CN105393343A - 线键合及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种能够抑制表面变色和接合时半导体元件损伤、连续键合性优异、进而生产率也优异的在芯材中含有Ag的键合线。一种键合线,具有:含有75质量%以上的Ag的芯材和形成于该芯材的外周面上的防变色层(14),防变色层通过将含有至少1种具有至少一个硫醇基且碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物与至少1种表面活性剂的水溶液涂布于芯材的外周面而形成。
Description
技术领域
本发明涉及一种将半导体元件的电极与基板的电极进行连接的键合线及其制造方法。本发明尤其涉及一种具备以Ag为主成分的芯材与形成于其外周面上的防变色层的键合线、及其制造方法。
背景技术
通常,用于半导体元件上的电极与基板的电极的接线的键合线非常细。因此,在键合线的制造中寻求导电性良好且加工性优异的金属材料。特别是,出于化学稳定性和大气中的操作容易度的原因,以往使用Au制的键合线。但是,Au制的键合线中Au占重量的99%以上。因此,Au制的键合线非常昂贵。因此,期待由廉价的材料制造的键合线。
Ag制的键合线比Au制的键合线廉价。另外,Ag的光反射率比Au的光反射率更高。因此,Ag制的键合线对LED等的发光效率的提高有效。
然而,Ag制的键合线的表面容易因硫化而变色。具有变色的表面的Ag制的键合线容易产生对电极的接合不良。另外,由于光反射率降低,导致出现发光效率变差的问题。
对此,为了抑制Ag表面的变色,提出了在Ag的芯材的外周面形成包含Au、Pd、及In等的被覆层而成的Ag制的键合线(例如,参照下述日本特开昭51-85669号公报、日本特开昭56-26459号公报、以及日本特开2012-49198号公报)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开昭51-85669号公报
专利文献2:日本特开昭56-26459号公报
专利文献3:日本特开2012-49198号公报
发明内容
然而,上述3个专利文献中公开的键合线通过电解法和镀覆法等而在Ag的芯材的外周面形成被覆层。因此,对于被覆层的形成,需要长时间。因此,有键合线的生产率大幅变差的问题。此外,如果在Ag表面形成Ag以外的金属被覆层,则作为Ag键合线的特点的高光反射率降低。因此,存在LED等的发光效率不提高的问题。
通常,利用球焊法将电极连接时,通过将利用放电加热等形成于键合线前端的FAB(FreeAirBall)按压于一电极而进行第1接合。其后,将键合线的外周面按压于另一电极而进行第2接合。此时,上述3个专利文献中公开的键合线具有如下问题。即,由于在第1接合时形成的FAB的表面附近固溶有被覆层所含的金属,导致FAB固化。因此,在将FAB按压于半导体元件时,半导体元件容易受到损伤。另外,在第2接合时,介于Ag的芯材与电极之间的被覆层阻碍接合。因此,变得容易产生接合不良。其结果,有连续键合性变差的问题。
本发明的目的在于提供一种可抑制表面变色和接合时半导体元件损伤、且连续键合性和生产率也优异的Ag制的键合线。
为了解决上述课题,本发明的键合线具有:芯材,含有75质量%以上的Ag;及防变色层,形成于该芯材的外周面上、且含有至少1种防变色剂和至少1种表面活性剂。此处,防变色剂是具有至少一个-SH基的碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物。
形成于本发明的键合线的芯材的外周面上的防变色层含有至少1种防变色剂与至少1种表面活性剂。此处,防变色剂是具有至少一个-SH基的碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物。特别是,如果卷绕于卷轴上的线长,则该线被长时间暴露于大气中。即使在这样的情况下,本发明的键合也能够防止线表面的变色。另外,由此,卷轴的更换周期延长,因此键合装置的运转率提高。另外,通过在芯材的外周面涂布水溶液,能够形成防变色层。因此,与镀覆法等相比,能够通过简便的方法来形成防变色层。由此,本发明的键合线的生产率优异。
另外,本发明涉及的键合线的芯材的Ag含量为75质量%以上。因此,本发明的键合线具有比Au制的键合线更高的光反射率。因此,可提高LED等的发光效率。
