CN106384740A - 无边框显示装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种无边框显示装置及其制备方法,包括:提供载体;在载体上形成分离层;在分离层上形成多个金属接触垫;依次在分离层上形成有机膜层及金属走线层,有机膜层中具有位于金属接触垫上方且与金属接触垫电性连接的第一插塞,金属走线层与第一插塞电性连接;在金属走线层上形成绝缘层,绝缘层中具有多个与金属走线层电性连接的第二插塞;在绝缘层上形成显示组件及位于显示组件上的封装层,显示组件与第二插塞电性连接;将分离层与有机膜层分离,暴露出金属接触垫,并将金属接触垫与驱动电路电性连接。本发明中的金属走线及驱动电路设置在显示组件的背面,从而减小显示装置框体的宽度,实现显示装置的无边框。

Description

无边框显示装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示面板技术领域,尤其涉及一种无边框显示装置及其制备方法。
背景技术
有机发光显示器件(OLED,Organic Light Emitting Display)是主动发光部件,与现在的主流平板显示技术薄膜晶体管液晶显示器(TFT–LCD,Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display)相比,OLED具有对比度高、视角广、功耗低、体积更薄等优点,有望成为继LCD之后的下一代平板显示技术。
然而,目前AMOLED上的扫描电路均设置在显示屏的正面并位于显示屏的正面的左右两侧,占据了显示屏边框的空间,影响后期显示屏结构的大屏高清设计。由于扫描电路的阵列结构设计导致显示屏的屏体边框较宽,而客户端对手机等显示屏窄边框的要求越来越高。因此,急需提出一种无边框的显示屏结构,以迎合显示屏的发展趋势。
发明内容
本发明的目的在于,提供一种无边框显示装置及其制备方法,解决现有技术中显示屏的屏体边框较宽的问题。
为解决上述技术问题,本发明提供一种无边框显示装置的制备方法,包括:
提供一载体;
在所述载体上形成分离层;
在所述分离层上形成多个金属接触垫;
依次在所述分离层上形成有机膜层及金属走线层,所述有机膜层中具有位于所述金属接触垫上方且与所述金属接触垫电性连接的第一插塞,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接;
在所述金属走线层上形成绝缘层,所述绝缘层中具有多个与所述金属走线层电性连接的第二插塞;
在所述绝缘层上形成显示组件及位于所述显示组件上的封装层,所述显示组件与所述第二插塞电性连接;
将所述分离层与所述有机膜层分离,暴露出所述金属接触垫,并将金属接触垫与驱动电路电性连接。
可选的,将所述分离层与所述有机膜层分离的具体步骤包括:
采用激光剥离工艺将所述载体剥离,剥离所述载体的同时去除部分所述分离层;
将所述载体从所述分离层上剥离之后,采用化学或物理的工艺方法完全去除所述分离层。
可选的,所述分离层的材质为聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃纸中的任一种。
可选的,形成所述第一插塞的具体步骤包括:
在所述分离层上形成有机膜层;
刻蚀所述有机膜层,形成多个暴露部分所述金属接触垫的第一沟槽;
在所述有机膜层上形成所述金属走线层,并在所述第一沟槽中填充金属形成所述第一插塞,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接。
可选的,形成所述第一插塞的具体步骤包括:
在部分所述金属接触垫上沉积金属形成多个所述第一插塞;
在所述分离层上形成所述有机膜层,且所述有机膜层暴露出所述第一插塞;
在所述有机膜层上形成所述金属走线层,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接。
可选的,形成所述第二插塞的具体步骤包括:
在所述金属走线层上形成绝缘层;
刻蚀所述绝缘层,形成多个第二沟槽,多个所述第二沟槽暴露部分所述金属走线层;
在所述第二沟槽中填充金属形成所述第二插塞。
可选的,形成所述第二插塞的具体步骤包括:
在所述金属走线层上形成多个所述第二插塞;
在所述金属走线层上形成所述绝缘层,所述绝缘层暴露出所述第二插塞。
可选的,所述显示组件包括位于所述绝缘层上的TFT层,及位于所述TFT层上的OLED层,所述TFT层与所述第二插塞电性连接。
可选的,所述封装层的材质为至少一层无机氧化物膜层,或者至少一层有机物膜层,或者一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。
相应的,本发明还提供一种无边框显示装置,包括:
金属接触垫;
位于所述金属接触垫上的多个第一插塞;
覆盖所述金属接触垫的有机膜层,所述有机膜层暴露出所述第一插塞;
位于所述有机膜层上的金属走线层,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接;
