CN105980150A - 玻璃层叠体 - Google Patents

Abstract

本发明提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。所述玻璃层叠体依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，有机硅树脂层中的有机硅树脂具有T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A‑1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B‑1)的摩尔比((A‑1)：(B‑1))为80～20：20～80，所述玻璃层叠体满足规定的剥离强度关系。T3：R‑SiO_3/2(式中，R表示苯基或甲基。)。

Description

玻璃层叠体

技术领域

本发明涉及玻璃层叠体，尤其涉及具备特定的有机硅树脂层的玻璃层叠体。

背景技术

近年来，太阳能电池(PV)、液晶面板(LCD)、有机EL面板(OLED)等设备(电子设备)正在进行薄型化、轻量化，这些设备中使用的玻璃基板也正在进行薄板化。因薄板化而玻璃基板的强度不足时，在设备的制造工序中，玻璃基板的处理性降低。

最近，为了应对上述问题，提出了如下的方法：准备层叠有薄板玻璃基板和加强板的玻璃层叠体，在玻璃层叠体的薄板玻璃基板上形成显示装置等电子设备用构件，然后，从薄板玻璃基板将支撑板分离(例如，参照专利文献1)。加强板具有支撑板和固定在该支撑板上的有机硅树脂层，有机硅树脂层和薄板玻璃基板可剥离地密合。玻璃层叠体的有机硅树脂层与薄板玻璃基板的界面发生剥离而从薄板玻璃基板分离的加强板可以与新的薄板玻璃基板层叠，作为玻璃层叠体再利用。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2007/018028号

发明内容

发明要解决的问题

关于专利文献1记载的玻璃层叠体，近年来开始要求更高的耐热性。随着在玻璃层叠体的玻璃基板上形成的电子设备用构件的高功能化、复杂化，形成电子设备用构件时的温度变得更高的同时，暴露在该高温下的时间也需要较长的情况很多。

专利文献1中记载的玻璃层叠体能够耐受大气中300℃、1小时的处理。但是，根据本发明人等的研究，对专利文献1中记载的玻璃层叠体进行了450℃、1小时的处理的情况下，欲将玻璃基板和支撑基板分离时，存在如下的情况：玻璃基板不从有机硅树脂层表面剥离，欲强行剥离时，玻璃基板的一部分被破坏，其结果，导致电子设备的生产率降低。

另外，专利文献1中记载的玻璃层叠体中的有机硅树脂层在450℃下在短时间内发生分解，产生大量的排气。这样的排气的产生会污染形成于玻璃基板上的电子设备用构件，其结果，会导致电子设备的生产率降低。

本发明是鉴于上述课题而做出的发明，其目的在于，提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。

用于解决问题的方案

本发明人等为了解决上述问题进行了潜心研究，从而完成了本发明。

即，本发明为一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，有机硅树脂层中的有机硅树脂具有后述的T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为80/20～20/80，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度与有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度不同。

本发明中，优选的是，有机硅树脂还具有后述的Q表示的有机硅氧烷基单元。

本发明中，优选的是，有机硅树脂为固化性有机聚硅氧烷的固化物，该固化性有机聚硅氧烷为以如下的比例包含后述的T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的有机聚硅氧烷：以单元的个数的比例(摩尔量)计，T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80(其中，满足T1+T2+T3＝100的关系)。

本发明中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷的数均分子量为500～2000。

本发明中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷的质均分子量/数均分子量为1.00～2.00。

本发明中，优选的是，利用动态光散射法测得的固化性有机聚硅氧烷的粒径为0.5～100nm。

本发明中，优选的是，固化性有机聚硅氧烷为通过使苯基三氯硅烷及甲基三氯硅烷水解而得到的有机聚硅氧烷。

本发明中，优选的是，有机硅树脂层的厚度为0.1～30μm。

本发明中，优选的是，支撑基材为玻璃板。

本发明中，优选的是，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度低。以下，也将该实施方式的本发明称为第1实施方式。

另外，本发明中，优选的是，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度高。以下，也将该实施方式的本发明称为第2实施方式。

发明的效果

根据本发明，能够提供即使在高温加热处理之后也能够容易地将玻璃基板剥离、还能够抑制有机硅树脂层的分解的玻璃层叠体。

附图说明

图1是本发明的玻璃层叠体的第1实施方式的截面示意图。

图2是按照工序顺序表示本发明的带构件玻璃基板的制造方法的一个实施方式的截面示意图。

图3是本发明的玻璃层叠体的第2实施方式的截面示意图。

具体实施方式

以下，参照附图对用于实施本发明的方式进行说明，但本发明并不限定于以下的实施方式，可以在不脱离本发明的范围的情况下对以下的实施方式进行各种变形及置换。

作为本发明的玻璃层叠体的特征点，可以列举出：有机硅树脂层中的有机硅树脂包含规定量的后述的T3表示的有机硅氧烷基单元，并且，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为规定的范围。更具体而言，有机硅树脂通过包含规定量的T3表示的有机硅氧烷基单元，有机硅树脂层的耐热性提高。

另外，本发明人等对高温加热处理之后的玻璃层叠体中玻璃基板和支撑基板不易分离的理由进行了研究，结果发现是由于有机硅树脂层表面上包含的官能团产生的影响。例如，在有机硅树脂层表面包含Si-Me基时，该基团在250℃以上的高温加热处理之后比较容易变成Si-OH基。因此，有机硅树脂层中包含的Si-Me基的量过多时，在高温加热处理之后，在有机硅树脂层表面出现较多的Si-OH基，与邻接的基板(例如玻璃基板)的结合力增加，其结果，有机硅树脂层和与该有机硅树脂层邻接的基板不易发生剥离。另一方面，Si-Ph基比较难以变换为Si-OH基。但是，Si-Ph基过多时，由于取代基的位阻，固化性有机聚硅氧烷难以充分交联固化，有机硅树脂层的交联度降低。因此，有机硅树脂层的机械强度降低、或者在有机硅树脂层的表面残留来源于有机聚硅氧烷的未反应Si-OH基，其结果，玻璃基板的剥离性变差。本发明人基于上述见解，通过调节上述摩尔比((A-1)/(B-1))而发现了即使在高温加热处理之后玻璃基板也容易剥离的有机硅树脂层的组成。

本发明的特征还在于，玻璃层叠体中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度与有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度不同。例如，在第1实施方式中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度低，有机硅树脂层和玻璃基板的层剥离，分离为有机硅树脂层与支撑基材的层叠体、和玻璃基板。另外，在第2实施方式中，有机硅树脂层相对于玻璃基板的层的界面的剥离强度比有机硅树脂层相对于支撑基材的层的界面的剥离强度高，有机硅树脂层和支撑基材的层剥离，分离为玻璃基板与有机硅树脂层的层叠体、和支撑基材。

以下，分为第1实施方式及第2实施方式进行说明。

＜第1实施方式＞

图1为本发明的玻璃层叠体的第1实施方式的截面示意图。

如图1所示，玻璃层叠体10为具有支撑基材12的层和玻璃基板16的层和存在于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。有机硅树脂层14的一面与支撑基材12的层相接的同时，其另一面与玻璃基板16的第1主面16a相接。

由支撑基材12的层及有机硅树脂层14形成的2层部分在制造液晶面板等电子设备用构件的构件形成工序中加强玻璃基板16。需要说明的是，将为了制造玻璃层叠体10而预先制造的由支撑基材12的层及有机硅树脂层14形成的2层部分称为带树脂层的支撑基材18。

使用该玻璃层叠体10直至后述的构件形成工序为止。即，使用该玻璃层叠体10直至在所述玻璃基板16的第2主面16b表面上形成液晶显示装置等电子设备用构件为止。其后，形成有电子设备用构件的玻璃层叠体被分离为支撑基材12和带构件的玻璃基板，带树脂层的支撑基材18并非构成电子设备的部分。带树脂层的支撑基材18可以与新的玻璃基板16层叠而作为新的玻璃层叠体10进行再利用。

支撑基材12和有机硅树脂层14的界面具有剥离强度(x)，对支撑基材12和有机硅树脂层14的界面施加超过剥离强度(x)的剥离方向的应力时，支撑基材12和有机硅树脂层14的界面发生剥离。有机硅树脂层14和玻璃基板16的界面具有剥离强度(y)，对有机硅树脂层14和玻璃基板16的界面施加超过剥离强度(y)的剥离方向的应力时，有机硅树脂层14和玻璃基板16的界面发生剥离。

玻璃层叠体10中，上述剥离强度(x)比上述剥离强度(y)高。因此，对玻璃层叠体10施加将支撑基材12和玻璃基板16剥离的方向的应力时，玻璃层叠体10在有机硅树脂层14和玻璃基板16的界面剥离，分离为玻璃基板16和带树脂层的支撑基材18。

剥离强度(x)优选与剥离强度(y)相比足够高。提高剥离强度(x)是指，提高第1有机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，并且，在加热处理之后也能够维持与对玻璃基板16相比相对较高的附着力。

为了提高有机硅树脂层14对支撑基材12的附着力，优选使后述的固化性有机聚硅氧烷在支撑基材12上交联固化而形成有机硅树脂层。利用交联固化时的粘接力，能够形成以高结合力与支撑基材12结合的有机硅树脂层14。

另一方面，交联固化后的有机硅树脂对玻璃基板16的结合力通常比上述交联固化时产生的结合力低。因此，通过在支撑基材12上形成有机硅树脂层14、并在其后在有机硅树脂层14的面上层叠玻璃基板16，能够制造玻璃层叠体10。

以下，首先，对构成玻璃层叠体10的各层(支撑基材12、玻璃基板16、有机硅树脂层14)进行详细说明，然后，对玻璃层叠体的制造方法进行详细说明。

[支撑基材]

支撑基材12支撑并加强玻璃基板16，用于防止在后述的构件形成工序(制造电子设备用构件的工序)中制造电子设备用构件时玻璃基板16的变形、损伤、破损等。

作为支撑基材12，使用例如玻璃板、塑料板、SUS板等金属板等。由于构件形成工序通常会伴随热处理，因此，支撑基材12优选由与玻璃基板16的线膨胀系数之差小的材料形成，更优选由与玻璃基板16相同的材料形成，支撑基材12优选为玻璃板。支撑基材12特别优选为由与玻璃基板16相同的玻璃材料形成的玻璃板。

需要说明的是，如后所述，支撑基材12也可以为由2种以上的层形成的层叠体。

支撑基材12的厚度可以比玻璃基板16厚、也可以比其薄。优选基于玻璃基板16的厚度、有机硅树脂层14的厚度、及玻璃层叠体10的厚度来选择支撑基材12的厚度。例如，现行的构件形成工序为以对厚度0.5mm的基板进行处理的方式而设计的工序，且玻璃基板16的厚度与有机硅树脂层14的厚度之和为0.1mm时，将支撑基材12的厚度设定为0.4mm。支撑基材12的厚度在通常情况下优选为0.2～5.0mm。

支撑基材12为玻璃板的情况下，出于易处理、不易破裂等理由，玻璃板的厚度优选为0.08mm以上。另外，出于在形成电子设备用构件之后进行剥离时期望可适度弯曲而不会破裂的刚性的理由，玻璃板的厚度优选为1.0mm以下。

