CN105826079B - 一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺,包括以下步骤:浸渍、一级腐蚀、一次水洗、通过气泡发生器通入纳米气泡、二级腐蚀、二次水洗、化洗、二次水洗、烘干。本发明具有利用纳米气泡产生时带负点的原理,有效抑制自腐蚀和表面腐蚀,阳极腐蚀箔减薄率下降,静电容量明显提高,通过对相应扫描电镜照片和金相照片分析,表面状态分布均匀,各孔洞独立存在的优点。
Description
技术领域
本发明涉及电容器用电极箔的制造工艺,特别是一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺。
背景技术
目前,中高压铝电解电容器用电极箔的制造方法,是通过浸渍,然后进行腐蚀,再冲洗,最后进行烘干。这种电极箔制造方法,减薄率高,静电容量一般,横向偏差大,目前常用的腐蚀工艺得到孔洞尺寸在700-950nm,孔密度达109-1010/cm2,并孔很多,孔深度差异较大,已经无法满足市场需求。
发明内容
本发明的目的是为了克服以上的不足,提供一种减薄率低,静电容量11点横向偏差小的中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺。
本发明的目的通过以下技术方案来实现:一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺,包括以下步骤:
A、浸渍:取纯度为99.99%的铝箔,在45-65℃的一级槽液中浸渍50-70秒;
B、一级腐蚀:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%盐酸的水溶液中,在70℃-78℃、电流密度为0.50A/(cm)²的条件下,一级腐蚀85-95秒;
C、一次水洗:取出后经过自来水水洗;
D、通纳米气泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入纳米气泡;
E、二级腐蚀:在60℃-75℃、电流密度为0.09 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀600-800秒;
F、二次水洗:取出后经过自来水水洗‘
G、化洗:在5wt%的硝酸溶液中,在41℃-43℃-的条件下,化洗110-130秒;
H、二次水洗:取出后经过纯水水洗;
I、烘干:在290-310℃的条件下进行烘干;
本发明的进一步改进在于:所述纳米气泡为直径数十纳米(nm)到20微米(μm)。
本发明的进一步改进在于:所述纳米气泡带有负电。
本发明与现有技术相比具有以下优点:利用纳米气泡产生时带负点的原理,有效抑制自腐蚀和表面腐蚀,阳极腐蚀箔减薄率下降,静电容量明显提高, 通过对相应扫描电镜照片和金相照片分析,表面状态分布均匀,孔洞尺寸在680-850nm,孔密度在108-109/cm2,各孔洞独立存在。
具体实施方式:
下面结合具体实施例对本发明作进一步的阐述,但本发明并不限于以下实施例。所述方法无特别说明的均为常规方法。
实施例1,一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔技术:取纯度为99.99%的铝箔,在45℃的一级槽液中浸渍50秒,取出后置于34%的硫酸和8.5%盐酸的水溶液中,在70℃、电流密度为0.50A/(cm)²的条件下,一级腐蚀85秒;取出后经过自来水水洗;取出后在7.8%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入直径在50-700nm的纳米气泡,在60℃、电流密度为0.09 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀600秒;取出后经过自来水水洗,在5wt%的硝酸溶液中,在41℃的条件下,化洗110秒;取出后经过纯水水洗后,在290℃的条件下,烘干。
实施例2,一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔技术:取纯度为99.99%的铝箔,在50℃的一级槽液中浸渍60秒,取出后置于35%的硫酸和9%盐酸的水溶液中,在74℃、电流密度为0.50A/(cm)²的条件下,一级腐蚀90秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入直径在500-1000nm的纳米气泡,在65℃、电流密度为0.09 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗,在5wt%的硝酸溶液中,在42℃的条件下,化洗120秒;取出后经过纯水水洗后,在300℃的条件下,烘干。
实施例3,一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔技术:取纯度为99.99%的铝箔,在65℃的一级槽液中浸渍70秒,取出后置于36%的硫酸和9%盐酸的水溶液中,在78℃、电流密度为0.50A/(cm)²的条件下,一级腐蚀95秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8.2%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入直径在500-1000nm的纳米气泡,在75℃、电流密度为0.12 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗,在5wt%的硝酸溶液中,在43℃的条件下,化洗130秒;取出后经过纯水水洗后,在310℃的条件下,烘干。