位于所述金属走线层上的绝缘层,所述绝缘层中具有多个第二插塞;
位于所述绝缘层上的显示组件及位于所述显示组件上的封装层,所述显示组件与所述第二插塞电性连接;
与所述金属接触垫电性连接的驱动电路。
与现有技术相比,本发明的无边框显示装置及其制备方法至少具有以下有益效果:
本发明中将金属走线设置在显示组件的背面,驱动电路通过金属接触垫及第一插塞与金属走线层电性连接,从而驱动电路将驱动信号输出到金属走线层,金属走线层通过第二插塞将驱动信号输出到显示组件,显示组件接收该驱动信号完成其显示功能。本发明中的金属走线及驱动电路设置在显示组件的背面,从而减小显示装置框体的宽度,实现显示装置的无边框。
附图说明
图1为本发明一实施例中无边框显示装置的制备流程图;
图2为本发明一实施例中形成金属接触垫的剖面结构示意图;
图3为本发明一实施例中形成第一沟槽的剖面结构示意图;
图4为本发明一实施例中形成金属走线层及第一插塞的剖面结构示意图;
图5为本发明一实施例中形成绝缘层的剖面结构示意图;
图6为本发明一实施例中形成第二沟槽的剖面结构示意图;
图7为本发明一实施例中形成第二插塞的剖面结构示意图;
图8为本发明一实施例中形成显示组件及封装层的剖面结构示意图;
图9为本发明一实施例中将载体剥离的剖面结构示意图;
图10为本发明一实施例中完全去除分离层的剖面结构示意图;
图11为本发明一实施例中形成驱动电路的剖面结构示意图。
具体实施方式
下面将结合示意图对本发明的无边框显示装置及其制备方法进行更详细的描述,其中表示了本发明的优选实施例,应该理解本领域技术人员可以修改在此描述的本发明,而仍然实现本发明的有利效果。因此,下列描述应当被理解为对于本领域技术人员的广泛知道,而并不作为对本发明的限制。
在下列段落中参照附图以举例方式更具体地描述本发明。根据下面说明和权利要求书,本发明的优点和特征将更清楚。需说明的是,附图均采用非常简化的形式且均使用非精准的比例,仅用以方便、明晰地辅助说明本发明实施例的目的。
本发明的核心思想在于,将金属走线设置在显示组件的背面,驱动电路通过金属接触垫及第一插塞与金属走线层电性连接,将驱动信号输出到金属走线层,金属走线层通过第二插塞将驱动信号输出到显示组件,完成显示组件的显示功能。本发明中的金属走线以及驱动电路设置在显示组件的背面,从而实现显示装置的无边框,减小显示装置框体的宽度。
下文结合附图1至图11对本发明的无边框显示装置及其制备方法进行具体的描述。图1中给出了本发明的无边框显示装置制备方法的流程图,图2~图11中给出了各步骤对应的剖面结构示意图。本发明的无边框显示装置的制备方法具体包括如下步骤:
首先,执行步骤S1,参考图2所示,提供一载体10,本实施例中,所述载体10为透明的玻璃。
执行步骤S2,继续参考图2所示,在所述载体10上形成分离层20。本实施例中,采用旋转涂布或者狭缝涂布的方法在载体10上形成一湿膜层,并采用300℃~500℃的高温烘烤所述湿膜层,以在载体10上形成所述分离层20。所述分离层20的材质可以选择聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、玻璃纸(PT)等耐高温材料,分离层20在后续剥离过程中去除,优选的,所述分离层20较薄,例如,厚度为1μm~10μm,例如,3μm、5μm、6μm、8μm,便于在后续工艺中去除。
执行步骤S3,继续参考图2所示,在所述分离层20上形成多个金属接触垫30,所述金属接触垫30覆盖部分所述分离层20。本实施例中,采用物理气相沉积等工艺形成所述金属接触垫30,所述金属接触垫30为铜金属、铝金属、银金属、ITO等金属,所述金属接触垫的厚度为1μm~5μm。
其次,执行步骤S4,依次在所述分离层20上形成有机膜层及金属走线层,所述有机膜层中具有位于所述金属接触垫上方且与所述金属接触垫电性连接的第一插塞,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接。本实施例中,形成所述有机膜层、所述金属走线层以及所述第一插塞的具体步骤包括:
参考图2所示,在所述分离层20上形成有机膜层40,本实施例中,可以采用旋转涂布或者狭缝涂布的方法在分离层20上形成一湿膜层,并采用300℃~500℃的高温烘烤所述有机膜层40,以在分离层20上形成所述有机膜层40。所述有机膜层40的材质可以选择聚酰亚胺(Polyimide,PI)、聚乙烯(polyethylene,PE)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、玻璃纸(PT)等耐高温材料,所述有机膜层40的厚度为10μm~20μm。
接着,参考图3所示,刻蚀所述有机膜层40,形成暴露部分所述金属接触垫30的第一沟槽51。具体来说,先在所述有机膜层40上形成图案化的光阻(图中未示出),采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述有机膜层40,仅暴露出部分金属接触垫30,从而使得形成的第一插塞的所占的空间更小。
