CN107193082A

CN107193082A - 一种超低衰减单模光纤

Info

Publication number: CN107193082A
Application number: CN201710308060.3A
Authority: CN
Inventors: 吴俊�; 王瑞春; 汪洪海; 张磊; 朱继红; 毛明锋
Original assignee: Yangtze Optical Fibre and Cable Co Ltd
Current assignee: Yangtze Optical Fibre and Cable Co Ltd
Priority date: 2017-05-04
Filing date: 2017-05-04
Publication date: 2017-09-22

Abstract

本发明涉及一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2为‑0.23～‑0.45％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3为‑0.40～‑0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为‑0.25～‑0.53％。本发明制作工艺较为简便，特有的粘度匹配设计：芯层为非纯硅芯，具有锗和氟共掺的特点，同时进行氯掺杂工艺，降低光纤的粘度，加速玻璃的结构弛豫；通过控制掺杂浓度从而优化芯层粘度匹配，优化光纤各个部分粘度和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能。

Description

一种超低衰减单模光纤

技术领域

本发明涉及到光通信技术领域，具体涉及到一种超低衰减单模光纤。

背景技术

目前光纤制造领域的热点是制备超低衰减单模光纤产品，所以找到一种有效的方法降低光纤衰减系数，控制制造成本，对于光纤制造企业来说，都是非常巨大的挑战。其主要困难在于以下三点：其一，如何降低衰减：目前主要的方法是降低光纤的瑞利散射系数；其二，在获得超低衰减系数的同时，需要保证光纤各个光学参数满足ITU-T标准，主要指MFD，色散，截止波长和弯曲性能控制在标准要求范围内：即在保证光纤超低衰减性能的同时，其他光学参数必须控制在相应范围内；其三，光纤制造工艺简单可控，不显著增加光纤制造成本。

对于以上三个困难，我们首先从如何降低光纤的衰减来说。对于石英光纤，在600nm-1600nm的衰减主要来自于瑞利散射，由瑞利散射所引起的衰减α_R可由下式计算：

式中，λ为波长(μm)，R为瑞利散射系数(dB/km/μm⁴)；P为光强；当瑞利散射系数确认时，B为相对应的常数。因而只要确定了瑞利散射系数R就可得到因瑞利散射所引起的衰减α_R(dB/km)。瑞利散射一方面是由于密度波动引起的，另一方面是由于浓度波动引起的。因而瑞利散射系数R可表示为：

R＝R_d+R_c

上式中，R_d和R_c分别表示由于密度波动和浓度波动所引起的瑞利散射系数变化。其中R_c为浓度波动因子，其主要受到光纤玻璃部分掺杂浓度的影响，理论上采用越少的Ge和F或者其他掺杂，R_c越小，这也是目前国外某些企业采用纯硅芯设计，实现超低衰减性能的原因。

但是我们需要注意到，瑞利散射系数中还包括另外一个参数R_d。R_d与玻璃的假想温度T_F相关，且伴随玻璃的结构变化和温度变化而变化。玻璃的假想温度T_F是表征玻璃结构一个物理参数，定义为从某温度T‘将玻璃迅速冷却到室温玻璃的结构不再调整而达到某平衡状态对应的温度。当T’>Tf(玻璃的软化温度)，由于玻璃的粘度较小，玻璃结构易于调整，因而每一瞬间玻璃均处于平衡状态，故T_F＝T’；当T’<T_g(玻璃的转变温度)，由于玻璃的粘度较大，玻璃结构难于调整，玻璃的结构调整滞后于温度变化，故T_F>T’；当T_g<T’<T_f(玻璃的软化温度)，玻璃趋向于平衡所需要的时间较短一些，具体与玻璃的组分和冷却速度有关，故T_F>T’或T_F<T’。

虚拟温度除了与光纤制备过程的热历史有关系外，光纤玻璃材料的组分对虚拟温度有着明显和直接的影响。具体而言，材料组分对光纤玻璃材料的粘度，热膨胀系数，冷却过程的弛豫时间的影响，直接决定着光纤的虚拟温度。需要注意的是，因为超低衰减光纤玻璃部分一般分为几个部分，如典型的芯层，内包层和外包层，或更复杂的结构。所以对多个部分之间材料的组分差异需要进行合理的匹配：第一保证光纤的光学波导，第二保证玻璃在拉丝应力作用下被拉丝成光纤后，各层之间没有明显的缺陷，造成光纤衰减异常。