支撑基材12和玻璃基板16在25～300℃下的平均线膨胀系数之差优选为500×10^-7/℃以下、更优选为300×10^-7/℃以下、进一步优选为200×10^-7/℃以下。差过大时，可能会发生下述情况：在构件形成工序中的加热冷却时，玻璃层叠体10剧烈翘曲、或者支撑基材12和玻璃基板16发生剥离。支撑基材12的材料与玻璃基板16的材料相同时，能够抑制这样的问题产生。

[玻璃基板]

玻璃基板16的第1主面16a与有机硅树脂层14相接，在与有机硅树脂层14侧处于相反侧的第2主面16b设置有电子设备用构件。

玻璃基板16的种类可以为一般的种类，例如可以列举出LCD、OLED这样的显示装置用的玻璃基板等。玻璃基板16的耐化学药品性、耐透湿性优异，并且热收缩率低。作为热收缩率的指标，使用JIS R 3102(1995年修订)规定的线膨胀系数。

玻璃基板16的线膨胀系数大时，由于构件形成工序多伴随加热处理，因此容易产生各种不良情况。例如，在玻璃基板16上形成TFT时，如果将在加热下形成有TFT的玻璃基板16冷却，则存在因玻璃基板16的热收缩而导致TFT的位置偏移过大的担心。

玻璃基板16是使玻璃原料熔融并将熔融玻璃成形为板状而得到的。这样的成形方法可以为一般的方法，例如使用浮法、熔融法、狭缝下拉法、垂直引上法、Lubbers法等。另外，厚度特别薄的玻璃基板16可以通过将暂时成形为板状的玻璃加热至能成形的温度，并通过拉伸等手段延伸而变薄的方法(平拉(redraw)法)进行成形而得到。

玻璃基板16的玻璃的种类没有特别限定，优选无碱硼硅酸玻璃、硼硅酸玻璃、钠钙玻璃、高硅氧玻璃、其它以氧化硅为主要成分的氧化物系玻璃。作为氧化物系玻璃，优选由氧化物换算而得到的氧化硅的含量为40～90质量％的玻璃。

作为玻璃基板16的玻璃，采用适合于电子设备用构件的种类、其制造工序的玻璃。例如，对于液晶面板用的玻璃基板而言，由于碱金属成分的溶出容易对液晶造成影响，因此玻璃基板由实质上不含碱金属成分的玻璃(无碱玻璃)形成(其中，通常包含碱土金属成分)。这样，玻璃基板16的玻璃可以根据所应用的设备的种类及其制造工序来适当选择。

从玻璃基板16的薄型化和/或轻量化的方面考虑，玻璃基板16的厚度优选为0.3mm以下、更优选为0.15mm以下。为0.3mm以下时，可以对玻璃基板16赋予良好的挠性。为0.15mm以下时，可以将玻璃基板16卷成卷状。

另外，出于玻璃基板16的制造容易、玻璃基板16的处理容易等理由，玻璃基板16的厚度优选为0.03mm以上。

需要说明的是，玻璃基板16可以由2层以上形成，该情况下，形成各层的材料可以是同种材料，也可以是不同种材料。另外，该情况下，“玻璃基板16的厚度”是指所有层的总厚度。

[有机硅树脂层]

有机硅树脂层14用于防止玻璃基板16的位置偏移直至进行将玻璃基板16和支撑基材12分离的操作为止，同时，用于防止玻璃基板16等因分离操作而破损。有机硅树脂层14的与玻璃基板16相接的表面14a与玻璃基板16的第1主面16a密合。有机硅树脂层14以弱的结合力与玻璃基板16的第1主面16a结合，其界面的剥离强度(y)比有机硅树脂层14与支撑基材12之间的界面的剥离强度(x)低。有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的结合力在于玻璃层叠体10的玻璃基板16的面(第2主面16b)上形成电子设备用构件的前后可以变化。但是，优选的是，即使是在形成电子设备用构件之后，剥离强度(y)也比剥离强度(x)低。

认为有机硅树脂层14与玻璃基板16的层以弱的粘接力、由范德华力产生的结合力结合。在形成有机硅树脂层14之后在其表面层叠玻璃基板16的情况下，有机硅树脂层14的有机硅树脂充分交联为不表现出粘接力的程度的情况被认为是以由范德华力产生的结合力结合。但是，有机硅树脂层14的有机硅树脂多数情况下具有一定程度的弱的粘接力。认为即使在粘接性极低的情况下，在制造玻璃层叠体10之后在该玻璃层叠体10上形成电子设备用构件时，通过加热操作等，有机硅树脂层14的有机硅树脂与玻璃基板16表面粘接，有机硅树脂层14与玻璃基板16的层之间的结合力升高。

根据情况的不同，也可以对层叠前的有机硅树脂层14的表面、层叠前的玻璃基板16的第1主面16a进行使两者间的结合力减弱的处理后层叠。通过对要层叠的面进行非粘接性处理等并在其后进行层叠，能够减弱有机硅树脂层14与玻璃基板16的层的界面的结合力，降低剥离强度(y)。

有机硅树脂层14以粘接力、粘合力等强的结合力结合在支撑基材12表面，作为提高两者的密合性的方法，可以采用公知的方法。例如，如后所述，通过在支撑基材12表面上形成有机硅树脂层14(更具体而言，使规定的能形成有机硅树脂的固化性有机聚硅氧烷在支撑基材12上交联固化)，能够使有机硅树脂层14中的有机硅树脂粘接于支撑基材12表面，获得高的结合力。另外，可以实施使支撑基材12表面与有机硅树脂层14之间产生强的结合力的处理(例如使用偶联剂的处理)来提高支撑基材12表面与有机硅树脂层14之间的结合力。

有机硅树脂层14与支撑基材12的层以高的结合力结合意味着两者的界面的剥离强度(x)高。

有机硅树脂层14的厚度没有特别限定，上限优选为30μm(即为30μm以下)、更优选为20μm、进一步优选为8μm。下限只要为能够剥离的厚度就没有特别限定，大多为0.1μm以上。有机硅树脂层14的厚度在这样的范围时，有机硅树脂层14不易产生裂纹，即使在有机硅树脂层14和玻璃基板16之间夹杂气泡、杂质，也能够抑制玻璃基板16产生变形缺陷。

上述厚度是指平均厚度，是利用接触式膜厚测定装置对5点以上的任意位置处的有机硅树脂层14的厚度进行测定，并对它们进行算术平均而得到的值。

有机硅树脂层14的玻璃基板16侧的表面的表面粗糙度Ra没有特别限定，从玻璃基板16的层叠性及剥离性更优异的方面出发，优选为0.1～20nm、更优选为0.1～10nm。

需要说明的是，作为表面粗糙度Ra的测定方法，按照JIS B 0601-2001来进行，对在任意5处以上的点测得的Ra进行算术平均而得到的值相当于上述表面粗糙度Ra。

需要说明的是，有机硅树脂层14也可以由2层以上形成。这种情况下，“有机硅树脂层14的厚度”是指所有有机硅树脂层的总厚度。

通常，涂布在基材上的固化性有机聚硅氧烷通过在常温～低于基材的热变形温度的温度条件下将材料中所含的溶剂干燥、去除之后进行加热从而热固化，形成有机硅树脂。在该热固化的过程中，固化性有机聚硅氧烷中所含的硅烷醇基(-Si-OH)之间发生脱水缩合反应而形成硅氧烷键(-Si-O-Si-)，进行交联的同时发生固化，形成有机硅树脂。在升温过程中，由于因溶剂的蒸发而产生的毛细管力和在膜中进行的脱水缩合反应，凝胶膜致密化，膜的体积减少率达到几十％。凝胶膜不是完全弹性体，但将其看作近似为弹性体时，在因基材而被束缚在面内方向的状态下膜发生收缩时，变形在膜的面内方向累积。其结果，在膜的面内方向产生拉伸应力(以下也称为“收缩应力”)。

本发明中的有机硅树脂层的收缩应力是指：使用在周围温度25℃下利用薄膜应力测定装置测得的该有机硅树脂层形成前后的硅晶圆的曲率半径的值和该有机硅树脂层的膜厚的值，利用下式(1)表示的式子算出的有机硅树脂层的沿面内方向作用的拉伸应力值。需要说明的是，测定步骤将在实施例中详细说明。

$\mathrm{\σ}=\frac{E\·h^2}{(1-v)\·6\·R\·t}...\left(1\right)$

式中，E/(1-ν)为硅晶圆的双轴弹性系数(晶面(100)：1.805×10¹¹Pa)，h为硅晶圆的厚度[m]，t为有机硅树脂层的厚度[m]，R为形成有机硅树脂层之前的硅晶圆的曲率半径与形成有机硅树脂层之后的硅晶圆的曲率半径之差[m]。

其中，形成有机硅树脂层的前后的硅晶圆的曲率半径之差R由硅晶圆的厚度h、硅晶圆的弹性模量E、硅晶圆的泊松比ν、膜厚t、拉伸应力σ决定。在硅晶圆的单面形成的膜的面内方向产生拉伸应力σ时，由上述式(1)可知，在膜的面内方向产生的应力σ越大，上述曲率半径之差R越大、即硅晶圆的翘曲越大。

因此，只要求出形成有机硅树脂层的前后的硅晶圆的曲率半径R和有机硅树脂层的膜厚t，就能求出有机硅树脂层的收缩应力。需要说明的是，曲率半径R可以如下求出：在单晶硅晶圆的单面形成有机硅树脂层，使用薄膜应力测定装置，用激光对形成有有机硅树脂层的硅晶圆表面上进行扫描，从反射光的方向读取R，从而求出。

有机硅树脂层14的收缩应力的大小没有特别限定，从能够防止在使固化性有机聚硅氧烷交联固化而形成有机硅树脂层14的工艺后进行冷却的过程中产生裂纹、能够进一步抑制制得的玻璃层叠体10的翘曲的方面考虑，优选为50MPa以下、更优选为45MPa以下。下限没有特别限定，通常多为15MPa以上。

有机硅树脂层14由包含规定的有机硅氧烷基单元的有机硅树脂形成。另外，有机硅树脂通常是使能通过固化处理而形成该有机硅树脂的固化性有机聚硅氧烷交联固化而得到的。

本发明的固化性有机聚硅氧烷为使作为单体的水解性有机硅烷化合物的混合物(单体混合物)发生部分水解缩合反应而得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。另外，部分水解缩合物也可以含有未反应的单体。

为了使固化性有机聚硅氧烷交联固化，通常通过加热来促进交联反应从而使其固化(即，热固化)。通过使固化性有机聚硅氧烷热固化，可得到有机硅树脂。其中，也存在固化并非必须要进行加热的情况，也可以使其室温固化。

一般的有机硅树脂(有机聚硅氧烷)由被称为M单元的1官能有机硅氧烷基单元、被称为D单元的2官能有机硅氧烷基单元、被称为T单元的3官能有机硅氧烷基单元、被称为Q单元的4官能有机硅氧烷基单元构成。需要说明的是，Q单元是不具有键合于硅原子的有机基团(具有键合于硅原子的碳原子的有机基团)的单元，但本发明中将其视为有机硅氧烷基单元(含硅键单元)。以下将形成T单元的单体称为T单体。形成M单元、D单元、Q单元的单体也同样地称为M单体、D单体、Q单体。

有机硅氧烷基单元中，硅氧烷键为2个硅原子通过1个氧原子键合的键，因此，硅氧烷键中的1个硅原子对应的氧原子视为1/2个，式中表示为O_1/2。更具体而言，例如，在1个D单元中，其1个硅原子与2个氧原子键合，各氧原子与其它单元的硅原子键合，因此，其式为-O_1/2-(R)₂Si-O_1/2-。由于存在2个O_1/2，D单元通常表示为(R)₂SiO_2/2。

