CN105793772A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

液晶面板(11)包括：阵列基板(11b)，其具有显示部(AA)和非显示部(NAA)；配置在非显示部(NAA)的行控制电路部(28)；构成行控制电路部(28)的第一配线部(29)；第二配线部(30)，其构成行控制电路部(28)，并且以与第一配线部(29)交叉的形式配置在第一配线部(29)的上层侧；以介于第一配线部(29)与第二配线部(30)之间的形式配置的栅极绝缘膜(35)；和有机绝缘膜(40)，其配置在第二配线部(30)的上层侧，并且具有至少在与第一配线部(29)和第二配线部(30)的交叉部位(29a、30a)重叠的范围开口的开口部(31)，且由有机树脂材料构成。

Description

显示装置
技术领域
本发明涉及显示装置。
背景技术
历来，作为构成液晶显示装置的主要部件的液晶面板为如下结构。即，液晶面板通过在一对玻璃制的基板间夹持液晶并且在该液晶的周围以围绕的方式形成密封部而将液晶密封。两基板包括用于形成作为开关元件的TFT、像素电极及各配线等的阵列基板和用于形成彩色滤光片等的CF基板。作为这种液晶面板的一个例子，已知下述专利文献1记载的液晶面板。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2010-164653号公报
发明内容
(发明所要解决的技术问题)
在上述的专利文献1所记载的液晶面板的阵列基板上，在配置于显示图像的显示部的周围的非显示部，单片地形成有栅极驱动电路等电路部。该电路部配置在比配置于显示部内的TFT靠近密封部的位置，因此在外部存在的水分从密封部透过的情况下，容易受到该水分的影响。具体而言，例如在电路部中，在隔着绝缘膜相互交叉的配线部的交叉部位，由于伴随通电而产生电场，所以当在上述交叉部位由于水分的影响而产生金属离子时，有可能发生该金属离子被电场吸引而移动的所谓的离子迁移(电化学迁移)。如果这样，则存在例如在配线部的交叉部位间产生短路的可能性，电路部的动作可靠性有可能变差。特别是例如在窄边框化的液晶面板，非显示部和电路部的配置区域也变窄，因此配线部的分布密度变高，由此有更容易在配线部的交叉部位产生离子迁移的趋势。
发明内容
本发明是基于上述情况而完成的，其目的在于提高动作可靠性。
(解决技术问题的技术方案)
本发明的显示装置包括：基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围所述显示部的形式配置在外周侧的非显示部；配置在所述非显示部的电路部；构成所述电路部的第一配线部；第二配线部，其构成所述电路部，并且以与所述第一配线部交叉的形式配置在所述第一配线部的上层侧；以介于所述第一配线部与所述第二配线部之间的形式配置的绝缘膜；和有机绝缘膜，其配置在所述第二配线部的上层侧，并且具有至少在与所述第一配线部和所述第二配线部的交叉部位重叠的范围开口的开口部，且由有机树脂材料构成。
在电路部中，第一配线部与配置在其上层侧的第二配线部隔着绝缘膜以相互交叉的形式配置，因此在其交叉部位的周围，可能随着各配线部被通电而产生电场。此处，在基板上，非显示部以包围中央侧的显示部的形式配置在外周侧，因此配置在非显示部的电路部与显示部相比容易受到存在于外部的水分的影响。在电路部中，在第二配线部的上层侧配置有有机绝缘膜，形成该有机绝缘膜的有机树脂材料一般具有容易吸湿的性质。因此，由于有机绝缘膜中所含的水分的影响而在两配线部的交叉部位产生金属离子，发生该金属离子被电场吸引而移动的所谓的离子迁移(电化学迁移)，根据情况还有在交叉部位间发生短路的担忧。特别是在该显示装置窄边框化有所进展而非显示部和电路部的配置区域变窄的情况和高精细化有所进展的情况下，各配线部的分布密度变高，因此在两配线部的交叉部位更担忧离子迁移的发生。关于这一点，因为有机绝缘膜具有在与第一配线部和第二配线部的交叉部位重叠的范围开口的开口部，所以有机绝缘膜中所含的水分难以对两配线部的交叉部位产生影响。由此，在两配线部的交叉部位难以发生离子迁移，在交叉部位间难以发生短路。由此，在电路部难以产生动作不良，因此能够提高动作可靠性，特别是该显示装置的窄边框化和高精细化有所进展的情况下优选。
作为本发明的显示装置的实施方式，优选以下结构。
(1)所述有机绝缘膜设置成：所述开口部至少在比与所述交叉部位重叠的范围更广的范围开口。这样，与开口部仅在与两配线部的交叉部位重叠的范围开口的方式的情况相比，从有机绝缘膜的开口部的开口边缘至两配线部的交叉部位为止的距离被确保得更长，有机绝缘膜中所含的水分更难以对两配线部的交叉部位产生影响。而且，即使由于制造上的理由而在有机绝缘膜的开口部的形成位置产生偏离的情况下，也能够将该偏离吸收，因此难以发生有机绝缘膜与交叉部位重叠的情况，并且配置成开口部在与两配线部的交叉部位重叠的范围开口的可靠性高。由此，在两配线部的交叉部位更难以产生离子迁移，因此能够使电路部的动作可靠性更高。
(2)所述第一配线部和所述第二配线部中的至少任一者配置有多条，使得所述交叉部位空出间隔地排列多个，所述有机绝缘膜设置成：所述开口部至少在跨越多个所述交叉部位的范围开口。这样，有机绝缘膜的开口部的开口边缘以将空出间隔地排列的多个交叉部位一并包围的形式配置，因此在多个交叉部位之间的位置不存在有机绝缘膜。由此，即使在有机绝缘膜含有水分，该水分也更难以对多个交叉部位影响。而且，即使由于制造上的理由，在有机绝缘膜的开口部的形成位置产生偏离、例如配置成开口部的开口边缘的一部分与交叉部位重叠的情况下，该层叠的量也少。根据以上说明，在两配线部的交叉部位更难以产生离子迁移，因此能够使电路部的动作可靠性更高。
(3)所述第一配线部和所述第二配线部中的至少一者配置有多条，使得所述交叉部位空出彼此不同的间隔地排列至少3个，所述有机绝缘膜设置成：作为所述开口部，至少具有第一开口部和第二开口部，该第一开口部至少在跨越所述间隔相对小的2个所述交叉部位的范围开口，该第二开口部至少在与所述间隔相对大的2个所述交叉部位中的与所述第一开口部不重叠的所述交叉部位重叠的范围开口。这样，有机绝缘膜的第一开口部的开口边缘以将间隔相对小的2个交叉部位一并包围的形式配置，因此在该2个交叉部位之间的位置不存在有机绝缘膜。由此，即使有机绝缘膜中含有水分，该水分也更难以对间隔相对小的2个交叉部位产生影响。而且，即使在由于制造上的理由，在有机绝缘膜的第一开口部的形成位置产生偏离、例如配置成第一开口部的开口边缘的一部分与间隔相对小的2个交叉部位重叠的情况下，该重叠的量也少。根据以上说明，在间隔相对小的2个交叉部位更难以产生离子迁移，因此能够使电路部的动作可靠性更高。进一步，在有机绝缘膜中，以在与间隔相对大的2个交叉部位中的与第一开口部不重叠的交叉部位重叠的范围开口的方式设置有第二开口部，因此配置成在间隔相对大的2个交叉部位之间的位置存在有机绝缘膜。由此避免有机绝缘膜被过度除去，因此有机绝缘膜的平坦化功能和保护各配线部的功能难以受损害。
(4)所述显示装置包括与所述基板形成为相对状的对置基板；被夹持在所述基板与所述对置基板之间的液晶；和介于所述基板与所述对置基板之间并且以包围所述液晶的形式配置而将所述液晶密封的密封部，所述电路部配置在比所述显示部靠近所述密封部的位置。这样，夹持在基板与对置基板之间的液晶被介于基板与对置基板之间并且以包围液晶的形式配置的密封部密封。电路部配置在比显示部靠近密封部的位置，因此在外部的水分透过密封部的情况下，容易受到该水分的影响，但是如上所述，有机绝缘膜具有在与第一配线部和第二配线部的交叉部位重叠的范围开口的开口部，因此即使从密封部透过的水分进入有机绝缘膜，该水分也难以对两配线部的交叉部位产生影响，并且在该交叉部位难以产生离子迁移。由此，在电路部中难以产生动作不良。
(5)所述显示装置包括介于所述有机绝缘膜与所述第二配线部之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的第一层间绝缘膜。这样，第二配线部的与第一配线部的交叉部位被第一层间绝缘膜覆盖，因此该交叉部位的防水性(透湿耐性)更高。由此，在两配线部的交叉部位更难以产生离子迁移，因此能够使电路部的动作可靠性更高。
(6)所述显示装置包括配置在所述有机绝缘膜的上层侧并且配置在至少与所述开口部重叠的范围的透明电极膜。这样，第二配线部的与第一配线部的交叉部位不仅被第一层间绝缘膜覆盖而且被透明电极膜覆盖，因此该交叉部位的防水性更高。由此，在两配线部的交叉部位更加难以产生离子迁移，因此能够使电路部的动作可靠性更高。
(7)所述透明电极膜包括配置在相对下层侧的第一透明电极膜和配置在相对上层侧的第二透明电极膜，所述显示装置包括介于所述第一透明电极膜与所述第二透明电极膜之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的第二层间绝缘膜。这样，第二配线部的与第一配线部的交叉部位不仅被第一层间绝缘膜覆盖而且被第一透明电极膜、第二层间绝缘膜和第二透明电极膜覆盖，因此该交叉部位的防水性进一步变高。由此，在两配线部的交叉部位更加难以产生离子迁移，因此能够进一步提高电路部的动作可靠性。
(8)所述显示装置包括介于所述第二配线部与所述绝缘膜之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的保护膜。这样，除绝缘膜之外还有保护膜也介于第一配线部与第二配线部的交叉部位之间，因此在这些交叉部位间更难以产生伴随离子迁移的短路。由此，能够更加提高电路部的动作可靠性。
(9)所述第一配线部和所述第二配线部至少含有铜。这样，当第一配线部和第二配线部含有铜时，例如与含有铝的情况相比，导电性良好但容易被水分腐蚀。关于这一点，如上所述，有机绝缘膜具有在与第一配线部和第二配线部的交叉部位重叠的范围开口的开口部，有机绝缘膜中所含的水分难以对两配线部的交叉部位产生影响，在两配线部的交叉部位难以产生离子迁移，因此能够使两配线部的导电性良好而且确保电路部的动作可靠性高。
