CN106458879A - 鎓盐、光酸产生剂、感光性树脂组合物及装置的制造方法 - Google Patents

鎓盐、光酸产生剂、感光性树脂组合物及装置的制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明是一种下述式(a)所表示的鎓盐。Z‑A‑W‑Y+(R)nX－(a)(所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：Z为一价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；W为二价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；A为直接键或包含选自由碳‑碳单键、碳‑碳双键及碳‑碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基；X表示一价阴离子)。

Description

鎓盐、光酸产生剂、感光性树脂组合物及装置的制造方法
技术领域
本发明的若干形态涉及一种鎓盐。另外，本发明的若干形态涉及一种包含鎓盐的光酸产生剂及感光性树脂组合物、以及使用这些的装置的制造方法。
背景技术
近年来，业界盛行利用使用光阻的光刻技术制造液晶显示器(LCD)及有机EL(Electroluminescence，电致发光)显示器(OLED)等显示装置以及形成半导体元件。所述电子零件或电子产品的封装等广泛利用波长365nm的i射线或波长长于其的h射线(405nm)、g射线(436nm)等光作为活性能量线。其原因在于，可利用廉价且显示出良好的发光强度的中压、高压、及超高压水银灯作为照射光源。因此，认为对从长波长的紫外线到可见光的波长区域显示出高感应性的光酸产生剂的必要性今后会进一步增高。
作为这种光阻用的光酸产生剂，已知各种光酸产生剂(参照专利文献1)。光酸产生剂是具有通过照射光而产生酸的功能的感光剂。另一方面，在凸块形成中，随着电子机器的小型化，作为代替以往的使用焊膏形成焊接凸块的方法，使用光阻形成凸块受到关注。在凸块形成用光阻中，期待开发出一种光酸产生剂，其即便为50μm左右的厚膜，光也会到达至膜的最深部，且以充分的效率产生酸。
背景技术文献
专利文献
专利文献1:日本专利特开平11-7124号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
所述专利文献1所记载的N-羟基邻苯二甲酰亚胺化合物的磺酸酯由于在360nm以上的波长区域也具有强吸收，因此有厚膜时光不会到达至膜的最深部的担忧。另外，由于具有牢固的结构等，所以溶解度低，不易制备光阻用的组合物。
对i射线等长波长紫外线光的感应性高、且透过率也高以便能够应对厚膜、能够以低成本制造的光酸产生剂非常有限。
鉴于这种情况，本发明的若干形态的课题之一在于提供一种对i射线等长波长紫外线光的感应性也高的鎓盐。另外，本发明的若干形态的课题之一在于提供一种对i射线等长波长紫外线光的摩尔吸光系数为适度的值，能够使光到达至膜的最深部的鎓盐作为厚膜用的光阻光酸产生剂。
[解决问题的手段]
本发明者为了解决所述课题而反复进行了努力研究，结果完成了本发明。也就是说，本发明的一个形态是一种下述式(a)所表示的鎓盐。
Z-A-W-Y+(R)nX－ (a)
所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：
Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；
Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；
(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基，典型来说，为一价烃基及可以具有取代基的芳基等有机基；
X表示一价阴离子。
另外，本发明的一个形态是一种鎓盐，其具有阳离子部及阴离子部，所述阳离子部至少包含第1芳香族环、第2芳香族环、及阳离子中心，
所述阳离子中心和所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个键结，
所述第1芳香族环所包含的第1碳原子通过单键直接键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子。
本发明的一个形态是一种光酸产生剂，其包含所述鎓盐的任一种。
本发明的一个形态是一种组合物，其包含所述光酸产生剂、及利用酸进行反应的聚合性合成化合物。
所述利用酸进行反应的化合物优选具有利用酸进行脱保护的保护基或利用酸进行交联。
本发明的一个形态是一种装置的制造方法，其包括：第1步骤，使用所述组合物的任一种在基板上形成涂布膜；第2步骤，使用电磁波或粒子束的第1光将所述涂布膜曝光成图案状；以及图案形成步骤，使实施了所述第2步骤的涂布膜显影而获得光阻图案。另外，可以在所述第1步骤和所述第2步骤之间对所述涂布膜进行加热，也可以在所述第2步骤之后对所述涂布膜进行加热，能够根据所使用的所述组合物等适当追加所述第1步骤～所述第3步骤以外的步骤。
[发明的效果]
根据本发明的一个形态，能够提供一种对i射线等长波长紫外线光的感度高的鎓盐。另外，根据本发明的一个形态，能够提供一种能够使光到达至膜的最深部的鎓盐作为厚膜用的光阻光酸产生剂。
附图说明
图1表示本发明的一个形态的鎓盐的吸收光谱。
图2表示使用本发明的一个形态的感光性树脂组合物制造集成电路(IC)的装置的工艺。
图3-1是将图3分割而成的图。表示使用本发明的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。
图3-2是将图3分割而成的图。表示使用本发明的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。
图3-3是将图3分割而成的图。表示使用本发明的一个形态的感光性树脂组合物制造有机电致发光装置(OLED)的显示器装置的工艺。
具体实施方式
