CN106105405B - 安装板、其制造方法、以及安装元件的方法 - Google Patents
安装板、其制造方法、以及安装元件的方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN106105405B CN106105405B CN201580015095.7A CN201580015095A CN106105405B CN 106105405 B CN106105405 B CN 106105405B CN 201580015095 A CN201580015095 A CN 201580015095A CN 106105405 B CN106105405 B CN 106105405B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- above ground
- ground portion
- hole
- substrate
- attachment part
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000009434 installation Methods 0.000 title claims description 226
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 106
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 62
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 172
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 243
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 78
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 claims description 76
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 28
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 23
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 20
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 19
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 19
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims description 17
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 14
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 107
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 21
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 9
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 8
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 8
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 7
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004568 cement Substances 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 5
- 229920001971 elastomer Polymers 0.000 description 5
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 5
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 5
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 5
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 5
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 4
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 4
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008602 contraction Effects 0.000 description 4
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 4
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N Na2O Inorganic materials [O-2].[Na+].[Na+] KKCBUQHMOMHUOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910018487 Ni—Cr Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 3
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 3
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 3
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 2
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 2
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 2-methoxy-6-methylphenol Chemical compound [CH]OC1=CC=CC([CH])=C1O KXGFMDJXCMQABM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 1
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002472 Starch Polymers 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000005422 blasting Methods 0.000 description 1
- 239000005388 borosilicate glass Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 235000013399 edible fruits Nutrition 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052839 forsterite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- -1 glycol ester Chemical class 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000005355 lead glass Substances 0.000 description 1
- HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N magnesium orthosilicate Chemical compound [Mg+2].[Mg+2].[O-][Si]([O-])([O-])[O-] HCWCAKKEBCNQJP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 235000019698 starch Nutrition 0.000 description 1
- 239000008107 starch Substances 0.000 description 1
- KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N terephthalaldehyde Chemical compound O=CC1=CC=C(C=O)C=C1 KUCOHFSKRZZVRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/486—Via connections through the substrate with or without pins
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0306—Inorganic insulating substrates, e.g. ceramic, glass
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/111—Pads for surface mounting, e.g. lay-out
- H05K1/112—Pads for surface mounting, e.g. lay-out directly combined with via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K1/115—Via connections; Lands around holes or via connections
- H05K1/116—Lands, clearance holes or other lay-out details concerning the surrounding of a via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0094—Filling or covering plated through-holes or blind plated vias, e.g. for masking or for mechanical reinforcement
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/341—Surface mounted components
- H05K3/3431—Leadless components
- H05K3/3436—Leadless components having an array of bottom contacts, e.g. pad grid array or ball grid array components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
- H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
- H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
- H05K3/3447—Lead-in-hole components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/42—Plated through-holes or plated via connections
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16227—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bond pad of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16238—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a bonding area protruding from the surface of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/151—Die mounting substrate
- H01L2924/153—Connection portion
- H01L2924/1531—Connection portion the connection portion being formed only on the surface of the substrate opposite to the die mounting surface
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19041—Component type being a capacitor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19042—Component type being an inductor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/1901—Structure
- H01L2924/1904—Component type
- H01L2924/19043—Component type being a resistor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/191—Disposition
- H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