(10)在所述显示部中设置有半导体膜使用氧化物半导体的薄膜晶体管，在所述电路部中，所述半导体膜以介于所述第二配线部与所述绝缘膜之间的形式设置。形成半导体膜的氧化物半导体例如与非晶半导体等相比电子迁移率高，因此在设置使用该半导体膜形成电路部的电路元件时，能够设置具有各种功能的电路元件。由此，在实现电路部的多功能化等方面优选。
(11)所述氧化物半导体含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)。这样，在实现电路部的多功能化等方面更优选。
(发明的效果)
根据本发明，能够提高动作可靠性。
附图说明
图1是表示安装有本发明的实施方式1的驱动器的液晶面板、挠性基板与控制电路基板的连接结构的概略俯视图。
图2是表示沿着液晶显示装置的长边方向的截面结构的概略截面图。
图3是表示整个液晶面板的截面结构的概略截面图。
图4是表示液晶面板的显示部的截面结构的概略截面图。
图5是概略地表示构成液晶面板的阵列基板的配线结构的俯视图。
图6是表示将配置在非显示部的行控制电路部和列控制电路部与配置在显示部的TFT连接起来的配线结构的俯视图。
图7是表示TFT的俯视结构的俯视图。
图8是图7的viii-viii线截面图。
图9是表示行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置(俯视时的配置情况)的俯视图。
图10是图9的x-x线截面图。
图11是图9的xi-xi线截面图。
图12是表示实施方式1的变形例1的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图13是表示实施方式1的变形例2的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图14是表示实施方式1的变形例3的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图15是表示实施方式1的变形例4的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图16是表示实施方式1的变形例5的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图17是表示实施方式1的变形例6的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图18是表示实施方式1的变形例7的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图19是表示构成本发明的实施方式2的在构成液晶面板的阵列基板的显示部配置的TFT的截面结构的截面图。
图20是表示将配置在构成液晶面板的阵列基板的非显示部的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部的交叉部位附近沿X轴方向切断后的截面结构的截面图。
图21是表示将配置在构成液晶面板的阵列基板的非显示部的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部的交叉部位附近沿Y轴方向切断后的截面结构的截面图。
图22是表示实施方式2的变形例1的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图23是表示实施方式2的变形例2的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图24是表示实施方式2的变形例3的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图25是表示实施方式2的变形例4的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图26是表示实施方式2的变形例5的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图27是表示实施方式2的变形例6的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图28是表示实施方式2的变形例7的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图29是表示本发明的实施方式3的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图30是表示本发明的实施方式4的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图31是表示本发明的实施方式5的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图32是表示本发明的实施方式6的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图33是表示本发明的实施方式7的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
图34是表示本发明的实施方式8的行控制电路部具备的第一配线部和第二配线部与有机绝缘膜的开口部的俯视配置的俯视图。
具体实施方式
<实施方式1>
使用图1至图11对本发明的实施方式1进行说明。在本实施方式中，例示液晶显示装置10。另外，在各附图的一部分示出X轴、Y轴和Z轴，以各轴方向为在各附图中示出的方向的方式描绘。此外，关于上下方向，以图2至图4等为基准，并且以这些图的上侧为正侧并以该图下侧为背侧。
如图1和图2所示，液晶显示装置10包括：液晶面板(显示装置、显示面板)11，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部AA和以包围显示部AA的形式配置在外周侧的非显示部NAA；驱动液晶面板11的驱动器(面板驱动部)21；从外部向驱动器21供给各种输入信号的控制电路基板(外部的信号供给源)12；将液晶面板11与外部的控制电路基板12电连接的挠性基板(外部连接部件)13；和作为向液晶面板11供给光的外部光源的背光源装置(照明装置)14。此外，液晶显示装置10还包括用于收容和保持相互组装在一起的液晶面板11和背光源装置14的正背一对外装部件15、16，其中，在正侧的外装部件15，形成有用于从外部观看在液晶面板11的显示部AA显示的图像的开口部15a。本实施方式的液晶显示装置10能够用于便携式电话(包括智能手机等)、笔记本电脑(包括平板型笔记本电脑等)、便携式信息终端(包括电子书和PDA等)、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备(未图示)。因此，构成液晶显示装置10的液晶面板11的屏幕尺寸为几英寸～十几英寸左右，一般为被分类到小型或中小型的大小。
首先，对背光源装置14进行简单说明。如图2所示，背光源装置14包括形成为向正侧(液晶面板11侧)开口的大致箱形的底座14a；配置在底座14a内的未图示的光源(例如冷阴极管、LED、有机EL等)；和以覆盖底座14a的开口部的形式配置的未图示的光学部件。光学部件具有将从光源发出的光变换为面状等的功能。
接着，对液晶面板11进行说明。如图1所示，液晶面板11整体形成为纵长的方形(矩形状)，在靠近其长边方向的一个端部侧(图1所示的上侧)的位置配置有显示部(有源区域)AA，并且在靠近长边方向的另一个端部侧(图1所示的下侧)的位置分别安装有驱动器21和挠性基板13。在该液晶面板11中，显示部AA外的区域为不显示图像的非显示部(无源区域)NAA，该非显示部NAA包括：包围显示部AA的大致框状的区域(后述的CF基板11a的边框部分)和在长边方向的另一个端部侧被确保的区域(后述的阵列基板11b中与CF基板11a不重叠而露出的部分)，其中的在长边方向的另一个端部侧被确保的区域包括驱动器21和挠性基板13的安装区域(设置区域)。在液晶面板11中，在形成为框状的非显示部NAA，除驱动器21和挠性基板13的安装区域以外的剩余的3个边的端部(非安装侧端部)的宽度尺寸(边框宽度)，详细而言，从玻璃基板GS的外端至显示部AA的外端为止的直线距离例如为1.9mm以下，更优选为1.3mm以下，为边框极窄的窄边框结构。液晶面板11的短边方向与各附图的X轴方向一致，长边方向与各附图的Y轴方向一致。另外，在图1、图5和图6中，比CF基板11a小一圈的框状的点划线表示显示部AA的外形，该点划线的外侧的区域为非显示部NAA。
接着，对与液晶面板11连接的部件进行说明。如图1和图2所示，控制电路基板12通过螺钉等安装在背光源装置14的底座14a的背面(与液晶面板11侧相反的一侧的外表面)。该控制电路基板12在酚醛纸或玻璃环氧树脂制的基板上安装有用于向驱动器21供给各种输入信号的电子部件，并且铺设形成有未图示的规定图案的配线(导电路径)。在该控制电路基板12通过未图示的ACF(AnisotropicConductiveFilm：各向异性导电膜)电且机械地连接有挠性基板13的一个端部(一端侧)。
如图2所示，挠性基板(FPC基板)13包括由具有绝缘性和可挠性的由合成树脂材料(例如聚酰亚胺类树脂等)构成的基材，在该基材上具有多条配线的配线图案(未图示)，长度方向上的一个端部如已经说明的那样与配置在底座14a的背面侧的控制电路基板12连接，与此相对，另一个端部(另一端侧)与液晶面板11的阵列基板11b连接，因此在液晶显示装置10内以截面形状成为大致U型的方式呈折回状弯曲。在挠性基板13的长度方向上的两端部，配线图案露出到外部而构成端子部(未图示)，这些端子部分别与控制电路基板12和液晶面板11电连接。由此，能够将从控制电路基板12侧供给的输入信号向液晶面板11侧传送。
如图1所示，驱动器21由在内部具有驱动电路的LSI芯片构成，根据从作为信号供给源的控制电路基板12供给的信号进行动作，由此，对从作为信号供给源的控制电路基板12供给的输入信号进行处理而生成输出信号，并将该输出信号向液晶面板11的显示部AA输出。该驱动器21在俯视时形成为横长的方形(沿液晶面板11的短边形成为长条状)，并且直接安装在液晶面板11(后述的阵列基板11b)的非显示部NAA，即被COG(ChipOnGlass：玻璃衬底芯片)安装。另外，驱动器21的长边方向与X轴方向(液晶面板11的短边方向)一致，该驱动器21的短边方向与Y轴方向(液晶面板11的长边方向)一致。
再来对液晶面板11进行说明。如图3所示，液晶面板11至少具有：一对基板11a、11b；液晶层(液晶)11c，其介于两基板11a、11b间，包含作为伴随电场施加而光学特性发生变化的物质的液晶分子；和密封部11j，其通过介于两基板11a、11b间而以维持液晶层11c的厚度的量的缝隙的状态将液晶层11c密封。一对基板11a、11b中，正侧(正面侧)为CF基板(对置基板)11a，背侧(背面侧)为阵列基板(基板)11b。密封部11j配置在液晶面板11中的非显示部NAA并且在俯视时(从阵列基板11b的板面的法线方向看时)形成为沿着非显示部NAA的纵长的大致框状(图2)。密封部11j中，配置在除了液晶面板11的驱动器21和挠性基板13的安装区域以外的剩余的3个边的端部(非安装侧端部)的部分，配置在非显示部NAA的最外端位置(图2)。另外，在两基板11a、11b的外表面侧，分别贴附有偏光板11f、11g。
本实施方式中的液晶面板11的动作模式为将IPS(In-PlaneSwitching：面内开关型)模式进一步改良后的FFS(FringeFieldSwitching：边缘场开关)模式，如图4所示，在一对基板11a、11b中的阵列基板11b侧一起形成有后述的像素电极部(第二透明电极部)18和共用电极部(第一透明电极部)22，且将这些像素电极部18和共用电极部22配置在不同的层。CF基板11a和阵列基板11b包括大致透明的(具有高透光性的)玻璃基板GS，在该玻璃基板GS上层叠形成有各种膜。其中，如图1和图2所示，CF基板11a虽然短边尺寸与阵列基板11b大致相等，但是长边尺寸比阵列基板11b小，并且以使长边方向上的一个(图1所示的上侧的)端部对齐的状态贴合于阵列基板11b。因而，阵列基板11b中长边方向上的另一个(图1所示的下侧的)端部在规定范围内不与CF基板11a重叠，成为正背两板面露出到外部的状态，在此处确保驱动器21和挠性基板13的安装区域。另外，在两基板11a、11b的内表面侧，分别形成有用于使液晶层11c中所含的液晶分子取向的取向膜11d、11e(图4)。
首先，对在阵列基板11b的内表面侧(液晶层11c侧、与CF基板11a相对的面一侧)利用已知的光刻法层叠形成的各种膜进行说明。在阵列基板11b，如图8所示，从下层(玻璃基板GS)侧起依次层叠形成有第一金属膜(栅极金属膜)34、栅极绝缘膜(绝缘膜)35、半导体膜36、保护膜(蚀刻阻挡膜、ES膜)37、第二金属膜(源极金属膜)38、第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40、第一透明电极膜23、第二层间绝缘膜41、第二透明电极膜24、取向膜11e。
第一金属膜34例如由钛(Ti)和铜(Cu)的层叠膜形成。由此，与使第一金属膜例如为钛与铝(Al)的层叠结构的情况相比，配线电阻低，导电性良好。栅极绝缘膜35至少在第一金属膜34的上层侧层叠，例如由作为无机材料的氧化硅(SiO2)构成。半导体膜36在栅极绝缘膜35的上层侧层叠，由使用氧化物半导体作为材料的薄膜构成。作为形成半导体膜36的具体的氧化物半导体，例如使用包含In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)、氧(O)的In-Ga-Zn-O类半导体(铟镓锌氧化物)。此处，In-Ga-Zn-O类半导体为In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元氧化物，In、Ga和Zn的比例(组分比)并无特别限定，例如包括In:Ga:Zn＝2:2:1、In:Ga:Zn＝1:1:1、In:Ga:Zn＝1:1:2等。在本实施方式中，使用按In:Ga:Zn＝1:1:1的比例包含In、Ga、Zn的In-Ga-Zn-O类半导体。
保护膜37至少在半导体膜36的上层侧层叠，例如由作为无机材料的氧化硅(SiO2)构成。第二金属膜38在保护膜37的上层侧层叠，由钛(Ti)和铜(Cu)的层叠膜形成。由此，与使第二金属膜例如为钛与铝(Al)的层叠结构的情况相比，配线电阻低，导电性良好。第一层间绝缘膜39至少在第二金属膜38的上层侧层叠，例如由作为无机材料的氧化硅(SiO2)构成。有机绝缘膜40在第一层间绝缘膜39的上层侧层叠，例如由作为有机树脂材料的丙烯酸类树脂材料(例如聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA))构成。因为形成有机绝缘膜40的有机树脂材料具有感光性，所以在阵列基板11b的制造工序中利用已知的光刻法进行图案化。第一透明电极膜23在有机绝缘膜40的上层侧层叠，由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)或ZnO(ZincOxide：氧化锌)等透明电极材料构成。第二层间绝缘膜41至少在第一透明电极膜23的上层侧层叠，由作为无机材料的氮化硅(SiNx)构成。第二透明电极膜24在第二层间绝缘膜41的上层侧层叠，与第一透明电极膜23同样，由ITO(IndiumTinOxide：铟锡氧化物)或ZnO(ZincOxide：氧化锌)等透明电极材料构成。取向膜11e至少在第二透明电极膜24的上层侧层叠，由此以面临液晶层11c的形式配置。取向膜11e例如由聚酰亚胺构成，是能够通过在制造过程中照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而使液晶分子沿该光的照射方向取向的光取向膜。上述的各绝缘膜37、39～41中，有机绝缘膜40是其膜厚比其它无机绝缘膜37、39、41厚且作为平坦化膜发挥作用的膜。上述的各绝缘膜37、39～41中，除了有机绝缘膜40以外的栅极绝缘膜35、保护膜37、第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41分别为由无机材料构成的无机绝缘膜，其膜厚比有机绝缘膜40薄。此外，上述的各绝缘膜37、39～41在阵列基板11b的几乎整个面形成为整面状的图案(一部分具有开口)。此外，第一金属膜34、半导体膜36和第二金属膜38在阵列基板11b的显示区域AA和非显示区域NAA这两者以规定的图案形成。
接着，对阵列基板11b的显示部AA内存在的结构依次进行详细说明。在阵列基板11b的显示部AA，如图6和图7所示，作为开关元件的显示部用TFT(薄膜晶体管)17和像素电极部18呈矩阵状排列地各设置多个，并且在这些显示部用TFT17和像素电极部18的周围，以环绕的方式设置有形成为栅格状的栅极配线(扫描信号线、行控制线)19和源极配线(列控制线、数据线)20。换言之，在形成为栅格状的栅极配线19和源极配线20的交叉部，呈矩阵状排列配置有显示部用TFT17和像素电极部18。栅极配线19由第一金属膜34构成，与此相对，源极配线20由第二金属膜38构成，以介于它们的交叉部位之间的方式配置有栅极绝缘膜35和保护膜37。栅极配线19和源极配线20分别与显示部用TFT17的栅极电极部17a和源极电极部17b连接，像素电极部18与显示部用TFT17的漏极电极部17c连接(图8)。其中，如图7所示，栅极电极部17a由从沿X轴方向直线地延伸的栅极配线19以沿Y轴方向突出的形式分支的分枝部构成，与此相对，源极电极部17b由从沿Y轴方向直线地延伸的源极配线20以沿X轴方向突出的形式分支的分枝部构成。
如图8所示，显示部用TFT17具有：由第一金属膜34构成的栅极电极部17a；沟道部17d，其由半导体膜36构成，与栅极电极部17a在俯视时重叠；保护部17e，其由保护膜37构成，在与沟道部17d在俯视时重叠的位置贯通形成有2个沟道用开口部17e1、17e2；源极电极部17b，其由第二金属膜38构成，通过2个沟道用开口部17e1、17e2中的一个沟道用开口部17e1与沟道部17d连接；漏极电极部17c，其由第二金属膜38构成，通过2个沟道用开口部17e1、17e2中的另一个沟道用开口部17e2与沟道部17d连接。其中，沟道部17d沿X轴方向延伸，并且将源极电极部17b与漏极电极部17c桥接，使两电极部17b、17c之间能够进行电荷的移动。源极电极部17b与漏极电极部17c在沟道部17d的延伸方向(X轴方向)上空出规定间隔地呈相对状配置。