以下，对本发明的实施方式详细地进行说明。
＜1＞鎓盐1
本发明的一个形态是一种下述式(a)所表示的鎓盐。
Z-A-W-Y+(R)nX－ (a)
所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：
Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；
Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；
(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基，典型来说，为一价烃基及可以具有取代基的芳基等有机基；
X表示一价阴离子。
所述式(a)中，Z为一价有机基，具有可以具有至少1个取代基的包含共轭π电子体系的环状结构，典型来说，例如为包含可以具有取代基的苯系芳香族环、可以具有取代基的杂芳香族环或可以具有取代基的非苯系芳香族环的一价有机基。
同样地，W为二价有机基，具有可以具有至少1个取代基的包含共轭π电子体系的环状结构，典型来说，例如为包含可以具有取代基的苯系芳香族环、可以具有取代基的杂芳香族环或可以具有取代基的非苯系芳香族环的二价有机基。
所述苯系芳香族环是环骨架由碳原子形成的芳香族环。作为包含所述苯系芳香族环的一价有机基的具体例，可以列举苯基、联苯基、联三苯基、联四苯基等至少1个苯环直接连结而成的芳香族有机基。其中，在将i射线、h射线及g射线用作所述鎓盐的激发光的情况下，优选苯基、联苯基及联三苯基。
进而，作为包含苯系芳香族环的一价有机基的具体例，可以列举萘基、蒽基、菲基、并环戊二烯基、茚基、二环戊二烯并苯基、苊基、茀基、并环庚三烯基、并四苯基(naphthacenyl)、芘基、基及稠四苯基(tetracenyl)等缩合多环芳香族环，其具有构成1个芳香族环的碳原子中的至少2个原子也包含于构成相邻的至少1个芳香族环的碳原子的结构。其中，在将i射线、h射线及g射线用作所述鎓盐的激发光的情况下，优选萘基、蒽基及菲基。
所述杂环芳香族环在环骨架包含碳原子以外的原子、例如氧原子、硫原子及氮原子等杂原子的至少1个。作为包含所述杂芳香族环的一价有机基的具体例，可以列举呋喃基、噻吩基、吡喃基、噻喃基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、吡唑基、及吡啶基、异苯并呋喃基、苯并呋喃基、异苯并哌喃基、苯并哌喃基、吲哚基、异吲哚基、苯并咪唑基、呫吨基、吖啶基及咔唑基等单环或缩合杂芳香族。在将i射线、h射线及g射线用作所述鎓盐的激发光的情况下，优选呋喃基、噻吩基、吡喃基、噻喃基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、吡唑基、及吡啶基、异苯并呋喃基及苯并呋喃基等。
所述非苯系芳香族环具有苯核以外的环状共轭体系。所述非苯系芳香族环的具体例可以列举薁、轮烯、卓鎓阳离子及茂金属等。
所述例示的有机基能够针对Z及W分别作为一价及二价有机基导入至所述鎓盐。
所述一价有机基或二价有机基也可以将至少1个氢原子取代为各种取代基。作为取代基的具体例，可以列举氰基、三氟甲基、硝基、乙酰基、碘基、溴基、氯基、氟基、酰胺基、烷基、芳基、烷氧基、羟基、硫醇基、烷硫基、氨基、烷基氨基、二烷基氨基等。
就在所述鎓盐中将电子供与至阳离子中心而提高酸产生效率等原因而言，优选将所述取代基中的烷基(-R1)、芳基(-Ar1)、烷氧基(-OR1)、芳氧基(-OAr1)、羟基、硫醇基、烷硫基(-SR1)、氨基、烷基氨基(-NHR1)、二烷基氨基(-NR1R2)、芳基氨基(-NHAr1)、二芳基氨基(-NAr1Ar2)、N-烷基-N-芳基氨基(-NR1Ar1)等供电子基直接键结于Z或W的所述π电子体系。进一步优选将所述供电子基直接键结于所述Z的π电子体系。
在本发明中，所谓“阳离子中心”，表示所述式(a)中的“Y”。
优选选自由所述供电子基所包含的R1及R2(式中，R1及R2分别独立地为可以具有取代基的碳数1以上的烷基)所组成的群中的任一个。
作为所述R1及R2的可以具有取代基的碳数1以上的烷基的具体例，例如可分别独立地列举：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正辛基及正癸基等直链烷基；异丙基、异丁基、叔丁基、异戊基、叔戊基、2-乙基己基等支链烷基；及这些的一个氢被三甲基硅烷基、三乙基硅烷基及二甲基乙基硅烷基等三烷基硅烷基取代的硅烷基取代烷基或这些的至少1个氢原子被氰基或卤素基取代的烷基等。
优选选自由所述供电子基所包含的Ar1及Ar2(式中，Ar1及Ar2分别独立地为可以具有取代基的芳基)所组成的群中的任一个。
作为所述Ar1及Ar2的可以具有取代基的芳基的具体例，可以列举苯基、联苯基、联三苯基、联四苯基、萘基、蒽基、菲基、并环戊二烯基、茚基、二环戊二烯并苯基、苊基、茀基、并环庚三烯基、并四苯基(naphthacenyl)、芘基、基、稠四苯基(tetracenyl)、呋喃基、噻吩基、吡喃基、噻喃基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、吡唑基、及吡啶基、异苯并呋喃基、苯并呋喃基、异苯并哌喃基、苯并哌喃基、吲哚基、异吲哚基、苯并咪唑基、呫吨基、西玛嗪基及咔唑基等。
所述供电子基之中，就对由所述鎓盐产生的酸的稳定性相对高等原因而言，尤其优选烷氧基、芳氧基及烷硫基。就鎓盐的稳定性的观点而言，因为碳原子-氧原子的键比碳原子-硫原子的键稳定，所以进一步优选烷氧基及芳氧基等。
所述A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基。所谓“至少包含1个碳-碳双键或碳-碳三键的二价连结基”，只要为包含-C＝C-及-C≡C-的至少任一个的二价连结基，那么就没有特别限制，例如可以列举-C＝C-、-C＝C-C＝C-、-C≡C-、-C≡C-C≡C-、-C＝C-C≡C-等。优选所述A为直接键或亚乙炔基(-C≡C-)。