需要说明的是，在以下的说明中，与其它硅原子键合的氧原子O^＊为将2个硅原子间键合的氧原子，是指Si-O-Si表示的键中的氧原子。因此，在2个有机硅氧烷基单元的硅原子间存在1个O^＊。

一般而言，T单元是指R-SiO_3/2(R表示氢原子或有机基团)表示的有机硅氧烷基单元。即，T单元是具有1个硅原子、具有键合于该硅原子的1个氢原子或1价有机基团和3个键合于其它硅原子的氧原子O^＊的单元。

但是，在本说明书中，代替键合于其它硅原子的氧原子O^＊的一部分或全部而具有能键合于其它硅原子的官能团的情况也视为T单元。能键合于其它硅原子的官能团为羟基或通过水解而变为羟基的基团(以下称为水解性基团)。更具体而言，在本说明书中，T单元中，键合于其它硅原子的氧原子O^＊和能键合于其它硅原子的官能团的总和为3个，根据键合于其它硅原子的氧原子O^＊和能键合于其它硅原子的官能团的数目的差异，T单元分为被称作T1单元、T2单元、T3单元的3种单元。T1单元中键合于其它硅原子的氧原子O^＊数为1个、T2单元中所述氧原子O^＊数为2个、T3单元中所述氧原子O^＊数为3个。需要说明的是，在本说明书中，将能键合于其它硅原子的1价官能团用Z表示。

单体(水解性有机硅烷化合物)通常用(R’-)_aSi(-Z)_4-a表示。其中，a表示0～3的整数、R’表示氢原子或1价有机基团、Z表示羟基或水解性基团。该化学式中，a＝3的化合物为M单体、a＝2的化合物为D单体、a＝1的化合物为T单体、a＝0的化合物为Q单体。单体中，Z基团通常为水解性基团。另外，存在2或3个R’时(a为2或3时)，多个R’可以不同。

作为部分水解缩合物的固化性有机聚硅氧烷是通过将单体的Z基团的一部分变换为氧原子O^＊的反应而得到的。单体的Z基团为水解性基团的情况下，Z基团通过水解反应而变换为羟基，然后，通过键合于不同的硅原子的2个羟基之间的脱水缩合反应，2个硅原子通过氧原子O^＊键合。固化性有机聚硅氧烷中残留羟基(或未水解的Z基团)，在固化性有机聚硅氧烷的固化时，这些羟基、Z基团与上述同样地反应而固化。固化性有机聚硅氧烷的固化物通常形成3维交联的聚合物(有机硅树脂)。认为在固化时，固化性有机聚硅氧烷的Z基团变换为O^＊，但会残留一部分Z基团(特别是羟基)，形成具有羟基的固化物。使固化性有机聚硅氧烷在高温下固化时，有时也形成几乎不残留羟基的固化物。

单体的Z基团为水解性基团时，作为该Z基团，可以列举出：烷氧基、氯原子、酰氧基、异氰酸酯基等。多数情况下，作为单体，使用Z基团为烷氧基的单体。烷氧基与氯原子等相比，为反应性较低的水解性基团，在使用Z基团为烷氧基的单体而得到的固化性有机聚硅氧烷中，作为Z基团存在羟基和未反应的烷氧基的情况较多。单体的Z基团为反应性较高的水解性基团(例如氯原子)的情况下，使用该单体而得到的固化性有机聚硅氧烷中的Z基团几乎都变为羟基。因此，对于通常的固化性有机聚硅氧烷而言，构成其的各单元中的Z基团由羟基构成或由羟基和烷氧基构成的情况较多。

(有机硅树脂)

构成有机硅树脂层14的有机硅树脂具有T3表示的有机硅氧烷基单元(以下也简称为T3单元)，相对于全部有机硅氧烷基单元，T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，从得到的有机硅树脂层14的耐热性优异、玻璃基板16的剥离更容易进行的方面考虑，优选为82～100摩尔％、更优选为85～100摩尔％。即，有机硅树脂包含T3表示的有机硅氧烷基单元作为主成分。

T3：R-SiO_3/2

式中，R表示苯基或甲基。

需要说明的是，T3表示的有机硅氧烷基单元相当于上述T单元的一种。有机硅树脂除了T3表示的有机硅氧烷基单元以外还可以包含其它单元，作为其它单元，可以列举出M单元、D单元、T1单元、T2单元、及Q单元。

其中，从剥离时不发生有机硅树脂层14的内聚破坏、有机硅树脂层14的机械强度优异、玻璃基板16的剥离性更优异的方面考虑，优选包含下述Q表示的有机硅氧烷基单元(所谓的Q单元)。Q单元的含量没有特别限定，相对于全部有机硅氧烷基单元，优选为1摩尔％以上、更优选为5摩尔％以上。上限没有特别限定，从存在因交联度增加而有机硅树脂层14的脆性降低、有机硅树脂层14在剥离时发生内聚破坏的担心的方面、以及存在发生因伴随固化收缩的收缩应力的增大而导致的玻璃复合体的翘曲的担心的方面考虑，优选为20摩尔％以下。

Q：SiO_4/2

需要说明的是，上述全部有机硅氧烷基单元是指有机硅树脂中所含的M单元、D单元、T单元、及Q单元的总和。M单元、D单元、T单元(T1～T3单元)、Q单元的数目(摩尔量)的比例可以由基于²⁹Si-NMR获得的峰面积比的值计算出。

对于有机硅树脂层14中的有机硅树脂，T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为80/20～20/80(需要说明的是，满足(A-1)+(B-1)＝100的关系)。其中，从能够更容易地将玻璃基板剥离的方面考虑，摩尔比((A-1)/(B-1))优选为75/25～20/80、更优选为70/30～20/80。

R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)是指以下P-T3表示的有机硅氧烷基单元。Ph表示苯基。

P-T3：Ph-SiO_3/2

另外，R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)是指以下M-T3表示的有机硅氧烷基单元。

M-T3：Me-SiO_3/2

上述有机硅树脂可以使用公知的材料制造。

作为如上所述通过固化处理能形成上述有机硅树脂的固化性有机聚硅氧烷，使用例如使作为单体的水解性有机硅烷化合物的混合物发生部分水解缩合反应而得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。作为该单体，更具体而言，使用(Me-)Si(-Z)₃表示的水解性有机硅烷化合物和(Ph-)Si(-Z)₃表示的水解性有机硅烷化合物。需要说明的是，Z基团表示羟基或水解性基团，例如，作为水解性基团，可以列举出氯原子等卤素原子、烷氧基、酰基、氨基、烷氧基烷氧基等。

需要说明的是，水解缩合反应是由T单体生成T1单元、由T1单元生成T2单元、由T2单元生成T3单元的反应。认为由水解性基团的1个以上变换为羟基的T单体生成T1单元的缩合反应、由T1单元生成T2单元的缩合反应、由T2单元生成T3单元的缩合反应的反应速度依次变慢。认为，即使考虑水解性基团的水解反应，随着反应进行，各单元的存在量的峰也从T单体逐渐向T3单元移动。认为反应条件比较温和的情况下存在量的峰的移动较为有条不紊地进行。

作为能形成上述有机硅树脂的固化性有机聚硅氧烷，如上所述，从反应的控制、处理等方面考虑，使用由水解性有机硅烷化合物的混合物得到的部分水解缩合物(有机聚硅氧烷)。部分水解缩合物是使将水解性有机硅烷化合物以成为上述各有机硅氧烷基单元的比例的方式混合而得到的单体混合物部分水解缩合而得到的。进行部分水解缩合的方法没有特别限定。通常，使水解性有机硅烷化合物的混合物在溶剂中、催化剂存在下反应来制造。作为催化剂，可以使用酸催化剂、碱催化剂。另外，水解反应通常优选使用水。本发明中使用的部分水解缩合物优选为在溶剂中使水解性有机硅烷化合物的混合物在酸或碱水溶液的存在下反应而制得的物质。

作为所使用的水解性有机硅烷化合物，可以列举出上述(Me-)Si(-Z)₃表示的水解性有机硅烷化合物、和(Ph-)Si(-Z)₃表示的水解性有机硅烷化合物，其中，从得到的固化性有机聚硅氧烷的处理性优异、耐热性高、能更容易地将玻璃基板16剥离的方面考虑，优选使用苯基三氯硅烷(下述式(1)表示的化合物)及甲基三氯硅烷(下述式(2)表示的化合物)。需要说明的是，式(1)中的Ph表示苯基。

需要说明的是，如后所述，在形成固化性有机聚硅氧烷的层时，使用包含固化性有机聚硅氧烷的组合物，但从进一步提高固化性有机聚硅氧烷在组合物中的稳定性的方面考虑，也可以将固化有机硅的末端封端(cap)化。更具体而言，可以使固化性有机聚硅氧烷中的末端Si-OH在酸催化剂存在下(例如乙酸存在下)与醇反应，将水去除，同时将Si-OH保护封端。例如，使用甲醇时，形成Si-OMe基。需要说明的是，所使用的醇的种类没有特别限定，可以列举出甲醇、乙醇、1-丙醇、1-丁醇等低沸点醇。其中，从与Si-OH基的反应性、固化性有机聚硅氧烷的溶解性良好的方面考虑，优选甲醇、乙醇。

(固化性有机聚硅氧烷的优选方式)

作为上述固化性有机聚硅氧烷的优选方式之一，可以列举出如下的有机聚硅氧烷(以下也称为有机聚硅氧烷X)：具有下述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元中的至少任一种，相对于全部有机硅氧烷基单元，下述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，下述T1～T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-2)与下述T1～T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-2)的摩尔比((A-2)/(B-2))为80/20～20/80。为该有机聚硅氧烷时，能够容易地得到期望的有机硅树脂。

T1：R-Si(-OX)₂O_1/2

T2：R-Si(-OX)O_2/2

T3：R-SiO_3/2

需要说明的是，式中，R表示苯基或甲基。X表示氢原子或碳数1～6的烷基。

上述式中的R不限定于1种，T1、T2、T3中的R可以分别不同。

另外，-OX在T1单元及T2单元之间可以相同也可以不同。T1单元中的2个-OX也可以不同，例如，可以一个为羟基而另一个为烷氧基。另外，2个-OX均为烷氧基时，这些烷氧基可以为不同的烷氧基。

以下将不具有将2个硅原子键合的氧原子(O^＊)、仅具有3个-OX的T单元称为T0。T0实际上相当于未反应的T单体，并不是有机硅氧烷基单元(含硅键单元)。该T0在T1～T3单元的解析中与T1～T3同样地测定。

有机聚硅氧烷X中的T1～T3单元可以通过核磁共振分析(²⁹Si-NMR)测定硅原子的键合状态来解析。T0～T3单元的数目(摩尔量)的比由²⁹Si-NMR的峰面积比求出。

需要说明的是，有机聚硅氧烷X的质均分子量Mw、数均分子量Mn及分散度Mw/Mn是指利用凝胶渗透色谱法，以聚苯乙烯作为标准物质进行测定而得到的值。这样的有机聚硅氧烷X的特性并不是指1个分子的特性，而是作为各分子的平均特性求出的特性。

有机聚硅氧烷X中的上述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率如上所述，相对于全部有机硅氧烷基单元，优选为80～100摩尔％，从得到的有机硅树脂层14的耐热性优异、玻璃基板16的剥离更容易进行的方面考虑，优选为82～100摩尔％、更优选为85～100摩尔％。