- H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09145—Edge details
- H05K2201/09154—Bevelled, chamferred or tapered edge
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09209—Shape and layout details of conductors
- H05K2201/095—Conductive through-holes or vias
- H05K2201/0959—Plated through-holes or plated blind vias filled with insulating material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/09—Shape and layout
- H05K2201/09818—Shape or layout details not covered by a single group of H05K2201/09009 - H05K2201/09809
- H05K2201/09863—Concave hole or via
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10007—Types of components
- H05K2201/10106—Light emitting diode [LED]
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/10—Details of components or other objects attached to or integrated in a printed circuit board
- H05K2201/10431—Details of mounted components
- H05K2201/10439—Position of a single component
- H05K2201/10484—Obliquely mounted
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1377—Protective layers
- H05K2203/1383—Temporary protective insulating layer
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
- H05K2203/1377—Protective layers
- H05K2203/1394—Covering open PTHs, e.g. by dry film resist or by metal disc
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
- Printing Elements For Providing Electric Connections Between Printed Circuits (AREA)
- Structures For Mounting Electric Components On Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
在本发明中,一种安装板具有:形成在板(10)内的通孔(13);第一地面部分(21);第二地面部分(31);第一元件附接部分(22);第二元件附接部分(32);导电层(14);以及填充通孔(13)的一部分的填充部件(15)。基于位于在所述第一地面部分(21)侧的填充部件(15)的顶面之上的通孔(13)的一部分的体积(Vh)、元件(51)的长度(L1)、以及需要安装在第一元件附接部分(22)上的元件(51)相对于所述板(10)的第一表面(11)的倾斜度的最大容差,计算从所述第一地面部分(21)的中心到需要安装在第一元件附接部分(22)上的元件(51)的最短距离容差(L0)。
Description
技术领域
本公开涉及一种安装基板、安装基板的制造方法以及安装元件的方法。
背景技术
例如,在用于由玻璃纤维基础材料环氧树脂构成的印刷线路板(下面称为“玻璃环氧树脂覆铜层压板”)的双面覆铜层压板中,形成在两侧的布线通常与通孔连接。具体地,例如,基于钻孔处理在玻璃环氧树脂覆铜层压板中形成通孔之后,使用化学电镀方法和电镀方法,在通孔的内壁上形成铜层,可以获得通孔。
关于安装具有高密度的微小元件的请求,玻璃环氧树脂覆铜层压板的尺寸稳定性较差。虽然用于印刷线路板的双面覆铜层压板具有优异的尺寸稳定性,但它比较昂贵。因此,例如,考虑使用具有等于或小于0.5mm厚度的玻璃基板的安装基板。然而,在玻璃基板内形成通孔之后,基于具有良好粘附性的化学电镀方法,难以在通孔的内壁上形成铜层。不使用化学电镀方法和电镀方法,例如,在日本专利申请公开号2002-324958中,公开了使用导电胶填充通孔的方法。
在元件安装在安装基板上时,在安装元件的元件连接部分上形成焊料层之后,通常,使用安装元件的方法来熔化焊料层并且通过焊料层将元件安装到元件附接部分中,随后,涂覆助熔剂。通常,使用印刷方法等,将助熔剂部分涂覆到期望位置。然而,通过这种方式形成的图案的位置精确度具有大约几十μm的大容差。在连接间距变小至几十μm时,难以应用该方法。因此,作为一种解决方案,使用将助熔剂涂覆到整个表面的方法,例如,如在日本专利申请公开号2010-123780中所公开的。
引用列表
专利文档
专利文档1:日本专利申请公开号2002-324958
专利文档2:日本专利申请公开号2010-123780
发明内容
本发明要解决的问题
然而,当使用导电胶填充通孔时,在固化导电胶时,导电胶的体积收缩,并且在填充到通孔内的导电胶的顶面内生成凹槽。结果,在整个表面上涂覆助熔剂并且通过焊料层在此处安装微小元件时,容易发生以下问题:助熔剂流入到导电胶的顶面内的凹槽内并且微小元件在安装之前被倾斜。此外,为了提高在使用导电胶填充的通孔与地面部分之间的电气连接的可靠性,优选地在地面部分上形成导电胶。然而,这存在以下问题:主要突出在地面部分上的导电胶干扰元件的安装。在基于抛光方法试图去除主要突出在地面部分上的导电胶时,通常会损坏玻璃基板。
因此,本公开的第一目的在于提供一种安装基板,该安装基板具有在安装元件时在元件内几乎不产生倾斜的配置和结构,本公开还提供了安装基板的制造方法以及安装元件的方法。此外,本公开的第二目的在于提供一种具有不妨碍安装元件的配置和结构的安装基板及其制造方法。
问题的解决方案
用于实现第一目的的根据本公开的第一或第二方面的安装基板包括:通孔,其形成在基板内;第一地面部分(first land part),其形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;第二地面部分,其形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;第一元件附接部分,其形成在所述基板的第一表面上并且连接至所述第一地面部分(或者从第一地面部分延伸的布线);第二元件附接部分,其形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分(或者从第二地面部分延伸的布线);导电层,其被形成在所述通孔的内壁上并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通;以及填充部件,其填充到通孔的一部分。进一步,根据本公开的第一方面的安装基板包括以下(要求-1)。此外,在根据本公开的第二方面的安装基板中,在所述基板的第一表面的一侧上涂覆具有平均厚度d的助熔剂,并且确定最短距离容许值是L0,以便满足以下(要求-2)中的公式(2)。
(要求-1)
基于位于在所述第一地面部分侧上的填充部件的顶面之上的通孔的一部分(在所述第一地面部分侧上的填充部件的顶面内的一部分凹槽)的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角(具体地,例如,基于倾角的最大容许值),确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值。另外,在某些情况下,可以基于助熔剂的厚度(具体地,例如,平均厚度),确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值。
(要求-2)
在假设位于在所述第一地面部分侧上的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,
π·d·L0 2>Vh (2)
用于实现第二目的的根据本公开的第三方面的安装基板包括:通孔,其形成在基板内;第一地面部分,其形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;第二地面部分,其形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;第一元件附接部分,其形成在所述基板的第一表面上并且连接至所述第一地面部分;第二元件附接部分,其形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分;以及填充部件,其由导电材料构成,被填充到通孔内,并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通。在位于所述第二地面部分之下的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
用于实现第一目的的根据本公开的第一或第二方面的安装基板制造方法包括:在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及形成连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分的步骤;在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及形成连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分的步骤;在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层的步骤;以及随后使用填充部件填充到通孔的一部分的步骤。进一步,根据本公开的第一方面的安装基板包括上述(要求-1)。此外,根据本公开的第二方面的安装基板包括在使用填充部件填充通孔的一部分之后,在所述基板的第一表面的一侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂的步骤。最短距离容许值是L0被确定为满足在(要求-2)中的公式(2)。
用于实现第二目的的根据本公开的第三方面的安装基板制造方法,包括:在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及形成连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分的步骤;在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及形成连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分的步骤;以及通过使用由导电材料构成的填充部件填充所述通孔,使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的步骤。在所述第二地面部分的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
用于实现第一目的的根据本公开的第一或第二方面的安装元件的方法包括:在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及形成连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分的步骤;在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分的步骤;在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层的步骤;随后在使用填充部件填充通孔的一部分之后,在安装所述元件的第一元件附接部分的一部分上,形成焊料层或焊料扩散防止层的步骤;随后在所述基板的第一表面的一侧涂覆助熔剂的步骤;以及通过所述焊料层或焊料扩散防止层,将所述元件安装到安装所述元件的第一元件附接部分的一部分的步骤。进一步,根据本公开的第一方面的安装基板包括上述(要求-1)。此外,在根据本公开的第二方面的安装基板中,涂覆具有平均厚度d的助熔剂,并且最短距离容许值是L0被确定为满足在(要求-2)中的公式(2)。
本发明的效果
根据本公开的第一方面的安装基板、其制造方法以及安装元件的方法包括(要求-1)。在根据本公开的第二方面的安装基板、其制造方法以及安装元件的方法中,最短距离容许值是L0被确定为满足在(要求-2)中的公式(2)。因此,在使用填充部件填充通孔的一部分时,填充部件的体积收缩,并且在填充到通孔内的填充部件的顶面内生成凹槽。甚至在这种情况下,在整个表面上涂覆助熔剂并且通过焊料层或者焊料扩散防止层安装微小元件时,确定地可以防止以下问题:助熔剂流入在填充部件的顶面内的凹槽内并且微小元件在安装之前倾斜。在根据本公开的第三方面的安装基板及其制造方法中,由于朝向通孔倾斜的倾斜表面形成在位于第二地面部分之下的基板的一部分内,所以可以提高在填充部件与第二地面部分之间的电气连接的可靠性。由于不需要主要在地面部分上突出填充部件,所以不需要通过抛光来去除填充部件。不发生损坏基板的问题。注意,在本文中描述的效果仅仅是示例性的,并且不限于这些效果。此外,可以具有额外效果。
附图说明
图1A和1B是在安装元件之后根据第一实施方式的安装基板的示意性部分剖视图以及在使用填充部件填充通孔的一部分之后根据第一实施方式的安装基板的示意性部分平面图;
图2A和2B是在通孔等形成在基板内之后根据第一实施方式的安装基板的示意性部分剖视图以及在使用填充部件填充通孔之前根据第一实施方式的安装基板的示意性部分剖视图;
图3A和3B是在使用填充部件填充通孔之后根据第一实施方式的安装基板的示意性部分剖视图;
