CN106505005B - 一种连接孔图形光罩缺点的检测方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种连接孔图形光罩缺点的检测方法，通过设计连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构，并应用“三步法”进行光罩缺点确认，第一步在第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上实现准光罩缺点的甄别，第二步通过在第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上进行定点观察，实现准光罩缺点的可重复性确认，第三步通过对确认有准光罩缺点的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，在连接孔填充平坦化后进行缺陷观察，实现光罩缺点的最终确认。对连接孔光罩缺点，应用本发明无论信号强弱均能有效地检测出来，为光罩缺点修复和光刻工艺窗口的优化提供了数据指标，并能够排除工艺本身存在的潜在问题，为先进工艺产品研发缩短了时间。
Description
技术领域
本发明涉及集成电路制造工艺领域，更具体地，涉及一种连接孔图形光罩缺点的检测方法。
背景技术
随着集成电路工艺的发展以及关键尺寸按比例缩小，半导体工艺也越来越复杂，在28nm产品研发过程中，光罩缺点(weak point)成为产品通线的最大阻碍。
传统的光罩缺点检测方法一般有以下两种：
第一种，通过OPC(光学临近修正)计算找出光罩缺点。
第二种，是通过对光刻能量/焦距矩阵晶圆进行缺陷检测，并进一步通过SEM(扫描电镜)观察确认光罩缺点。
在上述第一种光罩缺点检测方法中，由于光罩复杂性的提升，使得通过OPC也无法计算出所有类型的光罩上的缺点。
而应用上述第二种光罩缺点检测方法时，虽然在其他图形层可以比较有效地将光罩缺点检测出来，但是针对孔洞图形层、比如连接孔等，此种方法却存在较大弊端。这是因为在连接孔和沟槽图形形成后，连接孔的图形变化信号较微弱，往往被沟槽信号所干扰，因而无法准确甄别光罩缺点。
因此，上述两种光罩缺点检测方法均存在明显不足，需要发明一种能够更加有效地检测出连接孔光罩上缺点的方法，为产品研发提供帮助。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术存在的上述缺陷，提供一种连接孔图形光罩缺点的检测方法，能够更加有效地检测出连接孔光罩上的缺点。
为实现上述目的，本发明的技术方案如下：
一种连接孔图形光罩缺点的检测方法，包括以下步骤：
步骤S01：设计一连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构，所述连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构以常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构为设计基础，所述常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构包括依次形成于晶圆衬底上的氮掺杂碳层、低k介质层、连接孔刻蚀阻挡层、沟槽刻蚀阻挡层、顶层氧化物层、光阻层，所述连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构去除了所述常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层；
步骤S02：提供一具有连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构的第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，其以连接孔光刻工艺窗口的最***条件作为能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展，并在其能量/焦距矩阵中设置第一监控组，其以连接孔光刻工艺窗口的若干***条件作为其能量/焦距条件进行组合；在进行连接孔刻蚀、并省略沟槽图形形成工艺后，进行第一连接孔缺陷检测，记录位于第一监控组内的第一准光罩缺点坐标；
步骤S03：提供一具有连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，其以工艺窗口的基准条件作为能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展，并在其能量/焦距矩阵中设置与第一监控组位置相同、能量/焦距条件一一对应的第二监控组；在进行连接孔刻蚀、并省略沟槽图形形成工艺后，进行第二连接孔缺陷检测，根据所述第一准光罩缺点坐标，定点观察位于第二监控组内的相同位置是否存在与第一准光罩缺点一致的第二准光罩缺点；
步骤S04：将存在第二准光罩缺点的所述第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆流片到连接孔填充平坦化工艺步骤之后，对其进行第三连接孔缺陷检测，以判断第二准光罩缺点是否为真正的连接孔图形光罩缺点。
优选地，在所述第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上形成连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构时，对晶圆衬底上各层次按比例进行减薄处理。
优选地，所述第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵中，其基准条件两侧的两个最***条件以基准条件为中心向内侧以一定步阶对称扩展，所述第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵中，其以基准条件为中心向两侧***条件方向以一定步阶对称扩展，所述第一、第二监控组分别位于所述第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵的一个中心轴的两侧。
优选地，所述能量/焦距矩阵中，沿监控组所在中心轴的另一相对中心轴，设有基准条件组。
优选地，利用一扫描电镜，以亮场扫描模式进行第一、第二连接孔缺陷检测。
优选地，利用一扫描电镜，以电压衬度扫描模式进行第三连接孔缺陷检测。
优选地，在利用扫描电镜进行连接孔缺陷检测时，进一步利用透射电镜进行分析，以判断第二准光罩缺点是否为真正的连接孔图形光罩缺点。
优选地，所述连接孔刻蚀阻挡层为氧化物硬掩模层。
优选地，所述沟槽刻蚀阻挡层为金属硬掩膜层。
优选地，所述低k介质层为多层结构。
从上述技术方案可以看出，本发明通过设计连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构，将常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层去除，并省略沟槽图形形成工艺，从而可最大限度地模拟常规晶圆流片条件，并且在检测连接孔图形变化时，没有沟槽图形信号的干扰，可以有效增强连接孔缺陷信号；通过缺陷检测在第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上实现准光罩缺点的甄别，并通过第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上相同位置设立的监控组，在第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上进行定点观察，实现准光罩缺点的可重复性确认，通过对确认有准光罩缺点的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，在连接孔填充平坦化后进行缺陷观察，实现光罩缺点的最终确认。对连接孔光罩缺点，应用本发明无论信号强弱均能有效地检测出来，为光罩缺点修复和光刻工艺窗口的优化提供了数据指标，并能够排除工艺本身存在的潜在问题，为先进工艺产品研发缩短了时间。
附图说明
图1是本发明一实施例的一种连接孔图形光罩缺点的检测方法流程图；
图2a-图2b是一种常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构与本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构对比图；
图3a-图3b是一种常规连接孔刻蚀工艺后图形结构与本发明的连接孔唯独刻蚀工艺后图形结构对比显微照片；
图4a-图4b是本发明一实施例的第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆对比图；
图5a-图5d是本发明一实施例的第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上产生连接孔缺陷时的状态变化显微照片；
图6a-图6b是本发明一实施例中作为第一、第二准光罩缺点的连接孔缺失在第一、第二监控组相同位置上的表现显微照片；
图7a-图7d是本发明一实施例的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆在填铜平坦化工艺后进行检测时，因连接孔缩小导致的刻蚀不足缺陷所产生的电压衬度影像变化对比图。
具体实施方式
下面结合附图，对本发明的具体实施方式作进一步的详细说明。
需要说明的是，在下述的具体实施方式中，在详述本发明的实施方式时，为了清楚地表示本发明的结构以便于说明，特对附图中的结构不依照一般比例绘图，并进行了局部放大、变形及简化处理，因此，应避免以此作为对本发明的限定来加以理解。
在以下本发明的具体实施方式中，请参阅图1，图1是本发明一实施例的一种连接孔图形光罩缺点的检测方法流程图。如图1所示，本发明的一种连接孔图形光罩缺点的检测方法，包括以下步骤：
步骤S1：设计连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构。
本发明所指的连接孔唯独刻蚀(Via Etch Only)工艺中，仅包括形成连接孔图形的有关工艺，而省略了形成沟槽图形的有关工艺。本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构以常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构为基础进行设计。
请参阅图2a-图2b，图2a-图2b是一种常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构与本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构对比图。如图2a所示，其显示常规后段工艺金属薄膜(沟槽刻蚀阻挡层)沉积示意图(以28nm逻辑产品为例，下同)，常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构包括依次形成于晶圆衬底10上的氮掺杂碳层(NDC)11、低k介质层12和13、连接孔刻蚀阻挡层14、沟槽刻蚀阻挡层15、顶层氧化物层16、光阻层(未显示)。如图2b所示，其显示本发明设计的后段工艺薄膜结构示意图，本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构去除了常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层15，保留了氮掺杂碳层11、低k介质层12、13、连接孔刻蚀阻挡层14、顶层氧化物层16、光阻层(未显示)。
请参阅图3a-图3b，图3a-图3b是一种常规连接孔刻蚀工艺后图形结构与本发明的连接孔唯独刻蚀工艺后图形结构对比显微照片。如图3a所示，其显示一种28nm产品后段工艺常规流片晶圆连接孔/沟槽总刻蚀工艺后的图形结构，在沟槽图形形成后，连接孔的图形变化检测信号变得很微弱，往往被沟槽信号干扰，因此无法准确甄别连接孔光罩缺点。如图3b所示，在形成连接孔图形时，由于本发明去除了常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层，并在后续工艺中跳掉沟槽图形形成工艺，只形成了连接孔图形，因而在检测连接孔图形变化时，没有了沟槽图形信号的干扰，可以有效增强缺陷信号。
上述连接孔刻蚀阻挡层可以采用氧化物硬掩模层。低k介质层可以是多层结构。常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺中的沟槽刻蚀阻挡层通常采用金属硬掩膜层。本发明不限于此。
步骤S2：准光罩缺点甄别。
请参阅图4a-图4b，图4a-图4b是本发明一实施例的第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆对比图。如图4a所示，准备一个第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆(以下简称第一晶圆)，在第一晶圆上形成例如图2b所示的本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构。形成连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构时，可对晶圆衬底上的各层次按适当比例进行减薄处理，从而既可最大限度地模拟常规晶圆流片条件，又可做到能够实现本发明的连接孔唯独刻蚀工艺。
在第一晶圆的能量/焦距矩阵结构设计中，要求其以连接孔光刻工艺窗口的最***条件作为能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展。例如，在第一晶圆的能量/焦距矩阵中，其连接孔光刻工艺窗口的最***焦距条件是“7”和“-7”(表示基准条件两侧的最大偏差)，则可以两个最***焦距条件“7”和“-7”作为能量/焦距矩阵的上下两端起始条件，以基准条件“0”(即工艺窗口零点)为中心，并以“1”为步阶向内侧方向(零点方向)进行纵向扩展(如图示上下方向箭头所指)，形成矩阵竖直的焦距坐标轴。同样地，矩阵中，其连接孔光刻工艺窗口的最***能量条件是“5”和“-5”，则可以两个最***能量条件“5”和“-5”作为能量/焦距矩阵的左右两端起始条件，以基准条件“0”为中心，并以“1”为步阶向内侧方向(零点方向)进行横向扩展(如图示左右方向箭头所指)，形成矩阵水平的能量坐标轴。
同时，在第一晶圆的能量/焦距矩阵中，还设置有第一监控组，用于定点进行准光罩缺点的可重复性确认。第一监控组以其连接孔光刻工艺窗口的若干***条件作为其能量/焦距条件进行组合，例如，可选取***焦距条件“7”和“-7”以及“6”和“-6”，并选取***能量条件“5”和“-5”以及“4”进行不同组合。这样就在第一晶圆的能量/焦距矩阵的竖直中心轴(即晶圆的竖直y轴)的两侧形成图示具有八个能量/焦距坐标“7，5”、“7，-5”、“6，5”、“6，-5”、“-7，5”、“-7，-5”、“-7，4”、“-6，-5”的第一监控组。
为避免因机台不稳定而造成工艺结果的异常，可在第一晶圆的能量/焦距矩阵中设置基准条件组。例如，可避开第一监控组位置，沿能量/焦距矩阵的水平中心轴(即晶圆的水平x轴)设置由两行基准条件坐标“0，0”构成的基准条件组。与此基准条件组对应、焦距坐标轴设置了两个基准条件“0”点。
按照上述条件，对第一晶圆进行连接孔唯独刻蚀工艺，工艺中将沟槽图形形成工艺跳掉，并可在连接孔刻蚀过程中适当调整刻蚀参数，以适应新的薄膜结构，并实现工艺的短流程化。
在进行连接孔刻蚀工艺后，可使用扫描电镜(SEM)，并以亮场扫描模式对第一晶圆进行连接孔缺陷检测(第一连接孔缺陷检测)，将连接孔缺失或桥连等缺陷检测出来。可通过在刻蚀工艺后的常规观察检测出缺陷，并记录缺陷位置。其中，将位于第一监控组内的缺陷位置坐标记录下来，将这些位置的缺陷作为准光罩缺点(第一准光罩缺点)留待进一步确认。
请参阅图5a-图5d，图5a-图5d是本发明一实施例的第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上产生连接孔缺陷时的状态变化显微照片。如图5a-图5d所示，其自左向右显示第一晶圆上焦距条件负向增加方向的第一监控组四个坐标条件(-6，-5)、(-7，4)、(-7，-5)、(-7，5)对应的连接孔变化状态。在焦距条件为(-6，-5)、(-7，4)时，在第一晶圆上光刻条件对应区域连接孔图形A都正常，而在焦距条件为(-7，-5)时，出现了连接孔A的严重变形现象，并在焦距条件为(-7，5)时转变为连接孔A的缺失现象。将该连接孔A的严重变形、缺失作为准光罩缺点留待进一步确认。
步骤S3：准光罩缺点可重复性确认。