需要说明的是，在有机聚硅氧烷X中，从处理性方面考虑，优选至少包含上述T3单元，更优选至少包含上述T2单元及T3单元。经过各方研究的结果发现，Ph基(苯基)变多时，T1单元的比例变多。T1单元变多时，有机硅树脂层制作过程中的固化时，收缩应力变大，因此T1单元较少时，能够降低收缩应力，故而更优选。

另外，有机聚硅氧烷X除了上述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元以外还可以包含其它单元，作为其它单元，可以列举出M单元、D单元、及Q单元。

作为T体的固化性有机聚硅氧烷，通常已知聚苯基聚硅氧烷、聚甲基聚硅氧烷等，硅烷醇末端聚苯基聚硅氧烷是在使PhSiCl₃水解时以分子量数百～数千左右的低聚物的形式得到的。使用该低聚物制作厚度0.1mm以上的固化物时，因非常脆弱而无法耐受使用。但是，其形成耐热性优异的有机硅树脂。

另一方面，硅原子上的取代基为甲基等脂肪族烃基时，提供硅烷醇末端的RSiZ₃型的单体的反应性高，得到的水解-缩合物的分子量几乎都为1万以上。因此，在溶剂中的溶解性差，为了使该缩合物溶解，需要大量的溶剂，虽然能够得到涂布用途等的薄膜，但由于会产生裂纹等而难以得到具有一定程度厚度的固化物。

因此，优选使用兼顾了耐热性和反应性、提高了溶解性的上述固化性有机聚硅氧烷X。

固化性有机聚硅氧烷X中，优选T1～T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-2)与T1～T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-2)的摩尔比((A-2)/(B-2))为80/20～20/80(需要说明的是，满足(A-2)+(B-2)＝100的关系)。其中，从该固化性有机聚硅氧烷的溶解性优异、能够制备对清洗过的玻璃基板具有适度的表面张力的(即涂布性良好的)涂覆液、能够降低固化时的收缩应力的方面考虑，摩尔比((A-2)/(B-2))优选为75/25～20/80、更优选为70/30～20/80。

R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-2)是指包括R为苯基的T1单元(以下的P-T1)、R为苯基的T2单元(以下的P-T2)、及R为苯基的T3单元(以下的P-T3)的概念。在下式P-T1～P-T3中，Ph表示苯基。

P-T1：Ph-Si(-OX)₂O_1/2

P-T2：Ph-Si(-OX)O_2/2

P-T3：Ph-SiO_3/2

因此，上述有机硅氧烷基单元(A-2)的含量是指上述P-T1表示的单元的含量、上述P-T2表示的单元的含量、及上述P-T3表示的单元的含量的总量。

另外，R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-2)是指包括R为甲基的T1单元(以下的M-T1)、R为甲基的T2单元(以下的M-T2)、及R为甲基的T3单元(以下的M-T3)的概念。在下式M-T1～M-T3中，Me表示甲基。

M-T1：Me-Si(-OX)₂O_1/2

M-T2：Me-Si(-OX)O_2/2

M-T3：Me-SiO_3/2

因此，上述有机硅氧烷基单元(B-2)的含量是指上述M-T1表示的单元的含量、上述M-T2表示的单元的含量、及上述M-T3表示的单元的含量的总量。

固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)优选以如下的比例包含上述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元：以单元的个数的比例(摩尔量)计，T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80(其中，满足T1+T2+T3＝100的关系。)。为上述范围时，能够更容易地将玻璃基板16剥离。上述T1：T2：T3的比换而言之为：T1单元的比率为0～5摩尔％、T2单元的比率为20～50摩尔％、T3单元的比率为50～80摩尔％。

从能够容易地将玻璃基板16剥离、能使玻璃层叠体10的翘曲小的方面考虑，优选的是，固化性有机聚硅氧烷X中的(A-2)单元与(B-2)单元的比((A-2)/(B-2))为80/20～20/80、且以T1～T3单元的个数的比例(摩尔量)计T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80。

需要说明的是，使用固化性有机聚硅氧烷X形成有机硅树脂层时，根据固化条件的不同，有时T1～T3中的甲基、苯基会脱离而形成Q单元。

对于固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)的数均分子量，从固化性有机聚硅氧烷的溶解性优异、能够制作异物缺陷少的有机硅树脂层14、或能够更容易地将玻璃基板16剥离的方面考虑，其基于GPC(凝胶渗透色谱)测定得到的聚苯乙烯换算的数均分子量优选为500～2000、更优选为600～2000、进一步优选为800～1800。

另外，对于固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)的质均分子量/数均分子量，从固化性有机聚硅氧烷的溶解性优异、能够制造异物缺陷少的有机硅树脂层14、或能够更容易地将玻璃基板16剥离的方面考虑，优选为1.00～2.00、更优选为1.00～1.70、进一步优选为1.00～1.50。

固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)的分子量的调节可以通过控制反应条件来进行。例如，调节制造固化性低聚物时的溶剂量，提高水解性有机硅烷化合物的浓度时，得到高分子量物，降低浓度时，得到低分子量物。

固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)的形状没有特别限定，可以为粒状。即，在溶剂中添加固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)时，可以以微粒的形式存在。

这种情况下，利用动态光散射法测得的固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)的粒径没有特别限定，从能够制造异物缺陷少的该有机硅树脂层、或能够更容易地将玻璃基板16剥离的方面考虑，优选为0.5～100nm、更优选为0.5nm以上且小于40nm。

需要说明的是，作为上述动态光散射法的测定方法，以在PEGMEA溶液(丙二醇-1-单甲基醚-2-乙酸酯)中为20质量％的方式调配固化性有机聚硅氧烷(尤其是上述固化性有机聚硅氧烷X)制作样品，使用高浓度粒径分析仪(大塚电子株式会社制造、FPAR-1000)，求出直方图平均粒径(D50)，作为粒径。

上述有机硅树脂层14的制造方法没有特别限定，可以采用公知的方法。作为有机硅树脂层14的制造方法，优选的是，如后所述，在支撑基材12上形成会成为上述有机硅树脂的固化性有机聚硅氧烷的层，使该固化性有机聚硅氧烷交联固化，从而形成有机硅树脂层14。为了在支撑基材12上形成固化性有机聚硅氧烷的层，优选的是，使用使固化性有机聚硅氧烷溶解于溶剂而得到的溶液(包含固化性有机聚硅氧烷的组合物)，将该溶液涂布在支撑基材12上，形成溶液的层，然后，将溶剂去除，形成固化性有机聚硅氧烷的层。通过溶液浓度的调节等，能够控制固化性有机聚硅氧烷的层的厚度。其中，从处理性优异、有机硅树脂层14的膜厚的控制更容易的方面考虑，包含固化性有机聚硅氧烷的组合物中的固化性有机聚硅氧烷的含量相对于组合物总质量，优选为1～100质量％、更优选为1～50质量％。

作为溶剂，只要是在作业环境下能够使固化性有机聚硅氧烷容易地溶解、且能够容易地挥发去除的溶剂，就没有特别限定。具体可以例示出例如：乙酸丁酯、2-庚酮、1-甲氧基-2-丙醇乙酸酯等。

另外，从能够进一步提高固化性有机聚硅氧烷在组合物中的稳定性的方面考虑，优选控制组合物中的pH。已知通常硅烷醇基能够稳定存在的pH具有一定范围，在中性附近，容易促进凝胶化，在酸性侧(pH2～4)或者碱性侧(pH11～14)更稳定地存在。从进一步提高固化性有机聚硅氧烷的稳定性、且作为固化性有机聚硅氧烷固化时的固化催化剂起作用的方面考虑，pH的控制优选使用酸。作为添加酸，可以列举出：盐酸、硫酸、硝酸、磷酸、亚硝酸、高氯酸、氨基磺酸等无机酸；甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、草酸、琥珀酸、马来酸、乳酸、对甲苯磺酸等有机酸，优选乙酸。相对于固化性有机聚硅氧烷组合物100质量份，酸的使用量优选为0.1～50质量份、特别优选为1～20质量份。

进而，从进一步提高固化性有机聚硅氧烷在组合物中的稳定性的方面考虑，也可以添加沸点比涂覆溶剂更高的醇。所使用的醇的种类没有特别限定，可以列举出：1-丁醇、1-甲氧基-2-丙醇、2-戊醇、3-甲基-1-丁醇、1-戊醇、双丙酮醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇等。其中，从固化性有机聚硅氧烷的溶解性良好的方面考虑，优选1-甲氧基-2-丙醇、双丙酮醇、2-(2-乙氧基乙氧基)乙醇。

另外，出于提高对基材的涂覆性的目的，也可以包含消泡剂、粘性调节剂，出于提高对基材的密合性的目的，还可以进一步含有密合性赋予剂等添加剂，出于提高涂覆性及得到的涂膜的平滑性的目的，也可以配混流平剂。对于这些添加剂的配混量，相对于固化性有机聚硅氧烷100质量份，优选各成分分别为0.01～2质量份的量。另外，在不损害本发明目的的范围内，也可以添加填料等。

需要说明的是，对于使用固化性有机聚硅氧烷来形成有机硅树脂层的步骤，将在后面详细说明。

[玻璃层叠体及其制造方法]

本发明的玻璃层叠体10如上所述，为具有支撑基材12、玻璃基板16和存在于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。

本发明的玻璃层叠体10的制造方法没有特别限定，为了得到剥离强度(x)比剥离强度(y)高的层叠体，优选在支撑基材12表面上形成有机硅树脂层14的方法。特别优选如下的方法：将固化性有机聚硅氧烷涂布在支撑基材12的表面，在支撑基材12表面上形成有机硅树脂层14，接着，在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16，从而制造玻璃层叠体10。

认为使固化性有机聚硅氧烷在支撑基材12表面固化时，通过固化反应时与支撑基材12表面的相互作用而粘接，有机硅树脂与支撑基材12表面的剥离强度变高。因此，即使玻璃基板16和支撑基材12由相同的材质形成，也能够使有机硅树脂层14与二者间的剥离强度存在差异。

以下，将在支撑基材12的表面形成固化性有机聚硅氧烷的层、在支撑基材12表面上形成有机硅树脂层14的工序称为树脂层形成工序，将在有机硅树脂层14的有机硅树脂面层叠玻璃基板16而形成玻璃层叠体10的工序称为层叠工序，对各工序的步骤进行详细说明。

(树脂层形成工序)

在树脂层形成工序中，在支撑基材12的表面形成固化性有机聚硅氧烷的层，在支撑基材12表面上形成有机硅树脂层14。

为了在支撑基材12上形成固化性有机聚硅氧烷的层，优选的是，使用使固化性有机聚硅氧烷溶解于溶剂而得到的涂布用组合物(相当于上述包含固化性有机聚硅氧烷的组合物)，将该组合物涂布在支撑基材12上形成溶液的层，接着实施固化处理，形成有机硅树脂层14。

在支撑基材12表面上涂布包含固化性有机聚硅氧烷的组合物的方法没有特别限定，可以使用公知的方法。例如可以列举出：喷涂法、模涂法、旋涂法、浸渍涂布法、辊涂法、棒涂法、丝网印刷法、凹版涂布法等。

接着，使支撑基材12上的固化性有机聚硅氧烷固化，形成有机硅树脂层14。更具体而言，如图2的(A)所示，在该工序中，在支撑基材12的至少一个表面上形成有机硅树脂层14。