图4A和4B是在使用填充部件填充通孔之后根据第一实施方式的安装基板的示意性部分端视图以及在基板的第一表面涂有助熔剂的状态下根据第一实施方式的安装基板的示意性部分端视图;
图5A和5B是在第一元件附接部分上连接第一元件的状态下根据第一实施方式的安装基板的示意性部分端视图以及在图1A和1B示出的根据第一实施方式的安装基板的修改的示意性部分端视图;
图6A和6B是涂覆在基板的第一表面上的助熔剂流入位于在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)内的状态的传统安装基板的示意性部分端视图;
图7A和7B是涂覆在接地上的助熔剂流入位于在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)内的状态的示意图;
图8是用于描述涂覆在基板的第一表面上的助熔剂流入位于在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)内的状态的示意图;
图9是图8的继续并且是用于描述涂覆在基板的第一表面上的助熔剂流入位于在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)内的状态的示意图;
图10是在安装元件之后根据第二实施方式的安装基板的示意性部分剖视图;
图11A和11B是在通孔等形成在基板内之后根据第二实施方式的安装基板的示意性部分剖视图以及在使用填充部件填充通孔之前根据第二实施方式的安装基板的示意性部分剖视图;
图12A和12B是在使用填充部件填充通孔之后根据第二实施方式的安装基板的示意性部分端视图;
图13A和13B是在使用填充部件填充通孔之后根据第二实施方式的安装基板的示意性部分端视图以及在基板的第一表面涂有助熔剂的状态下根据第二实施方式的安装基板的示意性部分端视图;
图14是在第一元件附接部分上连接第一元件的状态下根据第二实施方式的安装基板的示意性部分端视图;
图15A和15B是在基板的第一表面涂有助熔剂的状态下在安装元件之后根据第一实施方式的另一个修改的安装基板的示意性部分端视图以及在安装元件的状态下根据另一个修改的安装基板的示意性部分端视图;
图16是在使用填充部件填充通孔的一部分之后根据第一实施方式的安装基板的另一个修改的示意性部分平面图;
图17是在通过相对于安装基板的45°的倾角以及发光部件的倾角查看安装基板时对在发光部件的亮度与光提取效率之间的关系的调查结果的示图。
具体实施方式
下面参考附图,基于实施方式,描述本公开。然而,本公开不限于这些实施方式,并且在实施方式中的各种值和材料是示例性的。注意,按照以下顺序,进行描述。
1、对根据本公开的第一到第三方面的安装基板及其制造方法以及根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法的一般描述
2、第一实施方式(根据本公开的第一和第二方面的安装基板及其制造方法以及根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法)
3、第二实施方式(根据本公开的第三方面的安装基板及其制造方法)
对根据本公开的第一到第三方面的安装基板及其制造方法以及根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法的一般描述
在以下描述中,根据本公开的第一方面的安装基板以及根据本公开的第一方面的安装基板的制造方法及安装元件的方法可以统称为“本公开的第一方面”。此外,据本公开的第二方面的安装基板以及根据本公开的第二方面的安装基板的制造方法及安装元件的方法可以统称为“本公开的第二方面”。此外,根据本公开的第三方面的安装基板及其制造方法可以统称为“本公开的第三方面”。0.01mm到1mm的长度可以示例为安装到第一元件附接部分中的元件的长度L1的值,并且0.001μm到0.1μm的长度可以示例为助熔剂的平均厚度d的值。此外,0.01mm到1mm的长度可以示例为通孔的半径r0的值。位于在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面内的凹槽的部分)的体积Vh的值取决于通孔的半径r0的值、填充部件的材料、填充该填充部件的方法等。
在本公开的第一方面,在假设在(要求-1)中位于在所述第一地面部分侧上的填充部件的顶面之上的通孔的部分(在第一地面部分的侧边上的填充部件的顶面内的凹槽的部分)的体积是Vh、安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θ(具体地,倾角的最大容许值是θmax)、并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值L0可以被确定为满足以下公式(1)。在这种情况下,30°可以示例为θmax的值。
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh(1)
在包括优选实施方式的本公开的第一方面以及本公开的第二方面,所述第一地面部分、第二地面部分、第一元件附接部分、第二元件附接部分、以及导电层可以由金属或合金形成的第一部件构成,并且所述填充部件可以由与第一部件不同的第二部件构成。在这种情况下,在假设所述基板的热膨胀系数是CTE0,所述第一部件的热膨胀系数是CTE1,并且所述第二部件的热膨胀系数是CTE2时,可以使用这方面:满足CTE2-CTE0<CTE1-CTE0或CTE0<CTE1<CTE2。此外,在这种情况下,所述第一部件可以由选自包括铝、铝合金、镍、镍合金、铬、铬合金、铜以及铜合金的组中的至少一种材料构成,并且所述第二部件由导电胶(具体地,低温烧制胶浆或厚膜印刷胶浆,并且更具体地,Ag胶浆、Cu胶浆以及Ag-Pd胶浆)构成。在某些情况下,第二部件可以由具有导电性的树脂或者没有导电性的树脂构成。此外,填充部件的电阻优选地小于导电层的电阻。此外,填充部件的半径优选地大于导电层的厚度。导电层可以包括配置第一地面部分的第一部件的延伸部分以及配置第二地面部分的第一部件的延伸部分。此外,作为在本公开的第三方面的由导电材料制成的填充部件,导电胶可以被示例(具体地,低温烧制浆胶或厚膜印刷浆胶,并且更具体地,Ag浆胶、Cu浆胶以及Ag-Pd浆胶)。此外,作为没有导电性的树脂,可以示例为环氧树脂、酚醛树脂、酚醛清漆树脂、聚酰亚胺树脂、丙烯酸树脂以及液晶聚合物。
CTE0、CTE1以及CTE2的典型值如下。
CTE0:3×10-6/K to 1.5×10-5/K
CTE1:3×10-6/K to 5×10-5/K
CTE2:1×10-5/K to 2×10-4/K
此外,在根据包括上述优选实施方式的本公开的第一到第三方面的安装基板的制造方法或者根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法中,优选地基于包括真空沉积方法和溅射方法的物理气相沉积(PVD方法)和蚀刻技术的组合,形成所述第一元件附接部分、第一地面部分、第二元件附接部分、第二地面部分、以及导电层(然而,在本公开的第三方面,不需要形成导电层),并且基于印刷方法(例如,丝网印刷方法)以及使用点胶机的方法,使用填充部件填充所述通孔。使用PVD方法,可以实现第一部件相对于玻璃基板的优异粘附性。具体地,蚀刻技术包括形成用于蚀刻的掩膜的技术以及湿法蚀刻技术或干法蚀刻技术的组合。例如,作为形成用于蚀刻的掩膜的技术,可以示例为基于使用阻剂油墨的印刷技术(例如,丝网印刷技术)形成用于蚀刻的阻挡层、基于使用感光树脂的光刻技术形成用于蚀刻的阻挡层、并且使用干膜形成用于蚀刻的阻挡层。
此外,在根据包括优选实施方式的本公开的第一和第二方面的安装基板的制造方法或者根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法中,在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,可以使用填充部件填充所述通孔。
此外,在根据包括优选实施方式的本公开的第一和第二方面的安装基板的制造方法或者根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法中,在形成所述通孔时,朝向通孔倾斜的倾斜表面可以形成在形成所述第二地面部分的基板的一部分内。此外,在根据包括优选实施方式的本公开的第一和第二方面的安装基板的制造方法或者根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法中,朝向通孔倾斜的倾斜表面可以形成在在第二地面部分之下的基板的一部分内。在这些情况下,所述地面部分的平面部分的厚度优选地等于所述地面部分的倾斜部分的厚度。
在本公开的第三方面,第二地面部分的厚度优选地等于第二元件附接部分的厚度。此处,所述地面部分的平面部分的厚度“等于”所述地面部分的倾斜部分的厚度。这表示当假设地面部分的平面部分的厚度是t1并且地面部分的倾斜部分的厚度是t2时,满足0.8≤t1/t2≤1.2。
此外,在包括优选实施方式的本公开的第三方面,基板的第一表面可以包括(要求-1),并且此外,最短距离容许值L0可以被确定为满足在(要求-1)中的公式(1)。
此外,在根据包括优选实施方式的本公开的第三方面的安装基板的制造方法中,在形成通孔之后,通过蚀刻基板,朝向通孔倾斜的倾斜表面可以形成在形成所述第二地面部分的基板的一部分内。例如,优选地使用氢氟酸来蚀刻基板。注意,通过控制蚀刻溶液流并且选择抗蚀剂掩模图案,可以获得期望的倾斜结构。此外,同样,通过干法蚀刻方法和使用抗蚀剂掩模的喷砂方法,可以形成倾斜结构。
此外,在根据包括优选实施方式的本公开的第三方面的安装基板的制造方法中,在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,可以使用填充部件填充所述通孔。
在包括优选实施方式的本公开的第一到第三方面,发光部件和传感器可以示例为待安装到(或安装到)第一元件附接部分的元件(为了方便起见,称为“第一元件”)。此外,可以示例为包括发光部件、传感器和用于驱动发光部件和传感器的电路的电子装置的组件。发光二极管(LED)可以示例为发光部件。通过在二维矩阵中在基板上设置多个发光部件,可以形成图像显示设备。图像显示设备可以是所谓的贴砖格式(设置多个安装基板,发光部件设置在这些安装基板上)的图像显示设备。可替换地,通过在基板上设置多个传感器,可以形成传感器阵列。作为待安装到(或安装到)第二元件附接部分的元件(为了方便起见,称为“第二元件”),可以示例为,例如,包括用于驱动和控制第一元件的电路的电子装置。单个第二元件可以驱动和控制单个第一元件并且可以驱动和控制多个第一元件。注意,第二元件可以由选自半导体装置、晶体管、二极管、电阻部件以及电容部件(电容部件)的组中或其组合中的至少一种元件构成。第一元件可以是发光部件和传感器的组合件以及作为第二元件描述的各种元件(由选自非常小的半导体装置、晶体管、二极管、电阻部件以及电容元件(容量capacity元件)的组中或其组合中的至少一种元件构成,为了方便起见,称为“第三元件”)。此外,第一元件可以由所谓的无源部件构成,并且包括第一元件的基板可以用作,例如,一种切换单元(切换器)和分支装置。在某些情况下,第二元件可以形成在多个绝缘层之间,这些绝缘层形成在基板的第一表面上。
在第一元件由发光二极管构成时,发光二极管可以是具有已知配置和结构的发光二极管。即,根据发光二极管的发光颜色,优选地选择具有最佳配置和结构并且由最佳材料构成的发光二极管。在具有作为发光部分的发光二极管的图像显示设备中,由红色发光二极管构成的发光部分用作红色发光子像素,并且由绿色发光二极管构成的发光部分用作绿色发光子像素。由蓝色发光二极管构成的发光部分用作蓝色发光子像素。这三种子像素形成单个像素,并且可以基于这三种子像素的发光状态,显示颜色图像。在这三种子像素形成单个像素时,Δ阵列、条带阵列、对角阵列以及矩形阵列可以示例为这三种子像素的阵列。例如,优选地基于PWM驱动方法,通过恒流驱动发光二极管。此外,准备三个面板,并且第一面板由红色发光二极管构成的发光部分构成。第二面板由绿色发光二极管构成的发光部分构成,并且第三面板由蓝色发光二极管构成的发光部分构成。发光二极管可以应用于,例如,投影仪中,用于使用二向色棱镜从这三个面板中收集光。
在第一元件由传感器构成时,用于检测可见光的传感器、用于检测红外线的传感器、用于检测紫外线的传感器、用于检测X射线的传感器、用于检测大气压力的传感器、用于检测温度的传感器、用于检测声音的传感器、用于检测振动的传感器、用于检测加速度的传感器以及用于检测角加速度的传感器(所谓的陀螺仪传感器)可以示例为传感器。
在包括优选实施方式的本公开的第一到第三方面,基板可以由玻璃基板形成。在此处,作为玻璃基板,具体地,可以示例为高张力点玻璃、钠玻璃(Na2O·CaO·SiO2)、硼硅玻璃(Na2O·B2O3·SiO2)、镁橄榄石(2MgO·SiO2)、铅玻璃(Na2O·PbO·SiO2)、无碱玻璃以及合成石英玻璃。基板的厚度可以示例为0.05mm到1.8mm。
在本公开的第三方面,在某些情况下,朝向通孔倾斜的倾斜表面可以形成在第一地面部分之下的基板的一部分内。在这种情况下,第一地面部分的平面部分的厚度优选地等于第一地面部分的倾斜部分的厚度。
在包括优选实施方式的本公开(下面可以共同简称为“本公开”)的第一到第三方面,通孔的形状是一种具有半径r0的圆柱形(圆筒)。此外,例如,圆形、椭圆形、矩形、圆角矩形、多边形以及圆角多边形可以示例为第一和第二地面部分的外部形状。通孔位于地面部分的中心。在本公开的第三方面,用于形成第一和第二地面部分的部件(对应于在本公开的第一方面的第一部件)可以延伸到通孔的内壁。然而,不需要使第一地面部分与第二地面部分导通。
第一和第二元件附接部分是安装元件的部分。优选地,根据待安装的元件的连接终端部分和连接部分(下面称为“连接终端部分等”)的形状,适当地确定(设计)第一和第二元件附接部分的平面形状。此外,第一元件附接部分的数量等于待安装的第一元件的连接终端部分的数量,并且第二元件附接部分的数量等于待安装的第二元件的连接终端部分的数量。第一和第二元件附接部分通常连接至***电路和/或电源。***电路和电源可以是已知的***电路和电源,并且优选地,基于待安装的元件,选择适当的***电路和电源。
优选地,在安装第一元件的第一元件附接部分的一部分以及安装第二元件的第二元件附接部分的一部分上,形成焊料层。作为焊料层的平面形状,例如,可以示例为具有从焊料层的中心部分朝外延伸的突出部分的形状。在这种情况下,可以示例为一种形状,其中,突出部分设置为与中心部分旋转对称至少三次,并且突出部分的前端设置在围绕中心部分的圆周上,并且中心部分具有圆形。注意,在这种情况下,由已知的阻焊剂材料和有机绝缘材料(例如,聚酰亚胺)构成的绝缘薄膜以及由非有机绝缘材料(例如,二氧化硅和氮化硅)构成的绝缘薄膜(可以统称为“涂层”)可以包围焊料层。此外,焊料层形成在待安装的元件上,称为凸点下金属层的焊料扩散防止层形成在元件连接部分上,然后,焊料层可以连接至焊料扩散防止层。例如,在接地金属是铜时,镍层、金层、锡层、钯层、或者这些层的层状结构(例如,镍和金的双层结构以及镍-金-钯的三层结构)可以用作凸点下金属层。
