CN105977249A - 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 - Google Patents
实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105977249A CN105977249A CN201610546382.7A CN201610546382A CN105977249A CN 105977249 A CN105977249 A CN 105977249A CN 201610546382 A CN201610546382 A CN 201610546382A CN 105977249 A CN105977249 A CN 105977249A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wafer
- wiring layer
- level packaging
- improved method
- ambient light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 37
- 239000002390 adhesive tape Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 20
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims abstract 4
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 22
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 20
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 14
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 9
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 6
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 claims description 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 claims description 4
- 239000000741 silica gel Substances 0.000 claims description 4
- 229910002027 silica gel Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 Chemical compound C1(=CC=CC=C1)N1C2=C(NC([C@H](C1)NC=1OC(=NN=1)C1=CC=CC=C1)=O)C=CC=C2 FGUUSXIOTUKUDN-IBGZPJMESA-N 0.000 claims description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 claims description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 claims description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 claims description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 claims 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 claims 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 abstract description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 59
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 9
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 230000001737 promoting effect Effects 0.000 description 2
- 230000035807 sensation Effects 0.000 description 2
- GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 3-(2-methoxyethoxy)benzohydrazide Chemical compound COCCOC1=CC=CC(C(=O)NN)=C1 GNFTZDOKVXKIBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 239000012943 hotmelt Substances 0.000 description 1
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/16—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits
- H01L25/167—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different main groups of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. forming hybrid circuits comprising optoelectronic devices, e.g. LED, photodiodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Packaging Frangible Articles (AREA)
Abstract
本发明提供一种实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装。一改传统上依赖PCB基板之工艺，采用RDL布线层和丝焊工艺相结合实现所述晶圆级封装；借光学封罩和防护封罩锁固晶片；成型载具能同时承载多个待加工的晶片组合，能对成型载具上的全部晶片组合同时制作光学封罩和防护封罩，此外，在临时性胶带上所形成的RDL布线层不仅非常利于薄型化设计还利于对过个晶片组合同时加工。本发明具有这些技术特点，达成了弃用PCB基板实现薄型化和高效生产之目的与效果。
Description
技术领域
本发明涉传感器的封装技术，尤其涉及一种实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装。
背景技术
智能设备的小型化是基于其构成部件的小型化。环境光与接近传感器组合了光感应晶片和发光晶片，传统工艺上，此二种晶片分别采用不同的晶圆制造，再组合到PCB基板上封装；由于PCB基板难以薄型化，制约了此种传感器的薄型化发展。
发明内容
如前所述，如何突破PCB基板的工艺瓶颈，将两种不同制成工艺的光感应晶片和发光晶片组合到一个封装中又实现小型化的要求是本发明欲解决的一个问题；如何提升封装效率以期降低生产成本是本发明欲达到的目的之一。
为了达成本发明之目的，本发明的方法技术方案如下。
实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，包括下列封装步骤：
a.制备RDL布线层
b.将RDL布线层的底部通过胶带贴在成型载具上；
c.通过回流焊或热压法将光感应晶片和发光晶片焊接到RDL布线层上；
d.采用丝焊工艺(Wire Bonding)连接光感应晶片和RDL布线层；
e.用透光材料包裹发光晶片和光感应晶片并成型为光学封罩；
f.用非透光材料包裹光学封罩，在发光晶片和光感应晶片之间形成隔光带并成型为防护封罩；
g.移除成型载具及其胶带即实现所述晶圆级封装。
在某些实施例中，所述成型载具选用硬质材料制成，优选为硅片。
在某些实施例中，所述胶带为硅胶系胶粘剂。在某些实施例中，步骤d选用含金元素材料作为焊丝工艺的拉线材料。
在某些实施例中，步骤e采用灌胶注模工艺，所述透光材料优选为热固性环氧树脂。
在某些实施例中，步骤f采用灌胶注模工艺，所述非透光材料优选为热固型材料EMC、热塑性PCT、改性PPA以及类陶瓷塑料中的一种。
在某些实施例中，在实现所述晶圆级封装后，还在RDL布线层的底面植入或覆盖导体，
在某些实施例中，所述在RDL布线层的底面植入或覆盖导体的方式包括在底面的凸点底部金属化层(UBM)上生成金属焊盘、或金凸点、或焊料凸点中的一种。
在某些实施例中，采用丝焊工艺连接发光应晶片和RDL布线层。
在某些实施例中，所述胶带上具有隔离空间，所述隔离空间将所述胶带隔离成孤岛，所述RDL布线层设置在孤岛内。
为了达成本发明之目的，本发明的产品技术方案如下。
为了达成本发明之目的，本发明的产品技术方案如下。
超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装，具有光感应晶片、发光晶片、光学封罩和防护封罩；光感应晶片位于光学封罩内，光学封罩位于防护封罩内；所述封装的底层是RDL布线层，所述光感应晶片和所述RDL布线层通过导线电连接。
在某些实施例中，所述发光晶片的底部和RDL布线层电连接。
本发明一改传统上依赖PCB基板之工艺，采用RDL布线层和丝焊工艺相结合实现所述晶圆级封装；工艺上改PCB基板和晶片永久固定为借助成型载具和胶带的临时固定,通过刻蚀与电镀形成的RDL布线层和晶片连接，借光学封罩和防护封罩锁固晶片；成型载具能同时承载多个待加工的晶片组合，能对成型载具上的全部晶片组合同时制作光学封罩和防护封罩；比起单个PCB板结构，也便于快速丝焊(Wire Bonding)；此外，在临时性胶带上所形成的RDL布线层不仅非常利于薄型化设计还利于对多个晶片组合同时加工，更可以根据不同的电信号传播特征选择性地采用丝焊(Wire Bonding)或RDL布线层工艺，RDL布线层替代一部分的原丝焊工艺的连接可以显著提高封装效率，保留一部分丝焊(Wire Bonding)工艺可以为特殊电流要求的引线提供可靠保障。本发明具有这些技术特点，达成了弃用PCB基板实现薄型化和高效生产之目的与效果。
此外，RDL布线层多采用刻蚀和电镀工艺形成，易在胶带的刻蚀和电镀边缘上形成应力，孤岛化结构能够隔绝各组封装之间的应力叠加，把刻蚀和电镀对胶带的应力作用控制在孤岛的范围内，对提升封装精度和提高良率甚有助益。另外，在采用热熔法形成光学封罩和防护封罩的某些实施中胶带形成孤岛结构，各组光感应晶片和发光晶片的热量沿着成型载具的表面向外传递到相邻孤岛时受隔离空间的阻碍，热量被引导到主要向垂直成型载具的方向传递并主要由成型载具散发，此种特点能将热变形控制在单个孤岛内，消除各组光感应晶片和发光晶片的热变形累加，也对提升封装精度和提高良率甚有助益。
前面总地描述了本发明的某些特征和优点；然而，在本文中给出的另外的特征、优点和实施方案，或者查看了本文的附图、说明书和权利要求书的本领域普通技术人员将清楚另外的特征、优点和实施方案。因此，应该理解，本发明的范围应当不受此发明内容章节中所公开为限制。
附图说明
图1是实施例封装方法的步骤a示意图；
图2是实施例封装方法的步骤b示意图；
图3是实施例封装方法的步骤c示意图；
图4是实施例封装方法的步骤d示意图；
图5是实施例封装方法的步骤e示意图；
图6是实施例封装方法的步骤f示意图；
图7是实施例封装方法的步骤g示意图；
图8是实施例封装的示意图；
图9是实施例胶带隔离空间示意图。
附图标号说明：
10光感应晶片 11导线 20发光晶片 30成型载具 31胶带
311隔离空间 40光学封罩 50防护封罩 60导体
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，以下将列举实施例对本发明的具体实施方式做详细说明。在以下的描述中阐述了以便于充分理解本发明的具体实施例，但是，本发明能够以不同于以下描述的方式实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似推广。因此，本发明不受以下公开的具体实施例的限制。
本实施例超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装方法如图1到图7所示。
首先，准备好光感应晶片10，光感应晶片10可以是环境光感应器(Ambient LightSensor)、或接近感应器(Proximity Sensor)、或前两者的组合结构，如图1，本实施例采用两者组合的结构为演示。其次，准备好发光晶片，本实施例发光晶片选用发光二极管(LED)晶圆，该发光二极管所发光之波长以使用要求而选择，不对波长范围为限；本实施例所演示的发光晶片选择电极数较少的简单发光晶片，在其他实施例中还可以选用具有硅通孔的发光晶片。
再次，如图1，制备RDL布线层，本实施例RDL布线层通过刻蚀和电镀工艺形成。
如图2，准备好具有硅胶胶带31的成型载具30(Carrier)，成型载具30选为平整的硅片；胶带31选用硅胶胶带并设置隔离空间311，相邻的隔离空间311之间形成孤岛，光感晶片10和发光晶片20将要置于该孤岛上。
如图,3，将光感应晶片10(Light Sensor Die)和发光晶片20(LED Die)分别从它们各自所属的晶圆上抓取下，光感应晶片10的感光面和发光晶片20的发光面朝上，另一面朝下通过胶带31固定在载具上，另一面朝下通过助焊剂或固定胶固定在RDL布线层上，如图8，本实施例中是固定在隔离空间311围绕形成的孤岛上。
如图4，采用丝焊工艺(Wire Bonding)用拉导线11焊接接光感应晶片和RDL布线层。
如图5，采用灌胶注模44成型工艺，用透光材料包裹光感应晶片10和发光晶片20形成光学封罩40，本实施例透光材料采用透明的热固性环氧树脂(EMC)。
如图6，继续进行二次灌胶注模，用非透光材料填充和包裹光学透镜封罩40、并且在光感应晶片10和发光晶片之间20成型出光隔带，形成防护封罩50。本实施例非透光材料可采用热固型材料EMC、热塑性PCT、改性PPA以及类陶瓷塑料等材料。
如图7，移除成型载具30及其胶带10即实现所述晶圆级封装。
如图8所示，在完成本实施例超薄封装后，还在可以RDL布线层底面的凸点底部金属化层(UBM)上生成金属焊盘、或金凸点、或焊料凸点中的一种，便于切割后的传感器封装单体和外部主板焊接。
以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式上的限制。任何本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围的情况下，都可利用上述揭示的技术内容对本发明技术方案作出多种可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例。因此，凡是不脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均属于本发明技术方案的保护范围。
Claims (10)
1.实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，包括下列封装步骤：
a.制备RDL布线层
b.将RDL布线层的底部通过胶带贴在成型载具上；
c.通过回流焊或热压法将光感应晶片和发光晶片焊接到RDL布线层上；
d.采用丝焊工艺连接光感应晶片和RDL布线层；
e.用透光材料包裹发光晶片和光感应晶片并成型为光学封罩；
f.用非透光材料包裹光学封罩，在发光晶片和光感应晶片之间形成隔光带并成型为防护封罩；
g.移除成型载具及其胶带即实现所述晶圆级封装。
2.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，所述成型载具选用硬质材料制成，优选为硅片。
3.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，所述胶带为硅胶系胶粘剂。
4.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，步骤e采用灌胶注模工艺，所述透光材料优选为热固性环氧树脂。
5.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，其特征在于，步骤f采用灌胶注模工艺，所述非透光材料优选为热固型材料EMC、热塑性PCT、改性PPA以及类陶瓷塑料中的一种。
6.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，在实现所述晶圆级封装后，还在RDL布线层的底面植入或覆盖导体。
7.根据权利要求6的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，所述在RDL布线层的底面植入或覆盖导体的方式包括在底面的凸点底部金属化层(UBM)上生成金属焊盘、或金凸点、或焊料凸点中的一种。
8.根据权利要求1的实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法，其特征在于，采用丝焊工艺连接发光应晶片和RDL布线层。
9.超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装，具有光感应晶片、发光晶片、光学封罩和防护封罩；光感应晶片位于光学封罩内，光学封罩位于防护封罩内；其特征在于，所述封装的底层是RDL布线层，所述光感应晶片和所述RDL布线层通过导线电连接。
10.根据权利要求9的超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装，其特征在于，所述发光晶片的底部和RDL布线层电连接。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610546382.7A CN105977249A (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610546382.7A CN105977249A (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105977249A true CN105977249A (zh) | 2016-09-28 |
Family
ID=56952816
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610546382.7A Pending CN105977249A (zh) | 2016-07-12 | 2016-07-12 | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105977249A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107958881A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-04-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种cis器件封装结构及封装方法 |
| TWI668851B (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-11 | 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 | 晶圓級感應模組及其製造方法 |
| US20210327863A1 (en) * | 2016-03-31 | 2021-10-21 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level proximity sensor |
Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI241000B (en) * | 2003-01-21 | 2005-10-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package and fabricating method thereof |
| JP2010123620A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN103247610A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 英特赛尔美国有限公司 | 光电子器件和制造光电子器件的方法 |
| JP2014099468A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
| CN104102065A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 富士通株式会社 | 电子装置、用于制造电子装置的方法以及电子设备 |
| US20160190380A1 (en) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level packaging for proximity sensor |
| CN206271704U (zh) * | 2016-07-12 | 2017-06-20 | 希睿（厦门）科技有限公司 | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装 |
-
2016
- 2016-07-12 CN CN201610546382.7A patent/CN105977249A/zh active Pending
Patent Citations (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI241000B (en) * | 2003-01-21 | 2005-10-01 | Siliconware Precision Industries Co Ltd | Semiconductor package and fabricating method thereof |
| JP2010123620A (ja) * | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Stanley Electric Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| CN103247610A (zh) * | 2012-02-10 | 2013-08-14 | 英特赛尔美国有限公司 | 光电子器件和制造光电子器件的方法 |
| JP2014099468A (ja) * | 2012-11-13 | 2014-05-29 | Pioneer Electronic Corp | 半導体デバイスの製造方法および半導体デバイス |
| CN104102065A (zh) * | 2013-04-04 | 2014-10-15 | 富士通株式会社 | 电子装置、用于制造电子装置的方法以及电子设备 |
| US20160190380A1 (en) * | 2014-12-25 | 2016-06-30 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level packaging for proximity sensor |
| CN206271704U (zh) * | 2016-07-12 | 2017-06-20 | 希睿（厦门）科技有限公司 | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20210327863A1 (en) * | 2016-03-31 | 2021-10-21 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level proximity sensor |
| US11996397B2 (en) * | 2016-03-31 | 2024-05-28 | Stmicroelectronics Pte Ltd | Wafer level proximity sensor |
| CN107958881A (zh) * | 2017-11-28 | 2018-04-24 | 华进半导体封装先导技术研发中心有限公司 | 一种cis器件封装结构及封装方法 |
| TWI668851B (zh) * | 2018-01-31 | 2019-08-11 | 新加坡商光寶科技新加坡私人有限公司 | 晶圓級感應模組及其製造方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104737307B (zh) | 用于制造多个光电子半导体构件的方法 | |
| US7960841B2 (en) | Through-hole via on saw streets | |
| CN106024649A (zh) | 一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装及其封装方法 | |
| US8507328B2 (en) | Systems and methods providing semiconductor light emitters | |
| US8535961B1 (en) | Light emitting diode (LED) package and method | |
| TW200620496A (en) | Semiconductor package free of carrier and fabrication method thereof | |
| CN107994104B (zh) | 半导体发光结构及半导体封装结构 | |
| US7745241B2 (en) | Method of making light emitting diodes | |
| TW200741902A (en) | Semiconductor package and, chip carrier thereof and method for fabricating the same | |
| CN109637985A (zh) | 一种芯片扇出的封装结构及其制造方法 | |
| US8735933B2 (en) | Light emitting diode package and method of manufacturing the same | |
| CN105977249A (zh) | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装的改进方法及其封装 | |
| US8492180B2 (en) | LED and method for manufacturing the same | |
| CN104183682A (zh) | 覆晶式发光二极管元件及其封装结构 | |
| CN205723498U (zh) | 多芯片的***级晶圆级封装结构 | |
| US20160155716A1 (en) | Package substrate, semiconductor package and method of manufacturing the same | |
| CN206271704U (zh) | 实现超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装 | |
| CN105140374A (zh) | 一种免打线led封装结构及其制备方法 | |
| KR101504899B1 (ko) | 웨이퍼 레벨의 팬 아웃 반도체 패키지 및 이의 제조 방법 | |
| CN105845807A (zh) | 发光二极管覆晶封装结构 | |
| CN206271663U (zh) | 一种超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装 | |
| CN100416875C (zh) | 使用凸块进行封装的结构及其形成方法 | |
| CN107611092A (zh) | 晶圆级芯片封装结构及其制备方法 | |
| CN206271703U (zh) | 超薄环境光与接近传感器的晶圆级封装 | |
| CN103078043A (zh) | 一种cob led封装结构及封装工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20200311 Address after: No.98, Huiming Road, Fenghua District, Ningbo City, Zhejiang Province (No.2, building 5, qianrenchuangyuan) Applicant after: NINGBO DELTAWAVE TECHNOLOGY CO.,LTD. Address before: Room 107, Xuan building, Pioneer Park, torch hi tech Zone, Fujian, Xiamen 361006 Applicant before: XIRUI (XIAMEN) TECHNOLOGY CO.,LTD. |
|
| TA01 | Transfer of patent application right | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20160928 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |