CN106471631B - 发光器件封装 - Google Patents
发光器件封装 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106471631B CN106471631B CN201580032977.4A CN201580032977A CN106471631B CN 106471631 B CN106471631 B CN 106471631B CN 201580032977 A CN201580032977 A CN 201580032977A CN 106471631 B CN106471631 B CN 106471631B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- adhesive layer
- packaging body
- accommodating portion
- encapsulation according
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims abstract description 125
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims abstract description 83
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 17
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 5
- 208000033748 Device issues Diseases 0.000 claims 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 239000004744 fabric Substances 0.000 claims 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 13
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 7
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 4
- 230000002708 enhancing effect Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- 241001025261 Neoraja caerulea Species 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 230000003760 hair shine Effects 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N tetraphosphorus Chemical compound P12P3P1P32 OBSZRRSYVTXPNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910020776 SixNy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910020781 SixOy Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N chromafenozide Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C(=O)N(NC(=O)C=2C(=C3CCCOC3=CC=2)C)C(C)(C)C)=C1 HPNSNYBUADCFDR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 238000007373 indentation Methods 0.000 description 1
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N mercury Chemical compound [Hg] QSHDDOUJBYECFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052753 mercury Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 1
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 1
- 229910052573 porcelain Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 1
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
- H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
- H01L33/387—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape with a plurality of electrode regions in direct contact with the semiconductor body and being electrically interconnected by another electrode layer
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/58—Optical field-shaping elements
- H01L33/60—Reflective elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/0201—Thermal arrangements, e.g. for cooling, heating or preventing overheating
- H05K1/0212—Printed circuits or mounted components having integral heating means
-
- F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
- F21—LIGHTING