所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构。例如当Z及W分别为作为环状有机基的苯基及作为环状有机基的亚苯基时，例示以下的结构(1)及(2)(在下述通式中，省略“-Y(R)nX－”)。在以下的结构中，Z及W分别设为苯基及亚苯基，但本发明的一形态的鎓盐并不限定于此。另外，关于所述环状结构，也并不限定于以下所示的四员环及五员环，也可以在环状结构的骨架中包含至少1个氧原子、氮原子、硅原子或硫原子等杂原子。
[化1]
作为本发明的一形态的鎓盐的Z-A-W-(在通式中，省略“Y(R)nX－”)，优选例示以下的结构(3)～(11)。在以下的结构(3)～(11)中，也可以为如下结构，其以包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的所述连结基代替直接的单键。另外，在以下的结构中，也可以经由直接的单键替换Z和W。也就是说，只要所述式(a)中的-Y(R)nX－键结于以下结构中的任一环状有机基即可。
另外，以下所示的经连结的环状有机基的至少任1个氢原子也可以被上文中所例示的取代基取代。另外，在以下的式中，也可以利用选自氧原子、硫原子及氮原子中的至少1个杂原子取代构成经连结的环状有机基的至少任1个环状结构的碳原子。
[化2]
在本发明的一形态的鎓盐中，优选所述Z为苯基及/或所述W为亚苯基。
在本发明的一形态的鎓盐中，优选所述Y为作为硫原子的锍阳离子或作为碘原子的錪阳离子。
在本发明的一形态的鎓盐中，优选所述X－为选自由CF3CO2 －、CH3CO2 －、CF3CF2C4H4SO3 －、CH3SO3 －、(C6F5)4B－、SbF6 －、PF6 －、BF4 －、CF3SO3 －、HSO4 －、(CF3CF2)3PF3 －、(CF3CF2)2PF4 －、(CF3CF2)PF5 －、((CF3)2C6H3)4B－、(C6F5)4Ga－、((CF3)2C6H3)4Ga－、九氟丁磺酸根阴离子、丁磺酸根阴离子、樟脑磺酸根阴离子、苯磺酸根阴离子、对甲苯磺酸根阴离子、(CF3SO2)3C－、(CF3SO2)2N－及(C4F9SO2)2N－所组成的群中的阴离子。
作为Y上的取代基的(R)n可以相互相同，也可不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基，典型来说，为一价烃基及可以具有取代基的芳基等有机基。
作为所述(R)n，具体来说，可以分别独立地列举：甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基、正辛基及正癸基等直链烷基；异丙基、异丁基、叔丁基、异戊基、叔戊基、2-乙基己基等支链烷基；这些烷基的1个氢被三甲基硅烷基、三乙基硅烷基及二甲基乙基硅烷基等三烷基硅烷基取代的硅烷基取代烷基；这些烷基的至少1个氢原子被氰基或卤素基取代的烷基；及苯基、联苯基、联三苯基、联四苯基、萘基、蒽基、菲基、并环戊二烯基、茚基、二环戊二烯并苯基、苊基、茀基、并环庚三烯基、并四苯基(naphthacenyl)、芘基、基、稠四苯基(tetracenyl)、呋喃基、噻吩基、吡喃基、噻喃基、吡咯基、咪唑基、恶唑基、噻唑基、吡唑基、及吡啶基、异苯并呋喃基、苯并呋喃基、异苯并哌喃基、苯并哌喃基、吲哚基、异吲哚基、苯并咪唑基、呫吨基、西玛嗪基及咔唑基等芳香族环基等。另外，也可以为苄基、苯乙基等具有芳香族环的烷基。
R也可以具有氰基、硝基、全氟烷基、卤素原子等吸电子基及如上所述的供电子基作为取代基。
在Y为硫原子的情况下，也可以是各个(R)n相互键结而成的以下的(12)～(16)那样的包含硫原子的4元环至8元环等环状结构。
[化3]
就提高鎓盐的长期稳定性的观点而言，Y优选和上文中所例示的作为R的苯基等芳香族环基键结。尤其是在Y为硫原子的情况下，R优选全部为芳香族环基。
在本发明的一形态的鎓盐中，将所述式(a)所表示的鎓盐中的优选具体例示于以下。
[化4]
＜2＞鎓盐2
另外，本发明的一个形态的鎓盐具有阳离子部和阴离子部，至少包含第1芳香族环、第2芳香族环及阳离子中心，所述阳离子中心和所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个键结，所述第1芳香族环所包含的第1碳原子通过单键直接键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子。典型来说，所述阳离子部包含：第1有机基，其具备具有可以具有至少1个取代基的所述第1芳香族环的环状结构；及第2有机基，其具备具有可以具有至少1个取代基的所述第2芳香族环的环状结构。所述阳离子中心优选硫原子或碘原子等。作为所述第1有机基，例如可以列举具有仅由碳原子形成环骨架的苯系芳香族环、环骨架包含碳原子以外的原子的杂芳香族环或具有苯核以外的环状共轭体系的非苯系芳香族环的有机基。所述第2有机基也同样地可以列举具有苯系芳香族环、杂芳香族环或非苯系芳香族环的有机基为例。具有苯系芳香族环、杂芳香族环或非苯系芳香族环的有机基的具体例如上所述。
所述第1有机基和所述第2有机基优选直接键结，或者经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结。
更优选所述第1有机基为苯系芳香族环基、杂芳香族环基或非苯系芳香族环基，所述第2有机基为苯系芳香族环基、杂芳香族环基或非苯系芳香族环基，所述第1有机基的芳香族环所包含的至少1个碳原子和所述第2有机基的芳香族环所包含的至少1个碳原子直接键结，或经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结。
进而，所述第1碳原子优选通过单键直接键结于所述第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2碳原子。根据所述键结形态而形成所述2个芳香族环经扩展的π电子体系。这种鎓盐能够通过光反应而产生π电子体系的缩小反应，从而提高透过率，因此在将该鎓盐用作例如用于将膜厚10μm以上的厚膜图案化的光酸产生剂的情况下，能够使光透过到膜的深部。
进一步优选将所述第1有机基的芳香族环所包含的至少1个碳原子和所述第2有机基的芳香族环所包含的至少1个碳原子直接键结，或经由亚乙炔基键结。
