CN105940482A - 基板处理装置 - Google Patents

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CN105940482A CN201580006895.2A CN201580006895A CN105940482A CN 105940482 A CN105940482 A CN 105940482A CN 201580006895 A CN201580006895 A CN 201580006895A CN 105940482 A CN105940482 A CN 105940482A
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金倞民
李明振
李龙炫
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Abstract

本发明涉及一种基板处理装置，包括：工艺腔室；多个气体供给管道，用于提供气体或等离子体活性物质至工艺腔室内部；远程等离子体产生单元，其连接到多个气体供给管道当中的一个气体供给管道；和打开/关闭阀门，将其提供至远程等离子体产生单元和工艺腔室之间的该一个气体供给管道，用于选择性切断该一个气体供给管道。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及一种基板处理装置，且更具体地，涉及一种可提高清洁效率和清洁功率并且提高产量的基板处理装置。
背景技术
通常，为了制造半导体器件或者平板显示器件，将需要用于在基板上沉积介电材料的薄膜沉积工艺，用于使用光致抗蚀剂材料暴露或者遮蔽薄膜所选区域的光刻工艺，以及用于以所需图形去除薄膜所选区域并图案化的蚀刻工艺，其中每一工艺都在用于相应工艺的优化条件下设计的工艺腔室中执行。
但是，如果这种薄膜沉积工艺或蚀刻工艺重复进行，会将诸如由聚合物等构成的颗粒的副产物沉积在不希望的位置，诸如工艺腔室内壁或者基板支撑板的***部分。
由于这种沉积产生的化合物在以预定厚度或更大厚度被分开时作为腔室内部的污染源，或者这种沉积产生的化合物会改变诸如腔室内部阻抗之类的电特性，因此通过使用等离子体，该化合物会不利地影响基板处理装置中的等离子体密度和薄膜均匀性。
为了解决这种问题，希望周期性地清洗工艺腔室以去除沉积在工艺腔室上的污染源。也就是，应执行清洗工艺。
通常使用的清洗方法的实例包括基于等离子体的干式清洗方法和基于清洗溶液的湿式清洗方法。干式清洗方法允许清洗气体以等离子体状态被激发且之后与腔室内部沉积的化合物反应。
由于干式清洗方法在完美清洗腔室内部方面存在限制，因此使用湿式清洗方法以允许用户通过拆卸装置并使用HF基清洗溶液来直接清洗腔室。
尽管湿式清洗方法清洗优异，但是在完成清洗之后，需要长时间的泵吸工艺来去除杂质以再次驱动该装置，且需要几次虚拟(dummy)工艺以使工艺标准化，从而会显著降低装置的产量(throughput)。
因此，一般仅执行干式清洗方法，并且湿式清洗方法是在执行了几次或者几十次干式清洗方法之后执行。
基于等离子体的干式清洗方法可分类成原位(in-situ)清洗方法和远程等离子体清洗方法。前一清洗方法是用于清洗的等离子体在执行薄膜沉积或蚀刻工艺的腔室内部产生，而后一清洗方法是通过在工艺腔室外部单独提供的远程等离子体发生器将清洗气体激发为等离子体状态，且之后使激活的清洗气体流入到工艺腔室以清洗工艺腔室。
尽管原位清洗方法不需要额外的设备因此该方法很简单，但是用于激发清洗气体的射频功率会引起等离子体电极的离子碰撞，从而发生电极表面退化或分离的问题。
而且，会发生由于频繁的等离子体放电而导致腔室内部部件损伤的问题，从而会缩短维护周期。
因此，尽管远程等离子体清洗方法存在着需要单独的等离子体发生器和单独的RF功率的问题，但也得到了稳定的使用。
图1是说明根据现有技术的基于远程等离子体清洗方法的基板处理装置10的简图。