如图7所示，栅极电极部17a为从栅极配线19分支的结构，其形成范围设定成：与源极电极部17b的整个区域在俯视时重叠，而仅与漏极电极部17c的一部分(与沟道部17d连接的部分附近)在俯视时重叠。由此，与采取使栅极电极部与漏极电极部17c的几乎整个区域在俯视时重叠的形成范围的情况相比，能够使在栅极电极部17a与源极电极部17b、漏极电极部17c和沟道部17d之间形成的寄生电容(以下，称为Cgd电容)小，因此Cgd电容占显示像素的总电容的比例降低。因而，Cgd电容难以对施加至像素电极部18的电压值产生影响，因此在液晶面板11高精细化，显示像素的面积和总电容变小的情况下更加优选。随着栅极电极部17a的形成范围如上述那样设定，沟道部17d如图7和图8所示，从连接漏极电极部17c的位置沿X轴方向向源极电极部17b侧的相反侧(图7和图8所示的右侧)延伸，并且其前端部(一部分)具有与栅极电极部17a在俯视时不重叠的延伸部17d1。此处，形成沟道部17d的半导体膜36如上述那样为氧化物半导体薄膜，该氧化物半导体薄膜的电子迁移率与非晶硅薄膜等相比，例如高20倍～50倍程度，因此能够容易地使显示部用TFT17小型化而使像素电极部18的透射光量极大化，因而在实现高精细化和背光源装置14的低耗电化等方面优选。而且，通过令沟道部17d的材料为氧化物半导体，与使用非晶硅作为沟道部的材料的情况相比，显示部用TFT17的断开特性高，断开泄漏电流变得极少，例如为百分之一左右，因此像素电极部18的电压保持率高，因此在实现液晶面板11的低耗电化等方面有用。具有这样的氧化物半导体薄膜的显示部用TFT17为栅极电极部17a配置在最下层且在其上层侧隔着栅极绝缘膜35层叠沟道部17d的底栅型，为与具有一般的非晶硅薄膜的TFT相同的层叠结构。
像素电极部18由第二透明电极膜24构成，至少在阵列基板11b的显示部AA中，在被栅极配线19和源极配线20包围的区域，整体形成为在俯视时纵长的方形(矩形状)，并且通过设置多个未图示的纵长的隙缝而形成为大致梳齿状。如图8所示，像素电极部18在第二层间绝缘膜41上形成，第二层间绝缘膜41介于该像素电极部18与下述的共用电极部22之间。在配置于像素电极部18的下层侧的第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41中的与漏极电极部17c在俯视时重叠的位置，以上下贯通的形式形成有接触孔CH，通过该接触孔CH，像素电极部18与漏极电极部17c连接。由此，当对显示部用TFT17的栅极电极部17a通电时，电流通过沟道部17d在源极电极部17b与漏极电极部17c之间流动，并且向像素电极部18施加规定的电位。该接触孔CH配置在与栅极电极部17a和由半导体膜36构成的沟道部17d这两者在俯视时不重叠的位置。
共用电极部22由第一透明电极膜23构成，至少在阵列基板11b的显示部AA形成为大致整面状的图案。如图8所示，共用电极部22以被夹在有机绝缘膜40与第二层间绝缘膜41之间的形式配置。共用电极部22被从未图示的共用配线施加共用电位(基准电位)，因此对如上述那样通过显示部用TFT17施加至像素电极部18的电位进行控制，能够使两电极部18、22间产生规定的电位差。当在两电极部18、22间产生电位差时，液晶层11c通过像素电极部18的隙缝被施加不仅包含沿着阵列基板11b的板面的成分而且包含阵列基板11b的板面的法线方向的成分的边缘电场(斜电场)，因此液晶层11c中所含的液晶分子中，不仅能够对存在于隙缝的液晶分子的取向状态适当地进行开关，而且也能够对存在于像素电极部18上的液晶分子的取向状态适当地进行开关。因而，液晶面板11的开口率变高，能够获得充分的透射光量，并且能够获得高的视野角性能。另外，在阵列基板11b上还能够设置与栅极配线19并列行进且横穿像素电极部18地隔着栅极绝缘膜35、保护膜37、第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41重叠的电容配线(未图示)。
接着，对CF基板11a的显示部AA内存在的结构进行详细说明。如图4所示，在CF基板11a设置有彩色滤光片11h，该彩色滤光片11h通过R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)等各着色部以与阵列基板11b侧的各像素电极部18在俯视时重叠的方式呈矩阵状排列配置多个而成。在形成彩色滤光片11h的各着色部间，形成有用于防止混色的大致栅格状的遮光层(黑矩阵)11i。遮光层11i配置成与上述的栅极配线19和源极配线20在俯视时重叠。在彩色滤光片11h和遮光层11i的表面，设置有用于使液晶层11c中所含的液晶分子取向的取向膜11d。取向膜11d例如由聚酰亚胺构成，为通过在制造过程中被照射特定的波长区域的光(例如紫外线等)而能够使液晶分子沿该光的照射方向取向的光取向膜。另外，在该液晶面板11，由R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)3色的着色部和与它们相对的3个像素电极部18的组构成作为显示单位的一个显示像素。显示像素包括具有R的着色部的红色像素、具有G的着色部的绿色像素和具有B的着色部的蓝色像素。该各色的显示像素通过在液晶面板11的板面沿行方向(X轴方向)重复排列配置而构成像素组，该像素组沿列方向(Y轴方向)排列配置有多个(图4和图5)。
接着，对阵列基板11b的非显示部NAA内(显示部AA外)存在的结构进行详细说明。在阵列基板11b的非显示部NAA中与显示部AA的短边部相邻的位置，如图5所示设置有列控制电路部27，与此相对，在与显示部AA的长边部相邻的位置设置有行控制电路部(电路部)28。列控制电路部27和行控制电路部28能够进行用于将来自驱动器21的输出信号供给至显示部用TFT17的控制。列控制电路部27和行控制电路部28分别以与显示部用TFT17相同的半导体膜36为基底在阵列基板11b上单片地形成，由此具有用于对输向显示部用TFT17的输出信号的供给进行控制的控制电路及其电路元件。形成该控制电路的电路元件，例如包括使用半导体膜36作为沟道部的未图示的非显示部用TFT(非显示部用薄膜晶体管)等。如图5和图6所示，这些列控制电路部27和行控制电路部28在非显示部NAA配置在比密封部11j更靠中央侧、即显示部AA侧的位置，换言之，可以说配置在比配置于显示部AA的显示部用TFT17靠近密封部11j的位置。另外，在图5中，以二点划线表示密封部11j，在图6中，以实线表示密封部11j。此外，列控制电路部27和行控制电路部28在阵列基板11b的制造工序中将显示部用TFT17等图案化时利用已知的光刻法同时地在阵列基板11b上进行图案化。
其中，列控制电路部27如图5所示那样配置在显示部AA的图5所示的与下侧的短边部相邻的位置，换言之，配置在Y轴方向上的显示部AA与驱动器21之间的位置，在沿X轴方向延伸的横长的大致方形的范围内形成。该列控制电路部27如图5和图6所示那样具有与配置在显示部AA的源极配线20连接且将来自驱动器21的输出信号中所含的图像信号分配至各源极配线20的开关电路(RGB开关电路)。具体而言，源极配线20在阵列基板11b的显示部AA沿X轴方向排列配置有多个，与形成R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)各色的显示像素的各显示部用TFT17分别连接，与此相对，列控制电路部27通过开关电路将来自驱动器21的图像信号分配供给至R、G、B的各源极配线20。此外，列控制电路部27还可以包括电平移位电路和ESD保护电路等附属电路。
与此相对，行控制电路部28如图5所示那样配置在与显示部AA的图5所示的左侧的长边部相邻的位置，在沿Y轴方向延伸的纵长的大致方形的范围内形成。行控制电路部28如图5和图6所示那样与配置在显示部AA的栅极配线19连接，并且具有将来自驱动器21的输出信号中所含的扫描信号按规定的定时供给至各栅极配线19而依次扫描各栅极配线19的扫描电路。具体而言，栅极配线19在阵列基板11b的显示部AA沿Y轴方向排列配置有多个，行控制电路部28通过扫描电路将来自驱动器21的控制信号(扫描信号)在显示部AA中从图5所示的上端位置的栅极配线19至下端位置的栅极配线19为止依次供给，由此进行栅极配线19的扫描。在该行控制电路部28具备的扫描电路中，包括与栅极配线19连接并且将扫描信号放大后向栅极配线19输出的缓冲电路部(未图示)。此外，行控制电路部28还可以具有电平移位电路和ESD保护电路等附属电路。另外，列控制电路部27和行控制电路部28通过在阵列基板11b上形成的未图示的连接配线与驱动器21连接。
接着，对上述的行控制电路部28的一部分的配线结构进行说明。如图9所示，行控制电路部28包括第一配线部29和以与第一配线部29交叉的形式配置在其上层侧的第二配线部30。第一配线部29与栅极配线19一样以沿X轴方向直线地延伸的形式配置在非显示部NAA的行控制电路部28内，并且由第一金属膜34构成(参照图10和图11)。第一配线部29以相互并列行进的形式在Y轴方向上空出规定的排列间隔P3地排列配置有多个(在图9中例示2个)。第二配线部30与源极配线20一样，以沿Y轴方向直线地延伸的形式配置在非显示部NAA的行控制电路部28内，并且由第二金属膜38构成(参照图10和图11)。这样，第一配线部29与第二配线部30以彼此正交的形式交叉。第二配线部30以相互并列行进的形式在X轴方向上空出规定的排列间隔P1、P2地排列配置有多个(在图9中例示5个)。第二配线部30的排列间隔P1、P2为2种，图9所示的左侧2个第二配线部30间的排列间隔P1与图9所示的右侧3个第二配线部30间的排列间隔P1大致相等，与此相对，图9所示的左端起第2个第二配线部30与左端起第3个第二配线部30之间的排列间隔P2比上述排列间隔P1相对宽(大)。相对窄的(小的)第二配线部30间的排列间隔P1为近似于第一配线部29间的排列间隔P3的尺寸，其差(|P1-P3|)比相对窄的第二配线部30间的排列间隔P1与相对宽的(大的)第二配线部30间的排列间隔P2之差(P2-P1)小。另外，除图9所示的右端的第二配线部30以外的各第二配线部30与各第一配线部29分别交叉，与此相对，图9所示的右端的第二配线部30仅与图9所示的上侧的第一配线部29交叉。