参考图4所示,在所述有机膜层40上形成所述金属走线层60,同时在所述第一沟槽51填充金属形成所述第一插塞31,从而第一插塞31与金属走线层50电性连接。
然而,可以理解的是,在本发明的另一实施例中,形成所述第一插塞的具体步骤还可以包括:首先,在部分所述金属接触垫30上沉积金属形成所述第一插塞31;接着,在所述分离层20上形成所述有机膜层40,且所述有机膜层40暴露出所述第一插塞31;之后,在所述有机膜层40上形成所述金属走线层60,所述金属走线层60与所述第一插塞31电性连接。需要说明的是,由于在金属接触垫30和第一插塞31上采用涂布工艺形成有机膜层40,有机膜层40的厚度不易控制,易使得有机膜层完全覆盖第一插塞31,因此,本实施例中,优选采用刻蚀有机膜层形成第一沟槽,再填充第一沟槽的方式形成第一插塞。
再次,执行步骤S5,在所述金属走线层60上形成绝缘层,所述绝缘层中具有与所述金属走线层电性连接的第二插塞。本实施例中,形成所述绝缘层以及所述第二插塞的具体步骤包括:
参考图5所示,在所述金属走线层60上形成绝缘层70,本实施例中,所述绝缘层70为无机材料或有机材料层,所述绝缘层70用于将金属走线层与显示组件之间进行隔离。
参考图6所示,在绝缘层70上形成图案化的光阻(图中未示出),再采用等离子体刻蚀工艺刻蚀所述绝缘层70,形成多个第二沟槽52,所述第二沟槽52暴露部分所述金属走线层60。其中,所述第二沟槽52可以位于第一插塞31的上方,也可以位于金属走线层上的其他位置,本发明对此不予限制。
参考图7所示,在所述第二沟槽52中填充金属形成所述第二插塞32,从而第二插塞32与金属走线层60电性连接,并与下方的第一插塞31及金属接触垫30电性连接,用于将金属走线层60中的驱动信号输出给显示组件。
然而,在本发明的另一实施例中,形成所述绝缘层以及所述第二插塞的具体步骤还可以包括:首先,在所述第一插塞31上方的所述金属走线层上形成所述第二插塞32;在所述金属走线层上形成所述绝缘层,所述绝缘层70暴露出所述第二插塞32。
之后,执行步骤S6,参考图8所示,在所述绝缘层70上形成显示组件80及位于所述显示组件80上的封装层90,所述显示组件80与所述第二插塞32电性连接。其中,所述显示组件80包括位于所述绝缘层70上的TFT层81,及位于所述TFT层81上的OLED层82,所述TFT层81与所述第二插塞32电性连接。具体的,制备TFT层81以及OLED层82的工艺可以参照传统技术,例如TFT层81可以采用低温多晶硅(LTPS)的背板制作工艺,OLED层82中形成电极、空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层等,用于实现显示屏的显示功能。所述封装层90用于保护显示组件80,其材质为至少一层无机氧化物膜层,或者至少一层有机物膜层,或者一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。
接着,执行步骤S7,将所述分离层20与所述有机膜层40分离,暴露出所述金属接触垫30,本实施例中,将所述分离层20与所述有机膜层40分离的具体步骤包括:
参考图9所示,采用激光剥离工艺将所述载体10剥离,本实施例中,将激光从载体10背离分离层2013的一面射入,并从载体10的一端向另一端扫描,使得分离层20烧结,从而使得载体10从分离层20上脱离下来,在此过程中,剥离所述载体10的同时还去除至少部分所述分离层10,根据工艺条件,可以仅去除部分分离层10,也可以完全去除分离层10将金属接触垫30暴露出来。
之后,参考图10所示,将所述载体10从所述分离层20上剥离之后,仅去除部分分离层10时,再采用化学或物理等工艺方法完全去除所述分离层20,从而暴露出金属接触垫30。例如,可以采用激光剥离或机械剥离等工艺完全去除分离层20。
最后,通过键合工艺将金属接触垫30与一驱动电路100电性连接,驱动电路为显示装置提供驱动信号。本发明中,驱动电路100通过金属接触垫30及第一插塞31与金属走线层60电性连接,从而驱动电路100将驱动信号通过金属接触垫30和第一插塞31输出到金属走线层60,金属走线层60再通过第二插塞32将驱动信号输出到显示组件80,驱动TFT层81,TFT层81将使得OLED层发光,从而完成显示组件的显示功能。并且,本发明中的金属走线层60以及驱动电路100设置在显示组件80的背面,从而能够减小显示装置框体的宽度,实现显示装置的无边框。
相应的,参考图11所示,本发明还提供一种无边框显示装置,包括:
金属接触垫30;
位于所述金属接触垫30上的第一插塞31;
覆盖所述金属接触垫30的有机膜层40,所述有机膜层40暴露出所述第一插塞31;
位于所述有机膜层40上的金属走线层60,所述金属走线层60与所述第一插塞31电性连接;
