TWI698475B - 樹脂組成物、膜、波長變換構件及膜的形成方法 - Google Patents
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Abstract
本發明的目的在於提供一種可抑制加熱處理後的半導體量子點的螢光量子產率的降低的樹脂組成物、藉由該樹脂組成物所得的膜、使用該膜的波長變換構件、及使用該樹脂組成物的膜的形成方法。
本發明的樹脂組成物含有：黏合劑樹脂；半導體量子點；以及選自由具有苯基膦結構的化合物、具有環烷基膦結構的化合物、具有硫代雙酚結構的化合物、具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物及具有苯并噻唑結構的化合物所組成的組群中的至少一種化合物。
Description
本發明是有關於一種樹脂組成物、膜、波長變換構件及膜的形成方法。
近年來，將硫化鎘(CdS)或碲化鎘(CdTe)等半導體形成為奈米尺寸(nanometer size)的大小所得的半導體量子點(Quantum Dot，以下亦稱為「QD」)受到關注。此種QD顯示出特殊的光學特性，即，顯示出寬廣的光吸收並且發出光譜寬度窄的螢光等，因此目前正在研究各種應用。例如逐漸於使用有機電致發光(Electroluminescence，EL)元件等的顯示器中使用所述QD(參照日本專利特開2014-174406號公報)。
具體而言，如下顯示器受到關注，該顯示器是將藍色發光有機EL元件、藉由來自該藍色發光有機EL元件的光激發而發出綠色螢光的半導體量子點(以下亦稱為「G-QD」)、及藉由來自藍色發光有機EL元件的光激發而發出紅色螢光的半導體量子點(以下亦稱為「R-QD」)組合而成。例如於在構成發光單元的基板上形成有含有G-QD的膜(以下亦稱為「G-QD層」)及含有R-QD的膜(以下亦稱為「R-QD層」)的顯示器中，G-QD層作為將藍色光變換為綠色光的波長變換層而發揮功能，R-QD層作為將藍色光
變換為紅色光的波長變換層而發揮功能。此種顯示器將來自G-QD層的綠色螢光、來自R-QD層的紅色螢光、及由藍色發光有機EL元件放出的未經變換的藍色光組合，藉此再現各種色相的光。
所述G-QD層、R-QD層等含有QD的層例如是藉由含有QD的感放射線性樹脂組成物於基板的一個面側形成塗膜，藉由光微影步驟進行圖案化後，藉由加熱處理使經圖案化的塗膜硬化而獲得。
另外，含有QD的膜除了所述顯示器用途以外，亦可應用於例如太陽電池密封用片、農業用膜、用作照明零件等的波長變換膜。此種膜例如是藉由將含有QD的樹脂組成物塗佈於基板上後，對所得的塗膜進行加熱處理而獲得。
然而，QD於所述經圖案化的塗膜的加熱處理(以下亦稱為「後烘烤」)時，有時因加熱環境中的氧等的影響而生成自由基(free radical)，由該自由基導致QD的結晶結構變化，QD的螢光量子產率降低。對於含有此種QD的顯示器等而言，有時相對於來自藍色發光有機EL元件的藍色光的強度，來自G-QD的綠色螢光的強度及來自R-QD的紅色螢光的強度降低，由此顯示器的色彩再現性降低。另外，QD於塗佈於所述基板上的塗膜的加熱處理時、或於使用所得的膜製造電子設備的步驟中施加熱時，有時亦同樣地螢光量子產率降低，所述太陽電池密封用片等的波長變換效率降低。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2014-174406號公報
本發明是根據所述情況而成，其目的在於提供一種可抑制加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低的樹脂組成物、藉由該樹脂組成物所得的膜、使用該膜的波長變換構件、及使用該樹脂組成物的膜的形成方法。
為了解決所述課題而成的發明為一種樹脂組成物，其含有：黏合劑樹脂(以下亦稱為「[A]黏合劑樹脂」)；半導體量子點(以下亦稱為「[B]QD」)；以及選自由具有苯基膦結構的化合物、具有環烷基膦結構的化合物、具有硫代雙酚結構的化合物、具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物及具有苯并噻唑結構的化合物所組成的組群中的至少一種化合物(以下亦稱為「[C]化合物」)。
另外，本發明包括藉由所述樹脂組成物所得的膜、及具備藉由所述樹脂組成物所形成的膜的波長變換構件。
進而，本發明包括膜的第一形成方法，其包括：藉由所述樹脂組成物於基板的一個面側形成塗膜的步驟、及對所述塗膜進行加熱的步驟。
進而，本發明包括膜的第二形成方法，其包括：藉由所
述樹脂組成物於基板的一個面側形成塗膜的步驟、對所述塗膜的至少一部分照射放射線的步驟、對放射線照射後的所述塗膜進行顯影的步驟、及對顯影後的所述塗膜進行加熱的步驟。
根據本發明，可提供一種可抑制加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低的樹脂組成物、藉由該樹脂組成物所得膜、具備藉由該樹脂組成物所得的膜的波長變換構件、及該膜的形成方法。
11:波長變換基板
12:第1基材
13:波長變換層
13a:第1波長變換層
13b:第2波長變換層
13c:第3波長變換層
14:黑色矩陣
15:接著劑層
16:第2基材
17:光源
17a:第1光源
17b:第2光源
17c:第3光源
18:光源基板
100:發光顯示元件
圖1為示意性地表示本發明的一實施形態的發光顯示元件的剖面圖。
<樹脂組成物>
該樹脂組成物含有[A]黏合劑樹脂、[B]QD及[C]化合物。[C]化合物為選自由具有苯基膦結構的化合物、具有環烷基膦結構的化合物、具有硫代雙酚結構的化合物、具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物及具有苯并噻唑結構的化合物所組成的組群中的至少一種，可認為其如後述般作為抗氧化劑而發揮功能。另外，該樹脂組成物亦可含有[C]化合物以外的抗氧化劑。[C]化合物以外的抗氧化劑例如可列舉不相當於[C]化合物的過氧化物分解劑(以下亦稱為「[X]過氧化物分解劑」)、不相當於[C]化合物的自由基捕捉
劑(以下亦稱為「[D]自由基捕捉劑」)等。進而，該樹脂組成物亦可含有聚合性化合物(以下亦稱為「[E]聚合性化合物」)、感放射線性化合物(以下亦稱為「[F]感放射線性化合物」)及/或溶劑(以下亦稱為「[G]溶劑」)。再者，該樹脂組成物亦可分別含有兩種以上的所述成分。
該樹脂組成物藉由具有所述構成，可抑制加熱處理後的[B]QD的螢光量子產率的降低。關於藉由該樹脂組成物具有所述構成而發揮所述效果的原因，雖未必明確，但例如推測如下。即，可認為，該樹脂組成物中所用的[C]化合物例如為過氧化物分解功能特別優異的化合物，即，將氧化反應中生成的氫過氧化物(ROOH)分解而變為穩定的化合物，由此抑制鏈起始反應，故可有效地抑制導致[B]QD的螢光量子產率降低的自由基的產生。因此可認為，於藉由該樹脂組成物形成膜(波長變換層)時的加熱處理時，成為自由基的產生源的過氧化物藉由[C]化合物而發生分解，故可抑制加熱處理後的[B]QD的螢光量子產率的降低。
另外，於將QD應用於使用藍色發光有機EL元件的顯示器時，對於現有的樹脂組成物而言，有時如上文所述，由於加熱處理時的自由基，來自R-QD的紅色螢光的強度及來自G-QD的綠色螢光的強度相對於藍色光的強度而降低，色彩再現性降低。相對於此，於使用該樹脂組成物的情形時，可認為由於如上文所述般於加熱處理時有效地抑制自由基的產生，故可抑制R-QD或G-QD等[B]QD的螢光量子產率的降低，結果可維持相對於藍
色光的強度的來自[B]QD的螢光強度，可維持高的色彩再現性。
以下，對該樹脂組成物的各成分加以詳細說明。
〔[A]黏合劑樹脂］
[A]黏合劑樹脂並無特別限定，只要可成為膜的母材，則可為任何黏合劑樹脂。
若使用於側鏈中具有脂環式結構者作為[A]黏合劑樹脂，則可抑制[B]QD的螢光量子產率的經時劣化，故較佳。藉由使用於側鏈中具有脂環式結構者作為[A]黏合劑樹脂而發揮所述效果的原因雖未必明確，但例如推測如下。即，可認為，由於所述脂環式結構的疏水性，可抑制可能導致螢光量子產率的經時劣化的水分附著於[B]QD的表面，故可抑制[B]QD的螢光量子產率的經時劣化。
於側鏈中具有脂環式結構的[A]黏合劑樹脂例如可藉由使用具有脂環式結構的不飽和化合物作為單體進行聚合而獲得。所述脂環式結構可列舉：環丙烷結構、環丁烷結構、環戊烷結構、環己烷結構、環辛烷結構、環癸烷結構等單環的環烷烴結構；環戊烯結構、環己烯結構、環戊二烯結構等單環的環烯烴結構；降冰片烷結構、金剛烷結構、三環癸烷結構、四環十二烷結構等多環的環烷烴結構；降冰片烯結構、三環癸烯結構等多環的環烯烴結構等。
所述脂環式結構較佳為環己烷結構、環辛烷結構、環癸烷結構及三環癸烷結構，更佳為環己烷結構及三環癸烷結構。藉
由使用所述特定的結構作為所述脂環式結構，可進一步抑制[B]QD的螢光量子產率的經時劣化。
於側鏈中具有脂環式結構的[A]黏合劑樹脂例如可列舉：後述具有來源於選自由甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯、甲基丙烯酸環狀烷基酯、丙烯酸環狀烷基酯及N-環己基馬來醯亞胺所組成的組群中的至少一種化合物的結構單元的[a]樹脂，或環狀烯烴聚合物等。
另外，於將該樹脂組成物應用於可藉由鹼性顯影液進行圖案化的感光性樹脂組成物的情形時，較佳為使用以下所例示般的[A']鹼可溶性樹脂作為[A]黏合劑樹脂。
〔[A']鹼可溶性樹脂〕
[A']鹼可溶性樹脂為可溶於鹼性溶液的樹脂。[A']鹼可溶性樹脂較佳為藉由使用含有羧基的不飽和化合物作為單體進行自由基聚合所得的樹脂(以下亦稱為「[a]樹脂」)、聚醯亞胺、聚矽氧烷、酚醛清漆樹脂、鹼可溶性聚烯烴、具有卡多(cardo)骨架的樹脂及該些樹脂的組合。以下，對[a]樹脂、聚醯亞胺、聚矽氧烷、酚醛清漆樹脂、鹼可溶性聚烯烴及具有卡多骨架的樹脂分別加以詳細說明。
[[a]樹脂]
[a]樹脂具有含有羧基的結構單元。另外，為了提高感度，亦可具有含有聚合性基的結構單元。含有聚合性基的結構單元較佳為含有環氧基的結構單元、含有(甲基)丙烯醯基的結構單元及含有
乙烯基的結構單元。藉由[a]樹脂具有所述特定的含有聚合性基的結構單元，可製成於形成硬化膜時表面硬化性及深部硬化性優異的樹脂組成物。