各配置有多个的第一配线部29与第二配线部30的交叉部位29a、30a如图9所示，俯视时呈大致矩阵状(行列状)空出规定的排列间隔P1～P3地各配置有多个。详细而言，交叉部位29a、30a在X轴方向(第一配线部29的延伸方向，第二配线部30的排列方向)上空出与第二配线部30相同的排列间隔P1、P2地排列配置，并且在Y轴方向(第二配线部30的延伸方向，第一配线部29的排列方向)上空出与第一配线部29相同的排列间隔P3排列配置。即，沿X轴方向排列的交叉部位29a、30a以具有2种排列间隔P1、P2的形式配置。换言之，俯视时呈矩阵状配置的交叉部位29a、30a空出相对宽的排列间隔P2的同时分成在图9所示的左侧的区域一起配置的各4个交叉部位29a、30a组(以下，称为第一交叉部位组CG1)和在该图右侧的区域一起配置的各5个交叉部位29a、30a组(以下，称为第二交叉部位组CG2)。而且，在Z轴方向(阵列基板11b的板面的法线方向)上，如图10和图11所示，栅极绝缘膜35和保护膜37以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式配置，由此两交叉部位29a、30a被保持在绝缘状态。此外，在第二配线部30的上层侧，依次层叠形成有第一层间绝缘膜39、有机绝缘膜40和第二层间绝缘膜41。另外，图9至图11示出行控制电路部28的一部分的配线结构，行控制电路部28的其它部分的配线结构在后述的实施方式1的各变形例中详细说明。
因此，在行控制电路部28具备的第一配线部29与第二配线部30的交叉部位29a、30a的周围，随着各配线部29、30被通电而产生电场。此处，阵列基板11b的非显示部NAA以包围中央侧的显示部AA的形式配置在外周侧，因此配置在非显示部NAA的行控制电路部28与显示部AA内的显示部用TFT17等相比容易受到外部存在的水分的影响。在行控制电路部28中，在第二配线部30的上层侧配置有有机绝缘膜40，形成该有机绝缘膜40的有机树脂材料一般具有容易吸湿的性质。因此，假设有机绝缘膜40中所含的水分脱离而向两配线部29、30的交叉部位29a、30a侧移动，则由于该水分的影响，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生金属离子，发生该金属离子被电场吸引而移动的所谓的离子迁移(电化学迁移)，根据情况有交叉部位29a、30a间发生短路的可能性。特别是在如本实施方式那样由于液晶面板11窄边框化而非显示部NAA和行控制电路部28的配置区域变窄的情况和高精细化有所进展的情况下，各配线部29、30的分布密度变高，因此更担忧在两配线部29、30的交叉部位29a、30a发生离子迁移。
因此，如图9所示，在配置于第二配线部30的上层侧的有机绝缘膜40设置有至少在与第一配线部29和第二配线部30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的开口部31。这样的开口部31设置于有机绝缘膜40，由此，成为在两配线部29、30的交叉部位29a、30a的正上方不层叠有机绝缘膜40的结构，因此，即使在有机绝缘膜40含有水分而该水分脱离，也不容易到达两配线部29、30的交叉部位29a、30a。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a间难以发生短路。因而，在行控制电路部28难以产生动作不良，因此能够提高动作可靠性，特别是在液晶面板11的窄边框化和高精细化有所进展的情况下优选。该开口部31能够利用阵列基板11b的制造工序中的在有机绝缘膜40中开口形成显示部AA的显示部用TFT17的接触孔CH的工序中同时形成。具体而言，在上述工序中，在利用光刻法将有机绝缘膜40图案化时使用的光掩模中，分别设置用于将显示部AA的有机绝缘膜40中的接触孔CH的形成预定部位曝光或遮光的图案和用于将非显示部NAA的有机绝缘膜40中的开口部31的形成预定部位曝光或遮光的图案即可。以下，对开口部31的详细结构进行说明。另外，在图9中由二点划线表示俯视时的(沿阵列基板11b的板面的法线方向看时的)开口部31的形成范围。
在开口部31，如图9所示，包括在与上述的第一交叉部位组CG1重叠的范围开口的第一开口部31A和在与第二交叉部位组CG2重叠的范围开口的第二开口部31B。第一交叉部位组CG1和第二交叉部位组CG2分别包括X轴方向上的排列间隔P1相对窄的多个交叉部位29a、30a。即，可以说形成开口部31的第一开口部31A和第二开口部31B分别以在跨越X轴方向上的排列间隔P1相对窄的多个交叉部位29a、30a的范围开口的形式设置。第一开口部31A以如下形式开口：与X轴方向上的排列间隔P2相对宽的交叉部位29a、30a中的与第二开口部31B不重叠的交叉部位29a、30a(具体而言为从图9所示的左端起第二个交叉部位29a、30a)重叠，并进一步与跟该交叉部位29a、30a在X轴方向上空出相对窄的排列间隔P1地相邻的交叉部位29a、30a也重叠。同样，第二开口部31B以如下方式开口：与X轴方向上的排列间隔P2相对宽的交叉部位29a、30a中的与第一开口部31A不重叠的交叉部位29a、30a(具体而言为从图9所示的左端起第三个交叉部位29a、30a)重叠，并进一步与跟该交叉部位29a、30a在X轴方向上空出相对窄的排列间隔P1地相邻的交叉部位29a、30a也重叠。因而，在有机绝缘膜40中残留有将在俯视时第一开口部31A与第二开口部31B之间分隔的分隔部分SP，该将两开口部31A、31B间分隔的分隔部分SP配置在X轴方向上的排列间隔P2相对宽的两个交叉部位29a、30a之间。即，在X轴方向上的排列间隔P2相对宽的两个交叉部位29a、30a之间存在有机绝缘膜40。由此，与开口部以将所有交叉部位29a、30a一并包围的形式开口的情况相比，有机绝缘膜40避免被过度除去，因此难以损害有机绝缘膜40的平坦化功能和保护各配线部29、30的功能。
详细而言，如图9至图11所示，第一开口部31A以在跨越第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a的范围开口的方式形成。因而，第一开口部31A的开口边缘以将第一交叉部位组CG1中所含的各4个交叉部位29a、30a一并包围的形式配置。因此，在俯视时第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a之间的位置，不存在有机绝缘膜40。由此，即使有机绝缘膜40含有水分，其水分也难以对第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a分别产生影响。而且，即使由于制造上的理由，有机绝缘膜40的第一开口部31A的形成位置在X轴方向和/或Y轴方向发生偏离、例如第一开口部31A的开口边缘的一部分与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a中的任一者重叠的情况下，其重叠的量也少。根据以上说明，在第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a更难以发生离子迁移，因此能够更加提高行控制电路部28的动作可靠性。
进一步，如图9至图11所示，第一开口部31A以在比与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围广的范围地开口的方式形成。即，第一开口部31A的开口边缘配置在第一交叉部位组CG1的外侧，使得与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a的各外缘在俯视时不交叉(不重叠)。换言之，第一开口部31A的俯视时的形成范围比第一交叉部位组CG1大一圈，扩大至第一交叉部位组CG1的外侧的区域。因而，与采取第一开口部仅在与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围开口的方式的情况相比，从有机绝缘膜40的第一开口部31A的开口边缘至第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a为止的距离被确保得更长，有机绝缘膜40中所含的水分更难以对第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a产生影响。而且，即使在由于制造上的理由，有机绝缘膜40的第一开口部31A的形成位置在X轴方向和/或Y轴方向发生偏离的情况下，也能够将该偏离吸收，因此难以发生有机绝缘膜40与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a重叠的情况，并且配置成第一开口部31A在与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围开口的可靠性高。由此，在第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位29a、30a更难以发生离子迁移，因此能够更加提高行控制电路部28的动作可靠性。此外，第一开口部31A在俯视时为横长的长方形状。
详细而言，如图9至图11所示，第二开口部31B以在跨越第二交叉部位组CG2中所含的各5个交叉部位29a、30a的范围地开口的方式形成。因而，第二开口部31B的开口边缘以将第二交叉部位组CG2中所含的各5个交叉部位29a、30a一并包围的形式配置。因此，在俯视时第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a之间的位置，不存在有机绝缘膜40。由此，即使在有机绝缘膜40含有水分，该水分也难以对第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a分别产生影响。而且，即使在由于制造上的理由，有机绝缘膜40的第二开口部31B的形成位置在X轴方向和/或Y轴方向上发生偏离、例如第二开口部31B的开口边缘的一部分与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a中的任一者重叠的情况下，该重叠的量也少。根据以上说明，在第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
