CN106206376A - 集成电路制造用多平台工作台 - Google Patents

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CN106206376A CN201610562852.9A CN201610562852A CN106206376A CN 106206376 A CN106206376 A CN 106206376A CN 201610562852 A CN201610562852 A CN 201610562852A CN 106206376 A CN106206376 A CN 106206376A
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吕耀安
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    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations

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Abstract

本发明公开了一种集成电路制造用多平台工作台，包括主旋转轴；所述主旋转轴之上固定有主旋转圆盘；所述主旋转圆盘之上固定有多个副旋转轴；多个副旋转轴等间隔均匀固定；所述副旋转轴之上固定有副旋转圆盘；所述副旋转圆盘的上端设置有晶圆固定位；所述工作台上方设置有集成电路制造处理装置；所述主旋转轴由主电机控制；每个副旋转轴由副电机控制；主电机和副电机分别通过变频器连接至控制芯片。本发明所述的装备，一次放置多片晶圆，使之进入待处理过程，且当一片晶圆处理好之后进行移动时，可将其移出工作位，立即处理第二片晶圆，在处理第二片晶圆的同时，将处理好的晶圆换为待处理的晶圆。省去了等待过程，大大加快了工作效率。

Description

集成电路制造用多平台工作台
技术领域
本发明涉及集成电路制造领域，具体涉及一种集成电路制造用多平台工作台。
背景技术
在集成电路制造过程中，需要使用相关设备，对放置于工作台之上的晶圆(wafer)进行处理，例如，对其进行光刻、离子注入等流程。在现有技术中，大多是工作台上只能放置一片晶圆，待处理完成之后，使用夹持装置将其移走，并移入未处理的晶圆。此种过程移动过程浪费时间较多，且移动时处理过程只能暂停，整体工作效率低下。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明公开了一种集成电路制造用多平台工作台。
本发明的技术方案如下：
一种集成电路制造用多平台工作台，包括主旋转轴；所述主旋转轴之上固定有主旋转圆盘；所述主旋转圆盘之上固定有多个副旋转轴；多个副旋转轴等间隔均匀固定；所述副旋转轴之上固定有副旋转圆盘；所述副旋转圆盘的上端设置有晶圆固定位；所述工作台上方设置有集成电路制造处理装置；所述主旋转轴由主电机控制；每个副旋转轴由副电机控制；主电机和副电机分别通过变频器连接至控制芯片。
其进一步的技术方案为，所述集成电路制造处理装置为离子注入设备、机械研磨设备、光刻设备或者硅片清洗设备。
其进一步的技术方案为，所述工作台放置于真空装置内，所述集成电路制造处理装置为气相沉积设备。
本发明的有益技术效果是：
本发明所述的装备，一次放置多片晶圆，使之进入待处理过程，且当一片晶圆处理好之后进行移动时，可将其移出工作位，立即处理第二片晶圆，在处理第二片晶圆的同时，将处理好的晶圆换为待处理的晶圆。省去了等待过程，大大加快了工作效率。
附图说明
图1是本发明的示意图。
具体实施方式
图1是本发明的示意图，如图1所示本发明包括主旋转轴6。主旋转轴6之上固定有主旋转圆盘1。主旋转圆盘1之上固定有多个副旋转轴2。多个副旋转轴2等间隔均匀固定。副旋转轴2之上固定有副旋转圆盘3。副旋转圆盘3的上端设置有晶圆固定位4。工作台上方设置有集成电路制造处理装置5。主旋转轴6由主电机控制。每个副旋转轴2由副电机控制。主电机和副电机分别通过变频器连接至控制芯片。
其中，集成电路制造处理装置5为离子注入设备、机械研磨设备、光刻设备或者硅片清洗设备。如果将工作台作为一个整体，放置于真空装置内，集成电路制造处理装置5还可以为气相沉积设备。
本发明的操作过程为：
步骤1、使用夹持装置，在每个副旋转圆盘3之上放置待处理晶圆。
步骤2、控制芯片通过变频器，控制主电机，主电机旋转，将第一待处理晶圆旋转至工作位；控制芯片通过变频器，控制副电机，副电机带动副旋转轴2旋转，将晶圆调整至最佳位置；集成电路制造处理装置5对工作位上的晶圆进行处理；
步骤3、处理结束之后，控制芯片通过变频器，控制主电机，主电机旋转，带动主旋转轴6旋转，将第一待处理晶圆移出工作位，第二待处理晶圆移入工作位。
步骤4、控制芯片通过变频器，控制副电机，副电机带动副旋转轴2旋转，将晶圆调整至最佳位置；集成电路制造处理装置5对工作位上的晶圆进行处理；同时，夹持装置将第一待处理晶圆移出工作台，并补入新的待处理晶圆。
以上所述的仅是本发明的优选实施方式，本发明不限于以上实施例。可以理解，本领域技术人员在不脱离本发明的精神和构思的前提下直接导出或联想到的其他改进和变化，均应认为包含在本发明的保护范围之内。

Claims (3)

1.一种集成电路制造用多平台工作台，其特征在于，包括主旋转轴(6)；所述主旋转轴(6)之上固定有主旋转圆盘(1)；所述主旋转圆盘(1)之上固定有多个副旋转轴(2)；多个副旋转轴(2)等间隔均匀固定；所述副旋转轴(2)之上固定有副旋转圆盘(3)；所述副旋转圆盘(3)的上端设置有晶圆固定位(4)；所述工作台上方设置有集成电路制造处理装置(5)；所述主旋转轴(6)由主电机控制；每个副旋转轴(2)由副电机控制；主电机和副电机分别通过变频器连接至控制芯片。
2.如权利要求1所述的集成电路制造用多平台工作台，其特征在于，所述集成电路制造处理装置(5)为离子注入设备、机械研磨设备、光刻设备或者硅片清洗设备。
3.如权利要求1所述的集成电路制造用多平台工作台，其特征在于，所述工作台放置于真空装置内，所述集成电路制造处理装置(5)为气相沉积设备。
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PB01 Publication
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SE01 Entry into force of request for substantive examination
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Application publication date: 20161207

WW01 Invention patent application withdrawn after publication