如图1中所示，根据现有技术的基板处理装置10包括工艺腔室1，设在工艺腔室1内部的喷淋头2，在喷淋头2上游连接到喷淋头2的远程等离子体发生器3，设在远程等离子体发生器3上方、用于将气体供应到远程等离子体发生器3的气体供应线路4，将第一反应气体提供到远程等离子体发生器3、连接到气体供应管路4的第一反应气体供应管道5，将第二反应气体提供到远程等离子体发生器3、连接到气体提供线路4的第二反应气体供应管道6，和将清洗气体提供到远程等离子体发生器3、连接到气体供应管路4的清洗气体管道7。
以这种方式，在根据现有技术的基板处理装置中，由于第一反应气体供应管道、第二反应气体供应管道和清洗气体管道共同连接到气体供应线路，因此第一反应气体和第二反应气体在气体供应线路中聚集且之后被提供到远程等离子体发生器。由于这个原因，第一反应气体和第二反应气体在气体供应线路内部部分地形成诸如粉末的外来物质，从而第一反应气体和第二反应气体部分地不会到达实际上应发生反应的工艺腔室。结果，会发生基板处理装置的产量降低的问题。而且，由于粉末残留在位于远程等离子体发生器上游的气体供应线路内，因此尽管通过远程等离子体发生器形成等离子体活性物质(species)，但是也没有方法清洗该粉末，从而问题在于清洗效率非常低且由此在后面的基板处理工艺中的缺陷率较高。
发明内容
技术问题
因此，本发明涉及一种基板处理装置，其基本上避免了由于现有技术的限制和不足导致的一个或多个问题。
具体地，本发明的目的是提供一种提高产量的基板处理装置。
本发明的另一目的是提供一种提高清洗功率和清洗效率的基板处理装置。
技术方案
根据本发明的一个实施例，包括：处理腔室；多个气体供应管道，将气体或等离子体活性物质提供至工艺腔室中；远程等离子体发生器，其连接到多个气体供应管道之一；和切换阀门，其被提供在远程等离子体发生器和工艺腔室之间的一个气体供应管道上，以选择性切断该一个气体供应管道。
优选地，基板处理装置还包括控制器，其控制工艺腔室、远程等离子体发生器和切换阀门，其中控制器控制切换阀门以不允许反应气流入到该一个气体供应管道。
而且，优选地，当基板沉积工艺在工艺腔室内开始时或者在基板沉积工艺开始之前的预定时间，控制器控制切换阀门以切断等离子体供应管道的流动。
而且，优选地，当基板处理装置的清洗工艺开始时，控制器控制切换阀门打开等离子体管道的流动。
根据本发明的另一个实施例，基板处理装置包括：工艺腔室；提供在工艺腔室上游侧的远程等离子体发生器；连接工艺腔室和远程等离子体发生器的等离子体供应管道；和提供在等离子体供应管道处以选择性切断等离子体供应管道的切换阀门，其中切换阀门被配置成或被驱动成允许自远程等离子体发生器向工艺腔室方向的向前流动，且切断自工艺腔室向远程等离子体发生器方向的向后流动。
而且，优选地，向远程等离子体发生器提供至少一种清洗气体的至少一个清洗气体管道是连接至远程等离子体发生器的上游，且向工艺腔室提供至少一种反应气体的至少一个反应气体供给管道是连接至等离子体供应管道处的切换阀门的下游。
根据本发明的再一实施例，基板处理装置包括：工艺腔室；向工艺腔室提供气体或等离子体活性物质的多个气体供给管道；连接到多个气体供给管道之一的远程等离子体发生器；以及在远程等离子体发生器和工艺腔室之间、在一个气体供给管道上提供的切换阀门，以仅在工艺腔室和该一个气体供给管道中没有反应气体材料的状态下打开该一个气体供给管道。
根据本发明再一实施例，基板处理装置包括工艺腔室；连接到工艺腔室的清洗气体供给管道；连接到清洗气体供给管道的远程腔室；连接到清洗气体供给管道的反应气体供给管道；和用于当反应气体供给管道打开时切断反应气体至远程腔室中的内流的内流切换机构。
优选地，内流切断机构是切换阀门。
而且，优选地，基板处理装置还包括控制工艺腔室、远程腔室以及内流切断机构的控制器。
而且，优选地，内流切断机构包括连接到第一反应气体供给管道的第一阀门，连接到第二反应气体供给管道的第二阀门，和连接到清洗气体供给管道的第三阀门，且，如果第三阀门打开，则第一阀门和第二阀门被切断。
有益效果