实施例4,一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔技术:取纯度为99.99%的铝箔,在50℃的一级槽液中浸渍60秒,取出后置于35%的硫酸和9%盐酸的水溶液中,在74℃、电流密度为0.50A/(cm)²的条件下,一级腐蚀90秒;取出后经过自来水水洗;取出后在8%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入直径在1-20μm的纳米气泡,在65℃、电流密度为0.09 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀800秒;取出后经过自来水水洗,在5wt%的硝酸溶液中,在42℃的条件下,化洗120秒;取出后经过纯水水洗后,在300℃的条件下,烘干。
分别对方法实施例1-4新的扩孔技术进行了测试,测试项目包括腐蚀箔减薄厚度(原始光箔厚度-腐蚀箔厚度)、静电容量。测试结果列于表1中。
表1
本发明利用纳米气泡产生时带负点的原理,有效抑制自腐蚀和表面腐蚀,阳极腐蚀箔减薄率下降,静电容量明显提高, 通过对相应扫描电镜照片和金相照片分析,表面状态分布均匀,孔洞尺寸在680-850nm,孔密度在109-1010/cm2,各孔洞独立存在。
申请人又一声明,本发明通过上述实施例来说明本发明的实现方法及装置结构,但本发明并不局限于上述实施方式,即不意味着本发明必须依赖上述方法及结构才能实施。所属技术领域的技术人员应该明了,对本发明的任何改进,对本发明所选用实现方法等效替换及步骤的添加、具体方式的选择等,均落在本发明的保护范围和公开的范围之内。
本发明并不限于上述实施方式,凡采用和本发明相似结构及其方法来实现本发明目的的所有方式,均在本发明的保护范围之内。
Claims (1)
1.一种中高压铝电解电容器用电极箔的扩孔工艺,其特征在于:包括以下步骤:
浸渍:取纯度为99.99%的铝箔,在45-55℃的一级槽液中浸渍50-70秒;
一级腐蚀:取出后置于34%-36%的硫酸和8.5%-9.5%盐酸的水溶液中,在70℃-78℃、电流密度为0.50A/(cm)2的条件下,一级腐蚀85-95秒;
一次水洗:取出后经过自来水水洗;
通纳米气泡:取出后在7.8%-8.2%硝酸和0.15%磷酸的水溶液,通过气泡发生器通入纳米气泡;
二级腐蚀:在60℃-75℃、电流密度为0.09 A/(cm)²的条件下,二级腐蚀600-800秒;
二次水洗:取出后经过自来水水洗;
化洗:在5wt%的硝酸溶液中,在41℃-43℃的条件下,化洗110-130秒;
二次水洗:取出后经过纯水水洗;
烘干:在290-310℃的条件下进行烘干;所述纳米气泡为直径数十纳米到20微米;所述纳米气泡带有负电。
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Citations (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02277214A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔のエッチング方法 |
CN1987414A (zh) * | 2005-12-21 | 2007-06-27 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 |
JP2009105191A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JP2009105190A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造装置 |
JP2009105242A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
CN103747859A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-04-23 | 松下电器产业株式会社 | 纳米气泡的生成***以及生成方法 |
CN205152386U (zh) * | 2015-10-15 | 2016-04-13 | 新乡学院 | 一种铝电解电容器用阳极铝箔的电化学腐蚀装置 |
CN105551805A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-04 | 南通海星电子股份有限公司 | 中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02277214A (ja) * | 1989-04-18 | 1990-11-13 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 電解コンデンサ用電極箔のエッチング方法 |
CN1987414A (zh) * | 2005-12-21 | 2007-06-27 | 中国科学院上海应用物理研究所 | 生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法 |
JP2009105191A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
JP2009105190A (ja) * | 2007-10-23 | 2009-05-14 | Panasonic Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造装置 |
JP2009105242A (ja) * | 2007-10-24 | 2009-05-14 | Nichicon Corp | 電解コンデンサ用電極箔の製造方法 |
CN103747859A (zh) * | 2011-12-16 | 2014-04-23 | 松下电器产业株式会社 | 纳米气泡的生成***以及生成方法 |
CN205152386U (zh) * | 2015-10-15 | 2016-04-13 | 新乡学院 | 一种铝电解电容器用阳极铝箔的电化学腐蚀装置 |
CN105551805A (zh) * | 2016-01-18 | 2016-05-04 | 南通海星电子股份有限公司 | 中高压铝电解电容器用电极箔的中处理方法 |
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