位于所述金属走线层60上的绝缘层70,所述绝缘层70中具有位于所述第一插塞31上方、且与所述第一插塞31电性连接的第二插塞32;
位于所述绝缘层70上的显示组件80及位于所述显示组件80上的封装层90,所述显示组件80与所述第二插塞32电性连接;
与所述金属接触垫30电性连接的驱动电路100。
综上所述,本发明提供的无边框显示装置及其制备方法中,将金属走线设置在显示组件的背面,驱动电路通过金属接触垫及第一插塞与金属走线层电性连接,将驱动信号输出到金属走线层,金属走线层通过第二插塞将驱动信号输出到显示组件,完成显示组件的显示功能。本发明中的金属走线以及驱动电路设置在显示组件的背面,从而实现显示装置的无边框,减小显示装置框体的宽度。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种无边框显示装置的制备方法,其特征在于,包括:
提供一载体;
在所述载体上形成分离层;
在所述分离层上形成多个金属接触垫;
依次在所述分离层上形成有机膜层及金属走线层,所述有机膜层中具有位于所述金属接触垫上方且与所述金属接触垫电性连接的第一插塞,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接;
在所述金属走线层上形成绝缘层,所述绝缘层中具有多个与所述金属走线层电性连接的第二插塞;
在所述绝缘层上形成显示组件及位于所述显示组件上的封装层,所述显示组件与所述第二插塞电性连接;
将所述分离层与所述有机膜层分离,暴露出所述金属接触垫,并将金属接触垫与驱动电路电性连接。
2.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,将所述分离层与所述有机膜层分离的具体步骤包括:
采用激光剥离工艺将所述载体剥离,剥离所述载体的同时去除部分所述分离层;
将所述载体从所述分离层上剥离之后,采用化学或物理的工艺方法完全去除所述分离层。
3.如权利要求2所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,所述分离层的材质为聚酰亚胺、聚乙烯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚对苯二甲酸乙二醇酯或玻璃纸中的任一种。
4.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,形成所述第一插塞的具体步骤包括:
在所述分离层上形成有机膜层;
刻蚀所述有机膜层,形成多个暴露部分所述金属接触垫的第一沟槽;
在所述有机膜层上形成所述金属走线层,并在所述第一沟槽中填充金属形成所述第一插塞,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接。
5.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,形成所述第一插塞的具体步骤包括:
在部分所述金属接触垫上沉积金属形成多个所述第一插塞;
在所述分离层上形成所述有机膜层,且所述有机膜层暴露出所述第一插塞;
在所述有机膜层上形成所述金属走线层,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接。
6.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,形成所述第二插塞的具体步骤包括:
在所述金属走线层上形成绝缘层;
刻蚀所述绝缘层,形成多个第二沟槽,多个所述第二沟槽暴露部分所述金属走线层;
在所述第二沟槽中填充金属形成所述第二插塞。
7.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,形成所述第二插塞的具体步骤包括:
在所述金属走线层上形成多个所述第二插塞;
在所述金属走线层上形成所述绝缘层,所述绝缘层暴露出所述第二插塞。
8.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,所述显示组件包括位于所述绝缘层上的TFT层,及位于所述TFT层上的OLED层,所述TFT层与所述第二插塞电性连接。
9.如权利要求1所述的无边框显示装置的制备方法,其特征在于,所述封装层的材质为至少一层无机氧化物膜层,或者至少一层有机物膜层,或者一层无机氧化物膜层与一层有机物膜层间隔堆叠设置。
10.一种无边框显示装置,其特征在于,包括:
金属接触垫;
位于所述金属接触垫上的多个第一插塞;
覆盖所述金属接触垫的有机膜层,所述有机膜层暴露出所述第一插塞;
位于所述有机膜层上的金属走线层,所述金属走线层与所述第一插塞电性连接;
位于所述金属走线层上的绝缘层,所述绝缘层中具有多个第二插塞;
位于所述绝缘层上的显示组件及位于所述显示组件上的封装层,所述显示组件与所述第二插塞电性连接;
与所述金属接触垫电性连接的驱动电路。
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