如上所述，从光纤制备工艺来讲，降低光纤衰减系数有三种方法：第一种是尽量减少芯层部分的掺杂，降低光纤瑞利散射的浓度因子。第二种是降低拉丝速度，增加光纤退火过程，保证光纤预制棒在拉丝成光纤的过程中，缓慢降低温度，从而降低光纤的虚拟温度，降低衰减。但是这种方法显著提高光纤制造成本，且缓慢退火过程对光纤衰减的贡献也很大程度上受到光纤玻璃材料组分和预制棒制备热历史制约，所以使用这种方法降低衰减的效果有限。第三种是合理设计光纤内部的材料组分匹配，即在少掺杂的基础上，需对光纤芯层，内包层以及其他位置的玻璃材料进行合理的配比不仅保证在拉丝过程中，光纤各个位置有合理的光学剖面匹配，也要保证光纤各个位置有合理的粘度，热膨胀，应力匹配。目前主要光纤生产企业在制造超低衰减光纤时，更多的是将注意力放在第一种和第三种方法上。

目前业内使用第三种方法制造超低衰减光纤时，一种主要的方法是使用纯硅芯设计。纯硅芯设计是指芯层中没有进行锗或者氟的掺杂。如上所述，没有锗氟掺杂可以有效的降低光纤的浓度因子，有利于降低光纤瑞利系数。但是使用纯硅芯设计也给光纤的光学波导设计以及材料剖面设计带来很多挑战。在使用纯硅芯设计时，为了保证光纤的全反射，必须使用相对较低折射率的F掺杂内包层进行匹配，以保证芯层和内包层之间保持足够的折射率差异。但这种情况下，纯硅芯的芯层如果没有进行合理的材料设计，其粘度将相对较高，而同时大量F掺杂的内包层部分粘度较低，造成光纤结构粘度匹配失衡，从而使纯硅芯结构的光纤虚拟温度迅速增加，造成光纤的R_d增加。这样就不仅抵消掉R_c降低带来的好处，更可能造成光纤衰减反向异常。

从以上说明我们可以理解，为什么从理论上，不能单纯利用降低芯层掺杂获得超低衰减系数。为了解决这种问题，文献US20100195966A1中采用在芯层中添加碱金属的方法，在保持光纤芯层纯硅芯的情况下，通过改变光纤芯层部分的粘度以及芯层结构弛豫的时间，来解决粘度失配造成的R_d增加，从而整体降低光纤的瑞利散射系数。但是该种方法虽然可以有效的降低光纤衰减，但相对工艺制备复杂，需要分多批次对芯棒进行处理，且对碱金属掺杂浓度控制要求极高，不利于光纤大规模制备。

文献CN201310394404提出一种超低衰减光纤的设计，其使用了纯二氧化硅的外包层设计，但因为其使用的是典型的阶跃剖面结构，没有使用下陷内包层设计优化光纤的弯曲，且其芯层没有使用Ge进行掺杂，所以可能造成预制棒制备时出现粘度失配，可以发现其衰减和弯曲水平，相对较差。

文献CN201510359450.4提出了一种非纯硅芯的超低衰减光纤剖面和材料设计。其利用芯层少量的锗氟共掺匹配内包层的氟掺杂玻璃，优化了材料的组分设计，一定程度上降低了光纤的瑞利散射系数；利用相对较低的下陷内包层和辅助内包层材料，实现了光纤的单模传输；利用了芯层同光纤各个部分之间的粘度和热应力，膨胀系数的差异，实现了较低的密度波动，减少了界面之间的缺陷。需要注意的是，该设计的外包层材料中含有一定量的金属离子，从而整体提高了外包层的粘度，降低了外包层材料的折射率，这一定程度上有助于实现材料粘度和应力的匹配设计，但也增加了光纤整体材料的密度波动系数。我们注意到该设计的衰减水平均大于0.162dB/km，如不能解决芯层的锗氟共掺杂引起的浓度因子增加以及继续降低芯层的粘度；并解决外包层较高粘度同辅助内包层粘度的失配，该方案很难继续降低光纤的衰减。