在本公开的第三方面,50°到80°的角度可以示例为朝向通孔倾斜的倾斜表面的倾角,并且0.005mm到0.33mm的长度可以示例为倾斜表面的长度。然而,倾斜表面的倾角和长度不限于以上值。
例如,可以基于使用钻头的钻孔方法以及使用激光束的钻孔方法,形成通孔。在由钻孔处理在通孔的内壁上造成粗糙度时,例如,通过蚀刻可以使通孔的内壁光滑。
可以使用已知的助熔剂,并且可以使用已知的涂覆方法涂覆助熔剂。可以使用已知的方法(例如,镀焊料solder plating方法和焊胶印刷solder paste printing方法)利用已知的焊料(例如,无铅焊料)形成焊料层,并且通过焊料层安装元件的方法可以是已知的安装方法。即,具体地,例如,可以使用焊料回流方法安装元件。在粘合之后容易剥落的胶带可以用作保护膜。在电镀和化学蚀刻处理时,可以使用用于部分保护基础材料的防护性胶带(masking tape)。为了提高可拆卸性,例如,可以使用用于暂时保持半导体晶片的紫外线剥离胶带。可以使用已知的方法,例如,使用层压机的方法,粘合保护膜。注意,与以上描述类似,焊料层形成在待安装的元件上,并且称为凸点下金属层的焊料扩散防止层形成在元件连接部分上,然后,焊料层可以连接至焊料扩散防止层。
基板可以是双面布线板,其中,各种电路形成在第一和第二表面上,并且可以是所谓的多层布线板。在多层布线板用作基板时,优选地在布线层之间提供层间绝缘层。例如,优选地使用涂层涂覆基板的最外层表面。
更具体地,例如,在(要求-1)中“位于在第一地面部分的一侧上的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积”表示由在第一地面部分的一侧上的填充部件的顶面的第一地面部分以及通孔的内壁(导电层)包围的空间的体积或者在第一地面部分的一侧上的填充部件的顶面内的部分凹槽的体积。在为第一元件提供单个连接终端部分等时,第一元件的“长度”是沿着连接单个连接终端部分等和第一地面部分的中心的直线的第一元件的长度。此外,为第一元件提供两个连接终端部分等,第一元件的“长度”是沿着连接这两个连接终端部分的直线的第一元件的长度。此外,在为第一元件提供三个或多个连接终端部分等时,第一元件的“长度”是沿着在通过将这三个或多个连接终端部分适当地分成两组所获得的两组连接终端之间的最短距离的第一元件的长度。
第一实施方式
第一实施方式涉及根据本公开的第一和第二方面的安装基板及其制造方法以及根据本公开的第一和第二方面的安装元件的方法。图1A是安装元件的根据第一实施方式的安装基板的示意性部分剖视图,并且图1B是在使用填充部件填充通孔的一部分之后的安装基板的示意性部分平面图。
根据第一实施方式的安装基板包括:通孔13,其形成在基板10内;第一地面部分21,其形成在所述基板10的第一表面11上并且包围通孔13;第二地面部分31,其形成在与所述第一表面11相对的所述基板10的第二表面12上并且包围所述通孔13;第一元件附接部分22,其形成在所述基板10的第一表面11上并且连接至所述第一地面部分21;第二元件附接部分32,其形成在所述基板10的第二表面12上并且连接至所述第二地面部分31;导电层14,其形成在所述通孔13的内壁上并且使所述第一地面部分21与所述第二地面部分31导通;以及填充部件15,其填充到通孔13的一部分内。
如根据本公开的第一方面的安装基板所表示的,根据第一实施方式的安装基板包括以下(要求-1),此外,最短距离容许值L0被确定为满足在(要求-1)中的公式(1)。此外,如根据本公开的第二方面的安装基板所表示的,在根据第一实施方式的安装基板中,使用具有平均厚度d的助熔剂40涂覆基板10的第一表面,并且最短距离容许值L0可以被确定为满足在(要求-2)中的公式(2)。
(要求-1)
基于位于在所述第一地面部分21侧的填充部件15的顶面之上的通孔13的一部分(在所述第一地面部分21侧的填充部件15的顶面内的一部分凹槽)的体积Vh、安装到所述第一元件附接部分22和23的元件(第一元件)51的长度L1、以及安装至所述第一元件附接部分22和23的元件(第一元件)51相对于所述基板10的第一表面11的倾角(具体地,例如,基于倾角的最大容许值θmax),并且此外,在某些情况下,基于助熔剂40的厚度(具体地,例如,助熔剂40的平均厚度),确定从所述第一地面部分21的中心到元件的最短距离容许值L0。
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)
(要求-2)
在假设位于在所述第一地面部分21侧的填充部件15的顶面之上的通孔13的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分21的中心到元件的最短距离容许值是L0时,
π·d·L0 2>Vh (2)
注意,在第一或第二实施方式中,提供一对第一元件附接部分和一对第二元件附接部分,并且称为第一元件附接部分22和23和第二元件附接部分32和33。第一元件附接部分23和第二元件附接部分33,例如,连接至***电路和/或电源。
此处,通过用实验方法产生多个安装基板并且测量通孔13的空间13'的体积Vh,可以获得位于在所述第一地面部分21侧的填充部件15的顶面之上的通孔13的一部分或者在所述第一地面部分21侧的填充部件15的顶面内的一部分凹槽(下面为了方便起见,称为“空间13”)的体积Vh。此外,通孔13的半径r0、待安装到第一元件附接部分22和23中的第一元件51的长度L1以及助熔剂40的厚度(具体地,例如,助熔剂40的平均厚度)是要根据安装基板所需要的规格确定的设计因素。此外,安装到所述第一元件附接部分22和23的元件(第一元件)51相对于所述基板10的第一表面11的倾角(例如,基于倾角的最大容许值θmax)是要根据安装基板所需要的规格确定的设计因素。在第一或第二实施方式中,第一元件51由发光部件构成,具体地,例如,具有等于或小于0.1mm的尺寸的微小发光二极管(LED)。然而,在微小第一元件51在安装之前倾斜时,具有以下情况:由于在看到安装基板时发光部件的亮度降低,所以不能满足规格。例如,第一元件51在安装之前的倾角(具体地,例如,倾角的最大容许值)是30°。因此,例如,具体地,30°的角度可以示例为最大容许值θmax。
即,如图17所示,在相对于安装基板以及发光部件的倾角倾斜45°的角度看安装基板时,对在发光部件的亮度与光提取效率之间的关系的调查结果。在图17的水平轴表示发光部件的倾角,并且垂直轴表示具有45°的亮度(在图17称为“A”)以及光提取效率(在图17称为“B”)。在图17,在发光部件的倾角达到30°时,与在发光部件的倾角是0°时的亮度相比,亮度变化大约30%。因此,具体地,例如,假设倾角的最大容许值θmax是30°。
在第一或第二实施方式中,通过在二维矩阵中,在基板10上设置由多个发光部件构成的第一元件51,配置图像显示设备。
此外,在第一或第二实施方式中,待安装(或安装)到第二元件附接部分32和33中的第二元件由,例如,包括用于驱动和控制第一元件51的电路的电子装置构成,具体地,半导体装置。第二元件大于第一元件51,并且第二元件在安装之前使用粘合剂暂时固定至第二元件附接部分32和33。因此,几乎不发生第二元件倾斜的问题。注意,在图中省略第二元件。
在第一实施方式中,所述第一地面部分21、第二地面部分31、第一元件附接部分22和23、第二元件附接部分32和33、以及导电层14由金属或合金制成的第一部件构成。填充部件15由与第一部件不同的第二部件构成。具体地,第一部件由层压铜单质或铜、镍、钛以及铬的薄膜构成。第二部件由主要由环氧树脂构成的树脂构成。此外,基板10由玻璃基板构成,更具体地,具有0.5mm的厚度的硼硅无碱玻璃基板。此处,假设所述基板10的热膨胀系数是CTE0,所述第一部件的热膨胀系数是CTE1,并且所述第二部件的热膨胀系数是CTE2时,满足CTE0<CTE1<CTE2。具体地,CTE0=3×10-6/KCTE1=17×10-6/KCTE2=50×10-6/K。此外,填充部件15的电阻小于导电层14的电阻。导电层14包括配置第一地面部分21的第一部件的延伸部分以及配置第二地面部分31的第一部件的延伸部分。注意,在第二实施方式中,第一地面部分21、第二地面部分31、第一元件附接部分22和23以及第二元件附接部分32和33由金属或合金制成的第一部件构成。填充部件65由与第一部件不同的第二部件构成。此处,第一和第二部件由以上材料构成。此外,在第二实施方式中,基板10由玻璃基板构成。
通过确定满足(要求-1)中的公式(1)的最短距离容许值L0,在安装元件时,几乎不生成第一元件51的倾角。下面参考在图6A以及6B的安装基板的示意性部分端视图以及在图7A、7B、8以及9中的示意图来描述。
在图6A,示出了一种状态,其中,在基板10的第一表面侧涂覆助熔剂40,并且将第一元件51设置在助熔剂40上。此外,在图7A和图8中,提供了一种状态,其中,在接地100和第一元件51上涂覆助熔剂40和40'。例如,接地100具体包括第一元件附接部分22和23、焊料层24、第一地面部分21以及基板10的第一表面11,或者包括焊料层24、涂层18(参考图15)以及第一地面部分21。此处,如上所述,假设在位于在第一地面侧的填充部件15的顶面之上的通孔13内的空间13'的体积(在图7A、7B、8以及9未示出)是Vh。在图7A和图8中,在空间13'之上具有助熔剂40'。然而,实际上,在涂覆助熔剂时,在空间13'之上示出的助熔剂40'的一部分流入到空间13'内。此外,在第一元件51安装到第一元件附接部分22和23时,与助熔剂的温度的提高一致,助熔剂处于流动状态,并且流入空间13'的量增大。注意,假设朝向空间13'流动的助熔剂的体积的估计最大值是V0。此处,在图7A、8以及9中,部分助熔剂由参考数字40'表示。作为各种测试的结果,由于第一元件51设置在助熔剂40和40'上,所以会发现在第一元件51设置在比最短距离容许值L0更接近第一地面部分21的位置时,直接位于第一元件51之下的处于流动状态的助熔剂的大约一半(1/2)开始朝向空间13'流动。此外,会发现助熔剂的状态同心地变成围绕第一地面部分21的流动状态,并且处于流动状态的助熔剂开始朝向空间13'流动。注意,在助熔剂流出并且不再存在时,难以可靠地进行焊接。因此,考虑以下最差的状态:直接位于第一元件51之下的助熔剂的体积的大约一半(1/2)朝向空间13'流动。
因此,鉴于最差的状态,朝向空间13'流动的助熔剂40'的整个形状可以近似于截头锥。在图6B、7B以及9,示出在助熔剂40'开始朝向空间13'流动之后的状态。此处,如图7A所示,截头锥的底面具有半径为(L0+L1)的圆形,并且顶面具有半径为(L0)的圆形。高度是助熔剂的厚度d。因此,使用以下公式,可以获得值V0。
V0=(π·d/3){(L1+L0)2+(L1+L0)L0+L0 2}
=(π·d)(L1 2/3+L1·L0+L0 2) (3)
进一步,在假设安装到所述第一元件附接部分22和23的第一元件51相对于所述基板10的第一表面11的倾角的最大容许值是θmax时,值d、L1以及θmax具有以下关系。
d=L1·sin(θmax) (4)
此外,假设可以流入空间13'内的助熔剂的体积的估计最大值是V0。然而,在体积的估计最大值V0大于空间13'的体积Vh时,安装到所述第一元件附接部分22和23的第一元件51相对于所述基板10的第一表面11的倾角可以设置在最大容许值θmax内。根据要求和公式(3)以及(4)可以获得公式(1)。即,基于(要求-1),确定最短距离容许值L0,并且,此外,最短距离容许值L0被确定为满足在(要求-1)中的公式(1)。因此,当然可以防止以下问题:助熔剂40'流入在填充部件15的顶面内的凹槽(空间13')内,并且微小第一元件51在安装之前倾斜(参考图1A和9)。注意,在最短距离容许值L0不满足(要求-1)中的公式(1)时,如图6B所示,具有以下情况:直接位于设置在第一元件51内的连接终端部件等52之下的助熔剂流出,并且在连接终端部件等52与焊料层24之间的连接发生问题。例如,假设α=1.2是一种安全系数α,获取满足(要求-1)中的公式(1)的最短距离容许值L0,并且所获取的最短距离容许值L0乘以α(具体地,例如,1.2倍)。所获得的值可用作新的最短距离容许值。
此外,根据关于第一元件51的安装的规格,在占据如图7A和图8所示的具有半径为L0并且高度为d的圆柱体(体积:π·d·L0 2)的助熔剂不流入空间13'内时,当然可以防止以下问题:微小第一元件51在安装之前倾斜。在以上要求中,在体积(π·d·L0 2)大于空间13'的体积Vh时,不发生安装到所述第一元件附接部分22和23的第一元件51相对于所述基板10的第一表面11倾角的问题。即,在确定最短距离容许值L0,以便满足(要求-2)中的公式(2)时,当然可以防止以下问题:助熔剂流入在填充部件15的顶面内的凹槽(空间13')内,并且微小第一元件51在安装之前倾斜。注意,在最短距离容许值L0不满足(要求-2)中的公式(2)时,具有以下情况:直接位于设置在第一元件51内的连接终端部件等52之下的助熔剂流出,并且在连接终端部件等52与焊料层24之间的连接发生问题。例如,假设β=1.2是一种安全系数β,获得满足(要求-2)中的公式(2)的最短距离容许值L0,并且将所获得的最短距离容许值L0乘以β(具体地,例如,1.2倍)。所获得的值可用作新的最短距离容许值。
下面参考在图1A、2A、2B、3A、3B、4A、4B以及5A中的基板的示意性部分剖视图和部分端视图以及在图1B中的基板等的示意性部分平面图,描述安装基板制造方法以及安装元件的方法。
[处理-100]
首先,基于已知的方法,在基板10内形成通孔13。例如,可以基于使用钻头的钻孔方法以及基于使用激光束的钻孔方法,形成通孔13。在由钻孔处理在通孔13的内壁上造成粗糙度时,可以,例如,通过蚀刻使通孔13的内壁光滑。
[处理-110]