本发明中的防变色层几乎不会吸收光。因此,含有Ag的芯材的光反射率不降低。
并且,本发明中的防变色层通过加热而从芯材表面飞散。因此,例如通过球焊法进行连接时,通过FAB形成时和第2接合时的加热,防变色层从芯材的外周面飞散。因此,本发明的键合线可抑制因FAB的固化所致的半导体元件的损伤。此外,可抑制第2接合的接合不良,因此本发明的键合线的连续键合性优异。
上述表面活性剂可以为非离子表面活性剂和/或阳离子表面活性剂。
本发明的键合线的芯材可以含有Au和Pd中的至少一种。
本发明的键合线的芯材可以含有选自Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge中的1种或2种以上。
本发明的键合线的芯材可以含有Cu和Ni种的至少一种。
另外,在本发明的键合线的制造方法中,对经拉丝加工的芯材进行至少1次热处理。而且,在全部热处理结束后,将含有至少1种防变色剂的水溶液涂布于芯材的外周面,从而在上述外周面上形成防变色层。
在本发明的键合线的制造方法中,在全部热处理结束后形成防变色层。因此,可将通过接合时的加热而飞散的防变色层形成于芯材的外周面。因此,可抑制所得到的键合线的接合不良和连续键合性的降低。另外,在本发明的键合线的制造方法中,通过将含有防变色剂的水溶液涂布于芯材的外周面,从而形成防变色层。因此,能够通过与镀覆法等相比简便的方法形成防变色层。由此,本发明的键合线的制造方法具有优异的生产率。
在本发明的键合线的制造方法中,可以在将芯材卷绕于卷轴之前,将水溶液涂布于芯材的外周面。
在上述本发明的键合线的制造方法中,可以在对经拉丝加工的上述芯材的全部热处理结束后,对上述芯材进行清洗,之后将上述水溶液涂布于上述芯材的外周面。
在本发明的键合线的制造方法中,水溶液中含有的防变色剂可以是具有至少一个-SH基且碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物。另外,上述水溶液可以进一步含有至少1种表面活性剂。
根据本发明的键合线的制造方法,能够得到可抑制线表面的变色和接合时的半导体元件的损伤、且连续键合性和生产率也优异的、在芯材中含有Ag的键合线。
附图说明
图1是表示本发明的一实施方式的键合线的截面图。
图2是示意地表示本发明的一实施方式的键合线的制造方法的图。
具体实施方式
以下,基于附图,对一实施方式的键合线的制造方法进行说明。
如图1所示,本实施方式的键合线10具备:以Ag为主成分的芯材12、和形成于该芯材12的外周面上的防变色层14。
具体而言,芯材12为了实现超过Au制的键合线的光反射率而含有75质量%以上的Ag。芯材12可以进一步含有选自Au和Pd中的1种以上的元素和选自Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge中的1种或2种以上的元素。另外,也可以除上述选择的1种或2种以上的元素以外,或者代替这些而含有Cu和Ni中的至少一种。
Au是为了提高FAB的圆球度而添加的。通常,如果使用纯Ag线而制作FAB,则难以稳定地得到圆球度高的FAB。但是,通过添加一定量的Au,从而能够得到圆球度高的FAB。
Pd是为了提高第1接合部的耐腐蚀性而添加的。对于BGA等的半导体封装的电极,大多被覆铝或铝合金。另外,大多情况下,对LED的电极使用金被覆。但是,也有使用铝或铝合金的被覆材料的情况。若将银和铝进行接合,则在接合界面生成银与铝的金属间化合物层。在该化合物层中,Ag2Al生长时,湿润环境下的耐腐蚀性劣化。但是,若在Ag线中添加一定量Pd,则在FAB的外周部形成Pd浓化层。由此,可抑制Ag2Al的生成,因此能够抑制湿润环境下的耐腐蚀性的劣化。
即使分别单独添加Au和Pd,也具有效果。但是,若将Pd和Au复合添加,则线的熔点变得更高。因此,线的耐热性提高。
芯材12所含有的Au和Pd的合计量(即,在单独添加Au或Pd时,为Au或Pd的量,在将Au和Pd复合添加时,为Au和Pd的合计量),优选为0.5~10质量%,更优选为1.0~4.0质量%。如果合计量为0.5质量%以上,则容易通过放电加热而形成圆球状的FAB。如果合计量为10质量%以下,则可将线的固有电阻维持在适当的范围。进而,如果合计量为1.0质量%以上,则可得到形状更稳定的FAB。如果合计量为4.0质量%以下,则线的固有电阻为3.0μΩ·cm以下,因而可得到具有更加良好的特性的线。
