CN106187322B - 一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法 - Google Patents

一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，包括以下步骤：1）上表面涂银；2）上表面干燥；3）下表面涂银；4）下表面干燥；5）覆板；6）摆放；7）烧银；8）降温；9）冷却；本发明主要目的是为了加强芯片陶瓷体在涂银后银浆中的玻璃体充分渗入芯片陶瓷体中，增强芯片银层与陶瓷体的附着力，从而加强后续成品组装过程中芯片焊接后的吸附力。

Description

一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法
技术领域
本发明涉及一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法。
背景技术
现有的芯片陶瓷体表面涂银和烧银方法中，因陶瓷体小，在涂银和烧银过程中需要将芯片陶瓷体一个个摆放在模具上，芯片陶瓷体是要进行双面印刷涂银的，现有的技术中在涂银操作中基本采用人工手动的方式将芯片陶瓷体进行两面涂银操作涂银完成后再手动将一个个芯片陶瓷体码放在老匣钵中，采用老匣钵烧银方式进行烧银，该种烧银方式，芯片乱堆放，受热不充分、不均匀，芯片附着力大小不一，且匣钵无镂空只能烧一层，效率低，能耗高、成本高。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明旨在提供一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，主要目的是为了加强芯片陶瓷体在涂银后银浆中的玻璃体充分渗入芯片陶瓷体中，增强芯片银层与陶瓷体的附着力，从而加强后续成品组装过程中芯片焊接后的吸附力。
为了实现上述目的，本发明所采用的技术方案如下：
一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，包括以下步骤：
1）上表面涂银：在涂银台上安放模具，模具内整齐设有若干列卡槽，将芯片陶瓷体通过安放器快速且对应放置在每个卡槽内，放好后，通过丝网印刷的方法对每个芯片陶瓷体的上表面进行涂银操作；
2）上表面干燥：经步骤（1）芯片上表面涂银后，通过烘干窑初步将涂银表面烘干，烘干温度300℃；
3）下表面涂银：经步骤（2）干燥后，在模具的上表面覆盖另一块同规格的模具，紧密覆盖后，将另一块模具反过来倒置，取出上一个模具，芯片陶瓷体上未涂银的下表面就被翻到上面来，通过丝网印刷的方法对芯片陶瓷体的下表面进行涂银操作；
4）下表面干燥：同样采用步骤（2）中的方式对芯片下表面进行干燥；
5）覆板：干燥完成后在芯片陶瓷体上面直接覆盖一层白纸板，并在白纸板上覆盖一层薄海绵层；
6）摆放：将步骤（5）中的白纸板和薄海绵层一起反过来倒置，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐摆放在白纸板上，如此重复操作，并将多个薄海绵层和带有芯片陶瓷体的白纸板整齐叠起，薄海绵层就设置在上下两块白纸板之间，将白纸板移动至烧银丝网上，从烧银丝网侧边的槽体中通过惯性快速将白纸板抽出，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐有序的摆放在烧银丝网上；
7）烧银：将摆放整齐的已涂银完成的芯片陶瓷体放置在窑炉中进行烧银操作；
8）降温：在烧银炉内进行降温处理，降温温度450-500℃；
9）冷却：将降温完成的芯片陶瓷体在冷却设备中进行冷却。
优选的，所述安放器包括两个并列的进料槽、支架以及码放槽，两个所述进料槽倾斜设置在所述码放槽的一端部，在所述码放槽内并列设置摆放轨道，两个所述摆放轨道紧挨设置，并在两个所述摆放轨道的外侧边设置下滑槽，在所述下滑槽内横向设置若干下滑轨道，每个所述下滑轨道底端设置下料筒，一个下料筒对应一个模具上的卡槽，所述下滑槽内还设置旋转式的挡板。
优选的，每个所述下滑轨道倾斜设置在所述下滑槽内，并且所述下滑槽与所述下料筒之间平滑接触。