接下来,在基板10的第一表面11上,形成包围通孔13的第一地面部分21、连接至所述第一地面部分21的第一元件附接部分22以及第一元件附接部分23,并且在与所述第一表面11相对的所述基板10的第二表面12上,形成包围通孔13的第二地面部分31、连接至所述第二地面部分31的第二元件附接部分32以及第二元件附接部分33。在所述通孔13的内壁上,形成使所述第一地面部分21与所述第二地面部分31导通的导电层14。具体地,例如,从基板10的第二表面12到通孔13,使用溅射方法形成第一部件。接下来,从基板10的第一表面11到通孔13,使用溅射方法形成第一部件。注意,从基板10的第一表面11到通孔13,可以使用溅射方法形成第一部件,并且随后,从基板10的第二表面12到通孔13,可以使用溅射方法形成第一部件。因此,可以在通孔13的内壁上,形成导电层14。随后,基于已知的模式化技术,形成第一元件附接部分22和23、第一地面部分21、第二元件附接部分32和33以及第二地面部分31。通过这种方式,可以获得在图2A示出的状态。
[处理-120]
接下来,使用填充部件15填充通孔13的一部分。具体地,首先,使用层压机,将防护性胶带粘合至基板10的第一表面11,作为保护膜16(参考图2B)。防护性胶带由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)薄膜构成,并且在防护性胶带的表面上形成可以再次剥落的丙烯酸粘合层。然后,从基板10的第二表面侧,使用填充部件15填充通孔13(参考图3A)。可以基于印刷方法(例如,丝网印刷方法)以及使用点胶机的方法,使用填充部件15填充通孔13。随后,在保护膜16剥落之后(参考图3B),配置填充部件15的第二部件固化(参考图4A)。注意,在第二部件固化之后,保护膜16可以剥落。通常,在第二部件固化时,填充部件15的体积收缩。结果,在位于在第一地面部分21侧的填充部件15的顶部表面之上的通孔13的一部分内,生成具有体积Vh的空间13'。此外,在位于在第二地面部分31侧的填充部件15的顶部表面之上的通孔13的一部分内,生成空间13"。
[处理-130]
随后,在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上,形成焊料层24。还在安装第二元件的第二元件附接部分32和33的部分上,形成焊料层34。可以基于已知的方法(例如,镀焊料方法和焊浆胶印刷方法),由已知的焊接材料(例如,无铅焊料)形成焊料层24和34。图1B是从基板10的第一表面侧观看该状态的部分平面图。在形成焊料层之前,可以形成涂层。
[处理-140]
随后,在基板10的第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂40(参考图4B)。已知的助熔剂40可以用作助熔剂40,并且可以用已知的涂覆方法涂覆助熔剂40。还在基板10的第二表面侧涂覆助熔剂。然而,在图中,省略在基板10的第二表面侧涂覆的助熔剂。
[处理-150]
随后,基于已知的方法,将第一元件51放在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上(参考图5A)。在此之前,第二元件(未示出)通过粘合剂暂时固定至第二元件附接部分32和33。随后,例如,基于焊料回流方法,第一元件51通过焊料层24和34安装在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上,并且第二元件安装在安装第二元件的第二元件附接部分32和33的部分上。通过这种方式,可以获得根据在图1A示出的第一实施方式的安装基板(元件安装到其中的安装基板)。如图1A所示,助熔剂40的一部分流入空间13'内。然而,助熔剂40依然在第一元件51之下,并且第一元件51不倾斜。
如上所述,在第一实施方式中,基于(要求-1),确定最短距离容许值L0,并且此外,最短距离容许值L0被确定为满足在(要求-1)中的公式(1),或者最短距离容许值L0被确定为满足在(要求-2)中的公式(2)。因此,在使用填充部件填充通孔的一部分时,填充部件的体积收缩,并且在通孔内填充的填充部件的顶面内生成空间(凹槽)。甚至在以上状态中,当在整个表面上涂覆助熔剂并且通过焊料层安装第一元件时,当然可以防止以下问题:助熔剂流入在填充部件的顶面内的空间(凹槽)内并且微小元件在安装之前倾斜。
注意,与下面描述的第二实施方式一样,在第一实施方式中,如在图5B的示意性部分端视图中所示,在形成通孔13时,朝向通孔13倾斜的倾斜表面17可以形成在形成第二地面部分31的基板10的部分10'内。注意,附图标记17'表示在形成第二地面部分31的基板10的部分10'内的平面部分。在这种情况下,第二地面部分31的平面部分的厚度优选地等于第二地面部分31的倾斜部分的厚度。
第二实施方式
第二实施方式涉及根据本公开的第三方面的安装基板及其制造方法。图10是在安装元件之后根据第二实施方式的安装基板的示意性部分剖视图。
根据第二实施方式的安装基板包括:通孔13,其形成在基板10内;第一地面部分21,其形成在所述基板10的第一表面11上并且包围通孔13;第二地面部分31,其形成在与所述第一表面11相对的所述基板10的第二表面12上并且包围所述通孔13;第一元件附接部分22,其形成在所述基板10的第一表面11上并且连接至所述第一地面部分21;第二元件附接部分32,其形成在所述基板10的第二表面12上并且连接至所述第二地面部分31;以及填充部件65,其由导电材料构成,填充到通孔13内,并且使所述第一地面部分21与所述第二地面部分31导通。朝向通孔13倾斜的倾斜表面17形成在位于所述第二地面部分31之下的基板10的一部分10'内。
此外,在第二实施方式中,第二地面部分31的平面部分的厚度等于第二地面部分31的倾斜部分的厚度。朝向通孔13倾斜的倾斜表面17的倾角可以示例为50°的角度,并且倾斜表面17的长度可以示例为0.33mm的长度。
在图10示出的根据第二实施方式的安装基板中,在第一实施方式中描述的第一表面的结构用作第一表面的结构。即,还在第二实施方式中,在基板的第一表面侧,基于(要求-1),确定最短距离容许值L0,并且此外,最短距离容许值L0被确定为以满足在(要求-1)中的公式(1)。
下面参考在图10、11A、11B、12A、12B、13A、13B以及14中的基板等的示意性部分剖视图和部分端视图,描述根据第一实施方式的安装基板制造方法以及安装元件的方法。
[处理-200]
首先,与在第一实施方式中的[处理-100]一样,基于已知的方法,在基板10内形成通孔13。
[处理-210]
在安装第二地面部分31的基板10的部分10'内形成朝向通孔13倾斜的倾斜表面17。即,在形成通孔13之后,例如,形成用于蚀刻的掩膜(未示出),并且使用氢氟酸,对基板10进行蚀刻。通过随后去除用于蚀刻的掩膜,在形成第二地面部分31的基板10的部分10'内形可以形成朝向通孔13倾斜的倾斜表面17。注意,还可以在形成第二地面部分31的基板10的部分10'内设置平面部分17'。
[处理-220]
接下来,在基板10的第一表面11上,形成包围通孔13的第一地面部分21、连接至所述第一地面部分21的第一元件附接部分22以及第一元件附接部分23,并且在与所述第一表面11相对的所述基板10的第二表面12上,形成包围通孔13的第二地面部分31、连接至所述第二地面部分31的第二元件附接部分32以及第二元件附接部分33。具体地,例如,使用溅射方法,在基板10的第二表面12上形成第一部件,随后,使用溅射方法,在基板10的第一表面11上形成第一部件。注意,可以使用溅射方法,在基板10的第一表面11上形成第一部件,并且随后,可以使用溅射方法,在基板10的第二表面12上形成第一部件。在第二实施方式中,不需要在通孔13的内壁上,形成在图1A描述的导电层14。随后,基于已知的模式化技术,形成第一元件附接部分22和23、第一地面部分21、第二元件附接部分32和33以及第二地面部分31。通过这种方式,可以获得在图11A示出的状态。
[处理-230]
随后,使用由导电材料构成的填充部件65填充通孔13,相应地,导通第一地面部分21与第二地面部分31。具体地,首先,与第一实施方式一样,使用层压机,将保护膜16粘合至基板10的第一表面11(参考图11B)。然后,从基板10的第二表面侧,使用填充部件65填充通孔13(参考图12A)。可以基于印刷方法(例如,丝网印刷方法)以及使用点胶机的方法,使用填充部件65填充通孔13。随后,在保护膜16剥落之后(参考图12B),配置填充部件65的第二部件固化(参考图13A)。在第二部件固化之后,保护膜16可以剥落。通常,在第二部件固化时,填充部件65的体积收缩。结果,在位于在第一地面部分21侧的填充部件65的顶部表面之上的通孔13的一部分内,生成具有体积Vh的空间13'。此外,在位于在第二地面部分31侧的填充部件65的顶部表面之上的通孔13的一部分内,生成空间13"。填充部件65在第二地面部分31上延伸。然而,填充部件65不从第二元件附接部分32的顶部表面的水平中突出。
[处理-240]
随后,与在第一实施方式中的[处理-130]一样,在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上,形成焊料层24。还在安装第二元件的第二元件附接部分32和33的部分上,形成焊料层34。
[处理-250]
随后,与在第一实施方式中的[处理-140]一样,在基板10的第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂40(参考图13B)。注意,还在基板10的第二表面侧涂覆助熔剂。然而,在图中,省略在基板10的第二表面的侧边上涂覆的助熔剂。
[处理-260]
随后,与在第一实施方式中的[处理-150]一样,基于已知的方法,将第一元件51放在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上(参考图14)。在此之前,第二元件(未示出)通过粘合剂暂时固定至第二元件附接部分32和33。随后,例如,基于焊料回流方法,通过焊料层24和34,第一元件51安装在安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分上,并且第二元件安装在安装第二元件的第二元件附接部分32和33的部分上。通过这种方式,可以获得根据在图10示出的第二实施方式的安装基板(元件安装到其中的安装基板)。
如上所述,在第二实施方式中,由于朝向通孔倾斜的倾斜表面形成在位于第二地面部分之下的基板的一部分内,所以填充部件可以在第二地面部分上延伸,并且可以提高在填充部件与第二地面部分之间的电气连接的可靠性。此外,由于不需要将填充部件主要突出在地面部分上,即,虽然填充部件延伸到第二地面部分,但是填充部件的顶面不从第二元件附接部分的顶面的水平中突出,所以不需要抛光和去除填充部件。不发生损坏基板的问题。
在第二实施方式中,在某些情况下,可以使用以下形式:在位于第一地面部分21之下的基板10的一部分内形成朝向通孔13倾斜的倾斜表面。在这种情况下,第一地面部分21的平面部分的厚度优选地等于第一地面部分21的倾斜部分的厚度。
上面描述了本公开的优选实施方式。然而,本公开不限于这些实施方式。在这些实施方式中描述的安装基板的结构、配置以及所使用的材料仅仅是示例性的,并且可以适当地改变。在这些实施方式中,第一元件由发光部件配置为。然而,第一元件可以,例如,由用于检测可见光的传感器、用于检测红外线的传感器、用于检测紫外线的传感器、用于检测X射线的传感器、用于检测大气压力的传感器、用于检测温度的传感器、用于检测声音的传感器、用于检测振动的传感器、用于检测加速度的传感器以及用于检测角加速度的传感器配置为,并且多个传感器设置在基板上,使得可以形成传感器阵列。第一元件可以是发光部件、传感器以及第三元件的复合元件。可以在基板的第二表面上设置多层布线。
如在图15A中在基板的第一表面侧涂覆助熔剂的状态的示意性部分端视图中并且在15B中在安装元件之后的状态的示意性部分端视图中所示,在安装元件之后根据第一实施方式的另一个变形的安装基板中,焊料层24可以由涂层18包围,例如,已知的阻焊剂材料和有机绝缘材料(例如,聚酰亚胺)构成的绝缘薄膜以及由非有机绝缘材料(例如,二氧化硅和氮化硅)构成的绝缘薄膜。具体地,在形成焊料层24的部分内具有开口的涂层18以及地面部分21优选地形成在基板10的第一表面11上,随后,焊料层24优选地形成在形成焊料层24的开口部分上。随后,在焊料层24、涂层18以及第一地面部分21上涂覆助熔剂40(参考15A)。然后,例如,基于焊料回流方法,通过焊料层24和34,第一元件51安装到安装第一元件51的第一元件附接部分22和23的部分中,并且第二元件(未示出)安装到安装第二元件的第二元件附接部分32和33的部分内。因此,可以获得在图15B示出的状态。
此外,在形成焊料层24时,可以应用在日本专利申请公开号2010-123780中公开的技术。即,如图1B和16所示,焊料层24的平面形状可以是具有从焊料层24的中心部分朝外延伸的突出部分的形状。进一步,在这种情况下,突出部分的形状可以设置为与中心部分旋转对称至少三次,并且突出部分的前端可以设置在围绕中心部分的圆周上,并且中心部分是圆形的。此外,可以在待安装的元件侧上形成焊料层,在元件连接部分上形成焊料扩散防止层,并且使焊料层粘合至焊料扩散防止层。
此外,在图1B示出从第一地面部分21直接延伸的第一元件附接部分22和23。然而,如在图16中在使用填充部件15填充通孔13的一部分之后根据第一实施方式的安装基板的另一个变型的示意性部分平面图中所示,第一元件附接部分22和23可以在与从第一地面部分21直接延伸的方向不同的方向延伸(在图16的实例中,通过90°弯曲的方向)。
注意,本公开可以如下具有配置。
[A01]<<安装基板:第一方面>>
一种安装基板,包括:
通孔,其被配置为形成在基板内;
第一地面部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,其被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分;
导电层,其被配置为形成在所述通孔的内壁上并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通;以及
填充部件,其被配置为填充到通孔的一部分,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值(具体地,基于倾角的最大容许值)。
[A02]根据[A01]所述的安装基板,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分中的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值是L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)
[A03]根据[A02]所述的安装基板,其中,
θmax的值是30°。
[A04]<<安装基板:第二方面>>
一种安装基板,包括:
通孔,其被配置为形成在基板内;