具体来说，优选列举所述式(a)所表示的鎓盐。
在本发明的一个形态的鎓盐中，优选鎓盐通过吸收具有该第1波长的电磁波或粒子束而减少所述鎓盐的第1波长下的吸光系数。更优选所述电磁波或粒子束为i射线、g射线或h射线。进一步优选所述电磁波为i射线。第1波长优选长于350nm，优选365nm。
关于本发明的一形态的鎓盐的阳离子部，硫原子或碘原子等阳离子中心具有相对高的电子接受性。因此，向最低激发态或其附近的激发态的电子跃迁带有从键结于该阳离子中心的π电子体系向该阳离子中心进行电荷转移的性质。通过对具有这种电荷转移的性质的吸收带照射光，电子向阳离子中心转移，酸的产生效率提高。
在产生酸后，该阳离子中心进行反应而变化，因此具有电荷转移型的电子跃迁的概率减少，第1波长下的吸光系数减少的倾向。因此，通过照射具有第1波长的电磁波或粒子束，第1波长下的光的透过率提高，该激发光到达至光阻膜的深部，膜整体的酸产生效率提高，从而能够缩短曝光所需的时间。因此，本发明的一形态的鎓盐在进行厚膜的图案化时适合。
为了提高所述电荷转移型的电子跃迁的概率，优选在连结于该阳离子中心的芳香族环(所述式(a)中的W所表示的二价有机基)及/或未连结于该阳离子中心的芳香族环(所述式(a)中的Z所表示的一价有机基)上导入至少1个供电子基。作为所述芳香族环，可以列举苯系芳香族环、杂芳香族环或非苯系芳香族环等。作为连结于该阳离子中心的芳香族环，也可以导入苯系芳香族环、杂芳香族环或非苯系芳香族环等的任一种。关于供电子基及具有芳香族环的有机基的具体例，可以列举上文中所例示者。
作为提高所述电荷转移型的电子跃迁的概率的方法，存在提高连结于阳离子中心的π电子体系的电子非定域化的程度而使最高占据分子轨道(HOMO)的能阶上升的情况。所述(17)～(22)的化合物通过使多个芳香族环直接键结或经由双键或者三键键结，而使该多个芳香族环相互作用，提高π电子体系的非定域化的程度。
通过在所述(17)～(22)的化合物中进而将至少1个烷氧基等供电子基导入至芳香族环(所述式(a)中的Z所表示的一价有机基及/或W所表示的二价有机基)，电荷转移型跃迁在电子跃迁中的作用进而增高，酸产生效率提高。
本发明的一形态的鎓盐优选具有相同或不同的至少第1芳香族环及第2芳香族环，形成所述第1芳香族环的环骨架的碳原子的1个碳原子和形成所述第2芳香族环的环骨架的1个碳原子直接键结。
在该鎓盐中，优选阳离子部的阳离子中心仅键结于所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个。进而，就增强在长轴方向上具有跃迁矩的电荷转移型吸收、能够向该阳离子中心供给电子、能够提高酸产生效率的方面而言，优选像所述化合物(17)、(20)及(21)那样将至少1个供电子基导入至所述第1芳香族环及所述第2芳香族环中的并未键结有该阳离子中心的芳香族环。
本发明的一形态的鎓盐具有相同或不同的至少第1芳香族环及第2芳香族环，形成所述第1芳香族环的环骨架的碳原子的1个碳原子和形成所述第2芳香族环的环骨架的1个碳原子是经由至少1个双键或三键等π电子系连结基而键结。
在该鎓盐中，优选阳离子部的阳离子中心仅键结于所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个。进而，通过像所述化合物(18)及(19)那样将至少1个供电子性的取代基导入至所述第1芳香族环及所述第2芳香族环中的并未键结有该阳离子中心的芳香族环，从而增强在长轴方向上具有跃迁矩的电荷转移型吸收，能够向该阳离子中心供给电子，能够提高酸产生效率。
＜3＞鎓盐的制造方法
所述式(a)所表示的鎓盐的制造方法并没有特别限制，能够使用应用了众所周知的有机合成反应的方法。
例如，作为所述式(a)所表示的鎓盐中A为直接键且Y为硫原子的锍盐的合成例，可以列举以下所记载的流程。
在以下的流程中，TfO－表示三氟甲磺酸盐。
[化5]
以下，对具体的合成方法进行叙述。
将镁浸渍于无水四氢呋喃中，并利用少量二溴乙烷活化后，在室温下缓慢滴加包含1.9g对茴香基溴化物的5ml无水四氢呋喃的溶液。在室温下搅拌6小时后添加0.3g的[1,2-双(二苯基膦基)乙烷]镍(II)二氯化物。之后，缓慢滴加2.0g对甲硫基苯基溴化物的5ml无水四氢呋喃溶液，并进行10小时加热回流。加热回流后恢复到室温，使该混合物通过二氧化硅凝胶，并从获得的溶液中蒸馏去除溶剂。使所获得的固体利用甲醇再结晶，并使之干燥，由此获得2.0g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯。接着，在使1.15g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯溶解于10ml二氯甲烷中后，添加包含1.5g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液，并进行混合。向该混合物中缓慢添加0.7g碘甲烷的10ml二氯甲烷溶液，并在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，并过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，过滤该沉淀物后进行干燥，由此获得1.2g作为目标物的物质A-1。
将0.3g镁浸渍于无水四氢呋喃中，并利用少量二溴乙烷活化后，在室温下缓慢滴加包含1.9g对茴香基溴化物的5ml无水四氢呋喃的溶液。在室温下搅拌6小时后添加0.3g的[1,2-双(二苯基膦基)乙烷]镍(II)二氯化物。之后，缓慢滴加2.0g对甲硫基苯基溴化物的5ml无水四氢呋喃溶液，并进行10小时加热回流。加热回流后恢复到室温，使该混合物通过二氧化硅凝胶，并从获得的溶液中蒸馏去除溶剂。使所获得的固体利用甲醇再结晶并使之干燥，由此获得2.0g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯。接着，在使1.15g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯溶解于10ml的二氯甲烷中后，添加包含1.5g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液，并进行混合。向该混合物中缓慢添加1.0g对氰基苄基溴化物的10ml二氯甲烷溶液，并在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，并过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，过滤该沉淀物后进行干燥，由此获得1.7g作为目标物的物质A-2。