所述含有羧基的結構單元例如可藉由以下方式形成：使用不飽和單羧酸、不飽和二羧酸、多元羧酸的單[(甲基)丙烯醯氧基烷基]酯等羧酸系不飽和化合物作為單體，適當與其他單體一起進行自由基聚合。
所述不飽和單羧酸例如可列舉丙烯酸、甲基丙烯酸、丁烯酸等。
所述不飽和二羧酸例如可列舉馬來酸、富馬酸等。
所述多元羧酸的單[(甲基)丙烯醯氧基烷基]酯例如可列舉琥珀酸單[2-(甲基)丙烯醯氧基乙基]酯、鄰苯二甲酸單[2-(甲基)丙烯醯氧基乙基]酯等。
該些羧酸系不飽和化合物中，就聚合性的觀點而言，較佳為丙烯酸、甲基丙烯酸及琥珀酸單[2-(甲基)丙烯醯氧基乙基]酯。
該些羧酸系不飽和化合物可單獨使用，亦可混合使用兩種以上。
相對於構成[a]樹脂的所有結構單元，[a]樹脂中的含有羧基的結構單元的含有比例的下限較佳為1mol%(莫耳百分比)，更佳為5mol%，進而佳為10mol%。另外，所述結構單元的含有比例的上限較佳為80mol%，更佳為70mol%，進而佳為60mol%。於含有羧基的結構單元的含有比例為所述範圍的情形時，可進一
步提高於鹼性顯影液中的溶解性。
所述含有環氧基的結構單元例如可藉由以下方式形成：使用含環氧基的不飽和化合物作為單體，適當與其他單體一起進行自由基聚合。含環氧基的不飽和化合物例如可列舉含有環氧乙烷基(1,2-環氧結構)、氧雜環丁基(1,3-環氧結構)等的不飽和化合物等。
所述含有環氧乙烷基的不飽和化合物例如可列舉：甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸2-甲基縮水甘油酯、甲基丙烯酸3,4-環氧丁酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯、鄰乙烯基苄基縮水甘油醚等。
所述含有氧雜環丁基的不飽和化合物例如可列舉：3-(甲基丙烯醯氧基甲基)氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-甲基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷、3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-2-苯基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-2-乙基氧雜環丁烷、3-(2-甲基丙烯醯氧基乙基)-3-乙基氧雜環丁烷等甲基丙烯酸酯等。
該些含環氧基的不飽和化合物中，就聚合性的觀點而言，較佳為甲基丙烯酸縮水甘油酯、甲基丙烯酸3,4-環氧環己酯及3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷。
該些含環氧基的不飽和化合物可單獨使用，亦可混合使用兩種以上。
於[a]樹脂具有含有環氧基的結構單元的情形時，相對於
構成[a]樹脂的所有結構單元，該結構單元的含有比例的下限較佳為1mol%，更佳為5mol%，進而佳為10mol%。另外，所述含有比例的上限較佳為80mol%，更佳為70mol%，進而佳為60mol%。於含有環氧基的結構單元的含有比例為所述範圍的情形時，可形成硬度更高、耐溶劑性更優異的膜。
所述含有(甲基)丙烯醯基的結構單元例如可藉由以下方法而形成：使具有環氧基的聚合物與(甲基)丙烯酸反應的方法、使具有羧基的聚合物與具有環氧基的(甲基)丙烯酸酯反應的方法、使具有羥基的聚合物與具有異氰酸酯基的(甲基)丙烯酸酯反應的方法、使具有酸酐基的聚合物與(甲基)丙烯酸反應的方法等。
所述提供其他結構單元的單體例如可列舉：(甲基)丙烯酸鏈狀烷基酯、(甲基)丙烯酸環狀烷基酯、(甲基)丙烯酸芳基酯、不飽和二羧酸二酯、馬來醯亞胺化合物、不飽和芳香族化合物、共軛二烯、具有四氫呋喃骨架的不飽和化合物、含羥基的不飽和化合物、其他不飽和化合物等。
所述(甲基)丙烯酸鏈狀烷基酯例如可列舉：甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸乙酯、甲基丙烯酸正丁酯、甲基丙烯酸第二丁酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、丙烯酸乙酯、丙烯酸正丁酯、丙烯酸第二丁酯、丙烯酸第三丁酯、丙烯酸2-乙基己酯等。
所述(甲基)丙烯酸環狀烷基酯例如可列舉：甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸2-甲基環己酯、甲基丙烯酸三環癸酯、甲基
丙烯酸異冰片酯、丙烯酸環己酯、丙烯酸-2-甲基環己酯、丙烯酸三環[5.2.1.02，6]癸烷-8-基酯、丙烯酸異冰片酯等。
所述(甲基)丙烯酸芳基酯例如可列舉甲基丙烯酸苯酯、甲基丙烯酸苄酯、丙烯酸苄酯等。
所述馬來醯亞胺化合物例如可列舉：N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苄基馬來醯亞胺、N-(4-羥基苯基)馬來醯亞胺、N-(4-羥基苄基)馬來醯亞胺等。
所述不飽和芳香族化合物例如可列舉：苯乙烯、α-甲基苯乙烯、鄰甲基苯乙烯、間甲基苯乙烯、對甲基苯乙烯、對甲氧基苯乙烯等。
所述具有四氫呋喃骨架的不飽和化合物例如可列舉甲基丙烯酸四氫糠酯等。
所述含羥基的不飽和化合物可列舉：甲基丙烯酸2-羥基乙酯、甲基丙烯酸3-羥基丙酯、丙烯酸4-羥基苯酯、甲基丙烯酸4-羥基苯酯、對羥基苯乙烯、α-甲基-對羥基苯乙烯等。
所述其他不飽和化合物例如可列舉丙烯腈等。
所述形成其他結構單元的單體中，就聚合性的觀點而言，較佳為苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸2-乙基己酯、甲基丙烯酸環己酯、甲基丙烯酸第三丁酯、甲基丙烯酸正月桂酯、甲基丙烯酸苄酯、甲基丙烯酸三環癸酯、對甲氧基苯乙烯、丙烯酸2-甲基環己酯、N-苯基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、甲基丙烯酸四氫糠酯及甲基丙烯酸2-羥基乙酯。
所述形成其他結構單元的單體可單獨使用，亦可混合使用兩種以上。
於[a]樹脂具有其他結構單元的情形時，相對於構成[a]樹脂的所有結構單元，該結構單元的含有比例的下限較佳為1mol%，更佳為5mol%，進而佳為10mol%。另外，所述含有比例的上限較佳為80mol%，更佳為70mol%。於所述含有比例為所述範圍內的情形時，例如可調整[a]樹脂的分子量等而不妨礙所述效果。
[a]樹脂的重量平均分子量(Mw)的下限較佳為1,000，更佳為2,000，進而佳為3,000。另一方面，所述Mw的上限較佳為30,000，更佳為20,000，進而佳為15,000。藉由將[a]樹脂的Mw設為所述範圍，可使保存穩定性及感度進一步提高。
另外，所述Mw與[a]樹脂的數量平均分子量(Mn)之比、即分子量分佈(Mw/Mn)的下限通常為1，較佳為1.2，更佳為1.5。所述Mw/Mn的上限較佳為5，更佳為4，進而佳為3。藉由將[a]樹脂的Mw/Mn設為所述範圍，可使保存穩定性及感度進一步提高。
再者，本說明書中的Mw及Mn為藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography，GPC)所測定的值。
([a]樹脂的合成方法)
[a]樹脂的合成方法並無特別限定，可採用公知的方法。例如可藉由在溶劑中於聚合起始劑的存在下使所述單體進行聚合反應
而合成。
[聚醯亞胺]
該樹脂組成物中所用的聚醯亞胺只要為重複單元中含有醯亞胺鍵的高分子化合物，則並無特別限制，就鹼可溶性的觀點而言，較佳為於結構單元中含有羧基、酚性羥基、磺基、硫醇基或該些基團的組合的聚醯亞胺。所述聚醯亞胺可藉由在結構單元中含有該些鹼可溶性的基團而具備鹼顯影性(鹼可溶性)，結果，可於鹼顯影時抑制曝光部的浮渣(scum)產生。所述聚醯亞胺例如可利用日本專利特開2006-199945號公報、日本專利特開2008-163107號公報、日本專利特開2011-42701號公報等中記載的方法等來合成。
[聚矽氧烷]
該樹脂組成物中所用的聚矽氧烷並無特別限制，例如可列舉國際公開WO2009/028360號公報、國際公開WO2011/155382號公報、日本專利特開2010-152302號公報中記載的聚矽氧烷。
[酚醛清漆樹脂]
該樹脂組成物中所用的酚醛清漆樹脂並無特別限制，例如可列舉具有苯酚酚醛清漆結構的樹脂、或具有可溶酚醛清漆結構的樹脂等。所述酚醛清漆樹脂是使酚化合物與醛化合物反應而獲得。酚醛清漆樹脂的具體例例如可列舉日本專利特開2003-114531號公報、日本專利特開2012-137741號公報、日本專利特開2013-127518號公報等中記載的樹脂。
[鹼可溶性聚烯烴]
該樹脂組成物中所用的鹼可溶性聚烯烴並無特別限制，就鹼可溶性的觀點而言，較佳為具有質子性極性基的環狀烯烴聚合物。此處所謂質子性極性基，是指氫原子直接鍵結於屬於元素週期表第15族或第16族的原子而成的基團。所述質子性極性基較佳為氫原子直接鍵結於氧原子而成的基團、氫原子直接鍵結於氮原子而成的基團、及氫原子直接鍵結於硫原子而成的基團，更佳為氫原子直接鍵結於氧原子而成的基團。所述鹼可溶性聚烯烴的具體例例如可列舉日本專利特開2012-211988號公報中記載的鹼可溶性聚烯烴。
[具有卡多骨架的樹脂]
該樹脂組成物中所用的具有卡多骨架的樹脂並無特別限制。此處所謂卡多骨架，是指於構成環狀結構的環碳原子上鍵結有另外兩個環狀結構的骨架結構，例如可列舉於茀環的9位的碳原子上鍵結有兩個芳香環(例如苯環)的結構等。具有卡多骨架的樹脂的具體例例如可列舉日本專利第5181725號公報、日本專利第5327345號公報等中記載的樹脂。
〔[A']鹼可溶性樹脂以外的[A]黏合劑樹脂］
於不將該樹脂組成物應用於可藉由鹼性顯影液進行圖案化的感光性樹脂組成物的情形時，可使用鹼不溶性的[A]黏合劑樹脂。鹼不溶性的[A]黏合劑樹脂例如可列舉鹼不溶性聚烯烴等。
[鹼不溶性聚烯烴]