- F21V—FUNCTIONAL FEATURES OR DETAILS OF LIGHTING DEVICES OR SYSTEMS THEREOF; STRUCTURAL COMBINATIONS OF LIGHTING DEVICES WITH OTHER ARTICLES, NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- F21V7/00—Reflectors for light sources
- F21V7/04—Optical design
- F21V7/05—Optical design plane
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
- H01L2224/732—Location after the connecting process
- H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
- H01L2224/73265—Layer and wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
- H10K85/731—Liquid crystalline materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本实施例的一种发光器件封装,包括:封装体;位于封装体上方的至少一个发光器件;位于至少一个发光器件与封装体之间的粘合层;以及布置在封装体中,用于在其中容纳粘合层的粘合层容纳部分。其中,粘合层容纳部分具有侧表面,被布置为相对于在封装体厚度方向上延伸的虚构垂直面以预定角度倾斜。
Description
技术领域
实施例涉及一种发光器件封装。
背景技术
已经基于例如氮化镓(GaN)金属有机化学气相沉淀方法以及分子束生长方法而开发出了可以实现非常明亮的白光的红光、绿光、蓝光发光二极管(LED)。
这些LED取代了传统的光源,因为,它们不包括例如应用在诸如白炽灯以及荧光灯的传统照明电器中的汞(Hg)这类对环境有害的材料,因而对环境是有益的,并且还具有几个优点,例如,诸如使用寿命长、低能耗。LED的显著竞争力是通过高效、高输出的芯片以及封装技术以实现高亮度。
图1是包括封装体10、粘合层20以及LED 30的传统发光器件封装的示意剖视图。
参照图1,在膏状物形式的粘合层20形成在封装体10上之后,当通过压入(stamp)来形成LED 30时,粘合层20被布置在LED 30和封装体10之间,因而导致LED 30与封装体10二者相互之间被接合。
图2a至图2c是图1所示发光器件封装的不同的平面图。
当压入LED 30时,粘合层20处于膏状物的形式,因而由于其粘性而示出了多种平面形状。通常情况下,LED 30周围的粘合层20的平面形状如图2a所示。但粘合层20可以在LED 30周围沿径向方向广泛地蔓延,如图2b所示。可替代地,粘合层20可以仅在LED 30周围的一个方向上广泛地蔓延。如上所述,当LED 30经由压入被接合至封装体10时,可能难以使膏状物形式的粘合层20的蔓延最小化或控制膏状物形式的粘合层20的蔓延。
在膏状物形式粘合层20蔓延得异常地广泛的情况下,如图2b或2c所示,粘合层20可能由于从LED 30发射的波段处于270nm至285nm范围内的深紫外光而变色。此时,变色的粘合层20可以吸收大量的光,因而产生低发光效率和不良散热的问题。特别地,其后当变色的粘合层20进而被分解时,会形成微小裂纹等,这会由于允许水分渗入其中而降低发光器件封装的寿命。
发明内容
【技术问题】
实施例提供了一种具有增强的发光效率、增强的散热能力以及延长的使用寿命的发光器件封装。
【技术方案】
实施例提供了一种发光器件封装,该发光器件封装包括:封装体;位于封装体上的至少一个发光器件;用于将至少一个发光器件接合至封装体的粘合层;以及形成在封装体中,用于在其中容纳粘合层的粘合层容纳部分。其中,粘合层容纳部分具有形成为相对于在封装体厚度方向上延伸的虚构垂直面以预定角度倾斜的侧表面。例如,该预定角度可以等于或大于0度并且可以等于或小于45度。
封装体可以包括腔。至少一个发光器件、粘合层以及粘合层容纳部分位于腔中。
粘合层可以包括Ag膏状物或Au膏状物中的至少一种。
封装体可以由电性绝缘材料形成。粘合层容纳部分可以与封装体分离地形成。
封装体可以由导电材料形成。粘合层容纳部分可以与封装体一体形成。
粘合层容纳部分可以包括布置在封装体上表面上的堤部,以便界定用于在其中容纳粘合层的空间。堤部与封装体可以由相同或不同的材料形成。
粘合层容纳部分可以形成为在封装体顶部中内凹的形状。
粘合层容纳部分的深度可以等于或大于粘合层高度,并且粘合层容纳部分的深度减去粘合层高度的结果可以等于或小于所述至少一个发光器件高度的0.25倍。
所述的至少一个发光器件可以发出波段在200nm至405nm范围内的光。
粘合层容纳部分可以具有圆形的、椭圆形的或多边形的平面形状。
发光器件封装还可以包括在粘合层容纳部分周围彼此被间隔开布置的第一和第二引线接合垫,以及用于分别将所述至少一个发光器件的第一和第二电极与第一和第二引线接合垫相互连接的第一和第二引线。
粘合层容纳部分与第一和第二引线接合垫可以以第一间距彼此被间隔开,第一和第二引线接合垫与腔的侧表面可以以第二间隔彼此被间隔开。
粘合层容纳部分可以包括底表面以及从底表面延伸的侧表面,其中,所述侧表面可以在其顶侧处具有第一宽度,并且在其底侧处具有第二宽度,第一宽度可以小于第二宽度。
封装体可以包括第一和第二本体部分,并且发光器件封装还可以包括用于使第一和第二本体部分电性绝缘的绝缘体。
粘合层可以具有膏状物形式。
【有益效果】
在根据实施例的发光器件封装中,因为粘合层被容纳在粘合层容纳部分中,所以当发光器件和封装体彼此接合时,可以使粘合层蔓延的半径最小化,这样可以减少粘合层对光的吸收,导致增强的发光效率和增强的散热能力。另外,即使是从发光器件发出了在深紫外光波段中的光,也可以防止粘合层的变色和分解,这可以增加发光器件封装的使用寿命。
附图说明
图1是传统发光器件封装的示意剖视图;
图2a至图2c是图1所示发光器件封装的不同的平面图;
图3a和图3b分别是根据一个实施例的发光器件封装的分解剖视图和结合剖视图;
图4a和图4b是根据另一个实施例的发光器件封装的分解剖视图和结合剖视图;
图5是根据另一个实施例的发光器件封装的平面图;
图6是沿着图5的线A-A'截取的剖视图;
图7是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明设备的实施例的分解透视图;