第一地面部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,其被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分;
导电层,其被配置为形成在所述通孔的内壁上并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通;以及
填充部件,其被配置为填充到通孔的一部分,其中,
在所述基板的第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂,并且
在假设位于在所述第一地面部分侧上的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(2)。
π·d·L0 2>Vh (2)
[A05]根据[A01]到[A04]中任一项所述的安装基板,其中,
所述第一地面部分、第二地面部分、第一元件附接部分、第二元件附接部分、以及导电层由金属或合金形成的第一部件构成,并且
所述填充部件由与第一部件不同的第二部件构成。
[A06]根据[A05]所述的安装基板,其中,
在假设所述基板的热膨胀系数是CTE0,所述第一部件的热膨胀系数是CTE1,并且所述第二部件的热膨胀系数是CTE2时,满足CTE2-CTE0<CTE1-CTE0或CTE0<CTE1<CTE2。
[A07]根据[A05]所述的安装基板,其中,
所述第一部件由选自包括铝、铝合金、镍、镍合金、铬以及铬合金的组中的至少一种材料构成,并且
所述第二部件由导电胶构成。
[A08]根据[A01]到[A07]中任一项所述的安装基板,其中,
在位于所述第二地面部分之下的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[A09]根据[A08]所述的安装基板,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
[B01]<<安装基板:第三方面>>
一种安装基板,包括:
通孔,其被配置为形成在基板内;
第一地面部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,其被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,其被配置为形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分;以及
填充部件,其被配置为由导电材料构成,填充到通孔内,并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通,其中,
在位于所述第二地面部分之下的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[B02]根据[B01]所述的安装基板,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
[B03]根据[B01]或[B02]所述的安装基板,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)。
[B04]根据[B01]到[B03]中任一项所述的安装基板,其中,
朝向通孔倾斜的倾斜表面的倾角是50°到80°。
[B05]根据[B01]或[B02]所述的安装基板,其中,
在位于所述第一地面部分之下的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[B06]根据[B05]所述的安装基板,其中,
所述第一地面部分的平面部分的厚度等于所述第一地面部分的倾斜部分的厚度。
[B07]根据[B01]到[B06]中任一项所述的安装基板,其中,
所述填充部件在所述第二地面部分上延伸。
[B08]根据[B07]所述的安装基板,其中,
所述填充部件的顶面不从所述第二元件附接部分的顶面的水平面中突出。
[C01]根据[A01]到[B08]中任一项所述的安装基板,其中,
待安装到所述第一元件附接部分中的元件由发光部件构成。
[C02]根据[C01]所述的安装基板,其中,
多个发光部件设置在二维矩阵内并且形成图像显示设备。
[C03]根据[A01]到[B08]中任一项所述的安装基板,其中,
待安装到所述第一元件附接部分中的元件由传感器构成。
[C04]根据[A01]到[C03]中任一项所述的安装基板,其中,
所述基板由玻璃基板构成。
[D01]<<安装基板制造方法:第一方面>>
一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;并且随后
将填充部件填充到通孔的一部分,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值(具体地,例如,基于倾角的最大容许值)。
[D02]根据[D01]所述的安装基板制造方法,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分中的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1)。
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)
[D03]根据[D02]所述的安装基板制造方法,其中,
θmax的值是30°。
[D04]<<安装基板制造方法:第二方面>>
一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;并且随后
将填充部件填充到通孔的一部分,
在使用填充部件填充通孔的一部分之后,在所述基板的第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(2):
π·d·L0 2>Vh (2)
[D05]根据[D01]到[D04]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
所述第一地面部分、第二地面部分、第一元件附接部分、第二元件附接部分、以及导电层由金属或合金形成的第一部件构成,并且
所述填充部件由与第一部件不同的第二部件构成。
[D06]根据[D05]所述的安装基板制造方法,其中,
在假设所述基板的热膨胀系数是CTE0,所述第一部件的热膨胀系数是CTE1,并且所述第二部件的热膨胀系数是CTE2时,满足CTE2-CTE0<CTE1-CTE0或CTE0<CTE1<CTE2。
[D07]根据[D05]所述的安装基板制造方法,其中,
所述第一部件由选自包括铝、铝合金、镍、镍合金、铬以及铬合金的组的中至少一种材料构成,并且
所述第二部件由导电胶构成。
[D08]根据[D01]到[D07]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
基于物理气相沉积和蚀刻技术的结合,形成所述第一元件附接部分、第一地面部分、第二元件附接部分、第二地面部分、以及导电层,并且
基于印刷方法,使用填充部件填充所述通孔。
[D09]根据[D01]到[D08]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,使用填充部件填充所述通孔。
[D10]根据[D01]到[D09]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
在形成所述通孔时,在形成所述第二地面部分的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[D11]根据[D10]所述的安装基板制造方法,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
[E01]<<安装基板制造方法:第三方面>>
一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,并且在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分;并且随后
通过随后使用由导电材料构成的填充部件填充所述通孔,使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通,其中
在所述第二地面部分的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[E02]根据[E01]所述的安装基板制造方法,其中,
在形成所述通孔之后,通过对所述基板进行蚀刻,在形成所述第二地面部分的一部分基板内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[E03]根据[E01]或[E02]所述的安装基板制造方法,其中,
在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,使用填充部件填充所述通孔。
[E04]根据[E01]到[E03]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
基于物理气相沉积和蚀刻技术的结合,形成所述第一元件附接部分、第一地面部分、第二元件附接部分、第二地面部分、以及导电层,并且
基于印刷方法,使用填充部件填充所述通孔。
[E05]根据[E01]到[E04]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
由导电材料构成的填充部件由导电胶构成。
[E06]根据[E01]到[E05]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
[E07]根据[E01]到[E06]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0、并且待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θmax时,最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)
[E08]根据[E01]到[E07]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
朝向通孔倾斜的倾斜表面的倾角是50°到80°。
[E09]根据[E01]到[E06]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
在位于所述第一地面部分之下的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[E10]根据[E09]所述的安装基板制造方法,其中,
所述第一地面部分的平面部分的厚度等于所述第一地面部分的倾斜部分的厚度。
[E11]根据[E01]到[E10]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
所述填充部件在所述第二地面部分上延伸。
[E12]根据[E11]所述的安装基板制造方法,其中,
所述填充部件的顶面不从所述第二元件附接部分的顶面的水平面中突出。
[F01]根据[D01]到[E12]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
待安装到所述第一元件附接部分中的元件由发光部件构成。
[F02]根据[F01]所述的安装基板制造方法,其中,
多个发光部件设置在二维矩阵内并且形成图像显示设备。
[F03]根据[D01]到[E12]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
待安装到所述第一元件附接部分的元件由传感器构成。
[F04]根据[D01]到[F03]中任一项所述的安装基板制造方法,其中,
所述基板由玻璃基板构成。
[G01]<<安装元件的方法:第一方面>>
一种安装元件的方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;随后
在使用填充部件填充通孔的一部分之后,在安装所述元件的第一元件附接部分的一部分上,形成焊料层或焊料扩散防止层;并且随后
在所述基板的第一表面侧涂覆助熔剂;并且
通过所述焊料层或焊料扩散防止层,将所述元件安装到待安装所述元件的第一元件附接部分的一部分中,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分中的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值(具体地,例如,基于倾角的最大容许值)。
[G02]根据[G01]所述的安装元件的方法,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分中的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分中的元件相对于所述基板的第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值是L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)
[G03]根据[G02]所述的安装元件的方法,其中,
θmax的值是30°。
[G04]<<安装元件的方法:第二方面>>
一种安装元件的方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在基板的第一表面上形成包围通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;随后
在使用填充部件填充通孔的一部分之后,在安装所述元件的第一元件附接部分的一部分上,形成焊料层或焊料扩散防止层,并且随后,在所述基板的第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂;并且
通过所述焊料层或焊料扩散防止层,将所述元件安装到待安装所述元件的第一元件附接部分的一部分,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,最短距离容许值是L0被确定为满足以下公式(2):
π·d·L0 2>Vh (2)。
[G05]根据[G01]到[G04]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
所述第一地面部分、第二地面部分、第一元件附接部分、第二元件附接部分、以及导电层由金属或合金形成的第一部件构成,并且
所述填充部件由与第一部件不同的第二部件构成。