另外,芯材12所含有的Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge的优选合计量为5~500质量ppm。如果合计量为5质量ppm以上,则得到的线的强度进一步提高。因此,在键合后的树脂模塑时,可防止所键合的线因模塑树脂的流动而移动这样的线变形(wireflow)的产生。如果合计量为500质量ppm以下,则由放电加热而得到的FAB的形状稳定,从而能够得到良好的球状的FAB。
此处,在Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B及Ge中,优选通过极微量的添加而对线的耐热性和强度提高显示出效果的Y。另外,从由添加元素和Ag形成的化合物分散于作为基质的Ag中而有助于线的高强度化的方面考虑,优选La、Ce。另外,从获得的容易度的方面考虑,优选添加Ca、Be、B及Ge。但是,从使用的便利性和效果的观点考虑,最优选添加Ca。
此外,在需要高强度化的情况下,除添加Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge以外,添加Cu和Ni较为有效。Cu和Ni不会与Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge中任一个反生反应,而容易与基质的Ag合金化。因此,不会损害Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge的添加效果。因此,Cu和Ni有助于基质的高强度化。应予说明,在需要高强度化的情况下,可如上所述与Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge一并添加Cu和Ni。但是,通过添加Cu和Ni来代替Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge,也能够提高线的强度。
芯材12所含有的Cu和Ni的优选的合计量为100~10000质量ppm。如果合计量为100质量ppm以上,则得到的线的强度得到进一步提高。因此,在键合后的树脂模塑时,可抑制所键合的线因模塑树脂的流动而移动这种线变形的产生。如果合计量为10000质量ppm以下,则通过放电加热而得到的FAB的形状稳定,由此能够得到良好的球状FAB。
应予说明,键合线10的优选的固有电阻值为2N(99%)的Au制的键合线的固有电阻值(3.0μΩ·cm)以下。因此,芯材12所使用的Ag的优选纯度为99.9质量%以上。
防变色层14通过在芯材12的外周面涂布含有防变色剂的水溶液而形成。在本实施方式中,通过将除了防变色剂以外进一步含有至少1种表面活性剂的水溶液涂布于芯材12的外周面而形成。
作为本实施方式中使用的至少1种防变色剂,可采用具有至少一个-SH基且碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物的1种或2种以上。作为该脂肪族有机化合物,可以使用硫代羧酸。具体而言,可举出1,1,3,3-四甲基癸硫醇、1,1,3,3-四甲基丁烷-1-硫醇、1,10-癸二硫醇、1,9-壬二硫醇、1-辛二硫醇、1-癸硫醇、1-十六烷硫醇、1-十八烷硫醇、正壬硫醇、叔十二烷硫醇、叔壬硫醇、叔十六烷硫醇、硫代油酸、硫代硬脂酸、硫代棕榈酸,硫代肉豆蔻酸、硫代辛酸、以及硫代月桂酸等。其中,优选具有高防变色效果的1-十六烷硫醇和1-十八烷硫醇。
另外,作为本实施方式中使用的表面活性剂,可以采用非离子系表面活性剂和阳离子系表面活性剂。通过使用这些表面活性剂,可在上述防变色剂在水中的溶解性低的情况下,制备稳定的分散液。另外,通过提高芯材的润湿性,从而使含有防变色剂的防变色层进一步密合于芯材。其中,非离子系表面活性剂具有对银的高的润湿性提高效果。另外,在使用阳离子系表面活性剂时,与使用非离子系表面活性剂时相比,有容易形成牢固的防变色层的趋势。
这些表面活性剂的种类没有特别限定。作为具体例,非离子系表面活性剂中,可举出聚氧乙烯烷基醚RO(CH2CH2O)mH、脂肪酸山梨糖醇酐酯、烷基多糖苷、脂肪酸二乙醇酰胺RCON(CH2CH2OH)2、以及烷基单甘油醚ROCH2CH(OH)CH2OH。作为阳离子系表面活性剂,例如可举出烷基三甲基铵盐RN+(CH3)3X-、及二烷基二甲基铵盐RR'N+(CH3)2X-。可使用这些表面活性剂中的2种以上。另外,也可以并用非离子系表面活性剂和阳离子系表面活性剂。