固化的方法没有特别限定，通常通过热固化处理进行。

热固化的温度条件在提高有机硅树脂层14的耐热性、能够如上所述地控制与玻璃基板16层叠后的剥离强度(y)的范围内没有特别限定，优选为150～550℃、更优选为200～450℃。另外，加热时间通常优选为10～300分钟、更优选为20～120分钟。需要说明的是，加热条件也可以改变温度条件而分阶段实施。

通过设定为上述温度范围及加热时间的范围，能够控制T1单元、T2单元及T3单元、以及通过250℃以上的加热而容易生成的Q单元的生成比例。

需要说明的是，在热固化处理中，优选在进行预固化(precure)之后进行固化(主固化)而使固化性有机聚硅氧烷固化。通过进行预固化，能够得到耐热性优异的有机硅树脂层14。预固化优选紧接着溶剂的去除而进行，该情况下，从层中去除溶剂而形成交联物的层的工序和进行预固化的工序不作特别区分。溶剂的去除优选加热至100℃以上来进行，可以通过加热至150℃以上而紧接着进行预固化。溶剂的去除和进行预固化的温度及加热时间优选为100～420℃、5～60分钟，更优选为150～300℃、10～30分钟。为420℃以下时，能够得到容易剥离的有机硅树脂层。

(层叠工序)

层叠工序是如下的工序：在通过上述树脂层形成工序得到的有机硅树脂层14的有机硅树脂面上层叠玻璃基板16，得到依次具备支撑基材12的层、有机硅树脂层14和玻璃基板16的层的玻璃层叠体10。更具体而言，如图2的(B)所示，将有机硅树脂层14的与支撑基材12侧处于相反侧的表面14a和具有第1主面16a及第2主面16b的玻璃基板16的第1主面16a作为层叠面，将有机硅树脂层14和玻璃基板16层叠，得到玻璃层叠体10。

将玻璃基板16层叠在有机硅树脂层14上的方法没有特别限定，可以采用公知的方法。

例如可以列举出在常压环境下在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16的方法。需要说明的是，根据需要，也可以在有机硅树脂层14的表面上重叠玻璃基板16后，使用辊、压制机使玻璃基板16压接于有机硅树脂层14。通过利用辊或压制机进行压接，比较容易去除混入有机硅树脂层14和玻璃基板16的层之间的气泡，故而优选。

利用真空层压法、真空压制法进行压接时，能够抑制气泡混入、确保良好的密合，故而更优选。通过在真空下进行压接，即使残留有微小的气泡，气泡也不会因加热而长大，还具有不易导致玻璃基板16的变形缺陷的优点。

层叠玻璃基板16时，优选对与有机硅树脂层14接触的玻璃基板16的表面进行充分清洗，并在洁净度高的环境下层叠。洁净度越高，玻璃基板16的平坦性越好，故而优选。

需要说明的是，层叠玻璃基板16后，根据需要，也可以进行预退火处理(加热处理)。通过进行该预退火处理，层叠的玻璃基板16对有机硅树脂层14的密合性提高，能够获得适合的剥离强度(y)，在后述的构件形成工序时不易发生电子设备用构件的位置偏移等，电子设备的生产率提高。

预退火处理的条件可以根据所使用的有机硅树脂层14的种类适宜选择最适合的条件，从使玻璃基板16与有机硅树脂层14之间的剥离强度(y)更合适的方面考虑，优选在300℃以上(优选300～400℃)进行5分钟以上(优选5～30分钟)加热处理。

需要说明的是，使对玻璃基板16的第1主面的剥离强度和对支撑基材12的第1主面的剥离强度存在差异的有机硅树脂层14的形成并不限定于上述方法。

例如，使用对有机硅树脂层14表面的密合性比玻璃基板16高的材质的支撑基材12时，可以使上述固化性有机聚硅氧烷在任意剥离性表面上固化而制造有机硅树脂的薄膜，使该薄膜夹杂在玻璃基板16和支撑基材12之间，同时进行层叠。

另外，由固化性有机聚硅氧烷固化而带来的粘接性对玻璃基板16足够低且所述粘接性对支撑基材12足够高的情况下，可以在玻璃基板16和支撑基材12之间使交联物固化而形成有机硅树脂层14。

进而，即使是支撑基材12由与玻璃基板16同样的玻璃材料形成的情况，也可以实施提高支撑基材12表面的粘接性的处理而提高对有机硅树脂层14的剥离强度。例如，可以例示如下的方法：硅烷偶联剂之类的提高化学固定力的化学方法(底漆处理)、火焰(flame)处理之类的增加表面活性基团的物理方法、喷砂处理之类的通过增加表面粗糙度而增加附着的机械处理方法等。

(玻璃层叠体)

本发明的第1实施方式的玻璃层叠体10可以用于各种用途，例如可以列举出制造后述的显示装置用面板、PV、薄膜二次电池、在表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件的用途等。需要说明的是，该用途中，玻璃层叠体10常常暴露(例如1小时以上)在高温条件(例如450℃以上)下。

这里，显示装置用面板包括LCD、OLED、电子纸、等离子体显示器面板、场发射面板、量子点LED面板、MEMS(微电子机械***，Micro ElectroMechanical Systems)快门面板等。

＜第2实施方式＞

图3是本发明的玻璃层叠体的第2实施方式的示意截面图。

如图3所示，玻璃层叠体100是具有支撑基材12的层、玻璃基板16的层和存在于它们之间的有机硅树脂层14的层叠体。

图3所示的玻璃层叠体100与上述图1所示的玻璃层叠体10不同，有机硅树脂层14被固定在玻璃基板16上，带树脂层的玻璃基板20以带树脂层的玻璃基板20中的有机硅树脂层14直接与支撑基材12相接的方式可剥离地层叠(密合)在支撑基材12上。该固定与可剥离的密合在剥离强度(即，剥离所需的应力)方面存在差异，固定是指与密合相比剥离强度更高。即，在玻璃层叠体100中，有机硅树脂层14与玻璃基板16的界面的剥离强度比有机硅树脂层14与支撑基材12的界面的剥离强度高。

更具体而言，玻璃基板16与有机硅树脂层14的界面具有剥离强度(z)，在玻璃基板16与有机硅树脂层14的界面施加超过剥离强度(z)的剥离方向的应力时，玻璃基板16与第1有机硅树脂层14的界面剥离。有机硅树脂层14与支撑基材12的界面具有剥离强度(w)，对有机硅树脂层14与支撑基材12的界面施加超过剥离强度(w)的剥离方向的应力时，有机硅树脂层14与支撑基材12的界面剥离。

在玻璃层叠体100中，上述剥离强度(z)比上述剥离强度(w)高。因此，对玻璃层叠体100施加将支撑基材12与玻璃基板16剥离的方向的应力时，本发明的玻璃层叠体100在有机硅树脂层14与支撑基材12的界面剥离，分离为带树脂层的玻璃基板20与支撑基材12。

剥离强度(z)优选与剥离强度(w)相比足够高。提高剥离强度(z)是指，提高有机硅树脂层14对玻璃基板16的附着力，并且，在加热处理后也能维持与对支撑基材12的附着力相比相对较高的附着力。

为了提高有机硅树脂层14对玻璃基板16的附着力，优选使上述固化性有机聚硅氧烷在玻璃基板16上交联固化而形成有机硅树脂层14。利用交联固化时的粘接力，能够形成以高结合力与玻璃基板16结合的有机硅树脂层14。

另一方面，交联固化后的有机硅树脂对支撑基材12的结合力通常比上述交联固化时产生的结合力低。因此，通过在玻璃基板16上形成有机硅树脂层14，然后在有机硅树脂层14的表面层叠支撑基材12，能够制造玻璃层叠体100。

构成玻璃层叠体100的各层(支撑基材12、玻璃基板16、有机硅树脂层14)与上述构成玻璃层叠体10的各层含义相同，在这里省略说明。

其中，有机硅树脂层14的支撑基材12侧的表面的表面粗糙度Ra没有特别限定，从玻璃基板16的层叠性及剥离性更优异的方面考虑，优选为0.1～20nm、更优选为0.1～10nm。

需要说明的是，作为表面粗糙度Ra的测定方法，基于JIS B 0601-2001来进行，对在任意5处以上的点测得的Ra进行算术平均而得到的值相当于上述表面粗糙度Ra。

玻璃层叠体100的制造方法没有特别限定，在上述玻璃层叠体10的制造方法中，通过使用玻璃基板16代替支撑基材12、使用支撑基材12代替玻璃基板16，能够制造期望的玻璃层叠体100。更具体而言，在玻璃基板16上形成有机硅树脂层14，然后在有机硅树脂层14上层叠支撑基材12，能够制造玻璃层叠体100。

[带构件的玻璃基板及其制造方法]

本发明中，使用上述玻璃层叠体(玻璃层叠体10、或玻璃层叠体100)，能够制造电子设备。

以下，对使用上述玻璃层叠体10的方式进行详细说明。

通过使用玻璃层叠体10，可制造包含玻璃基板和电子设备用构件的带构件的玻璃基板(带电子设备用构件的玻璃基板)。

该带构件的玻璃基板的制造方法没有特别限定，从电子设备的生产率优异的方面考虑，优选如下的方法：在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子设备用构件，制造带电子设备用构件的层叠体，以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面或树脂层内部作为剥离面，由得到的带电子设备用构件的层叠体分离成带构件的玻璃基板和带树脂层的支撑基材。需要说明的是，更优选根据需要接着对带构件的玻璃基板的剥离面进行清洁化。

以下，将在上述玻璃层叠体中的玻璃基板上形成电子设备用构件而制造带电子设备用构件的层叠体的工序称为构件形成工序，将以有机硅树脂层的玻璃基板侧界面作为剥离面，由带电子设备用构件的层叠体分离为带构件的玻璃基板和带树脂层的支撑基材的工序称为分离工序，将对带构件的玻璃基板的剥离面进行清洁化的工序称为清洁化处理工序。需要说明的是，如上所述，清洁化处理工序是根据需要而实施的任选工序。

以下，对各工序中使用的材料及步骤进行详细说明。

(构件形成工序)

构件形成工序是在上述层叠工序中得到的玻璃层叠体10中的玻璃基板16上形成电子设备用构件的工序。更具体而言，如图2的(C)所示，在玻璃基板16的第2主面16b(露出表面)上形成电子设备用构件22，得到带电子设备用构件的层叠体24。

首先，对本工序中使用的电子设备用构件22进行详细说明，其后对工序的步骤进行详细说明。

(电子设备用构件(功能性元件))

电子设备用构件22形成在玻璃层叠体10中的玻璃基板16上，是构成电子设备的至少一部分的构件。更具体而言，作为电子设备用构件22，可以列举出在显示装置用面板、太阳能电池、薄膜二次电池、或表面形成有电路的半导体晶圆等电子部件等中使用的构件(例如显示装置用构件、太阳能电池用构件、薄膜二次电池用构件、电子部件用电路)。

例如，作为太阳能电池用构件，为硅型时，可以列举出正极的氧化锡等透明电极、用p层/i层/n层表示的硅层、及负极的金属等，另外，还可以列举出与化合物型、染料敏化型、量子点型等对应的各种构件等。