进一步，如图9至图11所示，第二开口部31B以在比与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围广的范围地开口的方式形成。即，第二开口部31B的开口边缘以与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a的各外缘在俯视时不交叉(不重叠)的方式配置在第二交叉部位组CG2的外侧。换言之，第二开口部31B的俯视时的形成范围比第二交叉部位组CG2大一圈，扩大至第二交叉部位组CG2的外侧的区域。因而，与采取第二开口部仅在与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围开口的方式的情况相比，从有机绝缘膜40的第二开口部31B的开口边缘至第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a为止的距离被确保得更长，因此，有机绝缘膜40中所含的水分更难以对第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a产生影响。而且，即使在由于制造上的理由，有机绝缘膜40的第二开口部31B的形成位置在X轴方向和/或Y轴方向发生偏离的情况下，也能够将该偏离吸收，因此，难以发生有机绝缘膜40与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a重叠的情况，并且配置成第二开口部31B在与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a重叠的范围开口的可靠性高。由此，更难以在第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位29a、30a发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。此外，第二开口部31B为将俯视时横长的长方形的一个角部切除而成的形状。
此处，如图10和图11所示，以介于第二配线部30的交叉部位30a与栅极绝缘膜35之间的形式配置有保护膜37。即，除栅极绝缘膜35之外还有保护膜37以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式配置，因此两交叉部位29a、30a间难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而发生短路。不仅如此，而且在第二配线部30的交叉部位30a的上层侧层叠有第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41，由该第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖第二配线部30的交叉部位30a。这些第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41以跨越与各开口部31A、31B重叠的范围和与各开口部31A、31B不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
另外，在行控制电路部28中的本实施方式中未图示的其它部分所含的第一配线部29与第二配线部30的交叉部位29a、30a，在栅极绝缘膜35和保护膜37形成接触孔而将它们相互电连接，并进一步采用在第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41形成与开口部31连通的接触孔，由此将第一透明电极膜23和第二透明电极膜24与相互连接的交叉部位29a、30a连接的结构，因而还能够使由第二透明电极膜24构成的像素电极部18所蓄积的电荷逃逸至共用电极部22或两配线部29、30。
如以上说明的那样，本实施方式的液晶面板(显示装置)11包括：阵列基板(基板)11b，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部AA和以包围显示部AA的形式配置在外周侧的非显示部NAA；配置在非显示部NAA的行控制电路部(电路部)28；构成行控制电路部28的第一配线部29；第二配线部30，其构成行控制电路部28，并且以与第一配线部29交叉的形式配置在该第一配线部29的上层侧；以介于第一配线部29与第二配线部30之间的形式配置的栅极绝缘膜(绝缘膜)35；和有机绝缘膜40，其配置在第二配线部30的上层侧，并且具有至少在与第一配线部29和第二配线部30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的开口部31，且由有机树脂材料构成。
在行控制电路部28，第一配线部29与配置在其上层侧的第二配线部30以隔着栅极绝缘膜35相互交叉的形式配置，因此，在该交叉部位29a、30a的周围可能伴随各配线部29、30被通电而产生电场。此处，在阵列基板11b，非显示部NAA以包围中央侧的显示部AA的形式配置在外周侧，因此，配置在非显示部NAA的行控制电路部28与显示部AA相比容易受到外部存在的水分的影响。在行控制电路部28中，在第二配线部30的上层侧配置有有机绝缘膜40，形成该有机绝缘膜40的有机树脂材料一般具有容易吸湿的性质。因此，由于有机绝缘膜40中所含的水分的影响，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生金属离子，发生该金属离子被电场吸引而移动的、所谓的离子迁移(电化学迁移)，根据情况还有在交叉部位29a、30a间产生短路的担忧。特别是在该液晶面板11进行窄边框化而非显示部NAA和控制电路部28的配置区域变窄的情况和高精细化有所进展的情况下，各配线部29、30的分布密度变高，因此在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更担忧离子迁移的发生。关于这一点，因为有机绝缘膜40具有在与第一配线部29和第二配线部30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的开口部31，所以有机绝缘膜40中所含的水分难以对两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生影响。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，在交叉部位29a、30a间难以发生短路。由此，在控制电路部28难以产生动作不良，因此能够提高动作可靠性，特别是该液晶面板11的窄边框化和高精细化有所进展的情况下优选。
此外，有机绝缘膜40以开口部31至少在比与交叉部位29a、30a重叠的范围广的范围开口的方式设置。这样，与开口部31仅在与两配线部29、30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的方式的情况相比，从有机绝缘膜40的开口部31的开口边缘至两配线部29、30的交叉部位29a、30a为止的距离被确保得更长，有机绝缘膜40中所含的水分更难以对两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生影响。而且，即使由于制造上的理由，在有机绝缘膜40的开口部31的形成位置产生偏离的情况下，也能够将该偏离吸收，因此难以发生有机绝缘膜40与交叉部位29a、30a重叠的情况，并且配置成开口部31在与两配线部29、30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的可靠性高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更难以产生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
此外，第一配线部29和第二配线部30中的至少一者配置有多个，使得交叉部位29a、30a空出排列间隔(间隔)P1～P3地排列多个，有机绝缘膜40以开口部31至少在跨越多个交叉部位29a、30a的范围开口的方式设置。这样，有机绝缘膜40的开口部31的开口边缘以将空出间隔排列的多个交叉部位29a、30a一并包围的形式配置，在多个交叉部位29a、30a之间的位置不存在有机绝缘膜40。由此，即使在有机绝缘膜40含有水分，该水分也更难以对多个交叉部位29a、30a产生影响。而且，即使由于制造上的理由，在有机绝缘膜40的开口部31的形成位置产生偏离、例如配置成开口部31的开口边缘的一部分与交叉部位29a、30a重叠的情况下，该重叠的量也少。根据以上说明，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更难以产生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