如图4b所示，准备一个第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆(以下简称第二晶圆)，在第二晶圆上同样形成例如图2b所示的本发明的连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构。并对晶圆衬底上的各层次作与第一晶圆相同地减薄处理。
在第二晶圆的能量/焦距矩阵结构设计中，要求其以连接孔光刻工艺窗口的基准条件作为其能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展。例如，在第二晶圆的能量/焦距矩阵中，可以基准条件“0”(即工艺窗口零点)为起始条件，并以位于矩阵坐标轴的中点位置分别向焦距坐标轴上下两侧、能量坐标轴左右两侧以“1”为步阶进行扩展，从而形成矩阵竖直的焦距坐标轴和水平的能量坐标轴。
同时，在第二晶圆的能量/焦距矩阵中，在与第一晶圆上第一监控组相同位置，也设置有组内能量/焦距坐标与第一监控组一一对应的第二监控组“7，5”、“7，-5”、“6，5”、“6，-5”、“-7，5”、“-7，-5”、“-7，4”、“-6，-5”，用于对两组监控组中相同位置的准光罩缺点定点进行可重复性确认。通过定点进行准光罩缺点的可重复性确认，可以避免因机台不稳定而产生的缺陷误判断现象。
同样地，在第二晶圆的能量/焦距矩阵中设置与第一晶圆区域位置一致的基准条件组“0，0”。
按照上述条件，以与第一晶圆同样方式，对第二晶圆进行连接孔唯独刻蚀工艺。
第一、第二晶圆的能量/焦距矩阵中除监控组、基准条件组以外的其他坐标位置都不相同。第一、第二晶圆的其他方面相一致，以利于进行针对性对比。
在对第二晶圆进行连接孔刻蚀工艺后，可同样使用扫描电镜(SEM)，并以亮场扫描模式对第二晶圆进行连接孔缺陷检测(第二连接孔缺陷检测)，将连接孔缺失或桥连等缺陷检测出来。这同样可通过在刻蚀工艺后的常规观察检测出缺陷。
进行缺陷检测时，根据第一晶圆上第一监控组位置产生的第一准光罩缺点坐标，定点观察位于第二晶圆上第二监控组内的相同位置是否存在与第一准光罩缺点一致的第二准光罩缺点。如果一致可以进行后续步骤，否则还需要通过进一步排查加以确认，直至在第一、第二晶圆上各自的第一、第二监控组位置产生相一致的第一、第二准光罩缺点。
请参阅图6a-图6b，图6a-图6b是本发明一实施例中作为第一、第二准光罩缺点的连接孔缺失在第一、第二监控组相同位置上的表现显微照片。如图6a所示，其显示在第一监控组某一坐标位置产生的连接孔A的缺失(第一准光罩缺点)；如图6b所示，其显示在第二监控组相同坐标位置同样产生的连接孔A的缺失(第二准光罩缺点)。这两个连接孔A的缺失具有高度的一致性，因此，在第一晶圆上产生的准光罩缺点在第二晶圆上得到了重复性确认，从而排除了因机台异常等因素造成的工艺结果不一致问题，使得本发明的方法具有了应用时的客观确定性。
步骤S4：光罩缺点确认。
将上述存在第二准光罩缺点的第二晶圆流片到连接孔填充(例如填铜或者形成钨栓)平坦化工艺步骤之后，即可对其进行最终的连接孔缺陷检测(第三连接孔缺陷检测)。可使用扫描电镜，以电压衬度扫描模式(SEM VC)观察上述连接孔缺失的准光罩缺点(第二准光罩缺点)是否真正存在连接孔断路问题，并可进一步通过检查此类位置的重复性以及必要时使用透射电镜(TEM)进行观察分析得到的结果，判断第二准光罩缺点是否为真正的连接孔图形光罩缺点。
请参阅图7a-图7d，图7a-图7d是本发明一实施例的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆在填铜平坦化工艺后进行检测时，因连接孔缩小导致的刻蚀不足缺陷所产生的电压衬度影像变化对比图。图中下半部分代表连接孔剖视方向的图形，连接孔18下方连接有测试电路中的金属线17，通电时电子沿金属线向连接孔方向运动；图中上半部分代表连接孔垂直方向的对应电压衬度影像19。如图7a-图7b所示，当连接孔正常时，测试电路导通，电子可在测试电路中顺利通过，并产生亮的电压衬度影像(图示为白色)；而当连接孔发生缺失、消失等缺陷时，测试电路将被阻断，电子将无法通过阻断部位20、21，从而产生暗的电压衬度影像(图示为黑色)，如图7c-图7d所示，由此可将光罩缺点准确检出。
综上所述，本发明先通过设计连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构，将常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层去除，并省略沟槽图形形成工艺，从而可最大限度地模拟常规晶圆流片条件，并且在检测连接孔图形变化时，没有沟槽图形信号的干扰，可以有效增强连接孔缺陷信号；然后应用“三步法”进行光罩缺点确认，第一步通过缺陷检测在第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上实现准光罩缺点的甄别，第二步通过第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上相同位置设立的监控组，在第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上进行定点观察，实现准光罩缺点的可重复性确认，第三步通过对确认有准光罩缺点的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，在连接孔填充平坦化后进行缺陷观察，实现光罩缺点的最终确认。对连接孔光罩缺点，应用本发明无论信号强弱均能有效地检测出来，为光罩缺点修复和光刻工艺窗口的优化提供了数据指标，并能够排除工艺本身存在的潜在问题，为先进工艺产品研发缩短了时间。
以上所述的仅为本发明的优选实施例，所述实施例并非用以限制本发明的专利保护范围，因此凡是运用本发明的说明书及附图内容所作的等同结构变化，同理均应包含在本发明的保护范围内。
Claims (10)
1.一种连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤S01：设计一连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构，所述连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构以常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构为设计基础，所述常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构包括依次形成于晶圆衬底上的氮掺杂碳层、低k介质层、连接孔刻蚀阻挡层、沟槽刻蚀阻挡层、顶层氧化物层、光阻层，所述连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构去除了所述常规连接孔/沟槽总刻蚀工艺的薄膜结构中的沟槽刻蚀阻挡层；其中，所述连接孔唯独刻蚀工艺指仅包括形成连接孔图形的有关工艺，而省略了形成沟槽图形的有关工艺；
步骤S02：提供一具有连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构的第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，其以连接孔光刻工艺窗口的最***条件作为能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展，并在其能量/焦距矩阵中设置第一监控组，其以连接孔光刻工艺窗口的若干***条件作为其能量/焦距条件进行组合；在进行连接孔刻蚀、并省略沟槽图形形成工艺后，进行第一连接孔缺陷检测，记录位于第一监控组内的第一准光罩缺点坐标；
步骤S03：提供一具有连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构的第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆，其以工艺窗口的基准条件作为能量/焦距矩阵的起始条件，以一定步阶进行扩展，并在其能量/焦距矩阵中设置与第一监控组位置相同、能量/焦距条件一一对应的第二监控组；在进行连接孔刻蚀、并省略沟槽图形形成工艺后，进行第二连接孔缺陷检测，根据所述第一准光罩缺点坐标，定点观察位于第二监控组内的相同位置是否存在与第一准光罩缺点一致的第二准光罩缺点；
步骤S04：将存在第二准光罩缺点的所述第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆流片到连接孔填充平坦化工艺步骤之后，对其进行第三连接孔缺陷检测，以判断第二准光罩缺点是否为真正的连接孔图形光罩缺点。
2.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，在所述第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆上形成连接孔唯独刻蚀工艺的薄膜结构时，对晶圆衬底上各层次按比例进行减薄处理。
3.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，所述第一光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵中，其基准条件两侧的两个最***条件以基准条件为中心向内侧以一定步阶对称扩展，所述第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵中，其以基准条件为中心向两侧***条件方向以一定步阶对称扩展，所述第一、第二监控组分别位于所述第一、第二光刻工艺能量/焦距矩阵晶圆的能量/焦距矩阵的一个中心轴的两侧。
4.根据权利要求3所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，所述能量/焦距矩阵中，沿监控组所在中心轴的另一相对中心轴，设有基准条件组。
5.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，利用一扫描电镜，以亮场扫描模式进行第一、第二连接孔缺陷检测。
6.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，利用一扫描电镜，以电压衬度扫描模式进行第三连接孔缺陷检测。
7.根据权利要求6所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，在利用扫描电镜进行连接孔缺陷检测时，进一步利用透射电镜进行分析，以判断第二准光罩缺点是否为真正的连接孔图形光罩缺点。
8.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，所述连接孔刻蚀阻挡层为氧化物硬掩模层。
9.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，所述沟槽刻蚀阻挡层为金属硬掩膜层。
10.根据权利要求1所述的连接孔图形光罩缺点的检测方法，其特征在于，所述低k介质层为多层结构。
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