根据前述方案，在本发明中，由于第一反应气体供给管道、第二反应气体供给管道和清洗气体管道基于切换阀门彼此分开，因此能防止外来物质(诸如由于第一反应气体和第二反应气体的化学反应导致作为副产物产生的颗粒)在清洗气体管道中形成，从而可提高基板处理装置的产量，且可提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。
而且，在本发明中，由于第一反应气体供给管道和第二反应气体供给管道可仅在等离子体供给管道中彼此混合，因此在等离子体供给管道之前，第一反应气体供给管道和第二反应气体供给管道可彼此分开，从而可防止在提供线路上产生第一反应气体和第二反应气体的化学反应且可最小化在处理腔室之前的第一反应气体和第二反应气体的化学反应空间。结果，可提高基板处理装置的产量，且同时，在基板沉积工艺之后的清洗工艺期间，可通过远程等离子体发生器提供的等离子体活性物质极佳地清洗等离子体供给管道和切换阀门。因此，即使通过在等离子体供给管道中的第一反应气体和第二反应气体的部分化学反应形成颗粒，也能通过一次清洗工艺去除该颗粒，从而能提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。结果，本发明可显著降低基板处理工艺期间的基板缺陷率。
此外，根据本发明，由于提供了切换阀门，因此可防止在基板沉积工艺期间第一反应气体和第二反应气体流入到等离子体供给管道和远程等离子体发生器中，且在切换阀门的同时，可通过使用在清洗工艺期间自远程等离子体发生器产生的清洗气体的等离子体活性物质，通过一次清洗工艺清洗等离子体供给管道和工艺腔室，从而能提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。结果，根据本发明，可显著降低在基板处理工艺期间的基板缺陷率。
附图说明
图1是说明根据现有技术的基板处理装置的简图；
图2是说明根据本发明一个实施例的基板处理装置的简图；
图3是说明根据本发明一个实施例的基板处理装置的简要框图；
图4是说明根据本发明一个实施例用于处理基板的方法的简要流程图；
图5是说明根据本发明一个实施例的清洗步骤的简要流程图；和
图6是说明根据本发明另一实施例的清洗步骤的简要流程图。
具体实施方式
现在将具体参考本发明的优选实施例，在附图中示出了其实例。尽可能贯穿附图使用相同参考数字表示相同或相似部分。在本发明的以下说明中，如果确定关于本发明公知的元件或功能的具体描述会使得本发明的主题不必要的混淆，将省略该具体描述。附图中示出的一些特征被放大或缩小，或者被简化以便于描述，且不必以适当比例示出附图和其他元件。但是，本领域技术人员容易理解这些具体事项。
作为参考，下文说明书中的技术术语“上游”或者“上游侧”或者“上游部分”指的是基于清洗气体或反应气体的流动方向，相对接近于气体流开始点的方向或部分，并且下文说明书中的技术术语“下游”或者“下游侧”或者“下游部分”指的是基于清洗气体或反应气体的流动方向，相对接近于气体流到达点的方向或部分。
图2是说明根据本发明一个实施例的基板处理装置1000的简图，和图3是说明根据本发明一个实施例的基板处理装置1000的简要框图。
如图2和图3中所示，根据本发明一个实施例的基板处理装置1000包括提供第一反应气体的第一反应气体供给管道210、提供第二反应气体的第二反应气体供给管道220、提供第一清洗气体的第一清洗气体管道510、提供第二清洗气体的第二清洗气体管道520、提供第一净化气体至第一反应气体供给管道210的第一净化气体供给管道230、提供第二净化气体至第二反应气体供给管道220的第二净化气体供给管道240、向其中提供第一反应气体和第二反应气体且在其中执行基板的薄膜沉积工艺的工艺腔室100、支撑基板的基板支撑板110、提供在工艺腔室100一侧上的闸阀130、远程腔室400、提供在远程腔室400内的远程等离子体发生器410、连接远程腔室400和工艺腔室100的等离子体供给管道413、提供在工艺腔室100下方的排气管道处的排气泵140，以及控制上述元件的控制器600。