此外，第一配线部29和第二配线部30中的至少一者配置有多个，使得交叉部位29a、30a空出彼此不同的排列间隔P1～P3地排列至少3个，有机绝缘膜40以作为开口部31至少具有第一开口部31A和第二开口部31B的方式设置，其中，该第一开口部31A至少在跨越排列间隔P1相对小的两个交叉部位29a、30a的范围开口，该第二开口部31B至少在与排列间隔P2相对大的两个交叉部位29a、30a中与第一开口部31A不重叠的交叉部位29a、30a重叠的范围开口。这样，有机绝缘膜40的第一开口部31A的开口边缘以将排列间隔P1相对小的两个交叉部位29a、30a一并包围的形式配置，因此在该两个交叉部位29a、30a之间的位置不存在有机绝缘膜40。由此，即使有机绝缘膜40中含有水分，该水分也更难以对排列间隔P1相对小的两个交叉部位29a、30a产生影响。而且，即使在由于制造上的理由，在有机绝缘膜40的第一开口部31A的形成位置产生偏离、例如第一开口部31A的开口边缘的一部分与排列间隔P1相对小的两个交叉部位29a、30a重叠的情况下，该重叠的量也少。根据以上说明，在排列间隔P1相对小的两个交叉部位29a、30a更难以产生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。进一步，在有机绝缘膜40中，以在与排列间隔P2相对大的两个交叉部位29a、30a中的与第一开口部31A不重叠的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的方式设置有第二开口部31B，因此在排列间隔P2相对大的两个交叉部位29a、30a之间的位置存在有机绝缘膜40。由此避免有机绝缘膜40被过度除去，因此利用有机绝缘膜40的平坦化功能和保护各配线部29、30的功能难以受损害。
此外，包括与阵列基板11b成为相对状的CF基板(对置基板)11a、被夹持在阵列基板11b与CF基板11a之间的液晶层(液晶)11c和介于阵列基板11b与CF基板11a之间并且以包围液晶层11c的形式配置而将液晶层11c密封的密封部11j，行控制电路部28配置在比显示部AA靠近密封部11j的位置。这样，夹持在阵列基板11b与CF基板11a之间的液晶层11c被介于阵列基板11b与CF基板11a之间并且以包围液晶层11c的形式配置的密封部11j密封。行控制电路部28配置在比显示部AA靠近密封部11j的位置，因此在外部的水分透过密封部11j的情况下，容易受到该水分的影响，但是如上所述，有机绝缘膜40具有在与第一配线部29和第二配线部30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的开口部31，因此即使从密封部11j透过的水分进入有机绝缘膜40，该水分也难以对两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生影响，并且在该交叉部位29a、30a难以产生离子迁移。由此，在行控制电路部28难以产生动作不良。
此外，包括介于有机绝缘膜40与第二配线部30之间且配置在至少与开口部31重叠的范围的第一层间绝缘膜39。这样，第二配线部30中的与第一配线部29的交叉部位30a被第一层间绝缘膜39覆盖，因此该交叉部位30a的防水性(透湿耐性)更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更难以产生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
此外，包括介于第二配线部30与绝缘膜35之间且配置在至少与开口部31重叠的范围的保护膜37。这样，除绝缘膜35之外还有保护膜37介于第一配线部29与第二配线部30的交叉部位29a、30a间，因此在这些交叉部位29a、30a间更难以产生伴随离子迁移的短路。由此，能够更加提高行控制电路部28的动作可靠性。
此外，第一配线部29和第二配线部30至少含有铜。这样，当第一配线部29和第二配线部30含有铜时，例如与含有铝的情况相比，导电性良好但是容易被水分腐蚀。关于这一点，如上所述，有机绝缘膜40具有在与第一配线部29和第二配线部30的交叉部位29a、30a重叠的范围开口的开口部31，有机绝缘膜40中所含的水分难以对两配线部29、30的交叉部位29a、30a产生影响，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以产生离子迁移，因此能够使两配线部29、30的导电性良好而且确保行控制电路部28的动作可靠性高。
此外，在显示部AA中，设置有半导体膜36使用氧化物半导体的显示部用TFT(薄膜晶体管)17，在行控制电路部28中，半导体膜36以介于第二配线部30与绝缘膜35之间的形式设置。形成半导体膜36的氧化物半导体例如与非晶半导体等相比电子迁移率高，因此在设置使用该半导体膜36形成行控制电路部28的电路元件时，能够设置具有各种功能的电路元件。由此，在实现行控制电路部28的多功能化等方面优选。
此外，氧化物半导体含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)。这样，在实现行控制电路部28的多功能化等方面更优选。
在上述实施方式1中，以行控制电路部28的一部分的配线结构为代表进行了例示，因为在行控制电路部28的其它部分存在与实施方式1不同的配线结构，因此在以下所示的变形例1～7中对行控制电路部28的其它部分的配线结构进行说明。另外，在以下的各变形例中，对与上述实施方式1相同的部件，标注与上述实施方式1相同的附图标记，省略图示和说明。
[实施方式1的变形例1]
使用图12对实施方式1的变形例1进行说明。在该变形例1中，如图12所示，在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41的上层侧，进一步层叠有第二透明电极膜24。即，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第二透明电极膜24覆盖。第二透明电极膜24以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
如以上说明那样，根据本变形例，包括配置在有机绝缘膜40的上层侧并且配置在与至少开口部31重叠的范围的第二透明电极膜(透明电极膜)24。这样，第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位29a、30a不仅被第一层间绝缘膜39覆盖而且被第二透明电极膜24覆盖，因此该交叉部位29a、30a的防水性更加高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更加难以产生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更加高。
[实施方式1的变形例2]
使用图13对实施方式1的变形例2进行说明。在该变形例2中，如图13所示，进一步以介于在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39与第二层间绝缘膜41之间的形式配置有第一透明电极膜23。即，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第一透明电极膜23覆盖。第一透明电极膜23以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
如以上说明的那样，根据本变形例，透明电极膜23、24包括配置在相对下层侧的第一透明电极膜23和配置在相对上层侧的第二透明电极膜24，包括介于第一透明电极膜23与第二透明电极膜24之间且配置在至少与开口部31重叠的范围的第二层间绝缘膜41。这样，第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位29a、30a不仅被第一层间绝缘膜39覆盖而且被第一透明电极膜23、第二层间绝缘膜41和第二透明电极膜24覆盖，因此其交叉部位29a、30a的防水性进一步提高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a更加难以产生离子迁移，因此能够进一步提高行控制电路部28的动作可靠性。
[实施方式1的变形例3]
使用图14对实施方式1的变形例3进行说明。在该变形例3中，如图14所示，以介于在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41之间的形式配置有第一透明电极膜23，并且在第二层间绝缘膜41的上层侧层叠有第二透明电极膜24。即，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第一透明电极膜23和第二透明电极膜24覆盖。第一透明电极膜23和第二透明电极膜24以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
[实施方式1的变形例4]
使用图15对实施方式1的变形例4进行说明。在该变形例4中，如图15所示，在介于两配线部29、30的交叉部位29a、30a之间的栅极绝缘膜35与保护膜37之间，还以夹着的形式配置有半导体膜36。即，以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜35和保护膜37而且配置有半导体膜36。由此，两交叉部位29a、30a间更加难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而发生短路，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。此外，半导体膜36以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式配置。
[实施方式1的变形例5]