接着，表示物质A-3的合成例。物质A-3因为作为阳离子中心的硫原子上的取代基全部为芳香族环，所以显示出优异的长期稳定性。
[化6]
使20g二苯基亚砜(DPSO)、22g的4-甲氧基联苯(4-MB)溶解于162g乙酸酐中，制备二苯基亚砜及4-甲氧基联苯的溶液。以温度不会上升的方式向该溶液中滴加114g甲磺酸。滴加后在室温下搅拌16小时，然后以温度不会上升的方式缓慢滴加100g水。接着，向该包含水的混合物中添加60g二异丙醚，并使用分液漏斗进行萃取，将有机层废弃，进而使用60g二异丙醚洗净水层。在将有机层废弃后，向剩余的水层中添加60g二氯甲烷，然后进行分液萃取，将水层废弃。向剩余的有机层中添加34g全氟丁磺酸钾，并搅拌2小时。添加100g纯水，并进行分液萃取，将水层废弃。利用100g纯水进行洗净直至有机层的pH值变成中性为止。在将所获得的有机层进行浓缩后，进行真空干燥，由此以49g固体获得物质A-3。
接着，表示阳离子中心所键结的芳香族环和其它芳香族环通过π电子系连结基连结的化合物的合成流程。
[化7]
在所述流程中，TfO－表示三氟甲磺酸盐。
以下，对物质B-1及B-2的合成流程进行说明。作为二苯乙炔衍生物的MMA是通过维蒂希(Wittig)反应、溴化、脱溴化氢反应而合成。接着，在使2.5g的MMA溶解于10ml二氯甲烷中后添加包含2.6g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液并进行混合。向该混合物中缓慢添加1.4g碘甲烷的10ml二氯甲烷溶液，在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，滤取该沉淀物并进行干燥，由此获得1.2g作为目标物的物质B-1。
物质B-2是以下述方式合成。在使2.5g的MMA溶解于10ml二氯甲烷中后添加包含2.6g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液并进行混合，向该混合物中缓慢添加1.9g对氰基苄基溴化物的10ml二氯甲烷溶液，在室温下搅拌2小时，搅拌后向该混合物中添加乙腈20ml，过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，滤取该沉淀物并进行干燥，由此获得3.7g的物质B-2。
所获得的锍盐及錪盐的化学结构能够通过一般的分析方法、例如液相色谱法、1H-NMR(Nuclear Magnetic Resonance，核磁共振)、13C-NMR、IR(Infrared Radiation，红外线辐射)及/或元素分析等进行鉴定。
＜4＞光酸产生剂及使用其的感光性树脂组合物
本发明的一个形态是一种包含所述鎓盐的光酸产生剂。本发明的光酸产生剂具有通过照射具有第1波长的电磁波或粒子束而释放酸的特性，能够作用于酸反应性有机物质而引起分解或聚合。因此，本发明的鎓盐能够优选用作正型及负型的感光性树脂组合物的光酸产生剂。
具体来说，本发明的一形态的光酸产生剂能够用于包含利用酸进行反应的化合物的感光性树脂组合物。
所述利用酸进行反应的化合物优选具有利用酸进行脱保护的保护基或利用酸进行交联。也就是说，所述利用酸进行反应的化合物优选选自由具有利用酸进行脱保护的保护基的化合物、及利用酸具有交联作用的交联剂所组成的群中的至少任一种。
所谓具有利用酸进行脱保护的保护基的化合物，是通过利用酸使保护基脱保护而改变对显影液的溶解性的化合物。例如在使用碱性显影液等的水系显影的情况下，为如下化合物，其对碱性显影液为不溶性，但利用通过曝光而由所述光酸产生剂产生的酸，在曝光部使保护基进行脱保护，由此对碱性显影液变为可溶。
在本发明中，并不限定于碱性显影液，也可以为中性显影液或者有机溶剂显影。因此，在使用有机溶剂显影液的情况下，具有利用酸进行脱保护的保护基的化合物是如下化合物，其利用通过曝光而由所述光酸产生剂产生的酸在曝光部使脱保护基进行脱保护，从而降低对有机溶剂显影液的溶解性。
作为利用酸进行脱保护的保护基的具体例，可以列举酯基、缩醛基、四氢吡喃基、硅烷氧基及苄氧基等。作为具有该保护基的化合物，优选使用具有在侧链包含所述保护基的苯乙烯骨架、甲基丙烯酸酯或丙烯酸酯骨架的化合物等。
所谓利用酸具有交联作用的交联剂，是通过利用酸进行交联而改变对显影液的溶解性的化合物。例如在水系显影的情况下，作用于对水系显影液可溶的化合物，在交联后降低该化合物对水系显影液的溶解性。具体来说，可以列举具有环氧基、缩醛基及氧杂环丁基等的交联剂。此时，作为进行交联的对象化合物，可以列举具有酚性羟基的化合物等。
本发明的一个形态的光阻组合物也可以还包含重量平均分子量2000以上的聚合物成分。作为所述聚合物成分，只要使用光阻组合物中通常使用的聚合物成分即可。所述聚合物成分的含量在光阻组合物总量中能够设为60～99质量％。作为所述聚合物成分之一，例如也优选含有羟基苯乙烯等。所述羟基苯乙烯具有容易极化的苯酚部分，因此能够使本发明的一形态的鎓盐的电荷转移激发态稳定，例如有助于提高基板密接性，也能够发挥作为利用酸具有交联作用的交联剂进行交联的对象化合物的作用。所述羟基苯乙烯既可为包含羟基苯乙烯作为结构单元的聚合物的形态，也可以为聚羟基苯乙烯的形态，另外，也可以为重量平均分子量未达2000的化合物的形态。
所述羟基苯乙烯优选在所述聚合物成分中含有40质量％以上。由此，能够提高鎓盐的光酸产生效率。进一步优选所述羟基苯乙烯相对于所有聚合物成分的含量为50质量％以上，更优选60质量％以上。