另外，作为薄膜二次电池用构件，为锂离子型时，可以列举出正极及负极的金属或金属氧化物等透明电极、电解质层的锂化合物、集电层的金属、作为密封层的树脂等，另外，还可以列举出与镍氢型、聚合物型、陶瓷电解质型等对应的各种构件等。

另外，作为电子部件用电路，为CCD、CMOS时，可以列举出导电部的金属、绝缘部的氧化硅、氮化硅等，另外，还可以列举出与压力传感器/加速度传感器等各种传感器、刚性印刷基板、挠性印刷基板、刚挠印刷基板等对应的各种构件等。

(工序的步骤)

上述带电子设备用构件的层叠体24的制造方法没有特别限定，可以根据电子设备用构件的构成构件的种类，利用现有公知的方法在玻璃层叠体10的玻璃基板16的第2主面16b表面上形成电子设备用构件22。

需要说明的是，电子设备用构件22也可以不是在玻璃基板16的第2主面16b上最终形成的构件的全部(以下称为“全部构件”)，而是全部构件的一部分(以下称为“部分构件”)。也可以将从有机硅树脂层14剥离的带部分构件的玻璃基板通过其后的工序形成带全部构件的玻璃基板(相当于后述的电子设备)。

另外，对于从有机硅树脂层14剥离的带全部构件的玻璃基板，可以在其剥离面(第1主面16a)形成其它电子设备用构件。另外，还可以组装带全部构件的层叠体，然后从带全部构件的层叠体将支撑基材12剥离，制造电子设备。进而，也可以使用2张带全部构件的层叠体进行组装，其后，从带全部构件的层叠体将2张支撑基材12剥离，制造具有2张玻璃基板的带构件的玻璃基板。

例如，以制造OLED的情况为例，为了在玻璃层叠体10的玻璃基板16的与有机硅树脂层14侧处于相反侧的表面上(相当于玻璃基板16的第2主面16b)形成有机EL结构体，进行如下的各种层形成、处理：形成透明电极、进一步在形成了透明电极的面上蒸镀空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层等、形成背面电极、使用封装板进行封装等。作为这些层形成、处理，具体可列举出例如成膜处理、蒸镀处理、封装板的粘接处理等。

另外，例如，在制造TFT-LCD时，具有如下等各种工序：TFT形成工序，在玻璃层叠体10的玻璃基板16的第2主面16b上，使用抗蚀液对利用CVD法及溅射法等一般的成膜法形成的金属膜及金属氧化膜等进行图案形成，形成薄膜晶体管(TFT)；CF形成工序，在其它的玻璃层叠体10的玻璃基板16的第2主面16b上，使用抗蚀液来形成图案，形成滤色器(CF)；贴合工序，将在TFT形成工序中得到的带TFT的层叠体和在CF形成工序中得到的带CF的层叠体层叠。

在TFT形成工序、CF形成工序中，使用周知的光刻技术、蚀刻技术等，在玻璃基板16的第2主面16b上形成TFT、CF。此时，作为图案形成用的涂布液，使用抗蚀液。

需要说明的是，在形成TFT、CF之前，根据需要，可以对玻璃基板16的第2主面16b进行清洗。作为清洗方法，可以使用周知的干式清洗、湿式清洗。

在贴合工序中，使带TFT的层叠体的薄膜晶体管形成面与带CF的层叠体的滤色器形成面相向，使用密封剂(例如单元(cell)形成用紫外线固化型密封剂)进行贴合。其后，向由带TFT的层叠体和带CF的层叠体形成的单元内注入液晶材料。作为注入液晶材料的方法，例如有减压注入法、滴加注入法。

(分离工序)

分离工序是如下的工序：以有机硅树脂层14和玻璃基板16的界面作为剥离面，由在上述构件形成工序中得到的带电子设备用构件的层叠体24分离成层叠有电子设备用构件22的玻璃基板16(带构件的玻璃基板)、以及有机硅树脂层14和支撑基材12，得到包含电子设备用构件22及玻璃基板16的带构件的玻璃基板26。

剥离时的玻璃基板16上的电子设备用构件22为形成必需的全部构成构件的一部分时，也可以在分离后在玻璃基板16上形成剩余的构成构件。

将带构件的玻璃基板26和带树脂层的支撑基材18剥离的方法没有特别限定。具体而言，例如，可以向玻璃基板16和有机硅树脂层14的界面***锋利的刀具状物体而赋予剥离起点后，吹送水和压缩空气的混合流体等而进行剥离。优选的是，以使带电子设备用构件的层叠体24的支撑基材12为上侧、电子设备用构件22侧为下侧的方式设置在平台上，使电子设备用构件22侧真空吸附于平台上(在两面层叠有支撑基材时依次进行)，在该状态下，首先使刀具侵入玻璃基板16-有机硅树脂层14界面。然后，用多个真空吸盘吸附支撑基材12侧，使真空吸盘从***刀具的位置附近起依次逐渐升高。由此，在树脂层14和玻璃基板16的界面形成空气层，并且该空气层扩展到整个界面，从而可以容易地将带树脂层的支撑基材18剥离。

另外，带树脂层的支撑基材18可以与新的玻璃基板层叠来制造本发明的玻璃层叠体10。

需要说明的是，从带电子设备用构件的层叠体24将带构件的玻璃基板26分离时，通过控制基于离子发生器的吹送、湿度，能够进一步抑制有机硅树脂层14的碎片静电吸附到带构件的玻璃基板26上。

[清洁化处理工序]

清洁化处理工序是对在上述分离工序中得到的带构件的玻璃基板26中的玻璃基板16的剥离面(第1主面16a)实施清洁化处理的工序。通过实施该工序，能够将附着在剥离面的有机硅树脂、附着在有机硅树脂层、剥离面的上述构件形成工序中产生的金属片、灰尘等杂质去除，能够维持剥离面的清洁性。其结果，贴附在玻璃基板16的剥离面上的位相差膜、偏光薄膜等的粘合性提高。

对于清洁化处理的方法，只要能去除附着在剥离面的树脂、灰尘等，其方法就没有特别限定。例如可以列举出：使附着物热分解的方法、通过等离子照射或光照射(例如UV照射处理)将剥离面上的杂质去除的方法、使用溶剂进行清洗处理的方法等。

上述带构件的玻璃基板26的制造方法适合于手机、PDA这样的移动终端中使用的小型显示装置的制造。显示装置主要为LCD或OLED，作为LCD，包括TN型、STN型、FE型、TFT型、MIM型、IPS型、VA型等。基本上在无源驱动型、有源驱动型的***示装置中都能应用。

作为利用上述方法制得的带构件的玻璃基板26，可以列举出具有玻璃基板和显示装置用构件的显示装置用面板、具有玻璃基板和太阳能电池用构件的太阳能电池、具有玻璃基板和薄膜二次电池用构件的薄膜二次电池、具有玻璃基板和电子设备用构件的电子部件等。作为显示装置用面板，包括液晶面板、有机EL面板、等离子体显示器面板、场发射面板等。

以上对使用玻璃层叠体10的方式进行了详细说明，也可以使用玻璃层叠体100，按照与上述相同的步骤来制造电子设备。

需要说明的是，使用玻璃层叠体100的情况下，在上述分离工序时，以支撑基材12和有机硅树脂层14的界面作为剥离面，分离为支撑基材12和包含有机硅树脂层14、玻璃基板16及电子设备用构件22的电子设备。

实施例

以下，利用实施例等对本发明进行具体说明，但本发明不限定于这些例子。另外，在本制造例中，按照以下所示的项目及方法进行固化性有机聚硅氧烷的评价。

(1)固化性有机聚硅氧烷中的硅原子的键合状态的解析(T单元的比例)

使用核磁共振分析装置(溶液²⁹Si-NMR：JEOL RESONANCE株式会社制造、ECP400)求出T1～T3的比。

T1～T3的比由溶液²⁹Si-NMR的峰面积比分别求出。测定条件设定为：脉冲宽度20微秒、脉冲重复的等待时间30秒、累积次数256scan。向溶剂使用甲苯并调配成浓度30wt％的溶液中添加作为弛豫试剂的0.1wt％的Cr(acac)₃。对于化学位移的基准，将来源于TMS的峰作为0ppm。

各结构的积分计算范围如下。

T1(Me基)：-44～-49ppm、T1(Ph基)：-60～-61ppm

T2(Me基)：-50～-60ppm、T2(Ph基)：-67～-74ppm

T3(Me基)：-61～-67ppm、T3(Ph基)：-74～-83ppm

(2)固化性有机聚硅氧烷中的苯基摩尔％/甲基摩尔％(上述(A-2)/(B-2))组成比的解析

使用核磁共振分析装置(溶液¹H-NMR：JEOL RESONANCE株式会社制造、ECP400)求出苯基摩尔％/甲基摩尔％(上述(A-2)/(B-2))组成比。

苯基摩尔％/甲基摩尔％(上述(A-2)/(B-2))组成比由¹H-NMR的峰面积分别求出。测定条件设定为：脉冲宽度6.7微秒、脉冲重复的等待时间5秒、累积次数16scan。溶剂使用氘代氯仿，调配成浓度1wt％。对于化学位移的基准，将来源于氯仿的峰设为7.26ppm。另外，来源于各结构的¹H-NMR的化学位移如下。

A-2(Ph基)：8.2～6.4ppm

B-2(Me基)：0.6～-0.7ppm

(3)数均分子量Mn、质均分子量Mw及分散度Mw/Mn的评价

利用凝胶渗透色谱(GPC、东曹株式会社制造的HLC8220、RI检测、色谱柱：TSK-GEL SuperHZ、洗脱液：四氢呋喃)求出。

(4)利用动态光散射法进行的粒径的评价

将固化性有机聚硅氧烷制成20质量％的PGMEA(丙二醇-1-单甲基醚-2-乙酸酯)溶液，使用高浓度粒径分析仪(大塚电子株式会社制造、FPAR-1000)，求出直方图平均粒径(D50)，作为粒径。

在以下的实施例1～10、比较例1、2中，作为玻璃基板，使用由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长274mm、宽274mm、板厚0.2mm、线膨胀系数38×10^-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。另外，作为支撑板，同样使用由无碱硼硅酸玻璃形成的玻璃板(长274mm、宽274mm、板厚0.4mm、线膨胀系数38×10^-7/℃、旭硝子株式会社制造的商品名“AN100”)。

＜制造例1：固化性有机聚硅氧烷的制造＞

向具备回流冷凝管、滴液漏斗及搅拌机的反应容器中加入碳酸钠(12.7g、0.12摩尔)和水(80mL)，进行搅拌，然后进一步加入甲基异丁基酮(80mL)，得到反应溶液。接着，用30分钟从滴液漏斗向反应溶液中滴加甲基三氯硅烷(7.5g、0.05摩尔)及苯基三氯硅烷(10.6g、0.05摩尔)。这时，使反应溶液的温度上升至40℃。接着，在滴加结束后，将反应容器浸渍在60℃的油浴中，加热搅拌24小时。反应结束后，对有机相进行清洗直至清洗水变为中性为止，接着，使用干燥剂对有机相进行干燥。接着将干燥剂去除，之后，通过减压将溶剂蒸馏去除，进一步进行一夜真空干燥，得到白色的固体(固化性有机聚硅氧烷(U1))。

＜制造例2～8＞

对于固化性有机聚硅氧烷(U2)～(U8)，与制造例1同样操作，以表1所示的组成比制造。需要说明的是，对于(U4)，将反应时间由24小时调整为1小时，对于(U6)，将反应时间由24小时调整为3小时，除此以外，按照与制造例1同样的步骤制造。进而，(U5)是在制造(U4)之后制成50质量％的甲醇溶液，添加相对于固体成分为2质量％的乙酸之后，再次通过减压将溶剂蒸馏去除而得到的白色的固体。