工艺腔室100是向其中提供第一反应气体和第二反应气体以及之后提供等离子体的反应空间，且在其中执行在设置于基板支撑板110上的基板上沉积薄膜的工艺。
工艺腔室100包括提供在工艺腔室100内部、用于在其上支撑基板的基板支撑板110，提供在工艺腔室100上方、将第一反应气体、第二反应气体和清洗气体的等离子体活性物质分散向基板支撑板110的气体分散板120，提供在工艺腔室100一侧上以将基板自工艺腔室100取出或将基板送入工艺腔室100的闸阀130，以及提供在工艺腔室100下方以泄放工艺腔室中的残余气体和残余材料的排气泵140。
工艺腔室100经由气体分散板120连接至等离子体供给管道413下游侧端部。
也就是，等离子体供给管道连接至工艺腔室100的上游侧。
在工艺腔室100上游侧，等离子体供给管道413以通气道的方式将工艺腔室100、远程等离子体发生器410和远程腔室400相互连接，且将在远程等离子体发生器410中产生的等离子体或者等离子体活性物质或离子提供至工艺腔室100。
等离子体供给管道413设有用于切断进入远程腔室中的反应气体内流的内流切断机构。也就是，等离子体供给管道413设有用于选择性地切断工艺腔室100上游侧的等离子体供给管道413中的气体流的切换阀门415。
基于切换阀门415，等离子体供给管道413被分成两个管道，其中将用于连接切换阀门415和远程腔室400的管道称作中间连接管道413c而将用于连接切换阀门415和工艺腔室100的管道称作清洗气体供给管道413d。也就是，等离子体供给管道413包括中间连接管道413c和清洗气体供给管道413d。
根据工艺腔室100中的工艺是基板处理装置1000的基板沉积工艺还是清洗工艺，切换阀门415选择性地切断等离子体供给管道413。
更具体地，切换阀门被配置成或驱动成允许自远程等离子体发生器向工艺腔室方向的向前流动，但是切断自工艺腔室向远程等离子体发生器方向的向后流动。
此时，通过控制器600控制切换阀门415的切换。
更具体地，控制器600可控制切换阀门415从而当在工艺腔室100处开始基板沉积工艺时、或者在开始基板沉积工艺前预定时间，切断等离子体供给管道413的流动。结果，可完全防止为基板沉积工艺提供的第一反应气体和第二反应气体向后流动或者流入等离子体供给管道413、被设置在等离子体供给管道413上游侧的远程等离子体发生器413、以及清洗气体管道中。
控制器600可控制切换阀门415从而当开始基板处理装置1000的清洗工艺时打开等离子体供给管道413的流动。结果，当开始清洗工艺时，可使用通过远程等离子体发生器410产生的等离子体活性物质，按顺序清洗等离子体供给管道413、切换阀门415和工艺腔室100。
优选地，控制器600可控制切换阀门415以仅在工艺腔室100和等离子体供给管道413中没有反应气体材料的状态下打开等离子体供给管道413。由于控制器600的该驱动算法，可基本防止反应气体流动或向后流动到等离子体供给管道中，从而能防止等离子体供给管道被反应气体材料污染。
第一分离管道413a和第二分离管道413b被提供于切换阀门415下游侧的等离子体供给管道413的一侧。第一分离管道413a以通气道方式连接到第一反应气体供给管道210，并且用于选择性切断第一反应气体供给管道210的流动的第一供给阀门212设在第一分离管道413a和第一反应气体供给管道210的连接部分。同样，第二分离管道413b以通气道方式连接至第二反应气体供给管道220，并且用于选择性切断第二反应气体供给管道220的流动的第二提供管道222设在第二分离管道413b和第二反应气体供给管道220的连接部分处。
第一反应气体供给管道210连接至第一反应气体存储单元211，并且第二反应气体供给管道220连接至第二反应气体存储单元221。
优选地，第一反应气体可以是SiH4气体，并且第二反应气体可以是N2O气体。