作为本发明的一个形态的光阻组合物，更具体来说能够例示下述。
可以列举：包含所述具有利用酸进行脱保护的保护基的化合物及所述光酸产生剂的光阻组合物；及包含利用酸具有交联作用的交联剂、和该交联剂反应而改变对显影液的溶解性的化合物、以及光酸产生剂的光阻组合物等。
本发明的一个形态的光阻组合物中的光酸产生剂的含量相对于除该光酸产生剂以外的光阻组合物成分100质量份，优选1～50质量份，更优选1～15质量份，进一步优选5～8质量份，尤其优选2～5质量份。通过在所述范围内使光阻组合物中含有光酸产生剂，例如在用作显示体等的绝缘膜等永久膜时也能够提高光的透过率。
本发明的一个形态的感光性树脂组合物在任一形态下均能在无损本发明的效果的范围内调配其它成分。作为能够调配的成分，可以列举添加选自所述聚合物成分、以及众所周知的添加剂、例如所述光酸产生剂以外的众所周知的光酸产生剂、增感剂、三辛胺等淬灭剂、表面活性剂、填充剂、颜料、抗静电剂、阻燃剂、光稳定剂、抗氧化剂、离子补充剂及溶剂等中的至少1种。
本发明的感光性树脂组合物的制备方法并没有特别限制，能够通过将包含所述鎓盐的光酸产生剂、所述利用酸进行反应的化合物及其它任意成分混合并溶解或混练等众所周知的方法进行制备。
＜5＞装置的制造方法
本发明的一个形态是一种装置的制造方法，其包括：
涂布膜形成步骤，使用包含所述鎓盐的感光性树脂组合物在基板上形成涂布膜；
光刻步骤，使用电磁波或粒子束的第1光将所述涂布膜曝光成图案状；以及
图案形成步骤，使经曝光的涂布膜显影而获得光阻图案。
作为在光刻步骤中用于曝光的第1光，只要为能够使本发明的鎓盐活化而产生酸的光即可，意指UV(Ultraviolet，紫外线)、可见光线、X射线、电子束、离子束、i射线、EUV(Extreme ultraviolet，极紫外线)等。本发明的一形态的光酸产生剂对i射线具有高感应性，因此第1光优选i射线。
光的照射量根据感应性树脂组合物中的各成分的种类及调配比例、以及涂膜的膜厚等而有所不同，优选1J/cm2以下。
将使用本发明的一个形态的感光性树脂组合物作为光阻来制造集成电路等装置的工艺示于图2。
准备硅晶片。通过在氧气存在下对硅晶片进行加热而使硅晶片的表面氧化。通过旋转涂布将感光性树脂组合物涂布在Si晶片表面而形成涂膜。对涂膜进行预烘烤。在Si晶片的预烘烤后，利用波长为220nm以上的第1光经由遮罩对涂膜及硅晶片进行照射。作为第1光的照射涂膜的典型光源为i射线或g射线。
之后，将剩下的膜去除。由于能够缩短涂布膜的照射时间，因此和现有的光阻相比，因光照射而导致的装置的劣化得以抑制。
图3(图3-1～图3-3)表示有源矩阵型有机电致发光元件的制造步骤。
在图3(a)中，在玻璃基板、石英基板及塑料基板等基板1上形成下层2。在下层2上形成通过进行图案化而形成的半导体膜4。典型来说，半导体膜4是利用低温多晶硅形成。另外，能够将非晶硅或金属氧化物用作半导体膜4的材料。以覆盖半导体膜4的方式形成栅极绝缘膜3。以栅极电极5及半导体膜4相互对向的方式在栅极绝缘膜3上形成栅极电极5。
在图3(b)中，以涂布膜6覆盖栅极电极5及栅极绝缘膜3的方式利用旋转涂布来涂布本发明的一个形态的感光性树脂组合物而配置涂布膜6。
在图3(c)中，在对涂布膜6进行预烘烤处理后，经由光罩8利用365nm波长的光对涂布膜6进行照射。利用通过开口部7的光仅对涂布膜6的一部分进行曝光。
在图3(d)中，通过显影将涂布膜6的利用光所形成的曝光部去除，形成接触孔10。通过在高于150℃的温度下进行热处理而将涂布膜6转换成第1层间绝缘膜，接着，形成涂布膜6。
在图3(e)中，形成电连接于半导体膜4的像素电极11。典型来说，像素电极11是利用氧化铟锡(ITO)或镁银合金制作。
在图3(f)中，以涂布膜12覆盖像素电极11及第1层间绝缘膜9的方式通过旋转涂布工艺配置涂布膜12。
在图3(g)中，在对涂布膜12进行预烘烤处理后，经由光罩14利用波长365nm的光对涂布膜12进行照射。利用通过开口部13的光仅对涂布膜12的一部分进行曝光。
在图3(h)中，通过显影将利用光所形成的涂布膜12的曝光部去除。通过在高于150℃的温度下进行热处理而将涂布膜12转换成第2层间绝缘膜，接着，形成涂布膜12。
在图3(i)中，经由遮罩并通过真空蒸镀法依序形成电洞传输层15、发光层16及电荷传输层17。共用电极18形成于电荷传输层17及第2层间绝缘膜14上。保护膜19形成于共用电极18上。
实施例
以下，通过实施例对本发明更具体地进行说明，但本发明并不限定于以下的实施例。
＜鎓盐的合成＞
实施例1
(鎓盐1的合成)
以下述方式合成鎓盐1。
在以下的流程中，TfO－表示三氟甲磺酸盐。
[化8]
对以下具体的合成方法进行叙述。
将0.3g镁浸渍于无水四氢呋喃中，并利用少量二溴乙烷活化后，在室温下缓慢滴加包含1.9g对茴香基溴化物的5ml无水四氢呋喃的溶液。在室温下搅拌6小时后添加0.3g的[1,2-双(二苯基膦基)乙烷]镍(II)二氯化物。之后，缓慢滴加2.0g对甲硫基苯基溴化物的5ml无水四氢呋喃溶液，并进行10小时加热回流。加热回流后恢复到室温，使该混合物通过二氧化硅凝胶，并从获得的溶液中蒸馏去除溶剂。使所获得的固体利用甲醇再结晶，并使之干燥，由此获得2.0g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯。接着，在使1.15g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯溶解于10ml二氯甲烷中后添加包含1.5g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液，并进行混合。向该混合物中缓慢添加0.7g碘甲烷的10ml二氯甲烷溶液，并在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，并过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，过滤该沉淀物后进行干燥，由此获得1.2g作为目标物的鎓盐1(物质A-1)。
实施例2
(鎓盐2的合成)