文献CN104991307A提出了一种光纤设计，其使用的是典型的阶跃剖面结构，芯层进行了锗和氟的共掺，使用下陷内包层设计优化光纤的弯曲，外包层使用的是纯二氧化硅的设计。该剖面结构设计和制造工艺相当复杂，对光纤参数影响因素较多，尤其是对于光纤的色散较难以控制，并且所述光纤没有涉及到光纤在各波段的色散系数以及光纤微弯性能。由于其采用双外包层概念，在纯二氧化硅外包材和氟掺杂外包层的界面，在拉丝或制备过程中，不可避免掺杂界面缺陷，将会影响光纤衰减性能的降低。

使用类似CN201510359450.4光学剖面设计可以有效解决光纤的波导设计问题，但是如何继续减低光纤衰减成为重要问题。简单的说，如果在芯层不使用锗氟共掺，芯层的粘度将明显大于内包层，芯层的结构弛豫时间τ_core将远远大于内包层结构弛豫时间τ_clad，造成光纤拉丝过程中，芯层中心位置应力失配，芯层和内包层之间的界面出现较多缺陷，衰减系数增加。不使用含金属杂质的特殊外包层材料，虽然降低了光纤的密度因子，但也必须要求降低芯层的粘度，加快芯层的结构弛豫，减少拉丝应力对芯层的影响。

发明内容

以下为本发明中涉及的一些术语的定义和说明：

ppm：百万分之一的重量比；

从光纤纤芯中轴线开始算起，根据折射率的变化，定义为最靠近轴线的那层为光纤的芯层，光纤的最外层为光纤外包层。

相对折射率Δn_i：

光纤各层相对折射率Δn_i由以下方程式定义，

其中n_i为光纤某特定位置的绝对折射率，而n_c为纯二氧化硅的绝对折射率。

光纤芯层Ge掺杂的相对折射率贡献量ΔGe由以下方程式定义，

其中n_Ge为假设纤芯的Ge掺杂物，在掺杂到没有其他掺杂物的纯二氧化硅中，引起二氧化硅玻璃折射率升高而得到的绝对折射率，而n_c为没有进行Ge或F掺杂的纯二氧化硅的绝对折射率。

光缆截止波长λ_cc：

IEC(国际电工委员会)标准60793-1-44中定义：光缆截止波长λ_cc是光信号在光纤中传播了22米之后不再作为单模信号进行传播的波长。在测试时需通过对光纤绕一个半径14cm的圈，两个半径4cm的圈来获取数据。

本所要解决的技术问题在于针对上述现有技术存在的不足提供一种超低衰减单模光纤，它不仅工艺较为简便，而且芯包层材料设计合理，光纤各个部分粘度匹配优化，衰减低。

本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：

本发明中涉及到一种超低衰减单模光纤，光纤的玻璃部分由多组分掺杂构成的二氧化硅玻璃构成，其特征在于所述光纤由内到外包括以下几部分：最靠近光纤横截面中心位置的为芯层；紧贴环绕在芯层外侧的为内包层；内包层外侧环绕的是由氟掺杂二氧化硅玻璃构成的下陷内包层；下陷内包层外侧环绕的是氟掺杂的二氧化硅玻璃构成的外包层。

本发明为解决上述提出的问题所采用的技术方案为：包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2为-0.23～-0.45％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3为-0.40～-0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为-0.25～-0.53％。

按上述方案，所述的芯层为锗氟及氯共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.03％～0.20％，氯掺杂量按重量计为100～20000ppm。

按上述方案，所述的氯掺杂量按重量计为500～10000ppm。

按上述方案，所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。

按上述方案，所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。

按上述方案，所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.7～9.5μm。

按上述方案，所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm。

按上述方案，所述光纤的零色散点为1300～1324nm。

按上述方案，所述光纤预制棒制备得到的光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.163dB/km，优选条件下，小于或等于0.158dB/km。

按上述方案，所述光纤在波长1625nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于1.0dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于1.5dB，优选条件下，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.2dB。

本发明的机理在于：在芯层部分进行高浓度的氯掺杂可以实现类似于碱金属离子对玻璃材料的改性。在光纤芯层位置掺杂大于5000ppm的氯离子，可以提高光纤的折射率，降低光纤的粘度，加速玻璃的结构弛豫。并且氯离子浓度对光纤的浓度因子贡献不明显，适当提高芯层的氯掺杂含量，结合芯层锗氟共掺，通过控制掺杂浓度能够优化芯层粘度匹配。