該樹脂組成物中所用的鹼不溶性聚烯烴並無特別限制，較佳為不具有所述質子性極性基的聚烯烴。所述鹼不溶性聚烯烴的具體例例如可列舉：使用碳數1~10的烯烴作為單體的聚合物、使用碳數3~20的經取代或未經取代的環烯烴作為單體的聚合物(環狀烯烴聚合物)等。所述烯烴例如可列舉乙烯、丙烯、丁烯等。所述環烯烴例如可列舉：環戊烯、環己烯等單環的環烯烴，或降冰片烯、三環癸烯、四環十二烯等多環的環烯烴等。所述環烯烴的取代基例如可列舉碳數1~5的烷基、或將該烷基與選自由-CO-及-O-所組成的組群中的至少一種組合而成的基團等，較佳為甲基及甲氧基羰基。所述鹼不溶性聚烯烴較佳為環狀烯烴聚合物，更佳為以經取代或未經取代的環烯烴作為單體的聚合物，進而佳為以降冰片烯與經取代或未經取代的四環十二烯作為單體的聚合物。鹼不溶性聚烯烴的具體例例如可列舉日本專利特開2015-127733號公報等中記載的鹼不溶性聚烯烴。
該樹脂組成物中的[A]黏合劑樹脂的含量的下限較佳為1質量%，更佳為5質量%。另外，所述含量的上限較佳為50質量%，更佳為40質量%。藉由將[A]黏合劑樹脂的含量設為所述下限以上，可形成進一步提高感度、並且硬度更高、耐溶劑性更優異的膜。另一方面，藉由將所述含量設為所述上限以下，可進一步提高保存穩定性。
〔[B]QD〕
[B]QD並無特別限定，較佳為包含安全材料的半導體量子
點，所述安全材料不以Cd或Pb作為構成元素，而是以例如In(銦)或Si(矽)等作為構成元素而構成。
就進一步提高螢光量子產率等螢光特性的觀點而言，[B]QD較佳為含有選自由2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素及16族元素所組成的組群中的至少兩種元素。
所述元素例如可列舉：Be(鈹)、Mg(鎂)、Ca(鈣)、Sr(鍶)、Ba(鋇)、Cu(銅)、Ag(銀)、金(Au)、鋅(Zn)、B(硼)、Al(鋁)、Ga(鎵)、In(銦)、Tl(鉈)、C(碳)、Si(矽)、Ge(鍺)、Sn(錫)、N(氮)、P(磷)、As(砷)、Sb(銻)、Bi(鉍)、O(氧)、S(硫)、Se(硒)、Te(碲)、Po(釙)等，就提高螢光特性的觀點而言，較佳為In。
含有In的[B]QD較佳為後述核殼結構型的半導體量子點、包含AgInS2的半導體量子點、及包含摻Zn的AgInS2的半導體量子點。
另外，[B]QD亦較佳為包含Si的半導體量子點、包含Si與其他元素的化合物的半導體量子點等Si系半導體量子點。
另外，[B]QD較佳為含有於500nm以上且600nm以下的綠色光的波長範圍內具有螢光最大值的化合物(A)、及/或於600nm以上且700nm以下的紅色光的波長範圍內具有螢光最大值的化合物(B)。藉由[B]QD含有具有所述螢光特性的化合物(A)及/或化合物(B)，可應用該樹脂組成物作為如下樹脂組成物，即，
形成使用可見光進行圖像顯示的發光顯示元件的波長變換層的樹脂組成物。
[B]QD可為包含一種化合物的均質結構型，亦可為包含兩種以上的化合物的核殼結構型。
核殼結構型的[B]QD是由一種化合物形成核結構，由其他種類的化合物被覆核結構而構成。例如藉由使用帶隙(band gap)更大的半導體將核的半導體被覆，可將藉由光激發而生成的激子(電子-電洞對)封閉於核內。結果，[B]QD表面的無輻射躍遷的概率減小，螢光量子產率提高。
就提高螢光特性的觀點而言，核殼結構型的[B]QD較佳為含有In作為核的構成元素，較佳為InP/ZnS、InP/ZnSe、InP/ZnSe/ZnS、InP/ZnSSe、(InP/ZnSSe)固熔體/ZnS、CuInS2/ZnS、及(ZnS/AgInS2)固熔體/ZnS。再者，所述InP/ZnS為以InP為核、以ZnS為殼的半導體量子點。其他核殼結構型半導體量子點亦相同。
[B]QD的平均粒徑的下限較佳為0.5nm，更佳為1.0nm。另外，所述平均粒徑的上限較佳為20nm，更佳為10nm。於平均粒徑小於所述下限的情形時，有時[B]QD的螢光特性變得不穩定。另一方面，於[B]QD的平均粒徑超過所述上限的情形時，有時無法獲得量子封閉效果，有無法獲得所需的螢光特性之虞。
此處，[B]QD的平均粒徑是藉由以下方式求出：使試樣乾燥後，使用穿透式電子顯微鏡進行觀察，將視野中所含的任意
10個[B]QD各自的最長寬度加以平均。
再者，[B]QD的螢光的波長範圍可藉由適當選擇[B]QD的構成材料或平均粒徑而控制。
[B]QD的形狀並無特別限定，例如可為球狀、棒狀、圓盤狀、其他形狀。關於[B]QD的形狀、分散狀態等資訊，可藉由穿透式電子顯微鏡而獲得。
獲得[B]QD的方法例如可利用在配位性有機溶劑中將有機金屬化合物加以熱分解的公知方法。另外，核殼結構型的[B]QD例如可藉由以下方式獲得：藉由反應而形成均質的核結構後，於反應體系內添加用以於核表面形成殼的前驅物，於核表面形成殼後，使反應停止，自溶劑中分離。控制[B]QD的平均粒徑的方法例如可列舉調整反應溫度或反應時間等的方法。再者，亦可利用市售的[B]QD。
另外，作為核殼結構型半導體量子點的InP/ZnS例如可參照技術文獻「美國化學會期刊(Journal of American Chemical Society.)2007，129，15432-15433」中記載的方法而合成。另外，作為核殼結構型半導體量子點的CuInS2/ZnS例如亦可參照技術文獻「美國化學會期刊(Journal of American Chemical Society.)2009，131，5691-5697」中記載的方法或技術文獻「材料化學(Chemistry of Materials.)2009，21，2422-2429」中記載的方法而合成。
另外，關於Si系半導體量子點，例如可參照技術文獻
「美國化學會期刊(Journal of American Chemical Society.)2010，132，248-253」記載的方法而合成。
相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，該樹脂組成物中的[B]QD的含量的下限較佳為1質量份，更佳為10質量份。另外，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，所述含量的上限較佳為150質量份，更佳為100質量份。藉由將[B]QD的含量設為所述範圍，可形成具有優異的螢光特性的膜(波長變換層)。
〔[C]化合物〕
[C]化合物為選自由具有苯基膦結構的化合物、具有環烷基膦結構的化合物、具有硫代雙酚結構的化合物、具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物及具有苯并噻唑結構的化合物所組成的組群中的至少一種化合物。可認為，[C]化合物例如具有優異的過氧化物分解功能，即，將氧化反應中生成的氫過氧化物(ROOH)分解而變為穩定的化合物，由此抑制鏈起始反應，故可有效地抑制導致[B]QD的螢光量子產率降低的自由基的產生。因此可認為，藉由含有[C]化合物，該樹脂組成物可抑制加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低。
(具有苯基膦結構的化合物)
所謂具有苯基膦結構的化合物，為通式：P-(R2)3所表示的化合物。此處，R2為氫原子或一價有機基。3個R2可相同亦可不同。其中，至少一個R2為經取代或未經取代的苯基。所述苯基的取代基例如可列舉碳數1~5的烷基、碳數2~5的烯基等。具有苯基
膦結構的化合物較佳為具有所述通式中的3個R2均為經取代或未經取代的苯基的三苯基膦結構的化合物。
具有苯基膦結構的化合物例如可列舉：三鄰甲苯基膦、三間甲苯基膦、三對甲苯基膦、三-2,5-二甲苯基膦、三-3,5-二甲苯基膦、三苯基膦、二苯基(對乙烯基苯基)膦、三(2,4,6-三甲基苯基)膦等。
就更有效地抑制導致[B]QD的螢光量子產率降低的自由基的產生的觀點而言，具有苯基膦結構的化合物較佳為三鄰甲苯基膦、三間甲苯基膦、三對甲苯基膦、三-2,5-二甲苯基膦、二苯基(對乙烯基苯基)膦、三苯基膦及三(2,4,6-三甲基苯基)膦，更佳為三鄰甲苯基膦、三間甲苯基膦、三對甲苯基膦及三(2,4,6-三甲基苯基)膦。
(具有環烷基膦結構的化合物)
所謂具有環烷基膦結構的化合物，為通式：P-(R3)3所表示的化合物。此處，R3為氫原子或一價有機基。3個R3可相同亦可不同。其中，至少一個R3為經取代或未經取代的環烷基。所述環烷基例如可列舉環戊基、環己基等。所述環烷基的取代基例如可列舉碳數1~5的烷基、碳數2~5的烯基等。具有環烷基膦結構的化合物較佳為具有所述通式中的3個R3均為經取代或未經取代的環烷基的三環烷基膦結構的化合物。
具有環烷基膦結構的化合物較佳為三環己基膦。
(具有硫代雙酚結構的化合物)
所謂具有硫代雙酚結構的化合物，為通式：S-(R4)2所表示的化合物。此處，R4為經取代或未經取代的羥基苯基。2個R4可相同亦可不同。所述羥基苯基的取代基例如可列舉碳數1~5的烷基等。所述經取代的羥基苯基較佳為不具有兩個以上的碳數3以上的烷基。
具有硫代雙酚結構的化合物較佳為4,4-硫代雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)。
(具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物)
所謂具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物，為通式：S-(CH2-CH2-COO-R5)2所表示的化合物。此處，R5為烷基。2個R5可相同亦可不同。所述烷基較佳為碳數10以上且20以下的直鏈狀烷基。
具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物例如可列舉：硫代二丙酸二月桂酯、硫代二丙酸二-十三烷基酯、硫代二丙酸二肉豆蔻酯、硫代二丙酸二硬脂酯等。
就更有效地抑制導致[B]QD的螢光量子產率降低的自由基的產生的觀點而言，具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物較佳為硫代二丙酸二月桂酯及硫代二丙酸二硬脂酯。
(具有苯并噻唑結構的化合物)
所謂具有苯并噻唑結構的化合物，為經取代或未經取代的苯并噻唑。所述苯并噻唑的取代基例如可列舉碳數1~10的烷基、羥基、硫醚基等，該些基團中，較佳為硫醚基。
具有苯并噻唑結構的化合物例如可列舉苯并噻唑、2-巰基苯并噻唑等。該些化合物中，較佳為2-巰基苯并噻唑。