[G06]根据[G05]所述的安装元件的方法,其中,
在假设所述基板的热膨胀系数是CTE0,所述第一部件的热膨胀系数是CTE1,并且所述第二部件的热膨胀系数是CTE2时,满足CTE2-CTE0<CTE1-CTE0或CTE0<CTE1<CTE2。
[G07]根据[G05]所述的安装元件的方法,其中,
所述第一部件由选自包括铝、铝合金、镍、镍合金、铬以及铬合金的组中的至少一种材料构成,并且
所述第二部件由导电胶构成。
[G08]根据[G01]到[G07]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
基于物理气相沉积和蚀刻技术的结合,形成所述第一元件附接部分、第一地面部分、第二元件附接部分、第二地面部分、以及导电层,并且
基于印刷方法,使用填充部件填充所述通孔。
[G09]根据[G01]到[G08]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,使用填充部件填充所述通孔。
[G10]根据[G01]到[G09]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
在形成所述通孔时,在形成所述第二地面部分的基板的一部分内形成朝向通孔倾斜的倾斜表面。
[G11]根据[G10]所述的安装元件的方法,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
[H01]根据[G01]到[G11]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
待安装到所述第一元件附接部分中的元件由发光部件构成。
[H02]根据[H01]所述的安装元件的方法,其中,
多个发光部件设置在二维矩阵内并且形成图像显示设备。
[H03]根据[G01]到[G11]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
待安装到所述第一元件附接部分中的元件由传感器构成。
[H04]根据[G01]到[H03]中任一项所述的安装元件的方法,其中,
所述基板由玻璃基板构成。
附图标记列表
10:基板
10':形成第二地面部分的基板的一部分
11:基板的第一表面
12:基板的第二表面
13:通孔
13':位于在第一地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)
13":位于在第二地面部分侧的填充部件的顶面之上的通孔的部分(空间)
14:导电层
15、65:填充部件
16:保护膜
17:倾斜表面
17':平面部分
18:涂层
21:第一地面部分
22、23:第一元件连接部分
24:焊料层
31:第二地面部分
32、33:第二元件连接部分32和33
34:焊料层
40、40':助熔剂
51:元件(第一元件)
52:位于元件(第一元件)内的连接终端部分等
100:接地
Claims (19)
1.一种安装基板,包括:
通孔,被配置为形成在基板内;
第一地面部分,被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,被配置为形成在所述基板的所述第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,被配置为形成在所述基板的所述第二表面上并且连接至所述第二地面部分;
导电层,被配置为形成在所述通孔的内壁上并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通;以及
填充部件,被配置为填充到所述通孔的一部分中,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值。
2.根据权利要求1所述的安装基板,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的所述顶面之上的所述通孔的所述一部分的所述体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的所述元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分的所述元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的所述中心到所述元件的所述最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)·(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)。
3.根据权利要求2所述的安装基板,其中,
θmax的值是30°。
4.一种安装基板,包括:
通孔,被配置为形成在基板内;
第一地面部分,被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,被配置为形成在所述基板的所述第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,被配置为形成在所述基板的所述第二表面上并且连接至所述第二地面部分;
导电层,被配置为形成在所述通孔的内壁上并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通;以及
填充部件,被配置为填充到所述通孔的一部分中,其中,
具有平均厚度d的助熔剂被涂覆在所述基板的所述第一表面侧,并且
在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(2):
π·d·L0 2>Vh (2)。
5.根据权利要求1或4所述的安装基板,其中,
所述第一地面部分、所述第二地面部分、所述第一元件附接部分、所述第二元件附接部分以及所述导电层由金属或合金形成的第一部件构成;以及
所述填充部件由与所述第一部件不同的第二部件构成。
6.一种安装基板,包括:
通孔,被配置为形成在基板内;
第一地面部分,被配置为形成在所述基板的第一表面上并且包围所述通孔;
第二地面部分,被配置为形成在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上并且包围所述通孔;
第一元件附接部分,被配置为形成在所述基板的所述第一表面上并且连接至所述第一地面部分;
第二元件附接部分,被配置为形成在所述基板的第二表面上并且连接至所述第二地面部分;以及
填充部件,被配置为由导电材料构成并被填充到所述通孔内,并且使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通,其中,
朝向所述通孔倾斜的倾斜表面,形成在位于所述第二地面部分之下的所述基板的一部分内,
其中,在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分的所述元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到所述元件的最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)·(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)。
7.根据权利要求6所述的安装基板,其中,
所述第二地面部分的平面部分的厚度等于所述第二地面部分的倾斜部分的厚度。
8.根据权利要求1、4和6中任一项所述的安装基板,其中,
待安装到所述第一元件附接部分的元件由发光部件构成。
9.根据权利要求1、4和6中任一项所述的安装基板,其中,
所述基板由玻璃基板构成。
10.一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在所述基板的第一表面上形成包围所述通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围所述通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;并且随后
将填充部件填充到所述通孔的一部分中,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值。
11.一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在所述基板的第一表面上形成包围所述通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围所述通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;随后
将填充部件填充到所述通孔的一部分中;以及
在使用填充部件填充所述通孔的一部分之后,在所述基板的所述第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂;其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的所述一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到所述元件的最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(2):
π·d·L0 2>Vh (2)。
12.根据权利要求10或11所述的安装基板制造方法,其中,
基于物理气相沉积和蚀刻技术的结合,形成所述第一元件附接部分、所述第一地面部分、所述第二元件附接部分、所述第二地面部分以及导电层;以及
基于印刷方法,使用所述填充部件填充所述通孔。
13.根据权利要求10或11所述的安装基板制造方法,其中,
在保护膜粘合至所述基板的所述第一表面的状态下,使用填充部件填充所述通孔。
14.根据权利要求10或11所述的安装基板制造方法,其中,
在形成所述通孔时,在形成所述第二地面部分的所述基板的一部分内形成朝向所述通孔倾斜的倾斜表面。
15.一种安装基板制造方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在所述基板的第一表面上形成包围所述通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,以及在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围所述通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分;并且随后
通过随后使用由导电材料构成的填充部件填充所述通孔,使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通,其中
在所述第二地面部分的所述基板的一部分内形成朝向所述通孔倾斜的倾斜表面,
其中,在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积是Vh、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度是L1、待安装到所述第一元件附接部分的所述元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角的最大容许值是θmax、并且从所述第一地面部分的中心到所述元件的最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(1):
π·L1·sin(θmax)·(L1 2/3+L1·L0+L0 2)>Vh (1)。
16.根据权利要求15所述的安装基板制造方法,其中,
在形成所述通孔之后,通过对所述基板进行蚀刻,在形成所述第二地面部分的所述基板的所述一部分内形成朝向所述通孔倾斜的所述倾斜表面。
17.根据权利要求15所述的安装基板制造方法,其中,
在保护膜粘合至所述基板的第一表面的状态下,使用所述填充部件填充所述通孔。
18.一种安装元件的方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在所述基板的第一表面上形成包围所述通孔的第一地面部分以及形成连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围通孔的第二地面部分以及连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;随后
在使用填充部件填充所述通孔的一部分之后,在安装所述元件的所述第一元件附接部分的一部分上,形成焊料层或焊料扩散防止层;随后
在所述基板的所述第一表面侧涂覆助熔剂;以及
通过所述焊料层或焊料扩散防止层,将所述元件安装到安装所述元件的所述第一元件附接部分的所述一部分,其中,
基于位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的一部分的体积、待安装到所述第一元件附接部分的元件的长度、以及待安装到所述第一元件附接部分的元件相对于所述基板的所述第一表面的倾角,确定从所述第一地面部分的中心到元件的最短距离容许值。
19.一种安装元件的方法,包括:
在基板内形成通孔之后,在所述基板的第一表面上形成包围所述通孔的第一地面部分以及连接至所述第一地面部分的第一元件附接部分,在与所述第一表面相对的所述基板的第二表面上形成包围所述通孔的第二地面部分以及形成连接至所述第二地面部分的第二元件附接部分,并且在所述通孔的内壁上形成使所述第一地面部分与所述第二地面部分导通的导电层;随后
在使用填充部件填充所述通孔的一部分之后,在安装所述元件的第一元件附接部分的一部分上,形成焊料层或焊料扩散防止层,并且随后,在所述基板的所述第一表面侧涂覆具有平均厚度d的助熔剂;以及
通过所述焊料层或焊料扩散防止层,将所述元件安装到安装所述元件的所述第一元件附接部分的所述一部分,其中,
在假设位于在所述第一地面部分侧的所述填充部件的顶面之上的所述通孔的所述一部分的体积是Vh并且从所述第一地面部分的中心到所述元件的最短距离容许值是L0时,所述最短距离容许值L0被确定为满足以下公式(2):
π·d·L0 2>Vh (2)。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014065302A JP6142831B2 (ja) | 2014-03-27 | 2014-03-27 | 実装用基板及びその製造方法、並びに、部品実装方法 |
JP2014-065302 | 2014-03-27 | ||