向第一反应气体供给管道210提供第一净化气体的第一净化气体供给管道230和用于选择性切断第一净化气体供给管道230的流动的第一净化阀门232设在第一反应气体供给管道210中间，且向第二反应气体供给管道220提供第二净化气体的第二净化气体供给管道240和用于选择性切断第二净化气体供给管道240的流动的第二净化阀门242设在第二反应气体供给管道220中间。
第一净化气体供给管道230连接到第一净化气体存储单元231，并且第二净化气体供给管道240连接到第二净化气体存储单元241。
如果第一净化阀门232和第二净化阀门242打开并且第一供给阀门212和第二供给阀门222打开，则通过驱动排气泵140，第一净化气体和第二净化气体经由第一反应气体供给管道210和第二反应气体供给管道220穿过等离子体供给管道413和之后穿过工艺腔室100，经由排气管道泄放。
远程等离子体410被提供在等离子体供给管道413的上游。自RF电源411向远程等离子体发生器410提供有射频(RF)功率并将流入到远程等离子体发生器410中的清洗气体激活为具有高反应性的等离子体活性物质或离子。激活的清洗气体等离子体活性物质或离子自远程等离子体发生器410被提供到等离子体供给管道413、切换阀门415和工艺腔室100中，且由此与外来物质诸如不必要地沉积在等离子体供给管道413、切换阀门415和工艺腔室的内壁和拐角上的颗粒反应，从而将外来物质自该表面分离并移除。
远程等离子体发生器410以通气道方式在上游连接至清洗气体管道，且以通气道方式在下游连接至等离子体供给管道413。也就是，经由清洗气体管道向远程等离子体发生器410提供清洗气体，通过RF功率将清洗气体激发为等离子体活性物质或离子，且之后经由等离子体供给管道413将清洗气体的等离子体活性物质或离子提供到工艺腔室中。
清洗气体管道包括提供第一清洗气体的第一清洗气体管道510和提供第二清洗气体的第二清洗气体管道520。第一清洗气体管道510连接到第一清洗气体存储单元511，并且用于选择性地切断第一清洗气体管道510的第一清洗阀门512设在第一清洗气体管道510的中间。第二清洗气体管道520连接到第二清洗气体存储单元521，并且用于选择性地切断第二清洗气体管道520的第二清洗阀门522设在第二清洗气体管道520的中间。
优选地，第一清洗气体可以是NF3气体，并且第二清洗气体可以是Ar气体。
以下，将更具体地描述根据本发明通过使用上述基板处理装置1000来处理基板的方法。
图4是说明根据本发明一个实施例用于处理基板的方法的简要流程图，图5是说明根据本发明一个实施例的清洗步骤S2410的简要流程图，和图6是说明根据本发明另一实施例的清洗步骤S2420的简要流程图。
在执行基板沉积工艺之后，控制器600执行基板处理装置1000的清洗动作，用于稍后的基板沉积工艺。
更具体地，如图4中所示，首先，控制器600通过关闭切断阀门415切断等离子体供给管道413(S2100)。
之后，通过打开设在第一反应气体供给管道210处的第一供给阀门212和设在第二反应气体供给管道220处的第二供给阀门222，控制器600经由等离子体供给管道413将第一反应气体和第二反应气体提供到反应腔室中(S2200)。
之后，通过将等离子体施加至工艺腔室100并对第一反应气体和第二反应气体的混合气体进行等离子体处理，控制器600在设置于基板支撑板110上的基板上沉积薄膜(S2300)。
如果完成了基板沉积工艺，则控制器600通过使用清洗气体的等离子体活性物质，清洗等离子体供给管道413、切换阀门415和工艺腔室100，该等离子体活性物质是通过将清洗气体和RF功率提供到远程等离子体发生器410形成的(S2400)。
可通过图5和图6中所示的两种方式执行使用清洗气体的等离子体活性物质来清洗等离子体供给管道413、切换阀门415和工艺腔室100的步骤。当然，可以部分组合地执行图5的方式和图6的方式。
首先，如图5中所示，控制器600可不使用净化气体来执行清洗工艺(S2410)。这种情况下，可基本省略第一净化气体供给管道230、第二净化气体供给管道240、第一净化阀门232和第二净化阀门242。