[C]化合物較佳為具有苯基膦結構的化合物及具有環烷基膦結構的化合物，更佳為具有苯基膦結構的化合物。
相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，該樹脂組成物中的[C]化合物的含量的下限較佳為0.1質量份，更佳為1質量份，進而佳為2質量份。相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，所述含量的上限較佳為15質量份，更佳為10質量份，進而佳為8質量份。藉由將所述含量設為所述範圍內，可更有效地抑制導致[B]QD的螢光量子產率降低的自由基的產生。另外，於該樹脂組成物具有硬化性的情形時，可抑制妨礙該樹脂組成物的硬化反應。
〔[X]過氧化物分解劑〕
[X]過氧化物分解劑為不相當於[C]化合物的抗氧化劑，且具有過氧化物分解功能。[X]過氧化物分解劑例如可列舉磷化合物、硫化合物、含有磷原子及硫原子的化合物等，具體可列舉：具有亞磷酸酯結構的化合物、具有硫醚結構的化合物(其中，將具有硫代雙酚結構的化合物及具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物除外)、具有苯并***結構的化合物、具有硫代亞磷酸酯結構的化合物等。
(具有亞磷酸酯結構的化合物)
具有亞磷酸酯結構的化合物例如可列舉：亞磷酸三(壬基苯基)酯、亞磷酸三(對-第三辛基苯基)酯、亞磷酸三[2,4,6-三(α-苯基乙
基)]酯、亞磷酸三(對-2-丁烯基苯基)酯、亞磷酸雙(對壬基苯基)環己酯、亞磷酸三(2,4-二-第三丁基苯基)酯、3,9-雙(十八烷氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜螺[5.5]十一烷、亞磷酸三苯酯、3,9-雙(2,6-二-第三丁基-4-甲基苯氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜螺[5.5]十一烷等。
具有亞磷酸酯結構的化合物的市售品例如可列舉：日本專利特開2003-26715號公報、日本專利特開2009-97010號公報、日本專利特開2012-211975號公報、日本專利特開2014-126811號公報、日本專利特開2014-134763號公報等中記載的化合物等。
(具有硫醚結構的化合物)
具有硫醚結構的化合物例如可列舉：季戊四醇四(3-月桂基硫代丙酸酯)、季戊四醇四(3-十八烷基硫代丙酸酯)、季戊四醇四(3-肉豆蔻基硫代丙酸酯)、季戊四醇四(3-硬脂基硫代丙酸酯)等。
具有硫醚結構的化合物的市售品例如可列舉日本專利特開2014-48428號公報、日本專利特開2014-134763號公報等中記載的化合物等。
(具有苯并***結構的化合物)
具有苯并***結構的化合物例如可列舉：2-(2-羥基-5-甲基苯基)苯并***、2-[2'-羥基-5'-(甲基)丙烯醯氧基甲基苯基]-2H-苯并***、2-[2'-羥基-3'-第三丁基-5'-(甲基)丙烯醯氧基乙基苯基]-2H-苯并***等。
具有苯并***結構的化合物的市售品例如可列舉日本
專利特開2003-26715號公報、日本專利特開2009-97010號公報、日本專利特開2012-211975號公報等中記載的化合物等。
(具有硫代亞磷酸酯結構的化合物)
具有硫代亞磷酸酯結構的化合物例如可列舉三硫代亞磷酸三月桂酯、三硫代亞磷酸三丁酯、三硫代亞磷酸三苯酯等。
〔[D]自由基捕捉劑〕
該樹脂組成物亦可更含有[D]自由基捕捉劑。[D]自由基捕捉劑為不相當於[C]化合物的抗氧化劑，且具有如下作用：捕捉活性高的鏈傳播體(ROO．及R．)而停止鏈反應，由此抗氧化。於藉由該樹脂組成物形成膜(波長變換層)時的加熱處理時、或於電子設備的製造步驟中對所述膜施加過度的熱的情形等時，有時於膜中產生自由基。若如此般於膜中產生自由基，則由於自由基化學不穩定，故容易與其他化合物反應而進一步形成新的自由基並且使QD以鏈方式劣化，成為誘發膜的功能降低的原因。若該樹脂組成物含有[D]自由基捕捉劑，則即便產生所述自由基，亦藉由[D]自由基捕捉劑來捕捉自由基，故可進一步抑制加熱處理後的[B]QD的螢光量子產率的降低。再者，[D]自由基捕捉劑中，亦包括具有將過氧化物分解的功能的化合物。另外，本說明書中，將具有將過氧化物分解的功能、且具有捕捉自由基的功能的化合物視為[D]自由基捕捉劑。
[D]自由基捕捉劑只要可捕捉自由基而使自由基失活，則並無特別限定，例如可使用酚類、芳香族胺類，較佳為具有受
阻酚結構的化合物及具有受阻胺結構的化合物。藉由使用所述特定的化合物作為[D]自由基捕捉劑，可更可靠地捕捉自由基。
[具有受阻酚結構的化合物]
所謂受阻酚結構，例如可列舉具有經碳數3以上且10以下的兩個以上的一價有機基取代的羥基苯基的結構等。具有受阻酚結構的化合物例如可列舉：季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、2,2'-硫代二伸乙基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、十八烷基-3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯、三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)異氰脲酸酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-三(3,5-二-第三丁基-4-羥基苄基)苯、3,9-雙[1,1-二甲基-2-[β-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]乙基]2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]-十一烷及該些化合物的聚合物等。
具有受阻酚結構的化合物的市售品例如可列舉日本專利特開2011-227106號公報、日本專利特開2013-164471號公報等中記載的化合物等。
[具有受阻胺結構的化合物]
具有受阻胺結構的化合物例如可列舉：癸二酸雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、丁二酸雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、癸二酸雙(1,2,2,6,6-五甲基-4-哌啶基)酯、癸二酸雙(N-辛氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、癸二酸雙(N-苄氧基-2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯、N,N',N",N'''-四-[4,6-雙-[丁基-(N-甲基-2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)胺基]-三嗪-2-基]-4,7-二氮雜癸烷-1,10-二胺等低分子化合物，
多個哌啶環經由三嗪骨架鍵結而成的聚合物及多個哌啶環經由酯鍵進行鍵結而成的聚合物。
具有受阻胺結構的化合物的市售品例如可列舉日本專利特開2011-112823號公報、日本專利特開2014-134763號公報等中記載的化合物等。
就更可靠地捕捉自由基的觀點而言，[D]自由基捕捉劑較佳為具有受阻酚結構的化合物，更佳為2,2'-硫代二伸乙基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]、及3,9-雙[1,1-二甲基-2-[β-(3-第三丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙醯氧基]乙基]2,4,8,10-四氧雜螺[5,5]-十一烷。
於該樹脂組成物含有[D]自由基捕捉劑的情形時，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，[D]自由基捕捉劑的含量的下限較佳為0.1質量份，更佳為1質量份，進而佳為2質量份。相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，所述含量的上限較佳為10質量份，更佳為5質量份。藉由將所述含量設為所述範圍內，可更可靠地捕捉自由基。另外，於該樹脂組成物具有硬化性的情形時，可抑制妨礙該樹脂組成物的硬化反應。
〔[E]聚合性化合物〕
該樹脂組成物亦可更含有[E]聚合性化合物。於該樹脂組成物含有[E]聚合性化合物的情形時，可促進該樹脂組成物的硬化反應。[E]聚合性化合物只要為藉由放射線照射或加熱等而聚合的化合物，則並無特別限定，就提高感度的觀點而言，較佳為具有(甲
基)丙烯醯基、環氧基、乙烯基或該些基團的組合的化合物，更佳為分子中具有兩個以上的(甲基)丙烯醯基的化合物。
分子中具有兩個以上的(甲基)丙烯醯基的[E]聚合性化合物例如可列舉：二乙二醇二丙烯酸酯、三乙二醇二丙烯酸酯、四乙二醇二丙烯酸酯、二乙二醇二甲基丙烯酸酯、三乙二醇二甲基丙烯酸酯、四乙二醇二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三丙烯酸酯、三羥甲基丙烷二甲基丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯、1,3-丁二醇二丙烯酸酯、1,3-丁二醇二甲基丙烯酸酯、新戊二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二丙烯酸酯、1,4-丁二醇二甲基丙烯酸酯、1,6-己二醇二丙烯酸酯、1,9-壬二醇二甲基丙烯酸酯、1,10-癸二醇二甲基丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、季戊四醇三丙烯酸酯、季戊四醇三甲基丙烯酸酯、季戊四醇四丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、季戊四醇四甲基丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三季戊四醇七丙烯酸酯、三季戊四醇八丙烯酸酯、四季戊四醇九丙烯酸酯、四季戊四醇十丙烯酸酯、五季戊四醇十一丙烯酸酯、五季戊四醇十二丙烯酸酯、三季戊四醇七甲基丙烯酸酯、三季戊四醇八甲基丙烯酸酯、四季戊四醇九甲基丙烯酸酯、四季戊四醇十甲基丙烯酸酯、五季戊四醇十一甲基丙烯酸酯、五季戊四醇十二甲基丙烯酸酯、二羥甲基-三環癸烷二丙烯酸酯、乙氧基化雙酚A二丙烯酸酯、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、9,9-雙[4-(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基)苯基]茀、9,9-雙[4-(2-甲基丙烯
