cu掺杂硫化铜、Co掺杂硫化铜、Zn掺杂硫化铜、Mg掺杂硫化铜、Ni掺杂硫化铜、Mn掺杂硫化铜、Ho掺杂硫化铜、In掺杂硫化铜、Sb掺杂硫化铜中的一种或多种。
所述的量子点发光二极管，其中，所述掺杂硫化铜薄膜的厚度为1~50 nm。
所述的量子点发光二极管，其中，掺杂硫化铜薄膜的形状为球形颗粒、片状、棒状、纳米线、网状结构中的一种或多种。
所述的量子点发光二极管，其中，所述掺杂硫化铜薄膜的结构为致密结构或多孔结构。
一种如上任一所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，包括：
步骤A、在阳极上制备空穴注入层；其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜；
步骤B、然后在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤C、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤D、最后在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，形成量子点发光二极管。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述掺杂硫化铜薄膜采用掺杂硫化铜溶液制备而成，所述掺杂硫化铜溶液的制备方法包括：将硫化钠溶液加入到氯化铜、柠檬酸钠、掺杂金属盐的混合溶液中，搅拌均匀后，将混合溶液加热到60~100 °C，反应10~120min，得到掺杂硫化铜溶液。
所述的量子点发光二极管的制备方法，其中，所述硫化钠的浓度为0.1~1 M，所述氯化铜的浓度为0.5~10 mM，所述柠檬酸钠的浓度为0.01~0.5 mM，所述掺杂金属盐的浓度为0~5 mM。
一种发光模组，其中，所述发光模组包括如上任一项所述的量子点发光二极管。
一种显示装置，其中，所述显示装置包括如上所述的发光模组。
有益效果：本发明采用掺杂硫化铜薄膜作为空穴注入层，以很好地调节ITO表面功函数、CuS的能带结构和载流子传输性能，有效地提高空穴注入效率和透光性，从而提高QLED器件的发光效率、稳定性和使用寿命。
附图说明
图1为本发明的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图。
图2为本发明的一种量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图。
具体实施方式
本发明提供一种量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
请参阅图1，图1为本发明的一种量子点发光二极管较佳实施例的结构示意图，如图所示，所述量子点发光二极管依次包括阳极1、空穴注入层2、空穴传输层3、量子点发光层4、电子传输层5及阴极6；其中，所述空穴注入层2为掺杂硫化铜薄膜。
本发明以掺杂硫化铜薄膜来制备空穴注入层，这是因为所用的掺杂硫化铜不仅材料便宜，而且无毒稳定。另外，通过采用掺杂硫化铜代替传统的PEDOT:PSS作为空穴注入层，能够很好地调节ITO表面功函数、CuS的能带结构和载流子传输性能，有效地提高空穴注入效率和透光性，从而提高QLED器件的发光效率、稳定性和使用寿命。
本发明掺杂硫化铜的化学通式为Cu1-xMxS，其中，CuS为基质，Mn+为掺杂离子，x的取值范围为0~0.5，优选地，x的取值范围为0.01~0.25；所述掺杂硫化铜的带隙为2.1~3.6 eV。优选地，所述Mn+为Cu+、Co2+、Zn2+、Mg2+、Ni2+、Mn2+、Ho3+、In3+、Sb3+中的一种或多种。即掺杂硫化铜可以为Cu掺杂硫化铜、Co掺杂硫化铜、Zn掺杂硫化铜、Mg掺杂硫化铜、Ni掺杂硫化铜、Mn掺杂硫化铜、Ho掺杂硫化铜、In掺杂硫化铜、Sb掺杂硫化铜中的一种或多种。
具体地，本发明所述掺杂硫化铜薄膜的厚度为1~50 nm，例如，厚度可以为1 nm、25nm或50 nm。
具体地，本发明所述掺杂硫化铜薄膜的形状可以为球形颗粒、片状、棒状、纳米线、网状结构中的一种或多种。所述掺杂硫化铜薄膜的结构可以为致密结构或多孔结构。
本发明所述掺杂硫化铜可以通过化学法或物理法制备所得，其中化学法包括但不限于溶胶-凝胶法（Sol-gel method）、化学浴沉积法（Chemical bath deposition, CBD）、化学气相沉积法（Chemical vapor deposition, CVD）、水热法（Hydrothermal method）、共沉淀法、电化学沉积法；物理法包括但不限于热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法、电解法。
本发明硫化铜（CuS）作为一种优良的p型半导体，在光催化等领域有重要的研究，而且通过对CuS进行掺杂，可以进一步调节其能带结构和改变其材料特性。本发明基于CuS的材料性质，以掺杂硫化铜为空穴注入层的量子点发光器件，该空穴注入层的引入不仅能够克服传统PEDOT:PSS空穴注入层材料的不足，而且能使ITO与空穴注入层、以及空穴注入层与不同量子点之间的能带更加匹配，有效降低从ITO衬底到量子点发光层的空穴注入势垒，更利于空穴的注入，从而提高QLED器件的发光效率和稳定性。
具体地，本发明所述阳极可以为但不限于铟掺杂氧化锡（ITO）、氟掺杂氧化锡（FTO）、锑掺杂氧化锡（ATO）、铝掺杂氧化锌（AZO）中的一种或多种。
具体地，本发明所述空穴传输层可选自具有空穴传输能力的有机材料，可以为但不限于聚(9,9-二辛基芴-CO-N-(4-丁基苯基)二苯胺)（TFB）、聚乙烯咔唑（PVK）、聚(N, N'双(4-丁基苯基)-N,N'-双(苯基)联苯胺)（poly-TPD）、聚(9,9-二辛基芴-共-双-N,N-苯基-1,4-苯二胺)（PFB）、4,4’,4’’-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）、4,4'-二(9-咔唑)联苯（CBP）、N,N’-二苯基-N,N’-二(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺（TPD）、N,N’-二苯基-N,N’-（1-萘基）-1,1’-联苯-4,4’-二胺（NPB）、掺杂石墨烯、非掺杂石墨烯、C60或它们的混合物。
具体地，本发明所述空穴传输层还可选自具有空穴传输能力的无机材料，可以为但不限于NiO、WO3、MoO3、CuO、VO2、CrO3、MoS2、MoSe2、WS2、WSe2、CuS或它们的混合物。
具体地，本发明所述量子点发光层的材料可以为但不限于掺杂或非掺杂的II-V族化合物半导体、III-V族化合物半导体、IV-VI 族化合物半导体及其核壳结构中的一种或多种。具体地，本发明所述电子传输层的材料可以为n型ZnO、TiO2、SnO2、Ta2O3、AlZnO、ZnSnO、InSnO、Alq3、Ca、Ba、CsF、LiF、CsCO3中的一种或多种。优选地，所述电子传输层为n型ZnO。
具体地，本发明所述阴极的材料可以为各种导电碳材料、导电金属氧化物材料、金属材料中的一种或多种；其中导电碳材料包括但不限于掺杂或非掺杂碳纳米管、掺杂或非掺杂石墨烯、掺杂或非掺杂氧化石墨烯、C60、石墨、碳纤维、多空碳或它们的混合物；导电金属氧化物材料包括但不限于ITO、FTO、ATO、AZO或它们的混合物；金属材料包括但不限于Al、Ag、Cu、Mo、Au或它们的合金；其中所述的金属材料中，其形态包括但不限于致密薄膜、纳米线、纳米球、纳米棒、纳米锥、纳米空心球或它们的混合物；优选地，所述阴极的材料为Ag或Al。
本发明上述正型结构的量子点发光二极管不限于上述功能层，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，该界面功能层或界面修饰层包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
需说明的是，本发明掺杂硫化铜薄膜不限于制备正型结构的量子点发光二极管，还可以制备反型结构的量子点发光二极管。反型结构的量子点发光二极管不限于上述功能层，同样可进一步包括界面功能层或界面修饰层，该界面功能层或界面修饰层包括但不限于电子阻挡层、空穴阻挡层、电极修饰层、隔离保护层中的一种或多种。
本发明还提供一种发光模组，其包括如上所述的量子点发光二极管。
本发明还提供一种显示装置，其包括如上所述的量子点发光二极管，或包括如上所述的发光模组。
基于上述量子点发光二极管，本发明还提供一种如上任一所述的量子点发光二极管的制备方法较佳实施例的流程图，如图2所示，包括：
步骤S100、在阳极上制备空穴注入层；其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜；
步骤S200、然后在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤S300、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤S400、最后在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，形成量子点发光二极管。
具体地，以溶液法制备为例，本发明所述掺杂硫化铜薄膜可由掺杂硫化铜溶液制备而成，所述掺杂硫化铜溶液的制备方法包括：将1~5 mL浓度为0.1~1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL氯化铜、柠檬酸钠、掺杂金属盐（如氯化锌等）的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为0.5~10 mM，柠檬酸钠的浓度为0.01~0.5 mM，掺杂金属盐的浓度为0~5 mM。优选地，氯化铜的浓度为0.5~2 mM，柠檬酸的浓度为0.05~0.1 mM，掺杂金属盐的浓度为0.01~0.25mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到60~100 °C，反应10~120 min，得到掺杂硫化铜溶液。
本发明预先制备好掺杂硫化铜溶液，然后通过溶液成膜方式如旋涂、喷墨、刮涂等工艺在阳极上制成掺杂硫化铜薄膜作为空穴注入层。
本发明上述各功能层的制备方法可以是化学法或物理法，其中物理法包括但不限于旋涂法、喷涂法、滚涂法、打印法、印刷法、喷墨法、浸渍提拉法、热蒸发镀膜法、电子束蒸发镀膜法、磁控溅射法、多弧离子镀膜法；化学法包括但不限于化学气相沉积法、连续离子层吸附与反应法、阳极氧化法、电解沉积法、共沉淀法。
本发明方法制备简单，有效地解决现有技术中结构复杂、材料成本高和难以产业化等问题。另外，所制备的器件性能优异、稳定性好、使用寿命长。
下面是以空穴注入层的材料制备与QLED器件的制备过程为例进行详细介绍。
实施例1
1）、Zn掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化锌的浓度为0.01 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 ℃，反应20 min，得到Zn掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Zn掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例2
1）、Co掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化钴的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化钴的浓度为0.01 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Co掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Co掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Co掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例3
1）、Ni掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化镍的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化镍的浓度为0.01 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Ni掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Ni掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Ni掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例4
1）、Sb掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL氯化铜、柠檬酸钠、三氯化锑的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，三氯化锑的浓度为0.01 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Sb掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Sb掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Sb掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例5
1）、Zn和Co共掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100mL的 氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌、氯化钴的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06 mM，氯化锌的浓度为0.01 mM，氯化钴的浓度为0.01 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Zn和Co共掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Zn和Co共掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn和Co共掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例6
1）、Zn掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化锌的浓度为0.05 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Zn掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Zn掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例7
1）、Zn掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化锌的浓度为0.1 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Zn掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Zn掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例8
1）、Zn掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化锌的浓度为0.25 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Zn掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为10 nm的Zn掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
实施例9
1）、Zn掺杂CuS的制备：将1 mL浓度为0.1 M的硫化钠溶液缓慢加入到100 mL 氯化铜、柠檬酸钠、氯化锌的混合溶液中，其中氯化铜的浓度为1 mM，柠檬酸钠的浓度为0.06mM，氯化锌的浓度为0.05 mM。搅拌均匀后，将混合溶液加热到100 °C，反应20 min，得到Zn掺杂CuS纳米颗粒溶液。
2）、QLED器件的制备步骤如下：
在ITO衬底上旋涂一层厚度为20 nm的Zn掺杂CuS薄膜作为空穴注入层；
在Zn掺杂CuS薄膜上旋涂一层PVK空穴传输层；
然后，在PVK空穴传输层上旋涂一层CdSe量子点发光层；
接着，在CdSe量子点发光层上旋涂一层ZnO电子传输层；
最后，在ZnO电子传输层上蒸镀一层Al阴极，得到量子点发光二极管。
综上所述，本发明提供的一种量子点发光二极管及其制备方法与发光模组、显示装置，本发明以掺杂硫化铜薄膜来制备空穴注入层，利用这种方法在较大范围内较好地调节ITO表面功函数、CuS的能带结构和载流子传输性能，从而提高QLED器件的发光效率。同时，掺杂金属硫化物在ITO上的附着并不会改变ITO的表面粗糙度和透光性，且对ITO不会产生腐蚀，有效地提高QLED器件的稳定性和使用寿命。
应当理解的是，本发明的应用不限于上述的举例，对本领域普通技术人员来说，可以根据上述说明加以改进或变换，所有这些改进和变换都应属于本发明所附权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，所述量子点发光二极管依次包括阳极、空穴注入层、空穴传输层、量子点发光层、电子传输层及阴极；
其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜；
所述掺杂硫化铜为Cu掺杂硫化铜、Co掺杂硫化铜、Zn掺杂硫化铜、Mg掺杂硫化铜、Ni掺杂硫化铜、Mn掺杂硫化铜、Ho掺杂硫化铜、In掺杂硫化铜、Sb掺杂硫化铜中的一种或多种。
2.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述掺杂硫化铜薄膜的厚度为1~50 nm。
3.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，掺杂硫化铜薄膜的形状为球形颗粒、片状、棒状、纳米线、网状结构中的一种或多种。
4.根据权利要求1所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述掺杂硫化铜薄膜的结构为致密结构或多孔结构。
5.一种如权利要求1~4任一所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，包括：
步骤A、在阳极上制备空穴注入层；其中，所述空穴注入层为掺杂硫化铜薄膜；
步骤B、然后在空穴注入层上制备空穴传输层；
步骤C、接着在空穴传输层上制备量子点发光层；
步骤D、最后在量子点发光层上制备电子传输层，并蒸镀阴极于电子传输层上，形成量子点发光二极管；
所述掺杂硫化铜薄膜采用掺杂硫化铜溶液制备而成，所述掺杂硫化铜溶液的制备方法包括：将硫化钠溶液加入到氯化铜、柠檬酸钠、掺杂金属盐的混合溶液中，搅拌均匀后，将混合溶液加热到60~100 °C，反应10~120 min，得到掺杂硫化铜溶液。
6.根据权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法，其特征在于，所述硫化钠的浓度为0.1~1 M，所述氯化铜的浓度为0.5~10 mM，所述柠檬酸钠的浓度为0.01~0.5 mM，所述掺杂金属盐的浓度为0~5 mM。
7.一种发光模组，其特征在于，所述发光模组包括如权利要求1~4任一项所述的量子点发光二极管。
8.一种显示装置，其特征在于，所述显示装置包括如权利要求7所述的发光模组。
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