需要说明的是，在以下的表1中，“苯基摩尔％/甲基摩尔％”一栏表示得到的固化性有机聚硅氧烷中的、T1～T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元与T1～T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元的摩尔比。

另外，“T单元的比率”一栏表示得到的固化性有机聚硅氧烷中的T1～T3的各单元的个数的比率(摩尔％)，以T1～T3各单元的个数的比率的总和为100的方式表示。

“粒径”一栏为利用上述动态光散射法测得的固化性有机聚硅氧烷的粒径，“＜40”是指粒径小于40nm，“＞100”是指粒径超过100nm。

需要说明的是，上述各单元的含量根据²⁹Si-NMR、¹H-NMR算出。

[表1]

＜实施例1＞

使得到的固化性有机聚硅氧烷(U1)溶解于PEGMEA，制作包含固化性有机聚硅氧烷(U1)的液状物(固体成分浓度：40质量％)(需要说明的是，固化性有机聚硅氧烷以表1所示粒径的微粒的形式存在于液状物中。)。

将支撑基材用纯水清洗之后，再进行UV清洗，从而清洁化。

接着，在支撑基材的第1主面上，以长278mm且宽278mm的大小，通过旋涂机涂覆包含固化性有机聚硅氧烷(U1)的液状物(涂覆量30g/m²)。

接着，将所得物在350℃下在大气中加热固化30分钟，在支撑基材的第1主面形成厚度2.8μm的有机硅树脂层，得到支撑体A(带树脂层的支撑基材)。

然后，使支撑体A的有机硅树脂层的剥离性表面与和该有机硅树脂层的尺寸相同的厚度0.2mm的玻璃基板(“AN100”。旭硝子株式会社制造)的第1主面相向，在室温下、大气压下，利用层叠装置以两基板的重心重合的方式将两基板重合，得到玻璃层叠体S1。

需要说明的是，得到的玻璃层叠体S1相当于上述图1的玻璃层叠体10，在玻璃层叠体S1中，支撑基材的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度(x)比有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度(y)高。

以下，实施使用了得到的玻璃层叠体S1的以下的测定。以下的评价结果汇总示于后述的表1。

[剥离性评价]

从玻璃层叠体S1切取50mm见方的样品，将该样品载置于加热至450℃(氮气氛围下)的热风烘箱内，放置60分钟之后取出。接着，使玻璃层叠体S1的玻璃基板的第2主面真空吸附于平台，然后，向玻璃层叠体S1的1个角部的玻璃基板与有机硅树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，在上述玻璃基板的第1主面与上述有机硅树脂层的剥离性表面之间赋予剥离的起点。之后，以90mm间距利用多个真空吸盘吸附玻璃层叠体S1的支撑基材的第2主面，然后从靠近上述角部的吸盘开始依次使吸盘升高，由此将玻璃基板的第1主面与有机硅树脂层的剥离性表面剥离。

由上述结果可以确认，即使在高温加热处理之后，玻璃基板也能够剥离。

需要说明的是，有机硅树脂层的主要部分与支撑基材一同从玻璃基板分离，由该结果可以确认，支撑基材的层与树脂层的界面的剥离强度(x)比有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度(y)高。

[耐热性评价]

从玻璃层叠体S1切取50mm见方的样品，将该样品载置在加热至450℃(氮气氛围下)的热风烘箱内，放置60分钟后取出，评价在样品内是否确认到发泡或着色。

＜实施例2～10＞

分别使用下述表2所示的包含固化性有机聚硅氧烷(U2)～(U6)的液状物代替包含固化性有机聚硅氧烷(U1)的液状物，并且改变热固化处理条件，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，制造玻璃层叠体S2～S10。

下述表2中示出了制造液状物时使用的溶剂的种类及固体成分浓度等。另外，对于实施例7及8，将加热固化时的热固化处理条件由“350℃、30分钟”变更为“在150℃下在大气中加热固化30分钟，然后再在350℃下在大气中加热固化60分钟”。进而，对于实施例9，将加热固化时的热固化处理条件由“350℃、30分钟”变更为“在150℃下在大气中加热固化30分钟，然后再在350℃下在大气中加热固化60分钟，进而在500℃下在大气中加热固化60分钟”。

需要说明的是，得到的玻璃层叠体S2～S10相当于上述图1的玻璃层叠体10，玻璃层叠体S2～S10中，支撑基材的层与有机硅树脂层的界面的剥离强度(x)比有机硅树脂层与玻璃基板的界面的剥离强度(y)高。

另外，使用得到的玻璃层叠体S2～S10实施上述[剥离性评价]及[耐热性评价]。将结果汇总示于表2。

＜比较例1＞

使用下述表2所示的包含固化性有机聚硅氧烷(U8)的液状物代替包含固化性有机聚硅氧烷(U1)的液状物，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，进行玻璃层叠体C1的制造。使用得到的玻璃层叠体C1，实施上述[剥离性评价]及[耐热性评价]。将结果汇总示于表2。

＜比较例2＞

使用无溶剂加成反应型剥离纸用有机硅(信越有机硅株式会社制造、商品名KNS-320A)100质量份和铂系催化剂(信越有机硅株式会社制造、商品名CAT-PL-56)2质量份的混合物(U9)代替包含固化性有机聚硅氧烷(U1)的液状物，除此以外，按照与实施例1相同的步骤，制造玻璃层叠体C2。使用得到的玻璃层叠体C2，实施上述[剥离性评价]及[耐热性评价]。将结果汇总示于表2。

需要说明的是，上述玻璃层叠体C2的方式相当于专利文献1记载的方式。

表2中，“涂布性评价”一栏中，将涂布包含固化性有机聚硅氧烷的液状物并能够形成有机硅树脂层的情况记为“○”、将无法形成有机硅树脂层的情况记为“×”。

另外，“剥离性评价”一栏中，将在玻璃基板和有机硅树脂层的界面***不锈钢制刀具而赋予剥离的起点的时刻玻璃基板与有机硅树脂层的大部分剥离、能够容易地将玻璃基板剥离的情况表示为“◎”，将玻璃基板没有仅通过剥离的起点便剥离、但能够将玻璃基板剥离的情况表示为“○”，将无法将玻璃基板剥离或玻璃基板破损的情况表示为“×”。

进而，在“耐热性评价”一栏中，不存在“着色”“发泡”的情况表示为“无”、存在“着色”“发泡”的情况表示为“有”。

另外，表2中，在“有机硅树脂层”一栏中示出了由基于²⁹Si-NMR得到的峰面积比算出的T3单元及Q单元的摩尔％。

需要说明的是，在本制造例及比较例中，按照以下所示的项目及方法进行有机硅树脂层的解析。

(1)有机硅树脂层的硅原子的键合状态的解析

使用核磁共振分析装置(固体²⁹Si-NMR：JEOL RESONANCE株式会社制造、ECP600)求出T3单元及Q单元的含量(摩尔％)。

T3单元及Q单元的含量(摩尔％)由固体²⁹Si-NMR的峰面积比分别求出。有机硅树脂层使用如下得到的固体样品：在玻璃基材上，通过旋涂机涂覆各实施例及比较例中使用的包含固化性有机聚硅氧烷的液状物，在各实施例及比较例的加热条件下进行加热固化，从而在玻璃基材上形成有机硅树脂层之后，利用剃刀削取该有机硅树脂层而得到固体样品。测定法使用DDMAS法，测定条件设定为：脉冲宽度1.9微秒、脉冲重复的等待时间300秒、累积次数300scan以上、MAS旋转速度10KHz。对于化学位移的基准，将来源于二甲基有机硅的峰设为-22ppm。另外，来源于各结构的固体²⁹Si-NMR的化学位移如下。

T3：-48～-88ppm

Q：-96～-116ppm

(2)有机硅树脂层的(A-1)/(B-1)比的解析

使用核磁共振分析装置(固体¹H-NMR：JEOL RESONANCE株式会社制造、ECP600)，由来源于Ph基及Me基的峰面积比求出。有机硅树脂层使用如下得到的固体样品：在玻璃基材上，通过旋涂机涂覆各实施例及比较例中使用的包含固化性有机聚硅氧烷的液状物，在各实施例及比较例的加热条件下进行加热固化，从而在玻璃基材上形成有机硅树脂层之后，利用剃刀削取该有机硅树脂层而得到固体样品。测定法使用Depth2，测定条件设定为：脉冲宽度2.3微秒、脉冲重复的等待时间15秒、累积次数16scan、MAS旋转速度22KHz。对于化学位移的基准，将来源于金刚烷的峰设为1.7ppm。另外，来源于各结构的固体¹H-NMR的化学位移如下。

A-1(Ph基)：18～4ppm

B-1(Me基)：4～-10ppm

(3)有机硅树脂层的膜厚

有机硅树脂层的膜厚使用接触式膜压装置的表面粗糙度/轮廓形状测定机(东京精密株式会社制造、Surfcom 1400G-12)测定。

(4)有机硅树脂层的收缩应力

以外径为4英寸、厚度为525±25μm的硅晶圆的定位平面为基准，容纳在薄膜应力测定装置FLX-2320(KLA Tencor公司制造)内的规定位置之后，在周围温度25℃下测量硅晶圆的曲率半径。

然后，取出硅晶圆，使用旋涂法在硅晶圆上涂布各实施例及比较例中使用的包含固化性有机聚硅氧烷的液状物之后，在各实施例及比较例的加热条件下进行加热固化，形成有机硅树脂层。与形成有机硅系固化覆膜前同样操作，在周围温度25℃下测量形成了有机硅树脂层的硅晶圆的曲率半径。

由下式算出有机硅树脂层的25℃下的收缩应力。

$\mathrm{\σ}=\frac{{E\·h}^2}{(1-v)\·6\·R\·t}...\left(1\right)$

(式中，E/(1-ν)为硅晶圆的双轴弹性系数(晶面(100)：1.805×10¹¹Pa)，h为硅晶圆的厚度[m]，t为有机硅树脂层的厚度[m]，R为形成有机硅树脂层之前的硅晶圆的曲率半径与形成有机硅树脂层之后的硅晶圆的曲率半径之差[m]。)。

需要说明的是，玻璃复合体S1～S9中的有机硅树脂层的有机硅氧烷基单元由Q单元和T3单元构成。上述实施例10及比较例1中，未检测到Q单元(为测定限以下)。

[表2]

如上述表2所示，本发明的玻璃层叠体中，有机硅树脂层显示出优异的耐热性，并且，玻璃基板的剥离性(分离性)也优异。尤其是包含Q单元的实施例1～9中，剥离性更优异。

另一方面，如比较例1、2所示，不使用规定组成比的有机硅树脂层时，无法获得期望的效果。

＜实施例11＞

本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体S1来制造OLED。

首先，在玻璃层叠体S1中的玻璃基板的第2主面上，利用等离子体CVD法以氮化硅、氧化硅、非晶硅的顺序成膜。然后，利用离子掺杂装置将低浓度的硼注入非晶硅层并加热处理，进行脱氢处理。接着，利用激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。然后，通过使用了光刻法的蚀刻及离子掺杂装置，将低浓度的磷注入非晶硅层，形成N型及P型的TFT区域。之后，在玻璃基板的第2主面侧，利用等离子体CVD法形成氧化硅膜从而形成栅极绝缘膜后，利用溅射法形成钼膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成栅极。接着，利用光刻法和离子掺杂装置，将高浓度的硼和磷注入N型、P型各自的期望区域，形成源极区域及漏极区域。然后，在玻璃基板的第2主面侧，通过利用等离子体CVD法来进行的氧化硅的成膜形成层间绝缘膜，通过溅射法进行铝的成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成TFT电极。接着，在氢气氛围下加热处理，进行氢化处理后，通过利用等离子体CVD法来进行的氮化硅的成膜形成钝化层。接着，在玻璃基板的第2主面侧涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层及接触孔。然后，利用溅射法形成氧化铟锡膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。