图8是根据实施例示出了包括发光器件封装的显示设备的实施例的分解透视图。
具体实施方式
为了具体的描述本公开并辅助本公开的理解,下文将参照附图对实施例进行详细的描述。但是,此处公开的实施例可以以多种其他形式替换,并且本公开的范围不应被解释为限于这些实施例。提供此处公开的实施例以便向本领域一般技术人员更完美地解释本公开。
在此处公开的实施例的描述中,可以理解的是,当一个元素被称为形成在另一个元素的“上面”或“下面”时,可以是直接地位于另一个元素的“上面”或“下面”,或者是在其中间介入一个或多个元素而被间接地形成。还可以理解的是,位于元素的“上面”或“下面”是相对于附图的描述。
另外,用在以下描述中的相关术语,例如诸如“第一”、“第二”、“在上方/顶部/在上面”、“在下方/底部/在下面”可以被用以将任何一个物质或元素与另一个物质或元素相区分,在这些物质或元素之间不需要或包含任何物理或逻辑关系或顺序。
为了清晰和方便,在附图中,可以夸大、省略或示意性地示出每层的厚度或尺寸。另外,每一个构成元素的尺寸不完全反应其实际尺寸。
图3a和图3b分别是根据一个实施例的发光器件封装100A的分解剖视图和结合剖视图。
在图3a和图3b中示出的发光器件封装100A包括封装体110A、粘合层120以及发光器件130。
发光器件130被布置在封装体110A上。
封装体110A可以由电性绝缘材料或导电材料构成。例如,封装体110A可以包括传播热量且导电的金属材料,例如铝。可代替地,封装体110A可以包括SixOy、SixNy、Al2O3或AlN中的至少一种。例如,封装体110A可以由电性绝缘陶瓷构成,诸如低温共烧陶瓷(LTCC)或高温共烧陶瓷(HTCC)。这里,经由粘合层120被接合至发光器件130的封装体110A可以是裸片接合垫。
发光器件130可以经由粘合层120被接合至封装体110A。为了这个目的,粘合层120可以是膏状物形式的,并可以包括例如Ag或Au中的至少一种。
另外,关于发光器件130的接合形状,本实施例不作限制。也就是说,发光器件130可以具有垂直接合结构、水平接合结构或倒装芯片接合结构。
发光器件130可以是边光型发光二极管或直下型发光二极管。
另外,发光二级管130可以被配置为蓝光LED或紫外LED,或可以被配置成包括选自红光LED、绿光LED、蓝光LED、黄绿光LED以及白光LED之中至少一种的LED,或包括其中两者或更多的组合的封装形式。
同时,如图3a所示的粘合层容纳部分140A可以形成在封装体110A中,因而具有在其中容纳粘合层120(如图3b所示)的形状。
图4a和图4b是根据另一个实施例的发光器件封装100B的分解剖视图和结合剖视图。
图4a和图4b示出的发光器件封装100B包括封装体110B、粘合层120以及发光器件130。此处,粘合层120和发光器件130分别对应与图3a和图3b所示的粘合层120和发光器件130,因而,用相同的参考数字指定,并且省略其中重复的描述。
在图3a和图3b所示的发光器件封装100A的情况中,粘合层容纳部分140A可以形成为在封装体110A顶部中内凹的形状。也就是说,封装体110A具有界定在粘合层容纳部分140A中的空间的台阶式上表面112A-1和112A-2
另一方面,在图4a和图4b所示的发光器件封装100B的情况中,粘合层容纳部分140B包括堤部142。堤部142被布置在封装体110B的上表面112B上,以便界定在粘合层容纳部分140B中的可以容纳粘合层120的空间。在此情况下,不同于图3a和图3b所示的封装体110A具有阶梯式的上表面112A-1和112A-2,封装体110B的上表面112B是平的。这样,除了封装体顶部的结构差异之外,图4a和图4b所示的封装体110B同图3a和图3b所示的封装体110A具有相同的性质。另外,尽管图4b所示的粘合层120的形状示出为不同于图3b所示粘合层120的形状,但实施例对此不作限制。也就是说,图4b所示的粘合层120的形状可以同图3b所示的粘合层120的形状相同。
如图3a和图3b所示,粘合层容纳部分140A可以与封装体110A一体形成。可代替地,如图4a和图4b所示,粘合层容纳部分140B可以与封装体110B分离地形成。
在图4a和图4b中,堤部142和封装体110B可以包括相同材料,或可以包括不同材料。
如图3a和图3b所示,当封装体由导电材料形成时,粘合层容纳部分140A可以同封装体110A一体形成。这是因为,当封装体110A由导电金属形成时,金属可以确保容易地形成内凹。
此外,如图4a和图4b所示,当封装体由电性绝缘材料形成时,尽管使用分离于封装体110B的堤部142可以形成粘合层容纳部分140B,但本实施例对此不作限制。
参照图3a和3b,当粘合层容纳部分140A的深度D1小于粘合层120的第一高度H1时,粘合层120可以不被完全地容纳在粘合层容纳部分140A中。此时,不能被容纳在粘合层容纳部分140A中的粘合层120的剩余部分可以溢出粘合层容纳部分140A至封装体110A的上表面112A-1之上。
此外,参照图4a和图4b,当粘合层容纳部分140B的深度D2小于粘合层120的第一高度H1时,粘合层120可以不被完全地被容纳在粘合层容纳部分140B中。此时,不能被容纳在粘合层容纳部分140B中的粘合层120的剩余部分可以溢出粘合层容纳部分140B至堤部142的上表面142A之上。
另外,当通过从粘合层容纳部分140A或140B的深度D1或D2减去第一高度H1而获取的值大于发光器件130的第二高度H2的0.25倍时,从发光器件130发出的光可以被导入粘合层容纳部分140A或140B从而消散。这样可以使整个发光器件封装100A或100B的光提取效率劣化。
鉴于以上描述,尽管粘合层容纳部分140A或140B的深度D1或D2可以等于或大于第一高度H1,并且通过从深度D1或D2减去第一高度H1而获取的值可以等于或小于第二高度H2的0.25倍,但本实施例对此不作限制。
此外,图3a和图3b所示的粘合层容纳部分140A可以包括底表面112A-2和从底表面112A-2延伸的侧表面116。此时,侧表面116在顶侧处的第一第一宽度W11可以小于侧表面116在底侧处的第二第一宽度W21。也就是说,侧表面116可以形成为,相对于沿封装体110A厚度方向延伸的虚构垂直面118,以预定角度θ倾斜。
此外,如图4a和图4b所示的粘合层容纳部分140B可以包括底表面112B和从底表面112B延伸的堤部142的侧表面142B。此时,侧表面142B在顶侧处的第一第二宽度W12可以小于侧表面142B在底侧处的第二第二宽度W22。也就是说,侧表面142B可以形成为,相对于沿封装体110B厚度方向延伸的虚构垂直面118,以预定角度θ倾斜。
前述的预定角度θ可以大于或等于0度并且小于或等于45度。
