CN105870112A - 一种混合波长紫光led及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种混合波长紫光LED及其制造方法，包括一基板，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。本发明将中功率的365nm紫光芯片和中功率的405nm紫光芯片共用置于一个封装体中，从而使得两个光源形成混波组合，通过在内胶中添加的荧光粉使得混波更加均匀，最后从外胶形成的凸顶透镜能使混波功率增强激发，至此，它含有的双波长紫外光能更加轻易使UV光疗胶发生高分子胶链反应。

Description

一种混合波长紫光LED及其制造方法
技术领域
本发明涉及LED光源技术领域，更具体地说是一种混合波长紫光LED及其制造方法。
背景技术
目前，在高端美甲光疗领域中，使用较多的是UV汞灯和配套使用的UV光疗胶。UV汞灯发出的紫外光谱是以365nm为主峰的连续波峰，UV光疗胶它一般含有双波长的光引发剂。单一波长的紫光LED不能使UV光疗胶发生高分子胶链反应(美甲光固)，而且UV汞灯寿命短，功耗大，运输不便，特别是会对环境造成污染。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术以上缺陷，提供一种寿命长、功耗小、运输便利、节能环保的混合波长紫光LED及其制造方法。
为了达到以上目的，本发明是通过以下技术方案实现的：一种混合波长紫光LED，包括一基板，其特征在于，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，所述固晶胶的高度为每颗所述紫光芯片高度的1/3～1/2，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。
作为优选，两颗所述紫光芯片中，一颗采用峰值波长为365nm的20mil垂直芯片，另一颗为峰值波长405nm的20mil垂直芯片。
作为优选，固晶胶为由银粉和有机胶搅拌制造的银胶，其中银粉10重量份，有机胶10重量份；内胶为硅胶和白光荧光粉混合物，其中硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份，白光荧光粉的颗粒直径为7～15μm；外胶为硅胶。
一种混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将两颗紫光芯片并排分开布置到基板中心的凹槽中，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，同时固定住两颗紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好两颗紫光芯片的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤温度为170℃，时间为120分钟；
(3)将固定好两颗紫光芯片的基板置于焊线机上进行焊线作业，将两颗紫光芯片通过键合金丝并联形成回路；
(4)将硅胶和白光荧光粉按比例硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份倒入容器中，搅拌15～30分钟，使其充分混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，内胶点满整个基板的凹槽；
(6)将灌胶后的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使内胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使内胶固化；
(7)将外胶置于模压机中进行模压作业，形成半球形的凸顶透镜。
有益效果：本发明将中功率的365nm紫光芯片和中功率的405nm紫光芯片共用置于一个封装体中，从而使得两个光源形成混波组合，通过在内胶中添加的荧光粉使得混波更加均匀，最后从外胶形成的凸顶透镜能使混波功率增强激发，至此，它含有的双波长紫外光能更加轻易使UV光疗胶发生高分子胶链反应。
附图说明
图1为本发明的结构示意图；
图2为图1中A-A的结构示意图。
图中：1-基板，2-固晶胶，3-紫光芯片，4-键合金丝，5-内胶，6-外胶。
具体实施方式
为了使本发明的技术手段、创作特征与达成目的易于明白理解，以下结合具体实施例进一步阐述本发明。
实施例：如图1和图2所示，一种混合波长紫光LED，包括一基板1，基板1的中心设置有一凹槽，凹槽的底壁面上通过固晶胶2固定有两颗并排布置的紫光芯片3，固晶胶2的高度为每颗紫光芯片3高度的1/3～1/2，两颗紫光芯片3通过键合金丝4并联形成回路，固定好两颗紫光芯片3后，在凹槽中填充内胶5，内胶5充满整个凹槽，凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶6。
两颗紫光芯片中，一颗采用峰值波长为365nm的20mil垂直芯片，另一颗为峰值波长405nm的20mil垂直芯片。
固晶胶2为由银粉和有机胶搅拌制造的银胶，其中银粉10重量份，有机胶10重量份；内胶5为硅胶和白光荧光粉混合物，其中硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份，白光荧光粉的颗粒直径为7～15μm；外胶6为硅胶。
一种混合波长紫光LED的制造方法，包括以下步骤：
(1)将两颗紫光芯片并排分开布置到基板中心的凹槽中，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，同时固定住两颗紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好两颗紫光芯片的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤温度为170℃，时间为120分钟；
(3)将固定好两颗紫光芯片的基板置于焊线机上进行焊线作业，将两颗紫光芯片通过键合金丝并联形成回路；
(4)将硅胶和白光荧光粉按比例硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份倒入容器中，搅拌15～30分钟，使其充分混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，内胶点满整个基板的凹槽；
(6)将灌胶后的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使内胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使内胶固化；
(7)将外胶置于模压机中进行模压作业，形成半球形的凸顶透镜。
使用：本发明将中功率的365nm紫光芯片和中功率的405nm紫光芯片共用置于一个封装体中，从而使得两个光源形成混波组合，通过在内胶中添加的荧光粉使得混波更加均匀，最后从外胶形成的凸顶透镜能使混波功率增强激发，至此，它含有的双波长紫外光能更加轻易使UV光疗胶发生高分子胶链反应。

Claims (4)

1.一种混合波长紫光LED，包括一基板，其特征在于，所述基板的中心设置有一凹槽，所述凹槽的底壁面上通过固晶胶固定有两颗并排布置的紫光芯片，所述固晶胶的高度为每颗所述紫光芯片高度的1/3～1/2，两颗所述紫光芯片通过键合金丝并联形成回路，固定好两颗所述紫光芯片后，在所述凹槽中填充内胶，所述内胶充满整个凹槽，所述凹槽外封装有一固化后呈半球形的外胶。
2.根据权利要求1所述混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，两颗所述紫光芯片中，一颗采用峰值波长为365nm的20mil垂直芯片，另一颗为峰值波长405nm的20mil垂直芯片。
3.根据权利要求1或2所述混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，固晶胶为由银粉和有机胶搅拌制造的银胶，其中银粉10重量份，有机胶10重量份；内胶为硅胶和白光荧光粉混合物，其中硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份，白光荧光粉的颗粒直径为7～15μm；外胶为硅胶。
4.根据权利要求1至3任意一项所述混合波长紫光LED的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：
(1)将两颗紫光芯片并排分开布置到基板中心的凹槽中，然后将固晶胶置于固晶机上进行固晶作业，同时固定住两颗紫光芯片，固晶胶的高度为紫光芯片高度的1/3～1/2；
(2)将固定好两颗紫光芯片的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤温度为170℃，时间为120分钟；
(3)将固定好两颗紫光芯片的基板置于焊线机上进行焊线作业，将两颗紫光芯片通过键合金丝并联形成回路；
(4)将硅胶和白光荧光粉按比例硅胶50重量份，白光荧光粉1重量份倒入容器中，搅拌15～30分钟，使其充分混合均匀，制成内胶；
(5)将调配好的内胶置于点胶机上进行点胶作业，内胶点满整个基板的凹槽；
(6)将灌胶后的基板放入烤箱中进行烘烤，烘烤分为两个阶段，第一阶段烘烤温度为100℃，时间为60分钟，使内胶中的反应抑制剂挥发，第二阶段烘烤温度为150℃，时间为120分钟，使内胶固化；
(7)将外胶置于模压机中进行模压作业，形成半球形的凸顶透镜。
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