PCT/JP2015/055785 WO2015146476A1 (ja) | 2014-03-27 | 2015-02-27 | 実装用基板及びその製造方法、並びに、部品実装方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN106105405A CN106105405A (zh) | 2016-11-09 |
CN106105405B true CN106105405B (zh) | 2019-01-18 |
Family
ID=54195007
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580015095.7A Expired - Fee Related CN106105405B (zh) | 2014-03-27 | 2015-02-27 | 安装板、其制造方法、以及安装元件的方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9814139B2 (zh) |
JP (1) | JP6142831B2 (zh) |
KR (1) | KR20160138024A (zh) |
CN (1) | CN106105405B (zh) |
WO (1) | WO2015146476A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101650938B1 (ko) * | 2014-09-25 | 2016-08-24 | 코닝정밀소재 주식회사 | 집적회로 패키지용 기판 |
JP7143581B2 (ja) * | 2017-11-16 | 2022-09-29 | 昭和電工マテリアルズ株式会社 | 配線層の製造方法並びにシード層の形成方法 |
JP6881409B2 (ja) * | 2018-09-27 | 2021-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 照明装置およびその製造方法 |
CN110290633A (zh) * | 2019-06-05 | 2019-09-27 | 众普森科技(株洲)有限公司 | Pcb板、pcb板的制造方法及电器设备 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359446A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Hitachi Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
JP2006173251A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Fujikura Ltd | 配線基板の製造方法 |
CN1930680A (zh) * | 2004-08-06 | 2007-03-14 | 联合材料公司 | 集合基板、半导体元件搭载部件、半导体装置及摄像装置、发光二极管构成部件、发光二极管 |
JP2007103698A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Fujikura Ltd | 配線基板 |
JP2010103406A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 貫通電極基板の製造方法 |
CN102265709A (zh) * | 2008-12-29 | 2011-11-30 | 揖斐电株式会社 | 印刷电路板及其制造方法 |
Family Cites Families (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3301175A (en) * | 1964-07-15 | 1967-01-31 | Process Res Company | Method and apparatus for printing on electrical conductor devices |
US3293106A (en) * | 1964-09-08 | 1966-12-20 | Bell Telephone Labor Inc | Connection for attaching metal foil to plastic substrate |
US3354543A (en) * | 1965-06-09 | 1967-11-28 | Bunker Ramo | Method of forming holes through circuit boards |
JPH0423485A (ja) * | 1990-05-18 | 1992-01-27 | Cmk Corp | プリント配線板とその製造法 |
JPH10126025A (ja) * | 1996-10-15 | 1998-05-15 | Oki Electric Ind Co Ltd | プリント配線板のスルーホール構造 |
JPH10126026A (ja) * | 1996-10-16 | 1998-05-15 | Ibiden Co Ltd | 電子部品搭載用基板及びその製造方法 |
US6187418B1 (en) * | 1999-07-19 | 2001-02-13 | International Business Machines Corporation | Multilayer ceramic substrate with anchored pad |
TW511409B (en) * | 2000-05-16 | 2002-11-21 | Hitachi Aic Inc | Printed wiring board having cavity for mounting electronic parts therein and method for manufacturing thereof |
JP2002324958A (ja) | 2001-04-25 | 2002-11-08 | Sony Corp | プリント配線板と、その製造方法 |
US7155821B1 (en) * | 2004-06-30 | 2007-01-02 | Emc Corporation | Techniques for manufacturing a circuit board having a countersunk via |
JP5142862B2 (ja) | 2008-07-10 | 2013-02-13 | 新光電気工業株式会社 | 配線基板の製造方法 |
JP2010028028A (ja) * | 2008-07-24 | 2010-02-04 | Sony Chemical & Information Device Corp | 多層プリント配線板とその製造方法 |
JP4888473B2 (ja) | 2008-11-20 | 2012-02-29 | ソニー株式会社 | 実装基板 |
JP5225353B2 (ja) * | 2010-10-05 | 2013-07-03 | 清川メッキ工業株式会社 | 配線用基板の製造方法 |
JP2013038374A (ja) | 2011-01-20 | 2013-02-21 | Ibiden Co Ltd | 配線板及びその製造方法 |
JP5628772B2 (ja) * | 2011-10-20 | 2014-11-19 | 日立オートモティブシステムズ株式会社 | プリント基板およびそれを用いた電子機器 |
KR101412225B1 (ko) * | 2012-08-10 | 2014-06-25 | 이비덴 가부시키가이샤 | 배선판 및 그 제조 방법 |
-
2014
- 2014-03-27 JP JP2014065302A patent/JP6142831B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2015
- 2015-02-27 WO PCT/JP2015/055785 patent/WO2015146476A1/ja active Application Filing
- 2015-02-27 US US15/124,499 patent/US9814139B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2015-02-27 KR KR1020167025825A patent/KR20160138024A/ko active Search and Examination
- 2015-02-27 CN CN201580015095.7A patent/CN106105405B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002359446A (ja) * | 2001-05-31 | 2002-12-13 | Hitachi Ltd | 配線基板およびその製造方法 |
CN1930680A (zh) * | 2004-08-06 | 2007-03-14 | 联合材料公司 | 集合基板、半导体元件搭载部件、半导体装置及摄像装置、发光二极管构成部件、发光二极管 |
JP2006173251A (ja) * | 2004-12-14 | 2006-06-29 | Fujikura Ltd | 配線基板の製造方法 |
JP2007103698A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Fujikura Ltd | 配線基板 |
JP2010103406A (ja) * | 2008-10-27 | 2010-05-06 | Dainippon Printing Co Ltd | 貫通電極基板の製造方法 |
CN102265709A (zh) * | 2008-12-29 | 2011-11-30 | 揖斐电株式会社 | 印刷电路板及其制造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP6142831B2 (ja) | 2017-06-07 |
US9814139B2 (en) | 2017-11-07 |
KR20160138024A (ko) | 2016-12-02 |
CN106105405A (zh) | 2016-11-09 |
US20170019996A1 (en) | 2017-01-19 |
WO2015146476A1 (ja) | 2015-10-01 |
JP2015188037A (ja) | 2015-10-29 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN106105405B (zh) | 安装板、其制造方法、以及安装元件的方法 | |
US9980341B2 (en) | Multi-LED components | |
US20220216413A1 (en) | Oleds for micro transfer printing | |
US9812621B2 (en) | Semiconductor device and fabrication method for same | |
US8445919B2 (en) | Wafer-level package structure of light emitting diode and manufacturing method thereof | |
WO2016143403A1 (ja) | 電子部品、電子部品実装基板及び電子部品の実装方法 | |
JP2008135694A (ja) | Ledモジュール | |
US10650710B2 (en) | Display body device and display apparatus with improved electrostatic withstanding voltage | |
CN108962914A (zh) | 电子装置与其制造方法 | |
CN109300932B (zh) | Led显示器及其制作方法 | |
JP2009188086A (ja) | 回路基板、これを用いた電子機器及び回路基板の製造方法 | |
JP6216877B2 (ja) | 軟性印刷回路基板の構造体 | |
KR101893839B1 (ko) | 배선 기판 | |
WO2019225708A1 (ja) | 表示装置用配線基板および表示装置、ならびに配線基板とその作製方法 | |
TWM553882U (zh) | 發光二極體顯示裝置 | |
JP6297686B2 (ja) | 軟性印刷回路基板の構造体 | |
JP2016528726A (ja) | 軟性印刷回路基板の構造体 | |
JP6360891B2 (ja) | 有機発光素子 | |
JP6104772B2 (ja) | 積層構造体及びその製造方法 | |
KR20100015140A (ko) | 연성 인쇄 회로 기판의 제조 방법 및 이에 의해 제조된연성 인쇄 회로 기판 | |
JP5053931B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN102104011B (zh) | 电子元件封装体及其制作方法 | |
JP2007067317A (ja) | 半導体装置の実装構造、及び半導体装置の実装方法 | |
CN105575987A (zh) | 一种图像传感器的封装结构及其封装工艺 | |
JP6314222B2 (ja) | 軟性印刷回路基板の構造体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20170816 Address after: Kanagawa, Japan Applicant after: SONY semiconductor solutions Address before: Tokyo, Japan Applicant before: Sony Corp |
|
TA01 | Transfer of patent application right | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20190118 Termination date: 20210227 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |