CN105870307A - 一种低光衰紫光led及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种低光衰紫光LED及其制造方法，包括碗杯，所述碗杯的内底部通过固晶胶固定有一紫光芯片，所述紫光芯片通过一对键合金丝分别与正极导柱和负极导柱相连接，在所述碗杯中填充内胶，所述碗杯外封装有一外胶；所述内胶为有机硅改性环氧树脂，其中AB胶比例为A胶10重量份，B胶6重量份；所述外胶为环氧树脂，其中AB胶比例为A胶100重量份，B胶100重量份。本发明中外胶和内胶组成成分大体一致，如此内胶和外胶的结合时，使得气泡及分层这一难题得到彻底解决。同时内胶和外胶膨胀系数较为一致，内应力基本消除，经100次冷热冲击，LED仍能正常工作，由于内胶组份进行硅改性，紫外光透光性及其光衰性能大幅提高。

Description

一种低光衰紫光LED及其制造方法
技术领域
本发明涉及LED生产技术领域，更具体地说是一种低光衰紫光LED及其制造方法。
背景技术
现有技术中，紫光LED的UVA波段(365～415nm)进行直插式封装时，采用以下两种方法：(1)第一种，采用环氧树脂直接封装，封装后灯杯被环氧树脂填充，其不足之处是紫外光会破坏环氧树脂，造成紫外光透过性差，使用一段时间后，紫外光功率下降很多，最终影响使用。
(2)第二种，采用灯杯内点硅胶，外封环氧树脂，紫外光功率有明显改善，但因为两种胶组份及其膨胀系数差异大，封装后极易产生气泡，并且内外胶分层及内应力大，造成可见光的一致性差，同时品质可靠性也下降，在进行波峰焊接加工作业时，死灯率较高。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术以上缺陷，提供一种既能提高紫外光透光性又能提高光衰稳定性的低光衰紫光LED及其制造方法。
为了达到以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种低光衰紫光LED，包括一上口大下底小的碗杯，以及一对正负电极导柱，所述正负电极导柱进一步包括正极导柱和负极导柱，所述负极导柱与所述碗杯直接相连，而所述正极导柱与所述碗杯间隔分离，其特征在于，所述碗杯的内底部通过固晶胶固定有一紫光芯片，所述固晶胶的高度为所述紫光芯片高度的1/3～1/2，所述紫光芯片通过一对键合金丝分别与所述正极导柱和负极导柱相连接，固定好所述紫光芯片后，在所述碗杯中填充内胶，所述内胶充满整个碗杯，所述碗杯外封装有一固化后呈子弹头形的外胶，其中所述正极导柱和负极导柱伸出所述外胶外；
所述固晶胶为硅胶[化学分子式为mSiO2·nH2O]；
所述内胶为有机硅改性环氧树脂[化学分子式为(C8H12O2)n(C8H12O2)n(C8H12O2)nC6H14O3+Si-O]，其中AB胶比例为A胶10重量份，B胶6重量份；
所述外胶为环氧树脂[化学分子式为(C8H12O2)n(C8H12O2)n(C8H12O2)nC6H14O3]，其中AB胶比例为A胶100重量份，B胶100重量份。
作为优选，所述紫光芯片的UVA波段范围在365～415nm。
一种低光衰紫光LED的制造方法，其特征在于，步骤如下：
(1)将紫光芯片放入碗杯的内底部，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，固定住紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好紫光芯片的碗杯放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使固晶胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使固晶胶固化；
(3)将碗杯内的紫光芯片通过一对键合金丝分别与正极导柱和负极导柱相连接，其中紫光芯片、键合金丝、正极导柱以及负极导柱与碗杯牵连于一起，以下内容中再出现时简称为碗杯及其附属件；
(4)将有机硅改性环氧树脂按照A胶10重量份和B胶6重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，点胶温度为30℃，内胶点满整个碗杯；
(6)将点胶后的碗杯及其附属件一同放入烤箱进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60分钟；
(6)将环氧树脂按照A胶100重量份和B胶100重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成外胶；
(7)将内胶固化后的碗杯及其附属件置于封胶机上进行封装作业，封装时碗杯需粘外胶，粘外胶温度为80℃，且每小时换外胶一次；
(8)将封装后的碗杯放入烤箱进行烘烤，烘烤分为三个阶段，第一阶段烘烤温度为90℃，时间为20分钟，第二阶段烘烤温度为110℃，时间为20分钟，第三阶段烘烤温度为130℃，时间为40分钟；使内胶与外胶更好地融合，固化后形成产品。
有益效果：本发明中的外胶和内胶组成成分大体一致，如此内胶和外胶的结合时，使得气泡及分层这一困扰业界十几年的难题得到彻底解决。同时内胶和外胶膨胀系数较为一致，内应力基本消除，经100次冷热冲击，LED仍能正常工作(高温100℃，低温-40℃)，由于内胶组份进行硅改性，紫外光透光性及其光衰性能大幅提高。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为本发明冷热冲击曲线图；
图3为本发明光衰曲线图。
图中：1-碗杯，2-负极导柱，3-正极导柱，4-固晶胶，5-紫光芯片，6-内胶，7-外胶，8-键合金丝。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征与达成目的易于明白理解，以下结合具体实施例进一步阐述本发明。
实施例：如图1所示，一种低光衰紫光LED，包括一上口大下底小的碗杯1，以及一对正负电极导柱，正负电极导柱进一步包括正极导柱3和负极导柱2，负极导柱2与碗杯1直接相连，而正极导柱3与碗杯1间隔分离，碗杯1的内底部通过固晶胶4固定有一紫光芯片5，紫光芯片5的UVA波段范围选用在365～415nm。固晶胶4的高度为紫光芯片5高度的1/3～1/2。紫光芯片5通过一对键合金丝8分别与正极导柱3和负极导柱2相连接，固定好紫光芯片5后，在碗杯1中填充内胶6，内胶6充满整个碗杯1，碗杯1外封装有一固化后呈子弹头形的外胶7，其中正极导柱3和负极导柱2伸出外胶7外。
固晶胶4为硅胶。
内胶6为有机硅改性环氧树脂，其中AB胶比例为A胶10重量份，B胶6重量份。
外胶7为环氧树脂，其中AB胶比例为A胶100重量份，B胶100重量份。
一种低光衰紫光LED的制造方法，步骤如下：
(1)将紫光芯片放入碗杯的内底部，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，固定住紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好紫光芯片的碗杯放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使固晶胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使固晶胶固化；
(3)将碗杯内的紫光芯片通过一对键合金丝分别与正极导柱和负极导柱相连接，其中紫光芯片、键合金丝、正极导柱以及负极导柱与碗杯牵连于一起，以下内容中再出现时简称为碗杯及其附属件；
(4)将有机硅改性环氧树脂按照A胶10重量份和B胶6重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，点胶温度为30℃，内胶点满整个碗杯；
(6)将点胶后的碗杯及其附属件一同放入烤箱进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60分钟；
(6)将环氧树脂按照A胶100重量份和B胶100重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成外胶；
(7)将内胶固化后的碗杯及其附属件置于封胶机上进行封装作业，封装时碗杯需粘外胶，粘外胶温度为80℃，且每小时换外胶一次；
(8)将封装后的碗杯放入烤箱进行烘烤，烘烤分为三个阶段，第一阶段烘烤温度为90℃，时间为20分钟，第二阶段烘烤温度为110℃，时间为20分钟，第三阶段烘烤温度为130℃，时间为40分钟；使内胶与外胶更好地融合，固化后形成产品。
使用：本发明中的外胶和内胶组成成分大体一致，如此内胶和外胶的结合时，使得气泡及分层这一困扰业界十几年的难题得到彻底解决。同时内胶和外胶膨胀系数较为一致，内应力基本消除，经100次冷热冲击，LED仍能正常工作(如图2所示)，由于内胶组份进行硅改性，紫外光透光性及其光衰性能大幅提高(如图3所示)。

Claims (3)

1.一种低光衰紫光LED，包括一上口大下底小的碗杯，以及一对正负电极导柱，所述正负电极导柱进一步包括正极导柱和负极导柱，所述负极导柱与所述碗杯直接相连，而所述正极导柱与所述碗杯间隔分离，其特征在于，所述碗杯的内底部通过固晶胶固定有一紫光芯片，所述固晶胶的高度为所述紫光芯片高度的1/3～1/2，所述紫光芯片通过一对键合金丝分别与所述正极导柱和负极导柱相连接，固定好所述紫光芯片后，在所述碗杯中填充内胶，所述内胶充满整个碗杯，所述碗杯外封装有一固化后呈子弹头形的外胶，其中所述正极导柱和负极导柱伸出所述外胶外；
所述固晶胶为硅胶；
所述内胶为有机硅改性环氧树脂，其中AB胶比例为A胶10重量份，B胶6重量份；
所述外胶为环氧树脂，其中AB胶比例为A胶100重量份，B胶100重量份。
2.根据权利要求1所述的低光衰紫光LED，其特征在于，所述紫光芯片的UVA波段范围在365～415nm。
3.一种根据权利要求1-2任意一项所述低光衰紫光LED的制造方法，其特征在于，步骤如下：
(1)将紫光芯片放入碗杯的内底部，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，固定住紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好紫光芯片的碗杯放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使固晶胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使固晶胶固化；
(3)将碗杯内的紫光芯片通过一对键合金丝分别与正极导柱和负极导柱相连接，其中紫光芯片、键合金丝、正极导柱以及负极导柱与碗杯牵连于一起，以下内容中再出现时简称为碗杯及其附属件；
(4)将有机硅改性环氧树脂按照A胶10重量份和B胶6重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，点胶温度为30℃，内胶点满整个碗杯；
(6)将点胶后的碗杯及其附属件一同放入烤箱进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60分钟；
(6)将环氧树脂按照A胶100重量份和B胶100重量份比例混合好倒入容器中，搅拌30分钟，使其混合均匀，制成外胶；
(7)将内胶固化后的碗杯及其附属件置于封胶机上进行封装作业，封装时碗杯需粘外胶，粘外胶温度为80℃，且每小时换外胶一次；
(8)将封装后的碗杯放入烤箱进行烘烤，烘烤分为三个阶段，第一阶段烘烤温度为90℃，时间为20分钟，第二阶段烘烤温度为110℃，时间为20分钟，第三阶段烘烤温度为130℃，时间为40分钟；使内胶与外胶更好地融合，固化后形成产品。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107887481A (zh) * 2017-11-09 2018-04-06 江苏稳润光电科技有限公司 一种光斑一致的白光led产品的制作方法及白光led产品
CN108417673A (zh) * 2018-02-06 2018-08-17 珠海市圣大光电有限公司 一种低光衰led灯的封装工艺

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101313415A (zh) * 2005-11-21 2008-11-26 松下电工株式会社 发光装置
CN101360368A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
CN101916815A (zh) * 2010-07-09 2010-12-15 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
US20110147778A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Nichia Corporation Light emitting device
US20120037934A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-16 Han-Ming Lee Pre-molded LED light bulb package
CN103208578A (zh) * 2013-03-21 2013-07-17 杭州杭科光电股份有限公司 一种全角度发光的led光源
CN103219453A (zh) * 2013-04-03 2013-07-24 杭州杭科光电股份有限公司 一种低衰减发光二极管

Patent Citations (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101313415A (zh) * 2005-11-21 2008-11-26 松下电工株式会社 发光装置
CN101360368A (zh) * 2007-07-30 2009-02-04 深圳莱特光电有限公司 一种暖白光led封装过程中隔离银层的方法
US20110147778A1 (en) * 2009-12-17 2011-06-23 Nichia Corporation Light emitting device
US20130316478A1 (en) * 2009-12-17 2013-11-28 Nichia Corporation Light emitting device
CN101916815A (zh) * 2010-07-09 2010-12-15 电子科技大学 一种发光二极管及其制备方法
US20120037934A1 (en) * 2010-08-16 2012-02-16 Han-Ming Lee Pre-molded LED light bulb package
CN102064244A (zh) * 2010-11-09 2011-05-18 杭州杭科光电有限公司 大功率发光二极管的分层封装方法
CN103208578A (zh) * 2013-03-21 2013-07-17 杭州杭科光电股份有限公司 一种全角度发光的led光源
CN103219453A (zh) * 2013-04-03 2013-07-24 杭州杭科光电股份有限公司 一种低衰减发光二极管

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107887481A (zh) * 2017-11-09 2018-04-06 江苏稳润光电科技有限公司 一种光斑一致的白光led产品的制作方法及白光led产品
CN108417673A (zh) * 2018-02-06 2018-08-17 珠海市圣大光电有限公司 一种低光衰led灯的封装工艺

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