在本实施方式中,可使用含有上述防变色剂和上述表面活性剂的水溶液。但是,防变色剂并非必须完全溶解于水中。防变色剂也可以通过表面活性剂而分散。本实施方式中使用的水溶液也包含这样的分散液。
具有水溶液中的-SH基的防变色剂的浓度优选为10~500质量ppm,更优选为30~300质量ppm。如果浓度处于该范围内,则变得容易形成均匀且具有足够厚度的防变色层。水溶液中的表面活性剂的使用量取决于其种类,优选为100~10000质量ppm。
防变色层优选为以“在芯材的外周面上不残留露出部”的方式,将芯材完全被覆。为了得到显著的防变色效果,该层的厚度优选为0.1nm以上。另外,为了不阻碍第2接合,层的厚度优选为10nm以下。
接下来,说明这样的构成的键合线10的制造方法的一个例子。
首先,在纯度99.9质量%以上的Ag中,添加合计1.0~10.0质量%的Au和Pd。进而,根据需要添加合计5~500质量ppm的Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、以及Ge。进而添加合计量100~10000质量ppm的Cu和Ni。这样铸造Ag合金后,利用连续铸造法来制作规定直径的棒状铸锭。
接着,利用拉丝加工将棒状铸锭进行缩径,直至达到规定的直径(例如,12~50.8μm)。如此,将键合线10的芯材12成型。应予说明,可以根据需要在拉丝加工的中途进行软化热处理。
然后,如图2所示,将在拉丝加工后被卷绕于卷轴11的具有规定直径的芯材12退卷。接着,为了进行调质热处理,使芯材12在热处理炉16中走行。由此,全部热处理结束。应予说明,调质热处理例如通过将芯材在氮气环境下以300~800℃连续退火1~10秒而实施。
将以调质热处理结束全部热处理后的芯材12继续在被储存于水溶液槽22的水溶液S中浸渍规定时间(例如,1~5秒间)。水溶液S含有至少1种上述防变色剂和至少1种上述表面活性剂。在使芯材12通过水溶液槽22期间,在芯材12的外周面涂布溶液。由此,形成防变色层14。
如此,制造具备形成于芯材12的外周面上的防变色层14的键合线10。制造的键合线10被卷绕于卷轴20。
本实施方式的键合线10在含有75质量%以上的Ag的芯材12的外周面上具有防变色层14。特别是,若卷绕于卷轴上的线长,则该线会长时间暴露于大气中。即便在这样的情况下,本实施方式的键合线10也不易产生因硫化所致的变色。因此,可抑制接合不良,且能够延长卷轴的更换周期。因此,接合装置的运转率提高。
另外,形成于芯材12的外周面上的防变色层14因加热而从芯材12的表面飞散。因此,通过FAB的形成时及第2接合时的加热,防变色层14从芯材12的外周面飞散。因此,本发明的键合线可抑制因FAB的固化所致的半导体元件的损伤。此外,由于抑制第2接合的接合不良,所以连续键合性提高。
进而,在键合线10中,在对芯材12进行的全部热处理结束后形成防变色层14。因此,即便为容易因加热而飞散的防变色层14,也可以形成于芯材12的外周面上。并且,防变色层14通过将含有防变色剂的水溶液S涂布于芯材12的外周面而形成。因此,防变色层14可通过与电解法和镀覆法等相比简便的方法形成。由此,本发明的键合线的制造方法的生产率优异。
特别是,在本实施方式中,在对芯材12的全部热处理结束后,且将该芯材12卷绕于卷轴20之前,将含有防变色剂的水溶液S涂布于芯材12的外周面。换言之,在热处理刚结束之后,连续地在芯材12的外周面涂布含有防变色剂的水溶液S。其后,将键合线10卷绕于卷轴20。因此,能够在通过热处理使附着于芯材12的外周面的杂质脱离之后涂布水溶液S。因此,无需另外设置杂质的除去工序。由此,能够稳定地在芯材12的外周面上形成良好的防变色层14。
应予说明,在本实施方式中,对于通过在对芯材12的全部热处理结束后且将该芯材卷绕于卷轴20之前将水溶液S涂布于芯材的外表面而形成防变色层14的情况进行了说明。但是,本发明的实施方式并不限于至此说明的实施方式。例如,在全部热处理结束后,将芯材12暂时卷绕于卷轴,然后,为了除去附着于芯材12的剥离剂和拉丝润滑剂等杂质,可以对芯材12进行清洗。其后,将水溶液S涂布于芯材12的外周面来形成防变色层14。
另外,在本实施方式中,作为在芯材12的外周面涂布含有防变色剂的水溶液S的方法,对将芯材12浸渍于水溶液S的方法进行了说明。但是,也可以将水溶液S通过滴加或喷雾而涂布于芯材12的外周面来代替该方法。