如上所述,在对应粘合层容纳部分140A或140B开口的侧表面116或142B的顶侧处的第一第一宽度W11(或第一第二宽度W12)小于第二第一宽度W21(或第二第二宽度W22)的情况下,当由于发光器件130经由压入而使得粘合层120受到50gf(克力)或100gf的力的挤压时,粘合层120可能难以溢出粘合层容纳部分140A或140B。这样可以确保粘合层120被可靠地容纳在粘合层容纳部分140A或140B中。
下文中,将参照附图描述根据另一个实施例的包括图3a和图3b所示的粘合层容纳部分140A的发光器件封装100C。然而,以下描述当然可以应用于根据另一实施例的包含图4a和图4b所示的粘合层容纳部分140B的发光器件封装。
图5是根据另一个实施例的发光器件封装100C的平面图,图6是沿着图5的线A-A'截取的剖视图。为了便于描述,在图5中省略图6所示的透光器件160和模塑器件170。尽管图5和图6所示的坐标系是笛卡尔坐标系,但本实施例当然地可以利用其它坐标系来描述。
参照图5和图6,根据另一个实施例的发光器件封装100C包括封装体110C、粘合层120、发光器件130、第一和第二引线接合垫152和154、第一和第二引线156和158、透光器件160以及模塑器件170。
图5和图6所示的粘合层120和发光器件130分别对应图3a和图3b所示的粘合层120和发光器件130,因而用相同的参考数字指定,并且省略其中重复的描述。
尽管图5和图6所示的封装体100C可以包括腔C,但本实施例对此不作限制。当封装体110C包括图5和图6所示的腔C时,粘合层120、发光器件130以及粘合层容纳部分140A被放置在腔C内部。但是,不像图5和图6所示的那样,即使当封装体不包括腔时,粘合层120、发光器件130以及粘合层容纳部分140A当然地可以被布置在图3a和图3b所示的封装体110A的顶部中。
再次参照图5和图6,包括腔C的封装体110C可以被分成在垂直于封装体110C厚度方向(Z轴方向)的方向(X轴方向)中彼此相邻的第一区域A1和第二区域A2。此时,在第一区域A1中,腔C的第一底表面CB1(或第一下表面CB1,即封装体110C的上表面)经由粘合层120被接合至发光器件130。此时,粘合层容纳部分140A形成为在封装体110C第一区域A1的顶部中内凹的形状,用于在其中容纳粘合层120。
这样,除了腔C形成在封装体110C中之外,图5和图6所示的封装体110C与图3a和图3b所示的封装体110A相同,因而省略其中重复的描述。
当从发光器件130发出的光的波段是范围在200nm至405nm内的紫外线波段时,为了增加散热效率,封装体110C可以由具有热传导性和导电性的材料形成。在此情况下,发光器件封装100C还可以包括绝缘体180,并且封装体110C可以包括第一和第二本体部分110C1和110C2。此外,第一和第二本体部分110C1和110C2因为绝缘体180而彼此之间是电性隔绝的。但当封装体110C是由电性绝缘材料形成时,图5和图6所示的绝缘体180可以省略。
此外,参照图5,尽管粘合层容纳部分140A具有方形的平面形状,但本实施例对此不作限制。也就是说,根据另一个实施例,粘合层容纳部分140A可以具有任何其他形状,包括多边形、圆形或椭圆形的平面形状,以代替正方形的平面形状。
另外,第一和第二引线接合垫152和154在粘合层容纳部分140A的***周围被布置成彼此电性间隔开。例如,尽管第一引线接合垫152是为发光器件130正极分配的垫,第二引线接合垫154是为发光器件130负极分配的垫,但本实施例对此不做限制,且可以具有相反的配置。
发光器件130的第一和第二电极(图中未示出)可以分别经由第一和第二引线156和158被电性地连接至第一和第二引线接合垫152和154。
另外,粘合层容纳部分140A可以与第一和第二引线接合垫152和154间隔第一间距d1,并且腔C的侧表面CS可以与第一和第二引线接合垫152和154间隔第二间距d2。此时,可以考虑到粘合层容纳部分140A形成过程的容差来确定第一间距d1。
参照图5和图6,形成在封装体110C第一区域A1中的粘合层容纳部分140A的宽度可以是“X1”,包括粘合层容纳部分140A和第一间距d1的宽度可以是“X2”,包括粘合层容纳部分140A、第一间距d1以及第一与第二引线接合垫152和154的宽度可以是“X3”,分别形成在封装体110C的第一与第二区域A1和A2中的,腔C的第一和第二底表面CB1和CB2的总宽度可以是“X4”,包括腔C的第一和第二底表面CB1和CB2以及侧表面CS的宽度可以是“X5”,包括腔C的宽度X5以及其上布置有透光器件160的封装体110C的上表面的宽度可以是“X6”,整个封装体110C的宽度可以是“X7”。此处,腔C侧表面CS的宽度d3可以大于或等于“0”。
同时,透光器件160可以覆盖腔C的顶部,并可以在垂直方向中(在Z轴方向中)透射从至少一个发光器件130发出的光。为了这个目的,透光器件160可以由透明材料形成以使发光器件130发出的光被透射。例如,尽管透光器件160可以由诸如石英或蓝宝石形成,但本实施例对于透光器件160的构成材料不作限制。
此外,尽管如图6所示,透光器件160可以具有平板的形状,但本实施例对此不作限制。也就是说,根据另一个实施例,透光器件160可以具有半球形或球形。此外,透光器件160可以包括平板、半球形透镜或球形透镜。
模塑器件170位于腔C中,以便包围所述至少一个发光器件130。另外,模塑器件170可以包括磷光体,以便改变从发光器件130发出的光的波长。例如,当发光器件130发出蓝光且模塑器件170包括黄磷光体时,可以向透光器件160的顶部发出白光。可代替地,当发光器件130发出蓝光且模塑器件170包括红磷光体和绿磷光体时,可以向透光器件160的顶部发出白光。可代替地,当发光器件130发出蓝光且模塑器件170包括黄磷光体、红磷光体以及绿磷光体时,可以向透光器件160的顶部发出白光。
在一些情况中,腔C的内部可以处于真空状态,而不是由模塑器件170填充。
根据本实施例的多个发光器件封装可以在板上形成阵列,并且诸如导光板、棱镜片和漫射片的光学器件可以例如被布置在发光器件封装的光路上。发光器件封装、板以及光学器件可以起发光单元的作用。根据另一实施例,可以实现包括公开在上述实施例中的发光器件封装的显示装置、指示器装置以及照明***。例如,照明***可以包括电灯或街灯。
图7是示出根据实施例的包括发光器件封装的照明设备的实施例的分解透视图。
根据本实施例的照明设备包括用于投射光的发光模块600、容纳发光模块600的外壳400、用于散发来自发光模块600的热量的散热器500、以及用于将发光模块600和散热器500耦接至外壳400的固定器700。
外壳400包括被耦接至电源插座(图中未示出)的插座耦接部分410,以及被连接至插座耦接部分410并在其中容纳光源600的主体部分420。主体部分420可以在其中具有一个气流透过孔430。
多个气流透过孔430可以形成在外壳400的主体部分420中。也就是说,可以设置一个气流透过孔430,可以如示出的那样径向地布置多个气流透过孔430,或可能是多种其他的布置。
发光模块600包括布置在电路板610上的多个发光器件封装650。发光器件封装650可以包括根据前述实施例的发光器件封装100A、100B或100C。电路板610可以具有某种形状以便嵌入外壳400中的开口。并且可以由高导热材料形成以便向即将在下文描述的散热器500传递热量。
固定器700可以设置在发光模块下面,并且可以包括框架和另一个气流透过孔。此外,尽管没有示出,可以在发光模块600下面设置光学器件以便漫射、发散或会聚从发光模块600的发光器件模块650投射出的光。
图8是示出根据实施例的包括发光器件封装的显示设备800的实施例的分解透视图。
参照图8,根据实施例的显示设备800包括发光模块830和835、位于底盖810上的反射器820、位于反射器820前面并用于向显示设备前侧引导由发光模块发出的光的导光板840、位于导光板840前面的第一棱镜片850和第二棱镜片860、位于第二棱镜片860前面的面板870以及位于面板870前面的滤色器880。
发光模块包括位于电路板830上的前述发光器件封装835。此处,电路板830可以是诸如印刷电路板(PCB),发光器件封装835可以是前述发光器件封装100A、100B或100C。
底盖810可以容纳显示设备800内部的组成元件。如图8所示,反射器820可以设置为分离的元件,或可以通过向导光板840的后表面或底盖810的前表面涂高反光性材料来形成。
此处,反射器820可以由具有高反射性且可以以超薄形式使用的材料形成。反射器820可以由聚对苯二甲酸乙二醇酯形成(PET)。
导光板840散射由发光器件封装模块发出的光,因而导致光被均匀地分布于液晶显示设备的屏幕的整个区域。因此,导光板840可以由具有高折射率和高透光率的材料形成。导光板840可以由诸如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)或聚乙烯(PE)形成。此外,导光板可以被省略,并且可以使用用于在反射片820上方的空间中透射光的空气导光结构。
在支撑膜的一个表面上利用具有透光性的弹性聚合物材料形成第一棱镜片850。聚合物材料可以包括在其中重复形成多个立体结构体的棱镜层。此处,如图所示,重复图案可以被布置为其中凹谷和凸脊被重复的条形。
在第二棱镜片860中的支撑膜一个表面上形成的凸脊和凹谷的所沿的方向垂直于在第一棱镜片850中的支撑膜一个表面上形成的凸脊和凹谷的所沿的方向。这有助于在所有方向上向面板870均匀分布由发光模块和反射器透射的光。
在实施例中,第一棱镜片850和第二棱镜片860形成光学片。光学片可以是任何不同的组合,例如,微透镜阵列、漫射片和微透镜阵列的组合或单个棱镜片与微透镜阵列的组合。
面板870可以包括液晶显示面板,或除了液晶显示面板870以外的需要光源的不同种显示设备。
面板870被配置为使液晶位于玻璃本体之间,并且,为了利用光线偏折,在两个玻璃本体上均布置偏光器。此处,液晶的性质介于液体的性质和固体的性质之间,并且液晶分子(其为具有像液体那样的流动性的有机分子)像晶体那样规则地排列,并且利用通过外加电场而改变的分子的排列来显示图像。
使用在显示设备中的液晶显示面板是有源矩阵式的,并且利用晶体管作为开关来调节提供至每个像素的电压。
滤色器880可以被设置在面板870的前表面上,并且因为各个像素仅透射红光、绿光和蓝光,所以可以利用已经穿过面板870的光来显示图像。
尽管示例性实施例已经在上文示出并描述,但是,对于本领域技术人员自然是显而易见的是,提供的实施例是为了帮助理解的,并且这些实施例不限于上面的描述。不脱离本公开的精神或范围的情况下可以对实施例做出多种修改和变化,并且,只要包括权利要求中所提出的构成元素,这些修改和变化就不应当理解为独立于本公开的的观点或范围。
【实施方式】
对于实施本公开的实施例已经充分的描述在前文的“具体实施方式”中。
【工业实用性】
根据前述实施例的发光器件封装可以应用于多个领域,例如显示设备、指示器设备、或诸如电灯或街灯的照明***。
Claims (20)
1.一种发光器件封装,包括:
封装体;
至少一个发光器件,位于所述封装体上面;
粘合层,位于所述至少一个发光器件与所述封装体之间;以及
粘合层容纳部分,形成在所述封装体中,用于在其中容纳所述粘合层,
其中所述粘合层容纳部分包括:
底表面;以及
侧表面,从所述底表面延伸,所述侧表面被布置为,相对于在所述封装体厚度方向上延伸的虚构垂直面,以预定角度倾斜,以及
其中所述侧表面在其顶侧处具有第一宽度,并且在其底部处具有第二宽度,所述第一宽度小于所述第二宽度。
2.根据权利要求1所述的封装,其中,所述封装体包括腔,并且所述至少一个发光器件、所述粘合层以及所述粘合层容纳部分位于所述腔中。
3.根据权利要求1或2所述的封装,其中,所述粘合层包括Ag膏状物或Au膏状物中的至少一种。
4.根据权利要求1或2所述的封装,其中,所述封装体由电性绝缘材料形成。
5.根据权利要求1或2所述的封装,其中,所述封装体由导电材料形成。
6.根据权利要求4所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分与所述封装体分离地形成。
7.根据权利要求5所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分与封装体一体形成。
8.根据权利要求6所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分包括布置在所述封装体上表面上的堤部,以便界定用于在其中容纳所述粘合层的空间。
9.根据权利要求8所述的封装,其中,所述堤部和所述封装体由相同的材料形成。
10.根据权利要求8所述的封装,其中,所述堤部和所述封装体由不同的材料形成。
11.根据权利要求7所述的封装,其中所述粘合层容纳部分形成为在所述封装体顶部中内凹的形状。
12.根据权利要求1或2所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分的深度等于或大于所述粘合层高度,并且所述粘合层容纳部分的深度减去所述粘合层高度的结果等于或小于所述至少一个发光器件高度的0.25倍。
13.根据权利要求4所述的封装,其中,所述至少一个发光器件发出波段在200nm至405nm范围内的光。
14.根据权利要求1或2所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分具有圆形的、椭圆形的或多边形的平面形状。
15.根据权利要求2所述的封装,其中,所述发光器件封装还包括:
第一引线接合垫和第二引线接合垫,在所述粘合层容纳部分周围彼此被间隔开地布置;以及
第一引线和第二引线,分别将所述至少一个发光器件的第一电极和第二电极与所述第一引线接合垫和第二引线接合垫彼此连接。
16.根据权利要求15所述的封装,其中,所述粘合层容纳部分与所述第一引线接合垫和第二引线接合垫以第一间距彼此被间隔开,并且所述第一引线接合垫和第二引线接合垫与所述腔的侧表面以第二间距彼此被间隔开。
17.根据权利要求1所述的封装,其中,所述预定角度大于0度,且等于或小于45度。
18.根据权利要求5所述的封装,其中,所述封装体包括第一本体部分和第二本体部分,并且
其中,所述发光器件封装还包括绝缘体,用于使所述第一本体部分和第二本体部分电性绝缘。
19.根据权利要求1所述的封装,其中,所述粘合层具有膏状物形式。
20.根据权利要求2所述的封装,所述封装还包括填充在所述腔中的模塑器件。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2014-0074102 | 2014-06-18 | ||
KR1020140074102A KR102221599B1 (ko) | 2014-06-18 | 2014-06-18 | 발광 소자 패키지 |
PCT/KR2015/005690 WO2015194779A1 (ko) | 2014-06-18 | 2015-06-08 | 발광 소자 패키지 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106471631A CN106471631A (zh) | 2017-03-01 |
CN106471631B true CN106471631B (zh) | 2018-12-18 |
Family
ID=54935717
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580032977.4A Active CN106471631B (zh) | 2014-06-18 | 2015-06-08 | 发光器件封装 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10396247B2 (zh) |
KR (1) | KR102221599B1 (zh) |
CN (1) | CN106471631B (zh) |
WO (1) | WO2015194779A1 (zh) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102401826B1 (ko) | 2017-09-15 | 2022-05-25 | 쑤저우 레킨 세미컨덕터 컴퍼니 리미티드 | 발광소자 패키지 및 이를 포함하는 조명장치 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201812815U (zh) * | 2010-07-27 | 2011-04-27 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种防止晶粒漂移的整流器 |
CN201812814U (zh) * | 2010-07-27 | 2011-04-27 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种用于防止二极管芯片漂移的整流器 |
CN102779932A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯 |
CN102881685A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-16 | 四川新力光源股份有限公司 | Led cob封装光源 |
CN203585905U (zh) * | 2013-12-03 | 2014-05-07 | 苏州承源光电科技有限公司 | 一种散热led灯 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE4242842C2 (de) * | 1992-02-14 | 1999-11-04 | Sharp Kk | Lichtemittierendes Bauelement zur Oberflächenmontage und Verfahren zu dessen Herstellung |
JP3992770B2 (ja) | 1996-11-22 | 2007-10-17 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその形成方法 |
JP3614776B2 (ja) * | 2000-12-19 | 2005-01-26 | シャープ株式会社 | チップ部品型ledとその製造方法 |
WO2003021691A1 (en) * | 2001-09-03 | 2003-03-13 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device, light emitting apparatus and production method for semiconductor light emitting device |
JP4211359B2 (ja) * | 2002-03-06 | 2009-01-21 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP3912607B2 (ja) * | 2002-06-19 | 2007-05-09 | サンケン電気株式会社 | 半導体発光装置の製法 |
JP3915806B2 (ja) * | 2003-11-11 | 2007-05-16 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置および電子機器 |
JP3905078B2 (ja) * | 2003-12-08 | 2007-04-18 | 京セラ株式会社 | 発光装置 |
EP1816685A4 (en) * | 2004-10-27 | 2010-01-13 | Kyocera Corp | LIGHT EMITTING ELEMENT PLATE, BEARING CAPACITOR FOR LIGHT EMITTING ELEMENTS, LIGHT EMITTING DEVICE AND LIGHTING DEVICE |
KR101154801B1 (ko) * | 2004-12-03 | 2012-07-03 | 엔지케이 스파크 플러그 캄파니 리미티드 | 세라믹 기판 및 발광 소자 수납용 세라믹 패키지 |
US7329942B2 (en) * | 2005-05-18 | 2008-02-12 | Ching-Fu Tsou | Array-type modularized light-emitting diode structure and a method for packaging the structure |
JP2007194385A (ja) * | 2006-01-19 | 2007-08-02 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法 |
KR100817275B1 (ko) * | 2006-10-16 | 2008-03-27 | 삼성전기주식회사 | 발광다이오드 패키지 |
KR100992778B1 (ko) * | 2008-05-23 | 2010-11-05 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
KR20100018929A (ko) | 2008-08-08 | 2010-02-18 | 김현민 | 우수한 열저항 특성을 보일수 있는 발광다이오드 칩 접착 방법. |
KR100999760B1 (ko) * | 2008-09-26 | 2010-12-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 |
CN101515621B (zh) * | 2009-02-19 | 2011-03-30 | 旭丽电子(广州)有限公司 | 发光二极管芯片、制法及封装方法 |
US8299482B2 (en) | 2009-10-05 | 2012-10-30 | Intellectual Discovery Co., Ltd. | Light emitter |
KR101125296B1 (ko) * | 2009-10-21 | 2012-03-27 | 엘지이노텍 주식회사 | 라이트 유닛 |
KR101157530B1 (ko) | 2009-12-16 | 2012-06-22 | 인탑스엘이디 주식회사 | 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법 |
KR101055081B1 (ko) * | 2010-01-15 | 2011-08-08 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법 및 백라이트 유닛 |
JP5344659B2 (ja) * | 2010-03-24 | 2013-11-20 | 日本たばこ産業株式会社 | シガレット束の供給装置 |
KR101034144B1 (ko) * | 2010-04-28 | 2011-05-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자, 발광 소자 제조방법, 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
US8089207B2 (en) * | 2010-05-10 | 2012-01-03 | Abl Ip Holding Llc | Lighting using solid state device and phosphors to produce light approximating a black body radiation spectrum |
KR20120044112A (ko) * | 2010-10-27 | 2012-05-07 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 조명 시스템 |
DE102011050450A1 (de) * | 2011-05-18 | 2012-11-22 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements |
JP5946520B2 (ja) * | 2011-05-19 | 2016-07-06 | オスラム オプト セミコンダクターズ ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツングOsram Opto Semiconductors GmbH | オプトエレクトロニクス装置及びオプトエレクトロニクス装置の製造方法 |
KR20130023536A (ko) | 2011-08-29 | 2013-03-08 | 삼성전자주식회사 | 발광소자 패키지 |
KR20130026308A (ko) * | 2011-09-05 | 2013-03-13 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지 및 조명 장치 |
DE102011113483B4 (de) * | 2011-09-13 | 2023-10-19 | OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Verfahren zum Herstellen einer Mehrzahl von optoelektronischen Bauelementen und optoelektronisches Bauelement |
KR20130096094A (ko) * | 2012-02-21 | 2013-08-29 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광소자 패키지, 발광 소자 패키지 제조방법 및 이를 구비한 조명 시스템 |
CN103574387A (zh) * | 2012-07-24 | 2014-02-12 | 同方股份有限公司 | 一种led洗墙灯 |
DE102012109183A1 (de) * | 2012-09-27 | 2014-03-27 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Optoelektronische Vorrichtung |
KR101960792B1 (ko) | 2012-11-05 | 2019-07-15 | 엘지이노텍 주식회사 | 발광 소자 패키지 및 이를 포함하는 발광 모듈 |
TWI485520B (zh) * | 2013-06-11 | 2015-05-21 | Chi Mei Corp | 負型感光性樹脂組成物及其應用 |
US9362452B2 (en) * | 2013-06-14 | 2016-06-07 | Epistar Corporation | Light-emitting device and the manufacturing method thereof |
CN104393192A (zh) * | 2014-12-04 | 2015-03-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种像素界定层及其制作方法、显示面板、显示装置 |
-
2014
- 2014-06-18 KR KR1020140074102A patent/KR102221599B1/ko active IP Right Grant
-
2015
- 2015-06-08 WO PCT/KR2015/005690 patent/WO2015194779A1/ko active Application Filing
- 2015-06-08 CN CN201580032977.4A patent/CN106471631B/zh active Active
- 2015-06-08 US US15/319,486 patent/US10396247B2/en active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN201812815U (zh) * | 2010-07-27 | 2011-04-27 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种防止晶粒漂移的整流器 |
CN201812814U (zh) * | 2010-07-27 | 2011-04-27 | 苏州固锝电子股份有限公司 | 一种用于防止二极管芯片漂移的整流器 |
CN102779932A (zh) * | 2011-05-13 | 2012-11-14 | Lg伊诺特有限公司 | 发光器件封装及具有该发光器件封装的紫外灯 |
CN102881685A (zh) * | 2012-09-29 | 2013-01-16 | 四川新力光源股份有限公司 | Led cob封装光源 |
CN203585905U (zh) * | 2013-12-03 | 2014-05-07 | 苏州承源光电科技有限公司 | 一种散热led灯 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR102221599B1 (ko) | 2021-03-02 |
KR20150144971A (ko) | 2015-12-29 |
CN106471631A (zh) | 2017-03-01 |
US20170324003A1 (en) | 2017-11-09 |
WO2015194779A1 (ko) | 2015-12-23 |
US10396247B2 (en) | 2019-08-27 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101859149B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101788723B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
JP2019106551A (ja) | 発光素子パッケージ | |
TWI594464B (zh) | 發光元件封裝 | |
US10714660B2 (en) | Light-emitting device package having a device to prevent permeation of foreign substances | |
KR101852388B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
CN106471631B (zh) | 发光器件封装 | |
US9324695B2 (en) | Method of tuning color temperature of light-emitting device | |
KR101186651B1 (ko) | 발광 다이오드용 캡 및 발광 다이오드 | |
KR102099443B1 (ko) | 발광 소자 패키지 및 그 제조방법 | |
KR101675588B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101860899B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR101741613B1 (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20060117612A (ko) | 발광 다이오드용 캡 및 발광 다이오드 | |
KR101692511B1 (ko) | 발광 소자 | |
KR101583561B1 (ko) | 발광 소자 | |
KR20170001693A (ko) | 발광 소자 | |
KR20130006964A (ko) | 발광 소자 패키지 | |
KR20150048102A (ko) | 발광 소자 | |
KR20120134337A (ko) | 발광 소자 패키지 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
TR01 | Transfer of patent right | ||
TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210812 Address after: 168 Changsheng North Road, Taicang City, Suzhou City, Jiangsu Province Patentee after: Suzhou Leyu Semiconductor Co.,Ltd. Address before: Seoul City, Korea Patentee before: LG INNOTEK Co.,Ltd. |