以下述方式合成鎓盐1。
将0.3g镁浸渍于无水四氢呋喃中，并利用少量二溴乙烷活化后，在室温下缓慢滴加包含1.9g对茴香基溴化物的5ml无水四氢呋喃的溶液。在室温下搅拌6小时后添加0.3g的[1,2-双(二苯基膦基)乙烷]镍(II)二氯化物。之后，缓慢滴加2.0g对甲硫基苯基溴化物的5ml无水四氢呋喃溶液，并进行10小时加热回流。加热回流后恢复到室温，使该混合物通过二氧化硅凝胶，并从获得的溶液中蒸馏去除溶剂。使所获得的固体利用甲醇再结晶并使之干燥，由此获得2.0g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯。接着，在使1.15g的4-甲氧基-4'-甲硫基-联苯溶解于10ml的二氯甲烷中后添加包含1.5g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液，并进行混合。向该混合物中缓慢添加1.0g对氰基苄基溴化物的10ml二氯甲烷溶液，并在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，并过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，过滤该沉淀物后进行干燥，由此获得1.7g作为目标物的鎓盐2(物质A-2)。
实施例3
(鎓盐3的合成)
像下述那样进行鎓盐3的合成。
[化9]
在所述流程中，TfO－表示三氟甲磺酸盐。
作为二苯乙炔衍生物的MMA是通过维蒂希反应、溴化、脱溴化氢反应而合成。接着，在使2.5g的MMA溶解于10ml二氯甲烷中后添加包含2.6g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液并进行混合。向该混合物中缓慢添加1.4g碘甲烷的10ml二氯甲烷溶液，在室温下搅拌2小时。搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，滤取该沉淀物并进行干燥，由此获得1.2g作为目标物的鎓盐3(物质B-1)。
实施例4
(鎓盐4的合成)
像下述那样进行鎓盐4的合成。
在使所述实施例3中所获得的2.5g的MMA溶解于10ml二氯甲烷中后添加包含2.6g三氟甲磺酸银的20ml二***溶液并进行混合，向该混合物中缓慢添加1.9g对氰基苄基溴化物的10ml二氯甲烷溶液，在室温下搅拌2小时，搅拌后，向该混合物中添加乙腈20ml，过滤不溶物。在滤液的溶剂变成三分之一左右时添加二异丙醚，进行搅拌而产生沉淀物，滤取该沉淀物并进行干燥，由此获得3.7g鎓盐4(物质B-2)。
实施例5
(鎓盐5的合成)
像下述那样进行鎓盐5的合成。
[化10]
使20g二苯基亚砜(DPSO)、22g的4-甲氧基联苯(4-MB)溶解于162g乙酸酐中，制备二苯基亚砜及4-甲氧基联苯的溶液。以温度不会上升的方式向该溶液中滴加114g甲磺酸。滴加后在室温下搅拌16小时，然后以温度不会上升的方式缓慢滴加100g水。接着，向该包含水的混合物中添加60g二异丙醚，并使用分液漏斗进行萃取，将有机层废弃，进而使用60g二异丙醚洗净水层。在将有机层废弃后，向剩余的水层中添加60g二氯甲烷，然后进行分液萃取，将水层废弃。向剩余的有机层中添加34g全氟丁磺酸钾，并搅拌2小时。添加100g纯水，并进行分液萃取，将水层废弃。利用100g纯水进行洗净直至有机层的pH值变成中性为止。在将所获得的有机层进行浓缩后，进行真空干燥，由此以49g固体获得鎓盐5(物质A-3)。
在图1中表示所获得的鎓盐5(物质A-3)的吸收光谱。为了进行比较，也示出广泛用作i射线用光酸产生剂的PSDS-PFBS的吸收光谱。物质A-3的吸收光谱和PSDS-PFBS同样到达至365nm附近。
＜光阻的制备＞
使用9.0mg所述实施例1～5中所获得的鎓盐1～5的任一种、225mg下述聚合物A、及225mg聚合物B制备光阻样品。将其作为评价样品，以下述方式进行感度评价。将使用广泛用作i射线用光酸产生剂的PSDS-PFBS代替鎓盐1～5的例设为比较例1。
[化11]
＜感度评价＞
在将所述评价样品涂布在Si晶片之前，以2000rpm、20秒将六甲基二硅氮烷(HMDS、东京化成工业)旋转涂布在Si晶片表面，并以110℃烘烤1分钟。之后，以2000rpm、20秒将评价样品旋转涂布在所述利用HMDS进行过处理的Si晶片表面，形成涂布膜。以110℃进行60秒所述涂布膜的预烘烤。之后，利用从UV发光装置(HMW-661C-3、(股)ORC MANUFACTURING制造)输出的i射线(365nm)对评价样品的涂布膜进行曝光。在进行i射线光曝光后，以110℃下进行60秒后烘烤(PEB)。利用NMD-3(氢氧化四甲基铵2.38％、东京应化工业(股)制造)在25℃下对涂布膜进行20秒显影，并利用去离子水清洗10秒。利用膜厚测定工具所测得的涂布膜的厚度大约为500nm。
感度(E0感度)是通过使用UV曝光测定用于形成包含涂布膜厚度不为零的100μm线和涂布膜厚度为零的100μm间隙的图案的剂量大小(dose size)而评价，E0感度的剂量是通过利用365nm照度计测定UV源的照度而计算。将结果示于表1。
实施例5的鎓盐5具有和作为高透过率的光酸产生剂而具代表性的比较例1的PSDS-PFBS大致同等的高透过率，并且显示出感度相对于PSDPS-PFBS为1.3倍以上的高感度。
＜摩尔吸光系数的评价＞
针对所述鎓盐1～5及PSDS-PFBS，对照射i射线之前的365nm下的摩尔吸光系数进行评价。将结果示于表1。摩尔吸光系数成为透过率的指标。
[表1]
认为由于鎓盐1、2及5具有适度的摩尔吸光系数，所以具有非常高的透过率。鎓盐3及4等鎓盐显示出非常高的感度，这些是利用三键等π电子系连结基将2个芳香族环连结，且鎓的阳离子中心键结于该2个芳香族环中的1个芳香族环。关于鎓盐5，和照射i射线之前相比，照射后的摩尔吸光系数变成约1/5。关于鎓盐1～4，和鎓盐5同样地也观察到长于350nm的波长下的吸光系数的衰减。
[工业上的可利用性]
本发明的一形态的鎓盐对于i射线的感应性高且光的透过率也高，因此通过将包含该鎓盐作为光酸产生剂的感光性树脂组合物用作光阻，也能够用于厚膜的图案化。
