CN106526743A - 一种超低衰减单模光纤 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2小于或等于‑0.23％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3小于或等于‑0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于‑0.23％。本发明通过对芯包层进行不同材料组分设计，优化光纤各个部分粘度和光纤应力，降低了芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配，减少了界面缺陷，并且芯层进行碱金属掺杂，有效降低芯层虚拟温度，从而实现单模光纤的超低衰减性能。

Description

一种超低衰减单模光纤
技术领域
本发明涉及到光通信领域，具体涉及到一种超低衰减单模光纤。
背景技术
目前光纤制造领域热点的是制备超低衰减新型单模光纤产品，所以找到一种有效的方法降低光纤衰减系数，控制制造成本，对于光纤制造企业来说，都是非常巨大的挑战。其主要困难在于以下三点：其一，如何降低衰减：目前主要的方法是降低光纤的瑞利散射系数；其二，在获得超低衰减系数的同时，需要保证光纤各个光学参数满足ITU-T标准，主要指MFD，色散，截止波长和弯曲性能控制在标准要求范围内：即在保证光纤超低衰减性能的同时，其他光学参数必须控制在相应范围内；其三，光纤制造工艺简单可控，不显著增加光纤制造成本。
对于以上三个困难，我们首先从如何降低光纤的衰减来说。对于石英光纤，在600nm-1600nm的衰减主要来自于瑞利散射，由瑞利散射所引起的衰减αR可由下式计算：
式中，λ为波长(μm)，R为瑞利散射系数(dB/km/μm4)；P为光强；当瑞利散射系数确认时，B为相对应的常数。因而只要确定了瑞利散射系数R就可得到因瑞利散射所引起的衰减αR(dB/km)。瑞利散射一方面是由于密度波动引起的，另一方面是由于浓度波动引起的。因而瑞利散射系数R可表示为：
R＝Rd+Rc
上式中，Rd和Rc分别表示由于密度波动和浓度波动所引起的瑞利散射系数变化。其中Rc为浓度波动因子，其主要受到光纤玻璃部分掺杂浓度的影响，理论上采用越少的Ge和F或者其他掺杂，Rc越小，这也是目前国外某些企业采用纯硅芯设计，实现超低衰减性能的原因。
但是我们需要注意到，瑞利散射系数中还包括另外一个参数Rd。Rd与玻璃的假想温度TF相关，且伴随玻璃的结构变化和温度变化而变化。玻璃的假想温度TF是表征玻璃结构一个物理参数，定义为从某温度T‘将玻璃迅速冷却到室温玻璃的结构不再调整而达到某平衡状态对应的温度。当T’>Tf(玻璃的软化温度)，由于玻璃的粘度较小，玻璃结构易于调整，因而每一瞬间玻璃均处于平衡状态，故TF＝T’；当T’<Tg(玻璃的转变温度)，由于玻璃的粘度较大，玻璃结构难于调整，玻璃的结构调整滞后于温度变化，故TF>T’；当Tg<T’<Tf(玻璃的软化温度)，玻璃趋向于平衡所需要的时间较短一些，具体与玻璃的组分和冷却速度有关，故TF>T’或TF<T’。
虚拟温度除了与光纤制备过程的热历史有关系外，光纤玻璃材料的组分对虚拟温度有着明显和直接的影响。具体而言，材料组分对光纤玻璃材料的粘度，热膨胀系数，冷却过程的弛豫时间的影响，直接决定着光纤的虚拟温度。需要注意的是，因为超低衰减光纤玻璃部分一般分为几个部分，如典型的芯层，内包层和外包层，或更复杂的结构。所以对多个部分之间材料的组分差异需要进行合理的匹配：第一保证光纤的光学波导，第二保证玻璃在拉丝应力作用下被拉丝成光纤后，各层之间没有明显的缺陷，造成光纤衰减异常。
如上所述，从光纤制备工艺来讲，降低光纤衰减系数有三种方法：第一种是尽量减少芯层部分的掺杂，降低光纤瑞利散射的浓度因子。第二种是降低拉丝速度，增加光纤退火过程，保证光纤预制棒在拉丝成光纤的过程中，缓慢降低温度，从而降低光纤的虚拟温度，降低衰减。但是这种方法显著提高光纤制造成本，且缓慢退火过程对光纤衰减的贡献也很大程度上受到光纤玻璃材料组分和预制棒制备热历史制约，所以使用这种方法降低衰减的效果有限。第三种是合理设计光纤内部的材料组分匹配，即但在少掺杂的基础上，需对光纤芯层，内包层以及其他位置的玻璃材料进行合理的配比不仅保证在拉丝过程中，光纤各个位置有合理的光学剖面匹配，也要保证光纤各个位置有合理的粘度，热膨胀，应力匹配。
目前业内使用第三种方法制造超低衰减光纤时，一种主要的方法是使用纯硅芯设计。纯硅芯设计是指芯层中没有进行锗或者氟的掺杂。如上所述，没有锗氟掺杂可以有效的降低光纤的浓度因子，有利于降低光纤瑞利系数。但是使用纯硅芯设计也给光纤的光学波导设计以及材料剖面设计带来很多挑战。在使用纯硅芯设计时，为了保证光纤的全反射，必须使用相对较低折射率的F掺杂内包层进行匹配，以保证芯层和内包层之间保持足够的折射率差异。但这种情况下，纯硅芯的芯层如果没有进行合理的材料设计，其粘度将相对较高，而同时大量F掺杂的内包层部分粘度较低，造成光纤结构粘度匹配失衡，从而使纯硅芯结构的光纤虚拟温度迅速增加，造成光纤的Rd增加。这样就不仅抵消掉Rc降低带来的好处，更可能造成光纤衰减反向异常。