更具体地，参见图5，将描述根据本发明一个实施例的清洗步骤S2410。首先，通过关闭第一供给阀门212和第二供给阀门222，控制器600切断第一反应气体和第二反应气体经由第一反应气体供给管道210和第二反应气体供给管道220向等离子体供给管道413和工艺腔室100中流动。
之后，通过驱动在工艺腔室100下方提供的排气泵140，控制器600泄放出在工艺腔室100和等离子体供给管道413中残余的剩余气体(S2413)。
之后，通过打开第一清洗阀门512和/或第二清洗阀门522，控制器600向远程等离子体发生器410同时或顺序地提供第一清洗气体和/或第二清洗气体，并且通过将RF功率提供至远程等离子体发生器410，将第一清洗气体和/或第二清洗气体激活为等离子体活性物质或离子。
之后，控制器600打开切换阀门415(S2415)。
结果，通过连接远程等离子体发生器410和工艺腔室100，控制器600将等离子体活性物质提供至等离子体供给管道413并经由等离子体供给管道至工艺腔室100(S2417)。
作为另一实施例，如图6中所示，通过使用净化气体，控制器600可执行清洗工艺(S2420)。
更具体地，参见图6，在第一供给阀门212和第二供给阀门222打开的状态下，通过打开分别连接到第一反应气体供给管道210和第二反应气体供给管道220的第一净化气体供给管道230的第一净化阀门232和第二净化气体供给管道240的第二净化阀门242，控制器600将第一净化气体和第二净化气体提供至等离子体供给管道413和工艺腔室100(S2421)。由于将净化气体自反应气体供给管道提供至等离子体供给管道413，因此避免了自等离子体供给管道413向反应气体供给管道回流。当然，由于此时关闭了切换阀门，因此可避免净化气体向等离子体供给管道413回流。
之后，通过驱动在工艺腔室100下方提供的排气泵140，控制器600可泄放出在工艺腔室100和等离子体供给管道413中剩余的残余气体(S2423)。
之后，通过将RF功率和清洗气体提供到远程等离子体发生器410，控制器600形成清洗气体的等离子体活性物质。
之后，在将第一净化气体和第二净化气体提供到等离子体供给管道413和工艺腔室100中的状态下，控制器600打开切换阀门415(S2425)。
结果，通过连接远程等离子体发生器410和工艺腔室100，控制器600将等离子体活性物质提供到等离子体供给管道413并经由等离子体供给管道至工艺腔室100(S2427)。
根据上述方案，在本发明中，由于基于切换阀门，使第一反应气体供给管道、第二反应气体供给管道和清洗气体管道彼此分开，因此防止在清洗气体管道中形成外来物质(诸如由于第一反应气体和第二反应气体的化学反应导致产生的副产物的颗粒)，从而能提高基板处理装置的产量，并且可提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。
而且，在本发明中，由于第一反应气体供给管道和第二反应气体供给管道可仅在等离子体供给管道中彼此混合，因此在等离子体供给管道之前将第一反应气体供给管道和第二反应气体供给管道彼此分离，从而防止在提供线路上产生第一反应气体和第二反应气体的化学反应并且使处理腔室之前用于第一反应气体和第二反应气体化学反应的空间最小化。结果，可提高基板处理装置的产量，且同时，在基板沉积工艺之后的清洗工艺期间，通过自远程等离子体发生器提供的等离子体活性物质极佳地清洗等离子体供给管道和切换阀门。因此，即使通过第一反应气体和第二反应气体在等离子体供给管道处的部分化学反应形成颗粒，也可通过一次清洗工艺去除该颗粒，从而可提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。结果，本发明显著降低了基板处理工艺期间基板的缺陷率。
此外，根据本发明，由于提供了切换阀门，因此在基板沉积工艺期间可防止第一反应气体和第二反应气体流入到等离子体供给管道和远程等离子体发生器，且同时，可通过使用清洗工艺期间自远程等离子体发生器产生的清洗气体的等离子体活性物质，通过一次清洗工艺清洗等离子体供给管道和工艺腔室，从而可提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。结果，根据本发明，在基板处理工艺期间可显著降低基板的缺陷率。