本发明的有益效果在于：1、不使用芯层碱金属材料工艺，减少工艺控制难度；2、特有的粘度匹配设计：芯层为非纯硅芯，具有锗和氟共掺的特点，通过控制掺杂浓度从而优化芯层粘度匹配；优化光纤各个部分粘度和光纤应力，实现单模光纤的超低衰减性能；3、芯层进行氯掺杂工艺设计，降低光纤的粘度，加速玻璃的结构弛豫；4、合理设计芯层和内包层材料，降低芯层和内包层玻璃材料在光纤制备过程中结构弛豫时间失配，减少界面缺陷；5、在芯层和外包层中间位置，通过下陷外包层设计，抑制基模截止问题，改善光纤波导传输条件；6、使用掺氟二氧化硅外包层结构，改变光纤材料各个部分的材料弛豫时间，从而改变光纤的虚拟温度，并简化光纤剖面，实现光纤参数的稳定控制；7、本发明的截止波长、模场、衰耗、色散等综合性能参数在应用波段良好，满足G.652.B光纤标准，并具有足够小的宏弯损耗，以保证该类光纤在成缆、敷设等条件下引起的附加损耗足够小。

附图说明

图1为本发明一个实施例的折射率剖面结构示意图。

具体实施方式

以下结合具体实施例对本发明进行详细描述。

光纤由内向外包括芯层、内包层、下陷内包层和外包层。芯层为锗氟及氯共掺的二氧化硅玻璃层；内包层紧密围绕芯层；下陷内包层紧密围绕内包层，由掺氟二氧化硅石英玻璃组成；下陷内包层外包绕外包层，外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层；外包层半径为62.5μm。

实施例中光纤由光纤预制棒经拉丝加工而成，预制棒主要包括两部分：光纤芯棒以及中空合成的掺氟二氧化硅玻璃的大套管，光纤芯棒和大套管进行组装为光纤预制棒。光纤预制棒的芯棒包括芯层、内包层和下陷内包层，光纤预制棒最外层由合成的掺氟二氧化硅玻璃套管组成。

表1所列为本发明优选的实施例的折射率剖面参数，Cl为芯层中氯元素的含量。表2所示为所述光纤对应的光纤参数。

表1、本发明实施例的光纤剖面参数

序号	Δn1[％]	Cl[ppm]	r1[μm]	Δn2[％]	r2[μm]	Δn3[％]	r3[μm]	Δn4[％]
									1	0.02	1300	3.6	-0.26	7.8	-0.49	11.8	-0.27
2	0.01	18500	3.8	-0.28	8.8	-0.42	13.3	-0.31
									3	0.06	8600	3.7	-0.32	8.4	-0.45	14.1	-0.40
4	0.04	15500	4.3	-0.29	8.2	-0.58	13.7	-0.28
									5	0.08	12600	4.0	-0.26	9.1	-0.42	15.6	-0.35
6	0.11	6200	3.6	-0.24	8.0	-0.56	12.5	-0.28
									7	0.09	3500	4.1	-0.37	9.9	-0.47	14.6	-0.42
8	0.03	6100	4.3	-0.41	9.0	-0.50	13.8	-0.52
									9	0.05	13900	3.7	-0.45	8.5	-0.59	12.9	-0.49
10	0.07	5490	4.4	-0.33	9.6	-0.52	12.2	-0.37

表2、本发明实施例的光纤参数

Claims

1.一种超低衰减单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为3～5μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层，下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为6～10μm，相对折射率Δn2为-0.23～-0.45％，所述的下陷内包层半径r3为10.5～20μm，相对折射率Δn3为-0.40～-0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为-0.25～-0.53％。

2.按权利要求1所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及氯共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.03％～0.20％，氯掺杂量按重量计为100～20000ppm。

3.按权利要求2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的氯掺杂量按重量计为500～10000ppm。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。

6.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1310nm波长处的模场直径为8.7～9.5μm。

7.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1260nm；所述光纤的零色散点为1300～1324nm。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.163dB/km。

9.按权利要求1或2所述的超低衰减单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1625nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于1.0dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于1.5dB。