接着，利用蒸镀法，在玻璃基板的第2主面侧依次使作为空穴注入层的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、作为空穴传输层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq₃)中混合有40体积％的2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)的物质、作为电子传输层的Alq₃成膜。然后，通过溅射法形成铝膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧，借助紫外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板，进行封装。通过上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结构体的玻璃层叠体S1(以下称为面板A。)为本发明的带电子设备用构件的层叠体。

接着，使面板A的封装体侧真空吸附于平台之后，在面板A的角部的玻璃基板与树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，对玻璃基板与树脂层的界面赋予剥离的起点。然后，用真空吸盘吸附面板A的支撑基材表面，并使吸盘升高。这里，边从电离器(KEYENCE JAPAN制造)向该界面吹送除电性流体边进行刀具的***。接着，边从电离器向形成的空隙继续吹送除电性流体，并且向剥离边界线注入水，边升高真空吸盘。其结果，在平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，能够将带树脂层的支撑基材剥离。

接着，使用激光切割器或划线折断法(scribe-break method)将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，组装形成有有机EL结构体的玻璃基板和对向基板，实施模块形成工序，制作OLED。由此得到的OLED在特性上没有产生问题。

＜实施例12＞

本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体S1来制造LCD。

首先，准备2张玻璃层叠体S1，在一张玻璃层叠体S1-1中的玻璃基板的第2主面上，通过等离子体CVD法依次将氮化硅、氧化硅、非晶硅成膜。接着，利用离子掺杂装置将低浓度的硼注入非晶硅层，在氮气气氛下加热处理，进行脱氢处理。然后，利用激光退火装置进行非晶硅层的结晶化处理。接着，利用使用了光刻法的蚀刻及离子掺杂装置，将低浓度的磷注入非晶硅层，形成N型及P型的TFT区域。接着，在玻璃基板的第2主面侧，利用等离子体CVD法形成氧化硅膜，形成栅极绝缘膜，然后，利用溅射法形成钼膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成栅极。接着，利用光刻法和离子掺杂装置，将高浓度的硼和磷注入N型、P型各自的期望区域，形成源极区域及漏极区域。然后，在玻璃基板的第2主面侧，通过利用等离子体CVD法进行的氧化硅的成膜形成层间绝缘膜，通过溅射法进行铝的成膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成TFT电极。接着，在氢气氛围下加热处理，进行氢化处理，然后，通过利用等离子体CVD法进行的氮化硅的成膜形成钝化层。接着，在玻璃基板的第2主面侧涂布紫外线固化性树脂，通过光刻法形成平坦化层及接触孔。然后，利用溅射法形成氧化铟锡膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。

接着，在大气氛围下对另一张玻璃层叠体S1-2进行加热处理。然后，在玻璃层叠体S1中的玻璃基板的第2主面上，利用溅射法形成铬膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成遮光层。接着，在玻璃基板的第2主面侧通过模涂法涂布彩色抗蚀剂，通过光刻法及热固化形成滤色器层。之后，利用溅射法形成氧化铟锡膜，形成对电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧，利用模涂法涂布紫外线固化树脂液，通过光刻法及热固化形成柱状隔离物。然后，利用辊涂法涂布聚酰亚胺树脂液，通过热固化形成取向层，进行摩擦。

然后，利用分配器法将密封用树脂液描绘成框状，通过分配器法向框内滴加液晶，然后，使用上述形成有像素电极的玻璃层叠体S1-1，将2张玻璃层叠体S1的玻璃基板的第2主面侧彼此贴合，通过紫外线固化及热固化得到LCD面板。

接着，使玻璃层叠体S1-1的支撑基材的第2主面真空吸附于平台，向玻璃层叠体S1-2的角部的玻璃基板与树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，对玻璃基板的第1主面与树脂层的剥离性表面赋予剥离起点。这里，边从电离器(KEYENCE JAPAN制造)向该界面吹送除电性流体边进行刀具的***。然后，边从电离器向形成的空隙继续吹送除电性流体，并且向剥离边界线注入水，边使真空吸盘升高。并且，用真空吸盘吸附玻璃层叠体S1-2的支撑基材的第2主面后，使吸盘升高。其结果，在平台上仅残留带有玻璃层叠体S1-1的支撑基材的LCD的空单元，能够将带树脂层的支撑基材剥离。

接着，使在第1主面形成有滤色器的玻璃基板的第2主面真空吸附于平台，向玻璃层叠体S1-1的角部的玻璃基板与树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，对玻璃基板的第1主面与树脂层的剥离性表面赋予剥离起点。然后，用真空吸盘吸附玻璃层叠体S1-1的支撑基材的第2主面后，边向玻璃基板与树脂层之间吹送水，边使吸盘升高。其结果，在平台上仅残留LCD单元，能够将固定有树脂层的支撑基材剥离。由此，能够得到由厚度0.1mm的玻璃基板构成的多个LCD单元。

接着，通过切断工序分割为多个LCD单元。对完成的各LCD单元实施贴附偏光板的工序，然后实施模块形成工序，得到LCD。由此得到的LCD在特性上没有产生问题。

＜实施例13＞

本例中，使用实施例1中得到的玻璃层叠体S1制造OLED。

首先，在玻璃层叠体S1中的玻璃基板的第2主面上，利用溅射法形成钼膜，利用使用了光刻法的蚀刻形成栅极。接着，利用溅射法，在玻璃基板的第2主面侧进一步形成氧化铝膜，从而形成栅极绝缘膜，然后利用溅射法形成氧化铟镓锌膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成氧化物半导体层。接着，利用溅射法在玻璃基板的第2主面侧进一步形成氧化铝膜，形成通道保护层，然后，利用溅射法形成钼膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成源极及漏极。

接着，在大气中进行加热处理。然后，在玻璃基板的第2主面侧进一步通过溅射法形成氧化铝膜而形成钝化层，接着利用溅射法形成氧化铟锡膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成像素电极。

接着，利用蒸镀法在玻璃基板的第2主面侧依次使作为空穴注入层的4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、作为空穴传输层的双[(N-萘基)-N-苯基]联苯胺、作为发光层的在8-羟基喹啉铝络合物(Alq₃)中混合有40体积％的2,6-双[4-[N-(4-甲氧基苯基)-N-苯基]氨基苯乙烯基]萘-1,5-二甲腈(BSN-BCN)的物质、作为电子传输层的Alq₃成膜。然后，利用溅射法形成铝膜，通过使用了光刻法的蚀刻形成对电极。接着，在玻璃基板的第2主面侧，借助紫外线固化型的粘接层贴合另一张玻璃基板，进行封装。通过上述步骤，在玻璃基板上形成有机EL结构体。在玻璃基板上具有有机EL结构体的玻璃层叠体S1(以下称为面板B。)为本发明的带电子设备用构件的层叠体(带支撑基材的显示装置用面板)。

接着，使面板B的封装体侧真空吸附于平台之后，在面板B的角部的玻璃基板与树脂层的界面***厚度0.1mm的不锈钢制刀具，对玻璃基板与树脂层的界面赋予剥离起点。然后，用真空吸盘吸附面板B的支撑基材表面，并使吸盘升高。这里，边从电离器(KEYENCE JAPAN制造)向该界面吹送除电性流体边进行刀具的***。接着，边从电离器向形成的空隙持续吹送除电性流体，并且向剥离边界线注入水，边升高真空吸盘。其结果，在平台上仅残留形成有有机EL结构体的玻璃基板，能够将带树脂层支撑基材剥离。

接着，使用激光切割器或划线折断法将分离的玻璃基板切断，分割为多个单元后，组装形成有有机EL结构体的玻璃基板和对向基板，实施模块形成工序，制作OLED。由此得到的OLED在特性上没有产生问题。

需要说明的是，将2014年2月7日申请的日本特许出愿2014-022697号的说明书、权利要求书、摘要及附图的全部内容引用至本申请中，作为本发明的说明书的公开内容而并入。

附图标记说明

10，100，200 玻璃层叠体

12 支撑基材

14 有机硅树脂层

16 玻璃基板

18 带树脂层的支撑基材

20 带树脂层的玻璃基板

22 电子设备用构件

24 带电子设备用构件的层叠体

26 带构件的玻璃基板

Claims (11)

1.一种玻璃层叠体，其依次具备支撑基材的层、有机硅树脂层和玻璃基板的层，

所述有机硅树脂层中的有机硅树脂具有下述T3表示的有机硅氧烷基单元，相对于全部有机硅氧烷基单元，下述T3表示的有机硅氧烷基单元的总比率为80～100摩尔％，

下述T3中的R为苯基的有机硅氧烷基单元(A-1)与下述T3中的R为甲基的有机硅氧烷基单元(B-1)的摩尔比((A-1)/(B-1))为80/20～20/80，

所述有机硅树脂层相对于所述玻璃基板的层的界面的剥离强度与所述有机硅树脂层相对于所述支撑基材的层的界面的剥离强度不同，

T3：R-SiO_3/2

式中，R表示苯基或甲基。

2.根据权利要求1所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂还具有下述Q表示的有机硅氧烷基单元，

Q：SiO_4/2。

3.根据权利要求1或2所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂为固化性有机聚硅氧烷的固化物，

所述固化性有机聚硅氧烷为以如下的比例包含下述T1～T3表示的有机硅氧烷基单元的有机聚硅氧烷：以所述单元的个数的比例(摩尔量)计，T1：T2：T3＝0～5：20～50：50～80，其中，满足T1+T2+T3＝100的关系，

T1：R-Si(-OX)₂O_1/2

T2：R-Si(-OX)O_2/2

T3：R-SiO_3/2

式中，R表示苯基或甲基，X表示氢原子或碳数1～6的烷基。

4.根据权利要求3所述的玻璃层叠体，其中，所述固化性有机聚硅氧烷的数均分子量为500～2000。

5.根据权利要求3或4所述的玻璃层叠体，其中，所述固化性有机聚硅氧烷的质均分子量/数均分子量为1.00～2.00。

6.根据权利要求3～5中任一项所述的玻璃层叠体，其中，利用动态光散射法测得的所述固化性有机聚硅氧烷的粒径为0.5～100nm。

7.根据权利要求3～6中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述固化性有机聚硅氧烷为通过使苯基三氯硅烷及甲基三氯硅烷共水解缩合而得到的有机聚硅氧烷。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层的厚度为0.1～30μm。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述支撑基材为玻璃板。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层相对于所述玻璃基板的层的界面的剥离强度比所述有机硅树脂层相对于所述支撑基材的层的界面的剥离强度低。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的玻璃层叠体，其中，所述有机硅树脂层相对于所述玻璃基板的层的界面的剥离强度比所述有机硅树脂层相对于所述支撑基材的层的界面的剥离强度高。