从以上说明我们可以理解，为什么从理论上，不能单纯利用降低芯层掺杂获得超低衰减系数。为了解决这种问题，文献US20100195966A1中采用在芯层中添加碱金属的方法，在保持光纤芯层纯硅芯的情况下，通过改变光纤芯层部分的粘度以及芯层结构弛豫的时间，来解决粘度失配造成的Rd增加，从而整体降低光纤的瑞利散射系数。但是该种方法虽然可以有效的降低光纤衰减，但相对工艺制备复杂，需要分多批次对芯棒进行处理，且对碱金属掺杂浓度控制要求极高，不利于光纤大规模制备。
文献CN201310394404提出一种超低衰减光纤的设计，其使用了纯二氧化硅的外包层设计，但因为其使用的是典型的阶跃剖面结构，没有使用下陷内包层设计优化光纤的弯曲，且其芯层没有使用Ge进行掺杂，所以可能造成预制棒制备时出现粘度失配，所以可以发现其衰减和弯曲水平，相对较差。
文献CN104991306A提出了一种光纤设计，其使用的是典型的阶跃剖面结构，芯层进行了锗和氟的共掺，使用下陷内包层设计优化光纤的弯曲，外包层使用的是纯二氧化硅的设计。该剖面结构设计和制造工艺相当复杂，对光纤参数影响因素较多，尤其是对于光纤的色散较难以控制，并且其文中所述光纤没有涉及到光纤在各波段的色散系数以及光纤微弯性能。且由于其采用双外包层概念，在纯二氧化硅外包材和氟掺杂外包层的界面，在拉丝或制备过程中，不可避免掺杂界面缺陷，将会影响光纤衰减性能的降低。
发明内容
以下为本发明中涉及的一些术语的定义和说明：
ppm：百万分之一的重量比；
从光纤纤芯中轴线开始算起，根据折射率的变化，定义为最靠近轴线的那层为光纤的芯层，光纤的最外层定义为光纤外包层。
相对折射率Δni：
光纤各层相对折射率Δni由以下方程式定义，
其中ni为光纤某特定位置的绝对折射率，而nc为纯二氧化硅的绝对折射率。
光缆截止波长λcc：
IEC(国际电工委员会)标准60793-1-44中定义：光缆截止波长λcc是光信号在光纤中传播了22米之后不再作为单模信号进行传播的波长。在测试时需通过对光纤绕一个半径14cm的圈，两个半径4cm的圈来获取数据。
本发明所要解决的技术问题在于针对上述现有技术存在的不足提供一种超低衰减单模光纤，它通过对芯包层进行不同材料组分设计，优化光纤各个部分粘度和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。
本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2小于或等于-0.23％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于-0.23％。
按上述方案，所述的芯层为锗氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.04％～0.08％，碱金属的掺杂量按重量计为5～3000ppm；所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。
按上述方案，所述芯层中掺入碱金属的元素为锂、钠、钾、铷、钫中的一种或几种。
按上述方案，所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。
按上述方案，所述的内包层的相对折射率Δn2为-0.23～-0.45％，下陷内包层的相对折射率Δn3为-0.40～-0.65％，外包层的相对折射率Δn4为-0.25～-0.53％。
按上述方案，所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.7-9.5μm。
按上述方案，所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm。
按上述方案，所述光纤的零色散点为1300-1324nm。
按上述方案，所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.165dB/km，优选条件下，小于或等于0.160dB/km。
按上述方案，所述光纤外涂覆树脂涂料层，包括有内涂覆层和外涂覆层，所述的内涂覆层外径为150～220μm，内涂覆层的杨氏模量为0.2～0.5MPa，外涂覆层外径等于或大于230μm。
按上述方案，所述光纤在1700nm波长处的微弯损耗小于或等于4dB/km，优选条件下，小于或等于2dB/km。
本发明的有益效果在于：1、特有的粘度匹配设计：芯层为非纯硅芯，具有锗和氟共掺的特点，通过控制掺杂浓度从而优化芯层粘度匹配；优化光纤各个部分粘度和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能；2、芯层进行碱金属掺杂工艺设计，有效降低芯层虚拟温度；3、合理设计芯层和内包层材料，降低芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配，减少界面缺陷；4、在芯层和外包层中间位置，通过下陷外包层设计，抑制基模截止问题，改善光纤波导传输条件；5、使用掺氟二氧化硅外包层结构，改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间，从而改变光纤的虚拟温度，并简化光纤剖面，实现光纤参数的稳定控制；6、本发明的截止波长、模场、衰耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，满足G.652.B光纤标准，并具有足够小的微弯损耗，以保证该类光纤在成缆、敷设等条件下引起的附加损耗足够小。
附图说明
图1是一种本发明光纤玻璃部分的剖面结构示意图。
具体实施方式
以下结合具体实施例对本发明进行详细描述。
实施例中描述的预制棒主要包括两部分：光纤芯棒以及中空合成的掺氟二氧化硅玻璃的大套管，光纤芯棒和大套管进行组装为光纤预制棒。
光纤预制棒的芯棒包括纤芯层、内包层和下陷内包层。光纤芯层由锗氟共掺，并掺有碱金属材料的石英玻璃组成：内包层紧密围绕纤芯层；下陷内包层由掺氟二氧化硅石英玻璃组成；光纤预制棒最外层由合成的掺氟二氧化硅玻璃组成。
表1所列为本发明优选的实施例的折射率剖面参数，K为芯层中钾元素的含量。表2所示为所述光纤对应的光纤参数。
表1、本发明实施例的光纤剖面参数
序号 Δn1[％] K[ppm] r1[um] Δn2[％] r2[um] Δn3[％] r3[um] Δn4[％]
1 0.01 30 3.5 -0.25 6.7 -0.49 11.5 -0.28
2 0.03 200 3.7 -0.29 8.1 -0.4 13.5 -0.33
3 0.08 760 3.9 -0.33 8.8 -0.45 14.0 -0.42
4 0.06 950 4.4 -0.27 8.4 -0.58 13.0 -0.29
5 0.10 650 4.1 -0.27 9.2 -0.42 16.3 -0.33
6 0.12 2100 3.7 -0.23 8.4 -0.56 12.5 -0.26
7 0.09 150 4.2 -0.38 10.0 -0.48 14.6 -0.45
8 0.04 1100 4.1 -0.40 9.2 -0.55 13.8 -0.51
9 0.03 770 3.8 -0.44 8.9 -0.61 12.9 -0.47
10 0.08 890 4.0 -0.31 6.6 -0.5 12.1 -0.32
表2、本发明实施例的光纤参数

Claims (10)

1.一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2小于或等于-0.23％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3小于或等于-0.40％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4小于或等于-0.23％。
2.按权利要求1所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与碱金属共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.04％～0.08％，碱金属的掺杂量按重量计为5～3000ppm；所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。
3.按权利要求2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述芯层中掺入碱金属的元素为锂、钠、钾、铷、钫中的一种或几种。
4.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。
5.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的内包层的相对折射率Δn2为-0.23～-0.45％，下陷内包层的相对折射率Δn3为-0.40～-0.65％，外包层的相对折射率Δn4为-0.25～-0.53％。
6.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.7～9.5μm。
7.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm；所述光纤的零色散点为1300～1324nm。
8.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.165dB/km。
9.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于在光纤外包层外涂覆树脂涂料层，包括有内涂覆层和外涂覆层，所述的内涂覆层外径为150～220μm，内涂覆层的杨氏模量为0.2～0.5MPa，外涂覆层外径等于或大于230μm。
10.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1700nm波长处的微弯损耗小于或等于4dB/km。
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