醯氧基乙氧基)-3-甲基苯基]茀、(2-丙烯醯氧基丙氧基)-3-甲基苯基]茀、9,9-雙[4-(2-丙烯醯氧基乙氧基)-3,5-二甲基苯基]茀、9,9-雙[4-(2-甲基丙烯醯氧基乙氧基)-3,5-二甲基苯基]茀等。
其中，就提高感度的觀點而言，較佳為具有3個以上的(甲基)丙烯醯基的聚合性化合物，更佳為具有4個以上的(甲基)丙烯醯基的聚合性化合物，進而佳為季戊四醇四丙烯酸酯、二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯、二季戊四醇五丙烯酸酯、二季戊四醇六丙烯酸酯、三季戊四醇七丙烯酸酯及三季戊四醇八丙烯酸酯。
於該樹脂組成物含有[E]聚合性化合物的情形時，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，[E]聚合性化合物的含量的下限較佳為1質量份，更佳為10質量份，進而佳為20質量份。另外，所述含量的上限較佳為200質量份，更佳為150質量份，進而佳為120質量份。藉由將所述含量設為所述範圍內，可形成進一步提高保存穩定性及感度、並且硬度更高、耐溶劑性更優異的膜。
〔[F]感放射線性化合物〕
該樹脂組成物亦可更含有[F]感放射線性化合物。於該情形時，可對該樹脂組成物賦予感放射線性。[F]感放射線性化合物可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
[F]感放射線性化合物例如可列舉感放射線性自由基聚合起始劑、醌二疊氮化合物、該些化合物的組合等。
[感放射線性自由基聚合起始劑]
例如於使用自由基聚合性的化合物作為[E]聚合性化合物的
情形時，所述感放射線性自由基聚合起始劑可進一步促進該樹脂組成物的由放射線所致的硬化反應。
所述感放射線性自由基聚合起始劑例如可列舉：藉由可見光線、紫外線、遠紫外線、電子束、X射線等放射線的曝光，可產生能引發[E]聚合性化合物的自由基聚合反應的活性種的化合物等。
所述感放射線性自由基聚合起始劑的具體例例如可列舉：乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基-5-四氫呋喃基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)、乙酮，1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(2,2-二甲基-1,3-二氧雜環戊烷基)甲氧基苯甲醯基}-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)、乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基-4-四氫呋喃基甲氧基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)、1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)等O-醯基肟化合物；2-苄基-2-二甲基胺基-1-(4-嗎啉基苯基)-丁烷-1-酮、2-二甲基胺基-2-(4-甲基苄基)-1-(4-嗎啉-4-基-苯基)-丁烷-1-酮、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮等α-胺基酮化合物；1-苯基-2-羥基-2-甲基丙烷-1-酮、4-(2-羥基乙氧基)苯基-(2-羥基-2-丙基)酮、1-羥基環己基苯基酮等α-羥基酮化合物；二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物、雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物等醯基膦氧化物化合物等。
就進一步促進由放射線所致的硬化反應的觀點而言，所述感放射線性自由基聚合起始劑較佳為乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)、1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)]、2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮、二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物及雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物。
[醌二疊氮化合物]
所述醌二疊氮化合物適於將該樹脂組成物用作正型的感放射線性組成物的情形的感放射線性化合物。所述醌二疊氮化合物可使用藉由放射線的照射而產生羧酸的1,2-醌二疊氮化合物。所述1,2-醌二疊氮化合物可使用酚性化合物或醇性化合物與1,2-萘醌二疊氮磺醯鹵的縮合物。
所述醌二疊氮化合物例如可列舉：2,3,4-三羥基二苯甲酮-1,2-萘醌疊氮-4-磺酸酯等1,2-萘醌二疊氮磺酸酯；4，4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚-1,2-萘醌二疊氮-4-磺酸酯、4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯、雙(2,5-二甲基-4-羥基苯基)-2-羥基苯基甲烷-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯等(多羥基苯基)烷烴的1,2-萘醌二疊氮磺酸酯等。醌二疊氮化合物的具體例例如可列舉日本專利5454321號公報、日本專利5630068號公報、日本專利5592064號公報等中記載的化合物等。
就提高該樹脂組成物的放射線感度的觀點而言，所述醌二疊氮化合物較佳為(多羥基苯基)烷烴的1,2-萘醌二疊氮磺酸酯，更佳為4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯。
於該樹脂組成物含有[F]感放射線性化合物的情形時，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，[F]感放射線性化合物的含量的下限較佳為1質量份，更佳為10質量份。另外，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，所述含量的上限較佳為150質量份，更佳為100質量份。藉由將所述含量設為所述範圍，可進一步提高該樹脂組成物的放射線感度。
〔[G]溶劑〕
該樹脂組成物亦可更含有[G]溶劑。若該樹脂組成物含有[G]溶劑，則其塗佈性提高。[G]溶劑只要可使所述各成分溶解或分散，則並無特別限定，例如可列舉合成所述[a]樹脂等樹脂時所使用的溶劑等。再者，[G]溶劑可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。
〔[H]其他成分〕
該樹脂組成物除了所述成分以外，亦可於不損及本發明的效果的範圍內，含有熱聚合起始劑、保存穩定劑、接著助劑等[H]其他成分。[H]其他成分可單獨使用，亦可組合使用兩種以上。於該樹脂組成物含有[H]其他成分的情形時，相對於[A]黏合劑樹脂100質量份，其含量的上限較佳為10質量份，更佳為1質量份。
該樹脂組成物可藉由適當的方法而製備，例如可藉由在
[G]溶劑中將[A]黏合劑樹脂、[B]QD、[C]化合物及視需要的任意成分混合而製備。混合時的組成物中的固體成分的濃度的下限較佳為5質量%，更佳為10質量%。另外，所述濃度的上限較佳為80質量%，更佳為70質量%。藉由將固體成分的濃度設為所述範圍，可提高塗佈性。再者，所謂所述「固體成分」，是指利用175℃的加熱板將試樣乾燥1小時而去除揮發物質所得的剩餘成分。
<膜>
該膜是藉由該樹脂組成物而獲得。由於該膜是藉由該樹脂組成物而獲得，故加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低得到抑制，例如可提供作為具有高的色彩再現性的波長變換層的膜。該膜可經圖案化，亦可未經圖案化，若該膜經圖案化，則可應用於作為子畫素而有用的波長變換層。該膜通常是藉由加熱處理來去除揮發成分或促進各種化學反應，以可較佳地用作波長變換層。該膜可為以交聯樹脂作為母材的膜(以下亦稱為「硬化膜」)，亦可為以非交聯樹脂作為母材的膜。所述硬化膜例如可藉由使用具有硬化性的該樹脂組成物而獲得。對該樹脂組成物賦予硬化性的方法例如可列舉：使用熱硬化性樹脂等硬化性樹脂作為[A]黏合劑樹脂的方法、或含有[E]聚合性化合物或其他交聯劑等的方法等。
<波長變換構件>
該膜適合作為發光顯示元件、波長變換膜等波長變換構件所具備的波長變換層。以下，作為具備該膜的該波長變換構件的較佳實施形態，以波長變換膜及發光顯示元件為例加以說明。
〔波長變換膜〕
作為該波長變換構件的一實施形態的波長變換膜適合作為太陽電池密封用片、農業用膜、照明零件等中所用的波長變換構件。所述波長變換膜中的波長變換層的平均厚度例如可設為1μm以上且1,000μm以下。再者，所述波長變換膜可為僅由該膜(波長變換層)所構成的單層膜，亦可為更具備其他層的多層膜。
〔發光顯示元件〕
圖1為示意性地表示一實施形態的發光顯示元件100的剖面圖。發光顯示元件100具有：波長變換基板11，其是於第1基材12上設置波長變換層13(13a、13b、13c)及黑色矩陣14而構成；以及光源基板18，其是經由接著劑層15而貼合於波長變換基板11上。
第1基材12是由玻璃、石英、透明樹脂等所構成。所述透明樹脂例如可列舉透明聚醯亞胺、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸乙二酯、環狀烯烴系樹脂等。
波長變換基板11的波長變換層13是使用所述樹脂組成物進行圖案化而形成。由於波長變換層13是使用該樹脂組成物而形成，故可抑制加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低。
波長變換基板11藉由波長變換層13各自所含有的QD而對來自光源基板18的光源17的激發光進行波長變換，發出所需波長的螢光。波長變換基板11中，第1波長變換層13a、第2波長變換層13b及第3波長變換層13c是含有各不相同的QD而構
成，可發出不同的螢光。例如波長變換基板11能以如下方式構成：第1波長變換層13a將激發光變換為紅色光，第2波長變換層13b將激發光變換為綠色光，第3波長變換層13c將激發光變換為藍色光。
於該情形時，各波長變換層13a、波長變換層13b、波長變換層13c是以各自具有所需的螢光特性的方式選擇所含有的QD。因此，於波長變換基板11的各波長變換層13a、波長變換層13b、波長變換層13c的形成時，準備含有發光特性不同的QD的例如三種樹脂組成物。
波長變換基板11的波長變換層13的平均厚度的下限較佳為100nm，更佳為1μm。另外，所述平均厚度的上限較佳為100μm。若所述平均厚度小於所述下限，則無法充分吸收激發光，光變換效率降低，故可能產生無法充分確保發光顯示元件的亮度等問題。
於第1基材12上的各波長變換層13之間，配置有黑色矩陣14。黑色矩陣14可使用公知的遮光性的材料依照公知的方法進行圖案化而形成。再者，黑色矩陣14於波長變換基板11中並非必需的構成要素，波長變換基板11亦可設定為不設置黑色矩陣14的構成。
接著劑層15是使用後述透過紫外光或藍色光的公知的接著劑而形成。再者，接著劑層15無需如圖1所示般以於第1基材12上將各波長變換層13的整個面被覆的方式設置，亦可僅設
置於波長變換基板11的外緣。
光源基板18具備第2基材16、及配置於第2基材16的波長變換基板11側的光源17。自光源17分別出射紫外光或藍色光作為激發光。
光源17(17a、17b、17c)並無特別限定，可使用公知結構的紫外發光有機EL元件、藍色發光有機EL元件等，可藉由公知的製造方法而製作。此處，紫外光較佳為主發光波峰為360nm以上且435nm以下，藍色光較佳為主發光波峰超過435nm且為480nm以下。光源17較佳為以各自的出射光照射相向的波長變換層13的方式具有指向性。
發光顯示元件100藉由波長變換基板11的第1波長變換層13a的QD對來自第1光源17a的激發光進行波長變換。同樣地，藉由波長變換基板11的第2波長變換層13b的QD對來自第2光源17b的激發光進行波長變換，藉由波長變換基板11的第3波長變換層13c的QD對來自第3光源17c的激發光進行波長變換。如此，將來自各光源17的激發光分別變換為所需波長的可見光而用於顯示。
發光顯示元件100中，設有第1波長變換層13a的部分構成進行紅色顯示的子畫素。即，波長變換基板11的第1波長變換層13a將來自光源基板18的相向的第1光源17a的激發光變換為紅色光。另外，設有第2波長變換層13b的部分構成進行綠色顯示的子畫素。即，第2波長變換層13b將來自光源基板18的相
向的第2光源17b的激發光變換為綠色光。另外，設有第3波長變換層13c的部分構成進行藍色顯示的子畫素。例如於使用紫外光作為激發光的情形時，第3波長變換層13c將來自光源基板18的相向的第3光源17c的紫外光變換為藍色光。
再者，發光顯示元件100中，亦可將來自第3光源17c的激發光用作藍色光。於該情形時，波長變換基板11亦可使用將光散射粒子分散於樹脂中而構成的光散射層代替第3波長變換層13c。若如此般設定，則可不對作為激發光的藍色光進行波長變換而以原本的波長特性使用。
發光顯示元件100藉由具備第1波長變換層13a的子畫素、具備第2波長變換層13b的子畫素及具備第3波長變換層13c的子畫素三種子畫素而構成一個畫素，該一個畫素成為構成圖像的最小單位。
具有以上構成的發光顯示元件100對具備第1波長變換層13a的子畫素、具備第2波長變換層13b的子畫素及具備第3波長變換層13c的子畫素分別控制紅色、綠色或藍色的光的發光，進行全彩顯示。
再者，發光顯示元件100中，可於波長變換層13與第1基材12之間設置彩色濾光片。即，可於第1波長變換層13a與第1基材12之間設置紅色的彩色濾光片，於第2波長變換層13b與第1基材12之間設置綠色的彩色濾光片，於第3波長變換層13c與第1基材12之間設置藍色的彩色濾光片。藉此，可提高顯示色
的純度。此處，關於彩色濾光片，可利用公知的方法形成作為液晶顯示元件用等而公知的彩色濾光片並使用。
<膜的第一形成方法>
該膜的第一形成方法可較佳地形成用作波長變換膜的波長變換層等的未經圖案化的膜。該膜的第一形成方法包括：於基板的一個面側形成塗膜的步驟(以下亦稱為「塗膜形成步驟」)、及對所述塗膜進行加熱的步驟(以下亦稱為「加熱步驟」)，藉由該樹脂組成物而形成所述塗膜。
根據該膜的第一形成方法，因使用上文所述的該樹脂組成物，故可容易且可靠地形成加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低得到抑制的膜。此處所謂「塗膜」，是指未進行充分的加熱處理的膜狀構件。以下，對各步驟分別加以說明。
[塗膜形成步驟]
於塗膜形成步驟中，例如藉由將該樹脂組成物塗佈於基板上而形成塗膜。於塗膜形成步驟中，亦可於塗佈該樹脂組成物後，藉由加熱板、烘箱等適當的加熱裝置對塗佈面進行加熱，藉此將溶劑等去除。關於加熱條件，例如只要設為70℃以上且130℃以下的加熱溫度、1分鐘以上且10分鐘以下的加熱時間即可。
形成塗膜的基板可使用與下文中該膜的第二形成方法中描述的基板相同的基板等。
該樹脂組成物的塗佈方法並無特別限定，例如可採用噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(旋塗法)、狹縫模塗佈法、棒式塗佈
法等方法。
[加熱步驟]
於加熱步驟中，藉由加熱板、烘箱等適當的加熱裝置對所述塗膜進行加熱。藉此，可去除所述塗膜所含的揮發成分或促進醯亞胺化等各種化學反應等，結果，可調節所形成的膜的特性等。加熱步驟中，例如只要設為150℃以上且250℃以下的加熱溫度、5分鐘以上且180分鐘以下的加熱時間即可。
藉由加熱步驟，可獲得積層於基板上的膜，故可將該基板及膜的積層體用作波長變換膜等。另外，於該方法中使用具有硬化性的該樹脂組成物的情形時，藉由所述加熱而於該樹脂組成物中發生交聯反應，由此可獲得硬化膜。
<膜的第二形成方法>
該膜的第二形成方法可較佳地形成經圖案化的膜。該膜的第二形成方法包括：於基板的一個面側形成塗膜的步驟(以下亦稱為「塗膜形成步驟」)、對所述塗膜的至少一部分照射放射線(曝光)的步驟(以下亦稱為「放射線照射步驟」)、對放射線照射後的塗膜進行顯影的步驟(以下亦稱為「顯影步驟」)、及對塗膜進行加熱的步驟(以下亦稱為「加熱步驟」)，且藉由含有感放射線性化合物的該樹脂組成物而形成所述塗膜。另外，該膜的第二形成方法亦可於顯影步驟與加熱步驟之間包括對顯影後的圖案進行曝光的步驟(以下亦稱為「後曝光步驟」)。
根據該膜的第二形成方法，因使用上文所述的該樹脂組
成物，故可容易且可靠地形成加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低得到抑制的膜。再者，由該膜的第二形成方法所得的膜通常為硬化膜。以下，對各步驟分別加以說明。
[塗膜形成步驟]
於塗膜形成步驟中，例如藉由將該樹脂組成物塗佈於基板上而形成塗膜。亦可於塗佈該樹脂組成物後，對塗佈面進行加熱(預烘烤)，藉此將溶劑等去除。
形成塗膜的基板的材質並無特別限定，例如可列舉玻璃、石英、矽、樹脂等。所述樹脂的具體例例如可列舉：聚對苯二甲酸乙二酯、聚萘二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚醯亞胺、環狀烯烴的加成聚合物、環狀烯烴的開環聚合物、其氫化物等。另外，對於該些基板，視需要亦可進行利用矽烷偶合劑等的化學藥劑處理、電漿處理、離子鍍(ion plating)、濺鍍、真空蒸鍍等前處理。
該樹脂組成物的塗佈方法並無特別限定，例如可採用噴霧法、輥塗法、旋轉塗佈法(旋塗法)、狹縫模塗佈法、棒式塗佈法等方法。該些塗佈方法中，較佳為旋塗法及狹縫模塗佈法。加熱(預烘烤)的條件亦視各成分的種類、調配比例等而不同，例如只要設為70℃以上且130℃以下的溫度、1分鐘以上且10分鐘以下的加熱時間即可。
[放射線照射步驟]
於放射線照射步驟中，對形成於基板上的塗膜的至少一部分
照射放射線。於僅對塗膜的一部分照射放射線時，例如亦可經由具有所需形狀的圖案的光罩來照射放射線。藉由使用該光罩，所照射的放射線的一部分通過光罩，該一部分放射線照射於塗膜。
用於照射的放射線可列舉可見光線、紫外線、遠紫外線、電子束、X射線等。該些放射線中，較佳為波長在190nm以上且450nm以下的範圍內的放射線，更佳為包含波長365nm的紫外線的放射線。
放射線照射步驟中的累計照射量(曝光量)的下限較佳為100J/m2，更佳為200J/m2。另外，所述累計照射量的上限較佳為2,000J/m2，更佳為1,000J/m2。再者，本說明書中所謂「累計照射量」，是指利用照度計(例如OAI光學夥伴(OAI Optical Associates Inc.)公司的「OAI模型(OAI model)356」)對放射線的波長365nm下的強度進行測定所得的值的累計值。
[顯影步驟]
於顯影步驟中，對放射線照射後的塗膜進行顯影而將不需要的部分去除。
用於顯影的顯影液例如可使用：溶解有氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨等鹼性化合物的至少一種的水溶液。於所述鹼性化合物的水溶液中，亦可添加適當量的甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑而使用。
顯影方法例如可列舉盛液法、浸漬法、搖晃浸漬法、噴