对本领域技术人员很明显的是，本发明可体现为其他具体形式，而不脱离该说明书的精神和本质特性。由此，在各方面来说，可认为上述实施例是说明性且非限制性的。该说明书的范围应当由所附权利要求的合理解释来确定，且在说明书等价范围内的所有改变都包括在说明书的范围内。
(标记和参考数字的描述)
1000：基板处理装置
100：工艺腔室
210：第一反应气体供给管道
220：第二反应气体供给管道
230：第一净化气体供给管道
240：第二净化气体供给管道
410：远程等离子体发生器
415：切换阀门
510：第一清洗气体管道
520：第二清洗气体管道
【工业实用性】
根据前述方案，在本发明中，由于基于切换阀门，使第一反应气体供给管道、第二反应气体供给管道和清洗气体管道彼此分离，因此可防止在清洗气体管道中形成外来物质，例诸如由于第一反应气体和第二反应气体的化学反应导致产生的副产物的颗粒，从而可提高基板处理装置的产量，且可提高基板处理装置的清洗功率和清洗效率。由此，有工业实用性。

Claims (11)

1.一种基板处理装置，包括：
处理腔室；
向工艺腔室提供气体或等离子体活性物质的多个气体供给管道；
连接到多个气体供给管道之一的远程等离子体发生器；和
切换阀门，在远程等离子体发生器和工艺腔室之间、设在一个气体供给管道处，以选择性切断所述一个气体供给管道。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，还包括控制工艺腔室、远程等离子体发生器和切换阀门的控制器，其中控制器控制切换阀门以不允许反应气体流入到所述一个气体供给管道。
3.如权利要求2所述的基板处理装置，其中当在工艺腔室开始基板沉积工艺时，或者在开始基板沉积工艺之前预定时间，控制器控制切换阀门以切断等离子体供给管道的流动。
4.如权利要求2所述的基板处理装置，其中控制器控制切换阀门以当基板处理装置的清洗工艺开始时打开等离子体供给管道的流动。
5.一种基板处理装置，包括：
工艺腔室；
设在工艺腔室的上游侧的远程等离子体发生器；
连接工艺腔室和远程等离子体发生器的等离子体供给管道；和
切换阀门，设在等离子体供给管道处以选择性切断等离子体供给管道，
其中切换阀门被配置成或驱动成允许自远程等离子体发生器向工艺腔室方向的向前流动并切断自工艺腔室向远程等离子体发生器方向的向后流动。
6.如权利要求5所述的基板处理装置，其中向远程等离子体发生器提供至少一种清洗气体的至少一个清洗气体管道是连接到远程等离子体发生器的上游，并且向工艺腔室提供至少一种反应气体的至少一个反应气体供给管道是连接到等离子体供给管道处的切换阀门的下游。
7.一种基板处理装置，包括：
工艺腔室；
向工艺腔室提供气体或等离子体活性物质的多个气体供给管道；
连接到多个气体供给管道之一的远程等离子体发生器；和
切换阀门，在远程等离子体发生器和工艺腔室之间、设在一个气体供给管道处，以仅在工艺腔室和所述一个气体供给管道中没有反应气体材料的状态下打开所述一个气体供给管道。
8.一种基板处理装置，包括：
工艺腔室；
连接到工艺腔室的清洗气体供给管道；
连接到清洗气体供给管道的远程腔室；
连接到清洗气体供给管道的反应气体供给管道；和
当反应气体供给管道打开时，用于切断至远程腔室中的反应气体内流的内流切断机构。
9.如权利要求8所述的基板处理装置，其中内流切断机构是切换阀门。
10.如权利要求8所述的基板处理装置，还包括控制工艺腔室、远程腔室和内流切断机构的控制器。
11.如权利要求8所述的基板处理装置，其中内流切断机构包括连接到第一反应气体供给管道的第一阀门、连接到第二反应气体供给管道的第二阀门，和连接到清洗气体供给管道的第三阀门，并且如果打开第三阀门，则第一阀门和第二阀门被切断。
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