优选的，并在所述码放槽的进料端设有压辊，并在摆放轨道与下滑轨道连接的那一边设置可上下翻动的限位板。
优选的，在所述步骤（6）摆放中，烧银丝网的其中一侧边设有抽拉孔和定位板。
优选的，所述步骤（7）烧银中，烧银分为三个阶段，第一阶段，将窑炉中的温度逐渐升高到350℃，升温速度为35℃/min，烧制10min；第二阶段，将升温速度加快，温度迅速升至500℃，升温速度为75℃/min，烧制2min，第三阶段，将温度逐渐升高至750-800℃，升温速度为50℃/min，温度升高至750-800℃保温10min。
优选的，所述步骤（9）冷却中，冷却温度以350-400℃/h的速度进行降温。
优选的，所述步骤（6）的烧银丝网的网格为正六边形形状，每个正六边形的内切圆与所述芯片陶瓷体上的涂银层相吻合。
本发明的有益效果是：与现有技术相比，本发明的优点在于：
首先，采用安放器放置芯片陶瓷体既快捷、又整齐，提高了丝网印刷的质量和效率；
其次，本发明方法是为了加强芯片陶瓷体在涂银后银浆中的玻璃体充分渗入芯片陶瓷体中，增强芯片银层与陶瓷体的附着力，从而加强后续成品组装过程中芯片焊接后的吸附力；
再次，本发明方法能够使得芯片陶瓷体在烧银过程中相互不重叠，芯片的正面和背面都能接收到窑炉中的热量，使得银浆中的玻璃体和芯片陶瓷体充分相渗透，增强了芯片银层的附着力，丝网的高度较低，可码放多层，且中间有均匀的镂空，烧银效率高，降低成本。
附图说明
图1为本发明模具示意图。
图2为本发明安放器主视示意图。
图3为本发明安放器未设置挡板时的俯视示意图。
图4为本发明安放器设置挡板时的俯视示意图。
图5为本发明烧银丝网示意图。
图6为本发明烧银丝网侧面示意图。
图7为本发明弹性钢板示意图。
其中：1-支架，2-进料槽，3-压辊，4-摆放轨道，5-下滑槽，6-码放槽，7-限位板，8-挡板，9-下料筒，10-下滑轨道，11-弹性钢板，12-抽拉孔，13-模具，14-卡槽，15-烧银丝网。
具体实施方式
为了使本领域的普通技术人员能更好的理解本发明的技术方案，下面结合附图和实施例对本发明的技术方案做进一步的描述。
实施例：一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，包括以下步骤：
1）上表面涂银：在涂银台上安放模具13，模具13内整齐设有若干列卡槽14，将芯片陶瓷体通过安放器快速且对应放置在每个卡槽14内，卡槽14为圆形，芯片陶瓷体也为圆形，放好后，通过丝网印刷的方法对每个芯片陶瓷体的上表面进行涂银操作，在涂银过程中将芯片陶瓷体放置在模具13的卡槽14内进行涂银其涂银的均匀性较好，且在丝网印刷时能够更好的在芯片陶瓷体的正中心涂层银层，不偏不倚；
参照附图1-7所示，所述安放器采用不锈钢材质制成，表面光滑度高，不易腐蚀，所述安放器包括两个并列的进料槽2、支架1以及码放槽6，两个所述进料槽2倾斜设置在所述码放槽6的一端部，在所述码放槽6内并列设置摆放轨道4，两个所述摆放轨道4紧挨设置，并在两个所述摆放轨道4的外侧边设置下滑槽5，在所述下滑槽5内设置若干下滑轨道10，每个所述下滑轨道10底端设置下料筒9，一个下料筒9对应一个模具13上的卡槽14，所述下滑槽5内还设置旋转式的挡板8，每个所述下滑轨道10倾斜设置在所述下滑槽5内，并且所述下滑槽5与所述下料筒9之间平滑接触，并在所述码放槽6的进料端设有压辊3，并在摆放轨道4与下滑轨道10连接的那一边设置可上下翻动的限位板7；首先，进料时，将限位板7和挡板8同时向下压，限位板7挡住下滑轨道10，挡板8覆盖每个下料筒9，芯片陶瓷体直接通过两个进料槽2批量进料，再通过压辊3，可以保证芯片一个个按照次序进料，每次只进料一个芯片陶瓷体，在压辊3的作用下能够保证芯片有序下料不重叠，接着芯片一个个下料到摆放轨道4内，因进料槽2为倾斜的，故芯片在向下的过程中会有一个冲击力，自动向前移动，一个个排列在摆放轨道4内，可辅助通过毛刷将芯片陶瓷体进一步进行整齐摆放，在摆放轨道4内摆放整齐后，向上翻起限位板7和挡板8，并通过推板手动将两列芯片陶瓷体向两侧推下，此时，每个下滑轨道10内对应一个芯片陶瓷体，又因为下料筒9与下滑轨道10光滑连接，芯片陶瓷体可顺利进入下料筒9，一个下料筒9对应一个模具13上的卡槽14，这样芯片陶瓷体就会快速且有序的下料至每个卡槽14内，码放位置准确，不要手动一个个再去放置到对应的卡槽14内，因手动放置的好会有一个倾斜面的存在，在下放过程中其表面或者侧面与与手部接触，影响芯片陶瓷体表面的光洁度，而且通过两列两列的进行码放效率明显提高；
2）上表面干燥：经步骤（1）芯片上表面涂银后，通过烘干窑初步将涂银表面烘干，烘干温度300℃，涂银完成后，不能立即进行下表面的涂银操作，需要等上表面的银层晾干，固化不粘接后再进行下表面的涂银操作，采种风机能够保证银层表面晾干的均匀度，而且加快晾干速度；
3）下表面涂银：经步骤（2）干燥后，在模具13的上表面覆盖另一块同规格的模具，两个模具结构相同，均是同规格的方形底板，将另一块模具13反过来倒置，取出上层的模具13，芯片陶瓷体上未涂银的下表面就被翻到上面来，位于另一块模具的卡槽14内，通过丝网印刷的方法对芯片陶瓷体的下表面进行涂银操作，这样就不用将一个个芯片陶瓷体从上一个模具13的卡槽14内取出，再反过来机械的放进去进行下表面的涂银操作了；通过两块模具的位置转换方法能够迅速的对芯片陶瓷体下表面进行涂银操作，；
4）下表面干燥：同样采用步骤（2）中的方式对芯片下表面进行干燥；
5）覆板：干燥完成后在芯片陶瓷体上面直接覆盖一层白纸板，并在白纸板上覆盖一层薄海绵层，所述白纸板具有一定的强度，能够支撑起整个芯片陶瓷体层，不会产生折弯现象，白纸板的厚度为2-3mm；薄海绵层的面积较白纸板13的略大，薄海绵层的厚度为2-3mm，紧密覆盖在白纸板上；
6）摆放：将步骤（5）中的白纸板和薄海绵层一起反过来倒置，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐摆放在白纸板上，如此重复操作，并将多个薄海绵层和带有芯片陶瓷体的白纸板整齐叠起，薄海绵层就设置在上下两块白纸板之间，薄海绵层具有减振作用，防止芯片与芯片之间的撞击损坏芯片的表面，每张放有芯片陶瓷体的白纸板底面加一块薄海绵层，将其与下一块白纸板隔开，当放置的层数与窑炉的层数要求一致时，将一个个白纸板移动至烧银丝网15上，从烧银丝网15侧边的槽体中通过惯性快速将白纸板抽出，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐有序的摆放在烧银丝网15上；具体在操作是，在烧银丝网15的其中一侧边设有抽拉孔12和定位板，限位板7和定位板是起到辅助作用的，在抽拉过程中，通过中间开孔的弹性钢板11，使白纸板的一端穿进弹性钢板11中，并且白纸板穿过抽拉孔12，在通过将其上下压紧，向外迅速拉出，白纸板放置的时候可以将端部一侧面移出部分至抽拉孔12内，此时其限位板7就对芯片陶瓷体起到阻挡作用，防止在惯性的作用下带出部分芯片陶瓷体，保证每个芯片都能整齐的码放在烧银丝网15上；
烧银丝网15的网格为正六边形形状，每个正六边形的内切圆与所述芯片陶瓷体上的涂银层相吻合，这样在烧银过程中，芯片陶瓷体下表面的涂银层就会刚好和正六边形的内切圆吻合，这样就能防止在烧银过程中由于温度的升高，在涂银层与烧银丝网15接触时造成表面损坏的现象发生，烧银的质量更好，成品的外观更好；
7）烧银：将摆放整齐的已涂银完成的芯片陶瓷体放置在窑炉中进行烧银操作；烧银分为三个阶段，第一阶段，将窑炉中的温度逐渐升高到350℃，升温速度为35℃/min，烧制10min，该过程升温不能过快，过快会产生银层气泡或者开裂，而且该阶段的温度可以使银浆均匀的釜盖在陶瓷表面，这一阶段因由大量的气体产生，故应该逐渐升温；第二阶段，将升温速度加快，温度迅速升至500℃，升温速度为75℃/min，烧制2min，此阶段升温可较快，使其烧制温度迅速升高；第三阶段，将温度逐渐升高至750-800℃，升温速度为50℃/min，温度升高至750-800℃保温10min；
8）降温：在烧银炉内进行降温处理，降温温度450-500℃，，降温在烧银炉内的降温区进行降温操作，降温的目的是为了防止直接烧制的高温造成芯片陶瓷体变黑的现象发生，烧制后再进行降温可以很好的解决这个问题，保证烧制后陶瓷体边为白色；
9）冷却：将降温完成的芯片陶瓷体在冷却设备中进行冷却，冷却温度以350-400℃/h的速度进行降温，冷却阶段的冷却速度要快，增加烧银层的成型效果。
以上显示和描述了本发明的基本原理、主要特征和本发明的优点。本行业的技术人员应该了解，本发明不受上述实施例的限制，上述实施例和说明书中描述的只是说明本发明的原理，在不脱离本发明精神和范围的前提下，本发明还会有各种变化和改进，这些变化和改进都落入要求保护的本发明范围内。本发明要求保护范围由所附的权利要求书及其等效物界定。

Claims (7)

1.一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）上表面涂银：在涂银台上安放模具，模具内整齐设有若干列卡槽，将芯片陶瓷体通过安放器快速且对应放置在每个卡槽内，放好后，通过丝网印刷的方法对每个芯片陶瓷体的上表面进行涂银操作；所述安放器包括两个并列的进料槽、支架以及码放槽，两个所述进料槽倾斜设置在所述码放槽的一端部，在所述码放槽内并列设置摆放轨道，两个所述摆放轨道紧挨设置，并在两个所述摆放轨道的外侧边设置下滑槽，在所述下滑槽内横向设置若干下滑轨道，每个所述下滑轨道底端设置下料筒，一个下料筒对应一个模具上的卡槽，所述下滑槽内还设置旋转式的挡板；
2）上表面干燥：经步骤（1）芯片上表面涂银后，通过烘干窑初步将涂银表面烘干，烘干温度300℃；
3）下表面涂银：经步骤（2）干燥后，在模具的上表面覆盖另一块同规格的模具，紧密覆盖后，将另一块模具反过来倒置，取出上一个模具，芯片陶瓷体上未涂银的下表面就被翻到上面来，通过丝网印刷的方法对芯片陶瓷体的下表面进行涂银操作；
4）下表面干燥：同样采用步骤（2）中的方式对芯片下表面进行干燥；
5）覆板：干燥完成后在芯片陶瓷体上面直接覆盖一层白纸板，并在白纸板上覆盖一层薄海绵层；
6）摆放：将步骤（5）中的白纸板和薄海绵层一起反过来倒置，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐摆放在白纸板上，如此重复操作，并将多个薄海绵层和带有芯片陶瓷体的白纸板整齐叠起，薄海绵层就设置在上下两块白纸板之间，将白纸板移动至烧银丝网上，从烧银丝网侧边的槽体中通过惯性操作快速将白纸板抽出，涂银完成的芯片陶瓷体就整齐有序的摆放在烧银丝网上；
7）烧银：将摆放整齐的已涂银完成的芯片陶瓷体放置在窑炉中进行烧银操作；
8）降温：在烧银炉内进行降温处理，降温温度450-500℃；
9）冷却：将降温完成的芯片陶瓷体在冷却设备中进行冷却。
2.根据权利要求1所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：每个所述下滑轨道倾斜设置在所述下滑槽内，并且所述下滑槽与所述下料筒之间平滑接触。
3.根据权利要求2所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：并在所述码放槽的进料端设有压辊，并在摆放轨道与下滑轨道连接的那一边设置可上下翻动的限位板。
4.根据权利要求1所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：在所述步骤（6）摆放中，烧银丝网的其中一侧边设有抽拉孔和定位板。
5.根据权利要求1所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：所述步骤（7）烧银中，烧银分为三个阶段，第一阶段，将窑炉中的温度逐渐升高到350℃，升温速度为35℃/min，烧制10min；第二阶段，将升温速度加快，温度迅速升至500℃，升温速度为75℃/min，烧制2min，第三阶段，将温度逐渐升高至750-800℃，升温速度为50℃/min，温度升高至750-800℃保温10min。
6.根据权利要求1所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：所述步骤（9）冷却中，冷却温度以350-400℃/h的速度进行降温。
7.根据权利要求1-6任一项所述的一种芯片陶瓷体双面涂银烧银方法，其特征在于：所述步骤（6）的烧银丝网的网格为正六边形形状，每个正六边形的内切圆与所述芯片陶瓷体上的涂银层相吻合。
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