霧法等。顯影時間視樹脂組成物的組成而不同，該顯影時間的下限較佳為5秒，更佳為10秒。另外，顯影時間的上限較佳為300秒，更佳為80秒。繼顯影處理之後，例如以30秒以上且90秒以下的時間進行流水清洗後，利用壓縮空氣或壓縮氮氣進行乾燥，藉此可獲得所需圖案。
[後曝光步驟]
例如於使用醌二疊氮化合物作為[F]感放射線性化合物的情形時，非曝光部呈紅色，故藉由在該步驟中對顯影後的非曝光部進行後曝光，可使塗膜無色化。此時的後曝光條件例如只要設為與所述曝光步驟相同的條件即可。
[加熱步驟]
於加熱步驟中，藉由加熱板、烘箱等適當的加熱裝置對塗膜進行加熱(後烘烤)。藉此於基板上形成膜。
加熱溫度的下限較佳為150℃。另外，加熱溫度的上限較佳為250℃。於利用加熱板進行加熱的情形時，加熱時間的下限較佳為5分鐘，上限較佳為30分鐘。另外，於在烘箱中進行加熱的情形時，加熱時間的下限較佳為10分鐘，上限較佳為180分鐘。
於將所述方法應用於形成所述發光顯示元件100的波長變換層的情形時，只要分別使用三種樹脂組成物，重複進行包括所述步驟的波長變換層的形成方法，分別形成第1波長變換層13a、第2波長變換層13b及第3波長變換層13c即可。
<其他實施形態>
以上，對本發明的較佳實施形態進行了說明，但本發明不限定於該些實施形態。例如於所述較佳實施形態中，對將本發明的樹脂組成物應用於發光顯示元件的子畫素的例子進行了說明，但本發明不限定於此，亦可應用於液晶顯示器的背光單元等。例如於使用藍色發光二極體作為背光單元的光源的情形時，藉由與由所述含有G-QD及R-QD的本發明的樹脂組成物所得的膜組合，可再現純度高的白色光。另外，於所述較佳實施形態中，作為該膜的第一形成方法，對積層於基板上的膜的形成方法進行了說明，但該膜例如亦可藉由澆鑄法等其他膜成形法來形成，於該情形時，例如可獲得單層膜狀的該膜。
[實施例]
以下，根據實施例對本發明加以具體說明，但本發明不限定於該些實施例。
[重量平均分子量(Mw)、數量平均分子量(Mn)及分子量分佈(Mw/Mn)]
藉由下述條件的凝膠滲透層析法(GPC)來測定Mw及Mn。另外，分子量分佈(Mw/Mn)是根據所得的Mw及Mn而算出。
裝置：昭和電工公司的「GPC-101」
管柱：將昭和電工公司的「GPC-KF-801」、「GPC-KF-802」、「GPC-KF-803」及「GPC-KF-804」連結
移動相：四氫呋喃
管柱溫度：40℃
流速：1.0mL/分
試樣濃度：1.0質量%
試樣注入量：100μL
檢測器：示差折射計
標準物質：單分散聚苯乙烯
<黏合劑樹脂([a]樹脂)的合成>
[合成例1]樹脂(A-1)的合成
於具備冷凝管及攪拌機的燒杯中，加入150質量份的丙二醇單甲醚乙酸酯並進行氮氣置換。加熱至80℃，於該溫度下用2小時滴加50質量份的丙二醇單甲醚乙酸酯、10質量份的甲基丙烯酸、30質量份的甲基丙烯酸環己酯、10質量份的苯乙烯、20質量份的琥珀酸單[2-甲基丙烯醯氧基乙基]酯、3質量份的甲基丙烯酸2-羥基乙酯、15質量份的甲基丙烯酸2-乙基己酯、12質量份的N-苯基馬來醯亞胺及6質量份的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)的混合溶液，保持該溫度進行1小時聚合。其後，使反應溶液的溫度升溫至90℃，進而進行1小時聚合，藉此獲得樹脂(A-1)的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液(固體成分濃度：33質量%)。所得的樹脂為Mw=10,800、Mn=5,900、Mw/Mn=1.83。
[合成例2]樹脂(A-2)的合成
於具備冷凝管及攪拌機的燒杯中，加入150質量份的丙二醇單甲醚乙酸酯並進行氮氣置換。加熱至80℃，於該溫度下用2小時滴加50質量份的丙二醇單甲醚乙酸酯、5質量份的甲基丙烯
酸、25質量份的甲基丙烯酸三環癸酯、10質量份的苯乙烯、20質量份的琥珀酸單[2-甲基丙烯醯氧基乙基]酯、18質量份的甲基丙烯酸2-乙基己酯、12質量份的N-苯基馬來醯亞胺、10質量份的3-(甲基丙烯醯氧基甲基)-3-乙基氧雜環丁烷及6質量份的2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)的混合溶液，保持該溫度進行1小時聚合。其後，使反應溶液的溫度升溫至90℃，進而進行1小時聚合，藉此獲得樹脂(A-2)的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液(固體成分濃度：33質量%)。所得的樹脂為Mw=11,100、Mn=6,000、Mw/Mn=1.85。
[合成例3]樹脂(A-3)的合成
於經氮氣置換的反應容器中，加入430質量份的8-甲基-8-甲氧基羰基四環[4.4.0.12,5.17,10]-3-十二烯及雙環[2.2.1]庚-2-烯的80莫耳：20莫耳的混合物、及750質量份的甲苯，加熱至60℃。於其中添加0.62質量份的三乙基鋁(1.5莫耳/L)的甲苯溶液、3.7質量份的經第三丁醇/甲醇改質(tert-C4H9OH/CH3OH/W=0.35莫耳/0.3莫耳/1莫耳)的氯化鎢(WCl6)溶液(濃度0.05莫耳/L)，於80℃下進行3小時加熱攪拌，獲得作為水解聚合物的樹脂(A-3)。該聚合反應的聚合轉化率為95%，樹脂(A-3)的重量平均分子量為21,000。
<樹脂組成物的製備、膜的形成及物性評價>
以下示出用於製備各樹脂組成物的各成分。
[[A]黏合劑樹脂]
A-1：樹脂(A-1)
A-2：樹脂(A-2)
A-3：樹脂(A-3)
[[B]QD]
B-1：作為核殼結構型半導體量子點的InP/ZnS(平均粒徑：4nm)
B-2：作為核殼結構型半導體量子點的CdSe/ZnS-TOPO(平均粒徑：4nm，國際公開WO2006/103908號公報中的實施例4中所用的量子點)
再者，[B]QD的平均粒徑是藉由以下方式求出：使用穿透式電子顯微鏡(日立高新技術菲爾丁(Hitachi High-Tech Fielding)公司的「H-7650」)進行觀察，將視野中所含的任意10個[B]QD各自的最長寬度加以平均。
[[C]化合物]
C-1：三苯基膦
C-2：三鄰甲苯基膦
C-3：三間甲苯基膦
C-4：三對甲苯基膦
C-5：三(2,4,6-三甲基苯基)膦
C-6：三-2,5-二甲苯基膦
C-7：二苯基(對乙烯基苯基)膦
C-8：三環己基膦
C-9：4,4-硫代雙(3-甲基-6-第三丁基苯酚)
C-10：硫代二丙酸二月桂酯
C-11：硫代二丙酸二硬脂酯
C-12：2-巰基苯并噻唑
[[X]過氧化物分解劑]
X-1：季戊四醇四[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯]
X-2：3,9-雙(十八烷氧基)-2,4,8,10-四氧雜-3,9-二磷雜螺[5.5]十一烷
X-3：癸二酸雙(2,2,6,6-四甲基-4-哌啶基)酯
X-4：季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)
[[D]自由基捕捉劑]
D-1：2,2'-硫代二伸乙基雙[3-(3,5-二-第三丁基-4-羥基苯基)丙酸酯](巴斯夫(BASF)公司的「豔佳諾(IRGANOX)(註冊商標)1035」)
[[E]聚合性化合物]
E-1：二季戊四醇六丙烯酸酯
E-2：二-三羥甲基丙烷四丙烯酸酯
[[F]感放射線性化合物]
F-1：二苯基(2,4,6-三甲基苯甲醯基)膦氧化物(巴斯夫(BASF)公司的「路西林(LUCIRIN)(註冊商標)TPO」)
F-2：雙(2,4,6-三甲基苯甲醯基)-苯基膦氧化物(巴斯夫(BASF)公司的「豔佳固(IRGACURE)(註冊商標)819」)
F-3：2-甲基-1-(4-甲硫基苯基)-2-嗎啉基丙烷-1-酮(巴斯夫(BASF)公司的「豔佳固(IRGACURE)(註冊商標)907」)
F-4：乙酮，1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9.H.-咔唑-3-基]-，1-(O-乙醯基肟)(巴斯夫(BASF)公司的「豔佳固(IRGACURE)(註冊商標)OXE02」
F-5：4,4'-[1-[4-[1-[4-羥基苯基]-1-甲基乙基]苯基]亞乙基]雙酚-1,2-萘醌二疊氮-5-磺酸酯
F-6：1,2-辛二酮-1-[4-(苯硫基)-2-(O-苯甲醯基肟)](巴斯夫(BASF)公司的「豔佳固(IRGACURE)(註冊商標)OXE01」)
[[G]溶劑]
G-1：丙二醇單甲醚乙酸酯
[實施例1]
於90質量份的所述合成的樹脂(A-1)的丙二醇單甲醚乙酸酯溶液(含有30質量份的作為[A]黏合劑樹脂的(A-1)、及60質量份的作為[G]溶劑的(G-1))中，添加10質量份的作為[B]QD的(B-1)、2質量份的作為[C]化合物的(C-1)、30質量份的作為[E]聚合性化合物的(E-1)、及5質量份的作為[F]感放射線性化合物的(F-1)，製備實施例1的樹脂組成物。
[實施例2~實施例18及1~比較例8]
除了如下述表1所記載般設定各調配成分的種類及調配量以外，與實施例1同樣地製備各樹脂組成物。再者，表1中的「-」表示不使用相應成分。
依照下述方法對所得的實施例1~實施例18及比較例1~比較例8的樹脂組成物進行評價。將評價結果示於表1中。
[圖案化性]
關於圖案化性，利用光學顯微鏡對藉由下述形成方法所得的含有QD的圖案膜進行觀察，將無顯影殘渣、圖案的直線部分形成為直線狀的情形判斷為A(良好)，將有顯影殘渣的情形及/或圖案的直線部分未形成為直線狀的情形判斷為B(不良)。
(實施例1的含有QD的圖案膜的形成方法)
藉由旋轉器將實施例1的樹脂組成物塗佈於無鹼玻璃基板上後，於90℃的加熱板上進行2分鐘預烘烤，藉此形成塗膜。繼而，經由具備既定圖案的光罩，使用高壓水銀燈以700J/m2的累計照射量照射包含365nm、405nm及436nm的各波長的放射線。繼而，利用0.04質量%的氫氧化鉀水溶液以25℃、90秒鐘的條件進行顯影，形成平均厚度5μm的含有QD的圖案膜。
(實施例2~實施例18及比較例1~比較例8的含有QD的圖案膜的形成方法)