以上,说明了本发明的实施方式,但这的实施方式毕竟为例示。并非意图通过这些实施方式来限定发明的范围。这些实施方式可以以其它各种方式进行变型。在不脱离发明的主旨的情况下,可以对这些实施方式进行各种省略、置换、变更等变型。这些实施方式及其变型也包含在本发明的范围,即,权利要求书记载的发明及其均等范围中。
实施例
以下,通过实施例进一步具体说明本发明,但是本发明并不限定于这些实施例。
使用纯度99.9质量%以上的Ag原料,将下述表1所示的组成的银合金熔解,从而用连续铸造法制作直径8mm的棒状铸锭。其后,通过拉丝加工,将棒状铸锭的直径缩径至12~50.8μm,从而将芯材成型。
然后,在实施例1~20中,在经拉丝加工的芯材的调质热处理结束之后,连续地将含有防变色剂和表面活性剂的水溶液涂布于芯材12的外周面。作为防变色剂,使用作为具有一个-SH基的脂肪族有机化合物的1-十六烷硫醇(碳原子数15)。作为表面活性剂,使用聚氧乙烯十三烷基醚。由此,制作具有防变色层的键合线。
比较例1中,使用作为芳香族有机化合物的巯基苯并噻唑作为防变色剂,除此以外,通过与上述实施例同样的方法,制作键合线。
在比较例2中,作为使用作为不具有-SH基的脂肪族有机化合物的油酸钠盐(碳原子数18)作为防变色剂,除此以外,通过与上述实施例同样的方法,制作键合线。
比较例3中,不使用表面活性剂,除此以外,通过与上述实施例同样的方法,制作键合线。
比较例4中,在经拉丝加工的芯材的调质热处理前,通过与实施例1同样的方法涂布水溶液后,进行调质热处理。
比较例5中,在经拉丝加工的芯材的调质热处理后,不在芯材的外周面上形成防变色层。
【表1】
通过试验来评价制作的实施例1~20和比较例1~5的键合线的变色性、FAB的维氏硬度、连续键合性、FAB的圆球度、固有电阻及树脂模塑时的线变形。评价方法如下。
(1)硫化试验
在密闭的18升容器中加入0.05%硫酸铵水溶液100ml并***100mm的键合线。其后,在硫化氢气体中进行30分钟暴露试验。
通过使用SERA法(连续电化学还原法)测定线表面的硫化银膜厚,从而评价线表面的状态。即,通过使电解液与线表面接触后,从电极流出微电流(90μA/cm2),从而引起还原反应。测定取决于线表面的还原反应生成物的硫化银还原电位处于-0.25~-0.80V之间的时间。由此,测定生成于线表面的硫化银的膜厚。
在测定的硫化银膜的厚度为以下时,认为在实用上并无问题,将试样评价为“A”。厚度超过时,线表面变色,导致对接合性和可靠性带来影响,将试样评价为“D”。
(2)FAB的维氏硬度
使用接合装置,制作具有键合线直径的2倍的直径的FAB。从侧面测定FAB的维氏硬度。将维氏硬度计的负荷设为2gf、加压时间设为10秒。当维氏硬度为4N(99.99%)Au线(HV44)的1.5倍(HV66)以下时,不产生第1接合时的芯片破裂及衬垫翻卷等不良情况,将试样评价为“A”。维氏硬度超过1.5倍时,认为用途受到限定,将试样评价为“C”。
(3)FAB的圆球度
使用键合装置,制作100个具有键合线直径的2倍的直径的FAB。测定FAB在线的伸长方向和与该方向垂直的方向的直径。伸长方向的直径与上述垂直方向的直径之差(直径差)均为线径的±10%以下时,认为接近圆球,将试样评价为“A”。在90个以上的FAB的直径差为线径的±10%以下、且1~10个FAB的直径差超过线径的±10%且为±20%以下时,认为几乎没有问题,将试样评价为“B”。但是,即便观测到1个具有超过线形的±20%的直径差的FAB时,也认为由于圆球度低,因而用途受限,将试样评价为“C”。
(4)固有电阻
通过使用4端子法测定室温下的电阻,从而求出各线的固有电阻。若测定的固有电阻为与金键合线的固有电阻同等以下,则在线中流通的信号的传递速度和半导体封装的性能不降低,因此被视为能够与金键合线置换。即,在被测定的固有电阻为3.0μΩ·cm以下时,可容易地进行与金键合线的置换,将试样评价为“A”。在测定的固有电阻超过3.0μΩ·cm且为5.0μΩ·cm以下时,能够实用上没有问题地与金键合线置换,将试样评价为“B”。测定的固有电阻超过5.0μΩ·cm时,难以实现与金键合线的置换,将试样评价为“D”。
(5)树脂模塑时的线变形
用市售的环氧树脂将使用2mm长度的键合线键合的试样封装。其后,使用X射线非破坏观察装置进行最大线变形量的测定。在最大线变形量除以线长2mm而得到的比例小于2%时,将试样评价为“A”。比例为2%以上时,有使用上的问题,将试样评价为“D”。
