CN106128956A - 低成本绝缘栅场效应管(igbt)的制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：在FZ衬底上生长N‑外延层;在N‑外延层上生长氧化层;通过ring mask湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。本发明通过ring注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AA mask和ring注入的对位标记，节省了zero mask及相关的工艺费用。
Description
技术领域
本发明属于绝缘栅场效应管制造技术领域，具体涉及一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。
背景技术
高压IGBT的制备材料通常选用低掺杂浓度的区熔衬底Si材料(FZ单晶衬底)，常规的方法是先在衬底上用零层版(Zero mask)刻出对位标记，接着的工艺是生长比较薄的氧化层（pad oxide），然后进行终端(ring)注入，这个注入的杂质一般选用Boron；ring注入是会用到光刻版的，这个ring注入的mask是对准前面的零层版；接下来，把pad oxide 刻蚀掉，热生长1-2um左右的场氧（Field oxide），紧接着用有源区光刻版(AA mask)来刻出有源区，同时保留终端的场氧，此时，AA mask是对准的前述zero mask;
可见，现有技术多一道zero mask工艺，成本增加，工艺流程增加，整个产品生产周期长。
发明内容
有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法。
为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：
本发明实施例提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：
步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;
步骤二：在N-外延层上生长氧化层;
步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;
步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;
步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。
上述方案中，所述步骤二中，所述氧化层的厚度为3000-5000A。
上述方案中，所述步骤三中，所述保留的氧化层厚度为2500A。
上述方案中，所述步骤四中，所述热氧化层的厚度为1.5um。
与现有技术相比，本发明的有益效果：
本发明通过ring 注入刻蚀氧化层形成的氧化层高度差，做为AA mask 和ring注入的对位标记，节省了zero mask及相关的工艺费用。
附图说明
图1为本发明步骤二的结构示意图；
图2为本发明步骤三的结构示意图；
图3为本发明步骤四的结构示意图；
图4为本发明制得的IGBT的结构示意图。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
本发明实施例提供一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，该方法通过以下步骤实现：
步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;
步骤二：在N-外延层上生长氧化层，如图1所示;
步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记，如图2所示;
步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记，如图3所示;
步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构，如图4所示。
所述步骤二中，所述氧化层的厚度为3000-5000A。
所述步骤三中，所述保留的氧化层厚度为2500A。
所述步骤四中，所述热氧化层的厚度为1.5um。
以上所述，仅为本发明的较佳实施例而已，并非用于限定本发明的保护范围。
Claims (4)
1.一种低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于，该方法通过以下步骤实现：
步骤一：在FZ衬底上生长N-外延层;
步骤二：在N-外延层上生长氧化层;
步骤三：通过ring mask 湿法或干法刻蚀掉部分氧化层，在ring注区域保留氧化层，这时，生长的氧化层与保留的氧化层上产生了高度差自然形成第一对位标记;
步骤四：热生长热氧化层，在热氧化层上自然形成第二对位标记;
步骤五：通过AA mask光刻有源区，所述AA mask对准所述第二对位标记，接下来就是完全常规的工艺，形成IGBT器件的最终结构。
2.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤二中，所述氧化层的厚度为3000-5000A。
3.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤三中，所述保留的氧化层厚度为2500A。
4.根据权利要求1所述的低成本绝缘栅场效应管(IGBT)的制备方法，其特征在于：所述步骤四中，所述热氧化层的厚度为1.5um。
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| CN1209650A (zh) * | 1997-08-25 | 1999-03-03 | 三菱电机株式会社 | 半导体装置及其制造方法 |
| US6232200B1 (en) * | 1998-10-22 | 2001-05-15 | United Microelectronics Corp. | Method of reconstructing alignment mark during STI process |
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