關於實施例2的含有QD的圖案膜，於所述實施例1的含有QD的圖案膜的形成方法中，使用實施例2的樹脂組成物，且將累計照射量設為1,000J/m2，除此以外，利用相同的方法來形成含有QD的圖案膜。另外，關於實施例14、實施例17及實施例18以及比較例6~比較例7的含有QD的圖案膜，於所述實施例1的含有QD的圖案膜的形成方法中，分別使用實施例14、實施例17及
實施例18以及比較例6~比較例7的樹脂組成物，且將累計照射量設為800J/m2，除此以外，利用相同的方法來形成含有QD的圖案膜。另外，關於實施例13的含有QD的圖案膜，於所述實施例1的含有QD的圖案膜的形成方法中，使用實施例13的樹脂組成物，將累計照射量設為2,000J/m2，進而使用高壓水銀燈對顯影後的圖案以累計照射量10,000J/m2進行紫外線照射，除此以外，利用相同的方法來形成含有QD的圖案膜。進而，關於實施例3~實施例12、實施例15及實施例16、以及比較例1~比較例5及比較例8的含有QD的圖案膜，於所述實施例1的含有QD的圖案膜的形成方法中，使用實施例3~12、實施例15及實施例16、以及比較例1~比較例5及比較例8的樹脂組成物，且將累計照射量設為1,500J/m2，除此以外，利用相同的方法來形成含有QD的圖案膜。
[耐收縮性]
對於藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的含有QD的圖案膜，進一步使用高壓水銀燈進行累計照射量10,000J/m2的紫外線照射，利用觸針式膜厚測定機(美商科磊(KLA-Tencor)公司的「三維輪廓儀(Alpha-Step)IQ」)，對該紫外線照射前後的含有QD的圖案膜的平均厚度進行測定。繼而，藉由以下的式子來算出殘膜率，將該殘膜率為99%以上的情形判斷為A(耐收縮性良好)，將小於99%的情形判斷為B(耐收縮性不良)。
殘膜率(%)=(處理後的平均厚度/處理前的平均厚度)×100
[耐光性]
對於藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的含有QD的圖案膜，進一步使用紫外線照射裝置(牛尾(Ushio)公司的「UVX-02516S1JS01」)，以130mW的照度照射800,000J/m2的紫外線，利用觸針式膜厚測定機(美商科磊(KLA-Tencor)公司的「三維輪廓儀(Alpha-Step)IQ」)，對該紫外線照射前後的含有QD的圖案膜的平均厚度進行測定。繼而，藉由以下的式子來算出膜薄化量，將該膜薄化量為2%以下的情形判斷為A(耐光性良好)，將超過2%的情形判斷為B(耐光性不良)。
膜薄化量(%)={(處理前的平均厚度-處理後的平均厚度)/處理前的平均厚度}×100
[螢光量子產率]
關於螢光量子產率，對於藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的含有QD的圖案膜，使用絕對PL螢光量子產率測定裝置(濱松光子(Hamamatsu Photonics)公司的「C11347-01」)，於25℃下進行測定。激發光的波長是設為450nm。另外，另利用潔淨烘箱對藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的含有QD的圖案膜進行180℃、20分鐘的加熱處理(後烘烤)，藉此形成硬化膜，利用與所述相同的方法來測定螢光量子產率。將前者的螢光量子產率作為「未經處理」、後者的螢光量子產率作為「加熱處理後」而示於表1中。
[螢光量子產率的變化率]
螢光量子產率的變化率是將所述未經處理的螢光量子產率設為Φ1、將所述加熱處理後的螢光量子產率設為Φ2由以下的式子而算出。該螢光量子產率的變化率越小，可評價為加熱處理後(後烘烤後)的[B]QD的螢光量子產率的降低越得到抑制。
螢光量子產率的變化率(%)={(Φ1-Φ2)/Φ1}×100
[波長變換評價]
關於波長變換評價，對於藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的加熱處理後(後烘烤後)的含有QD的圖案膜，使用絕對PL螢光量子產率測定裝置(濱松光子(Hamamatsu Photonics)公司的「C11347-01」)，於25℃下進行測定。具體而言，藉由讀取與量子產率同時測定的螢光最大波長的數值而進行評價。激發光的波長是設為450nm。將該螢光最大波長(nm)作為波長變換評價(nm)。波長變換評價顯示，越接近630nm，則越可於加熱處理後亦變換為所需的波長，故較佳。
[螢光半值寬]
關於螢光半值寬，對於藉由與所述圖案化性評價的情形相同的方法所形成的加熱處理後(後烘烤後)的含有QD的圖案膜，使用絕對PL螢光量子產率測定裝置(濱松光子(Hamamatsu Photonics)公司的「C11347-01」)，於25℃下進行測定。具體而言，藉由讀取與量子產率同時測定的螢光半值寬的數值來進行評價。激發光的波長是設為450nm。螢光半值寬(nm)顯示，其值越小則越可於加熱處理後亦波長變換為色純度高的螢光，故較佳。
如由表1的結果所表明，使用含有[C]化合物的樹脂組成物的實施例1~實施例18均是圖案化性、耐收縮性及耐光性良好，且與比較例1~比較例8相比，螢光量子產率的變化率、波長變換評價及螢光半值寬更小。另外，實施例1~實施例18中，使用具有苯基膦結構的化合物或具有環烷基膦結構的化合物作為[C]化合物的實施例1~實施例8、實施例13及實施例15~實施例18與其他實施例相比，螢光量子產率的變化率及螢光半值寬更小。進而，實施例1~實施例18中，使用(C-2)~(C-5)作為[C]化合物的實施例2~實施例5、實施例16及實施例18的螢光量子產率的變化率及螢光半值寬特別小。
[實施例19~實施例22及比較例9]
除了如下述表2所記載般設定各調配成分的種類及調配量以外，與實施例1同樣地製備各樹脂組成物。再者，表2中的「-」表示不使用相應成分。
依照下述方法對所得的實施例19~實施例22及比較例9的樹脂組成物進行評價。將評價結果示於表2中。
(實施例19~實施例22及比較例9的含有QD的膜的形成方法)
藉由旋轉器將實施例19~實施例22及比較例9的樹脂組成物塗佈於無鹼玻璃基板上後，於90℃的加熱板上加熱2分鐘，藉此形成塗膜。繼而，於200℃的加熱板上對形成有所述塗膜的基板進行30分鐘加熱處理(烘烤)，藉此形成平均厚度5μm的含有
QD的膜。
使用含有QD的膜代替含有QD的圖案膜，除此以外的方面與實施例1~實施例18及比較例1~比較例8同樣地操作，對耐收縮性、耐光性、螢光量子產率及該螢光量子產率的變化率、波長變換評價以及螢光半值寬進行評價。
如由表2的結果所表明，實施例19~實施例22的耐收縮性良好，且與比較例9相比，螢光量子產率及其變化率、波長變換評價以及螢光半值寬的評價項目更良好。另外，將[C]化合物相對於[A]黏合劑樹脂100質量份的含量設為2質量份以上的實施例19、實施例21及實施例22中，耐光性亦良好。
[產業上的可利用性]
根據本發明，可提供一種可抑制加熱處理後的QD的螢光量子產率的降低的樹脂組成物、藉由該樹脂組成物所得的膜、使用該膜的波長變換構件、及使用該樹脂組成物的膜的形成方法。
11:波長變換基板
12:第1基材
13:波長變換層
13a:第1波長變換層
13b:第2波長變換層
13c:第3波長變換層
14:黑色矩陣
15:接著劑層
16:第2基材
17:光源
17a:第1光源
17b:第2光源
17c:第3光源
18:光源基板
100:發光顯示元件
Claims (15)
- 一種樹脂組成物，含有：黏合劑樹脂；半導體量子點；以及選自由具有苯基膦結構的化合物、具有環烷基膦結構的化合物、具有硫代雙酚結構的化合物、具有硫代二丙酸二烷基酯結構的化合物及具有苯并噻唑結構的化合物所組成的組群中的至少一種化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的樹脂組成物，更含有自由基捕捉劑。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，更含有聚合性化合物。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中所述黏合劑樹脂於側鏈中具有脂環式結構。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中所述黏合劑樹脂為鹼可溶性樹脂。
- 如申請專利範圍第5項所述的樹脂組成物，其中所述鹼可溶性樹脂於側鏈中具有羧基。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中所述半導體量子點含有選自由2族元素、11族元素、12族元素、13族元素、14族元素、15族元素及16族元素所組成的組群中的至少兩種元素。
- 如申請專利範圍第7項所述的樹脂組成物，其中所述半導體量子點含有In。
- 如申請專利範圍第8項所述的樹脂組成物，其中所述半導體量子點具有含有In作為核的構成元素的核殼型結構。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，其中所述半導體量子點含有Si。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的樹脂組成物，更含有感放射線性化合物。
- 一種膜，其是藉由如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的樹脂組成物所形成。
- 一種波長變換構件，具備藉由如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的樹脂組成物所形成的膜。
- 一種膜的形成方法，包括：於基板的一個面側形成塗膜的步驟、及對所述塗膜進行加熱的步驟，並且藉由如申請專利範圍第1項至第11項中任一項所述的樹脂組成物來形成所述塗膜。
- 一種膜的形成方法，包括：於基板的一個面側形成塗膜的步驟、對所述塗膜的至少一部分照射放射線的步驟、對放射線照射後的所述塗膜進行顯影的步驟、及對顯影後的所述塗膜進行加熱的步驟，並且 藉由如申請專利範圍第11項所述的樹脂組成物來形成所述塗膜。
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