【表2】
[表2]
结果如表2所示,在实施例1~20的硫化试验中,芯材的外周面未硫化,因此没有发生变色。另外,关于FAB的维氏硬度、FAB的圆球度、固有电阻及树脂封装时的线变形,也在实施例1~20中得到了良好的结果。
另一方面,在比较例1~5的硫化试验中,可看到芯材的外周面的硫化导致的变色。比较例1中作为防变色剂使用的巯基苯并噻唑本来具有防变色效果。然而,认为由于此次以短时间进行处理,因此未得到充分的防变色效果。认为比较例2中作为防变色剂使用的油酸钠盐不具有防变色效果。比较例3中不使用表面活性剂时,与线的润湿性差,未得到均匀的防变色层。比较例4中,在软化前涂布含有防变色剂的水溶液时,通过其后的调质热处理使防变色层飞散。
另外,本发明的键合线可以为以下的第1~5键合线。
上述第1键合线是具有含有75质量%以上的Ag的芯材和被覆该芯材的外周面的防变色层的键合线,
其特征在于,上述防变色层通过将含有至少1种具有至少1个硫醇基且碳原子数为8~18的范围内的脂肪族有机化合物、及至少1种表面活性剂的水溶液涂布于上述芯材的外周面而形成。
上述第2键合线,为上述第1键合线,其特征在于,上述表面活性剂为非离子表面活性剂和/或阳离子表面活性剂。
上述第3键合线,为上述第1或2的键合线,其特征在于,上述芯材含有Au和Pd的至少一种。
上述第4键合线,为上述第3键合线,其特征在于,上述芯材含有选自Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B及Ge中的1种或2种以上。
上述第5键合线,为上述第3或4的键合线,其特征在于,上述芯材含有Cu和Ni中的至少一种。
另外,本发明的键合线的制造方法可以为以下的第1~4的键合线的制造方法。
上述第1键合线的制造方法是具有含有75质量%以上的Ag的芯材和被覆该芯材的外周面的防变色层的键合线的制造方法,其特征在于,对经拉丝加工的上述芯材进行1次或多次热处理,在全部热处理结束后,将含有防变色剂的水溶液涂布于上述芯材的外周面而形成上述防变色层。
上述第2键合线的制造方法,为上述第1键合线的制造方法,其特征在于,在对经拉丝加工的上述芯材进行全部热处理结束后且卷绕于卷轴前,将上述水溶液涂布于上述芯材的外周面。
上述第3键合线的制造方法,为上述第1键合线的制造方法,其特征在于,在对经拉丝加工的上述芯材的全部热处理结束后,将上述芯材清洗,然后,将上述水溶液涂布于上述芯材的外周面。
上述第4键合线的制造方法,为上述第1~3中任一项所述的键合线的制造方法,其特征在于,上述水溶液含有至少1种具有至少1个硫醇基且碳原子数为8~18的范围内的脂肪族有机化合物和至少1种表面活性剂。
本国际申请主张基于2014年1月31日申请的日本专利申请即日本特愿2014-017580号的优先权,并将该日本专利申请即日本特愿2014-017580号的全部内容援引于本国际申请中。
关于本发明的特定实施方式的上述说明是以例示为目的而示出的。它们并非旨在网罗或以记载的方式直接限制本发明。按照上述记载内容可进行大量的变型或变更,这对本领域技术人员来说是自明的。
符号说明
10…键合线
12…芯材
14…防变色层
20…卷轴
22…水溶液槽
Claims (10)
1.一种键合线,具有:
芯材,含有75质量%以上的Ag,以及
防变色层,形成于所述芯材的外周面上,含有至少1种防变色剂与至少1种表面活性剂,
所述防变色剂为具有至少一个-SH基且碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物。
2.根据权利要求1所述的键合线,其中,所述表面活性剂为非离子表面活性剂和/或阳离子表面活性剂。
3.根据权利要求1或2所述的键合线,其中,所述芯材含有Au和Pd中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的键合线,其中,所述芯材选自Ca、Y、Sm、La、Ce、Be、B、及Ge中的1种或2种以上的元素。
5.根据权利要求3所述的键合线,其中,所述芯材含有Cu和Ni中的至少一种。
6.根据权利要求4所述的键合线,其中,所述芯材含有Cu和Ni中的至少一种。
7.一种键合线的制造方法,包括如下工序:
对含有75质量%以上Ag的经拉丝加工的芯材至少进行1次热处理,以及
在全部热处理结束后,将含有至少1种防变色剂的水溶液涂布于所述芯材的外周面,从而在所述芯材的外周面上形成防变色层。
8.根据权利要求7所述的键合线的制造方法,其中,在将所述全部热处理结束后的所述芯材卷绕于卷轴前,将所述水溶液涂布于所述芯材的外周面。
9.根据权利要求7所述的键合线的制造方法,包括如下工序:在所述全部热处理结束后、且将所述水溶液涂布于所述芯材的外周面前,对所述芯材进行清洗。
10.根据权利要求7~9中任一项所述的键合线的制造方法,其中,所述防变色剂是具有至少一个-SH基且碳原子数为8~18的脂肪族有机化合物,并且
所述水溶液进一步含有至少1种表面活性剂。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014-017580 | 2014-01-31 | ||
JP2014017580 | 2014-01-31 | ||
PCT/JP2015/051316 WO2015115241A1 (ja) | 2014-01-31 | 2015-01-20 | ワイヤボンディング及びその製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105393343A true CN105393343A (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=53756818
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201580001101.3A Pending CN105393343A (zh) | 2014-01-31 | 2015-01-20 | 线键合及其制造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5842068B2 (zh) |
KR (1) | KR101668975B1 (zh) |
CN (1) | CN105393343A (zh) |
MY (1) | MY175700A (zh) |
TW (1) | TWI534835B (zh) |
WO (1) | WO2015115241A1 (zh) |
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- 2015-01-20 KR KR1020157036378A patent/KR101668975B1/ko active IP Right Grant
- 2015-01-20 WO PCT/JP2015/051316 patent/WO2015115241A1/ja active Application Filing
- 2015-01-20 MY MYPI2016702764A patent/MY175700A/en unknown
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CN105950895A (zh) * | 2016-05-06 | 2016-09-21 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
CN105950895B (zh) * | 2016-05-06 | 2018-04-20 | 河南优克电子材料有限公司 | 一种小晶片led封装用微细银合金键合线的制造方法 |
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Publication number | Publication date |
---|---|
TW201535417A (zh) | 2015-09-16 |
WO2015115241A1 (ja) | 2015-08-06 |
JP5842068B2 (ja) | 2016-01-13 |
KR20160007663A (ko) | 2016-01-20 |
JP2015164186A (ja) | 2015-09-10 |
TWI534835B (zh) | 2016-05-21 |
MY175700A (en) | 2020-07-06 |
KR101668975B1 (ko) | 2016-10-24 |
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