[符号的说明]
1 基板
2 下层
3 绝缘膜
4 半导体膜
5 栅极电极
6 涂布膜
7 开口部
8、8' 光罩
9 第1层间绝缘膜
10 接触孔
11 像素电极
12 涂布膜
13 开口部
14 第2层间绝缘膜
15 电洞传输层
16 发光层
17 电荷传输层
18 共用电极
19 保护膜

Claims (23)

1.一种鎓盐，其由下述式(a)所表示，
Z-A-W-Y+(R)nX－ (a)
(所述式(a)中，Z、A、W、Y、(R)n及X为以下含义：
Z为一价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
W为二价有机基，其具有可以具有至少1个取代基的具备共轭π电子体系的环状结构；
A为直接键或包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基(另外，所述Z及W的任一个基的取代基也可以和所述Z及W分别所包含的至少1个原子以及所述A一起形成饱和或部分饱和的环状结构)；
Y为碘原子或硫原子，且当Y为碘原子时，n＝1，当Y为硫原子时，n＝2；
(R)n可以相互相同，也可以不同，各个(R)n为可以具有取代基的碳数1以上的一价有机基；
X表示一价阴离子)。
2.根据权利要求1所述的鎓盐，其中所述Z为选自由一价苯系芳香族环基、一价杂芳香族环基及一价非苯系芳香族环基所组成的群中的任一有机基。
3.根据权利要求1或2所述的鎓盐，其中所述W为选自由二价苯系芳香族环基、二价杂芳香族环基及二价非苯系芳香族环基所组成的群中的任一有机基。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的鎓盐，其中所述Z及W的至少一个具有至少1个供电子基。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的鎓盐，其中所述Z为苯基及/或所述W为亚苯基。
6.根据权利要求4或5所述的鎓盐，其中所述至少1个供电子基是选自由烷基(-R1)、芳基(-Ar1)、烷氧基(-OR1)、芳氧基(-OAr1)、羟基、硫醇基、烷硫基(-SR1)、氨基、烷基氨基(-NHR1)、二烷基氨基(-NR1R2)、芳基氨基(-NHAr1)、二芳基氨基(-NAr1Ar2)及N-烷基-N-芳基氨基(-NR1Ar1)所组成的群中的任意基。
7.根据权利要求4至6中任一项所述的鎓盐，其中所述至少1个供电子基直接键结于所述Z的所述π电子体系。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的鎓盐，其中所述A为直接键或亚乙炔基。
9.根据权利要求1至8中任一项所述的鎓盐，其中所述R为可以具有取代基的碳数1以上的一价烃基或可以具有取代基的芳基。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的鎓盐，其中所述X－为选自由CF3CO2 －、CH3CO2 －、CF3CF2C4H4SO3 －、CH3SO3 －、(C6F5)4B－、SbF6 －、PF6 －、BF4 －、CF3SO3 －、HSO4 －、(CF3CF2)3PF3 －、(CF3CF2)2PF4 －、(CF3CF2)PF5 －、((CF3)2C6H3)4B－、(C6F5)4Ga－、((CF3)2C6H3)4Ga－、九氟丁磺酸根阴离子、丁磺酸根阴离子、樟脑磺酸根阴离子、苯磺酸根阴离子、对甲苯磺酸根阴离子、(CF3SO2)3C－、(CF3SO2)2N－及(C4F9SO2)2N－所组成的群中的阴离子。
11.一种鎓盐，其具有阳离子部和阴离子部，
所述阳离子部至少包含第1芳香族环、第2芳香族环、及阳离子中心，
所述阳离子中心和所述第1芳香族环及所述第2芳香族环的任一个键结，且
所述第1芳香族环所包含的第1碳原子通过单键直接键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳单键、碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2芳香族环所包含的第2碳原子。
12.根据权利要求11所述的鎓盐，其中通过吸收具有第1波长的电磁波或粒子束，所述鎓盐的所述第1波长下的吸光系数减少。
13.根据权利要求11或12所述的鎓盐，其中所述电磁波或粒子束为i射线。
14.根据权利要求11至13中任一项所述的鎓盐，其在长于所述第1波长的波长下不具有吸收极大值。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的鎓盐，其中所述第1碳原子通过单键直接键结于所述第2碳原子，或经由包含选自由碳-碳双键及碳-碳三键所组成的群中的至少1种键的二价连结基键结于所述第2碳原子。
16.根据权利要求11至15中任一项所述的鎓盐，其中所述第1芳香族环及所述第2芳香族环中的至少1个为苯环。
17.根据权利要求12至16中任一项所述的鎓盐，其中所述阳离子部还包含供电子基，且
所述供电子基键结于所述第1芳香族环及所述第2芳香族环中的至少1个。
18.根据权利要求17所述的鎓盐，其中所述供电子基键结于所述第1芳香族环及所述第2芳香族环中未和所述阳离子中心键结的芳香族环。
19.一种光酸产生剂，其包含根据权利要求1至18中任一项所述的鎓盐。
20.一种感光性树脂组合物，其包含根据权利要求19所述的光酸产生剂、及利用酸进行反应的化合物。
21.根据权利要求20所述的感光性树脂组合物，其中所述化合物利用酸进行聚合、或具有利用酸进行脱保护的保护基、或利用酸进行交联。
22.一种装置的制造方法，其包括：
涂布膜形成步骤，使用根据权利要求20或21所述的感光性树脂组合物在基板上形成涂布膜；
光刻步骤，使用电磁波或粒子束的第1光将所述涂布膜曝光成图案状；以及
图案形成步骤，使经曝光的涂布膜显影而获得光阻图案。
23.根据权利要求22所述的方法，其中第1光为i射线。
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