使用图16对实施方式1的变形例5进行说明。该变形例5中，如图16所示，在介于两配线部29、30的交叉部位29a、30a之间的栅极绝缘膜35与保护膜37之间，还以夹着的形式配置有半导体膜36，不仅如此，而且在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41的上层侧，还层叠有第二透明电极膜24。即，以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜35和保护膜37而且配置有半导体膜36，与此相对，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第二透明电极膜24覆盖。通过半导体膜36，两交叉部位29a、30a间更加难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而发生短路，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。此外，半导体膜36以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式配置。另一方面，第二透明电极膜24以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
[实施方式1的变形例6]
使用图17对实施方式1的变形例6进行说明。在该变形例6中，如图17所示，在介于两配线部29、30的交叉部位29a、30a之间的栅极绝缘膜35与保护膜37之间，还以夹着的形式配置有半导体膜36，不仅如此，而且在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41之间，还以夹着的形式配置有第一透明电极膜23。即，以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜35和保护膜37而且配置有半导体膜36，与此相对，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第一透明电极膜23覆盖。通过半导体膜36，两交叉部位29a、30a间更加难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而发生短路，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。此外，半导体膜36以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式配置。另一方面，第一透明电极膜23以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
[实施方式1的变形例7]
使用图18对实施方式1的变形例7进行说明。在该变形例7中，如图18所示，在介于两配线部29、30的交叉部位29a、30a之间的栅极绝缘膜35与保护膜37之间，还以夹着的形式配置有半导体膜36，不仅如此，而且在第二配线部30的与第一配线部29的交叉部位30a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41之间以夹着的形式配置有第一透明电极膜23，并且在第二层间绝缘膜41的上层侧层叠有第二透明电极膜24。即，以介于第一配线部29的交叉部位29a与第二配线部30的交叉部位30a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜35和保护膜37而且配置有半导体膜36，与此相对，第二配线部30的交叉部位30a不仅被第一层间绝缘膜39和第二层间绝缘膜41覆盖而且还被第一透明电极膜23和第二透明电极膜24覆盖。通过半导体膜36，两交叉部位29a、30a间更加难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而发生短路，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。此外，半导体膜36以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式配置。另一方面，第一透明电极膜23和第二透明电极膜24以跨越与开口部31重叠的范围和与开口部31不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此，第二配线部30的交叉部位30a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部29、30的交叉部位29a、30a难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部28的动作可靠性更高。
<实施方式2>
使用图19至图21对本发明的实施方式2进行说明。在该实施方式2中，示出省略了上述实施方式1中记载的保护膜37的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图19所示，本实施方式的阵列基板111b为在半导体膜136与第二金属膜138之间不设置上述实施方式1中记载的保护膜37(参照图8)的结构。因此，在阵列基板111b的显示部AA，构成显示部用TFT117并且由第二金属膜138构成的源极电极部117b的端部和同样由第二金属膜138构成的漏极电极部117c的端部分别直接层叠于由半导体膜136构成的沟道部117d的两个端部上(不隔着保护膜37)，由此实现相互的连接。另一方面，在阵列基板111b的非显示部NAA，如图20和图21所示，在构成行控制电路部128并且由第一金属膜134构成的第一配线部129与同样由第二金属膜138构成的第二配线部130的交叉部位129a、130a间，仅设置有栅极绝缘膜135。
根据这样本实施方式，能够省略上述实施方式1中需要的利用光刻法将保护膜37图案化的过程，因此能够实现与生产节拍的缩短和制造设备的简化相伴的制造成本的低廉化。另外，图19至图21示出行控制电路部128的一部分的配线结构。
在上述实施方式2中，以行控制电路部128的一部分的配线结构为代表进行例示，在行控制电路部128的其它部分，存在与实施方式2不同的配线结构，因此，在以下所示的变形例1～7中，说明行控制电路部128的其它部分的配线结构。另外，在以下的各变形例中，对与上述实施方式2相同的部件，标注与上述实施方式2相同的附图标记，省略图示和说明。
[实施方式2的变形例1]
使用图22对实施方式2的变形例1进行说明。在该变形例1中，如图22所示，在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141的上层侧，还层叠有第二透明电极膜124。即，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第二透明电极膜124覆盖。第二透明电极膜124以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围以的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
[实施方式2的变形例2]
使用图23对实施方式2的变形例2进行说明。在该变形例2中，如图23所示，在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141之间，还以夹着的形式配置有第一透明电极膜123。即，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第一透明电极膜123覆盖。第一透明电极膜123以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此，第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此，能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
[实施方式2的变形例3]
使用图24对实施方式2的变形例3进行说明。在该变形例3中，如图24所示，在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141之间，以夹着的形式配置有第一透明电极膜123，并且在第二层间绝缘膜141的上层侧层叠有第二透明电极膜124。即，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第一透明电极膜123和第二透明电极膜124覆盖。第一透明电极膜123和第二透明电极膜124以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此，第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
[实施方式2的变形例4]
使用图25对实施方式2的变形例4进行说明。在该变形例4中，如图25所示，在介于两配线部129、130的交叉部位129a、130a之间的栅极绝缘膜135的上层侧，还层叠有半导体膜136。即，以介于第一配线部129的交叉部位129a与第二配线部130的交叉部位130a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜135而且配置有半导体膜136。由此，两交叉部位129a、130a间难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而短路，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。此外，半导体膜136以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式配置。
[实施方式2的变形例5]
使用图26对实施方式2的变形例5进行说明。在该变形例5中，如图26所示，在介于两配线部129、130的交叉部位129a、130a之间的栅极绝缘膜135的上层侧，还层叠有半导体膜136，不仅如此，而且在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141的上层侧，还层叠有第二透明电极膜124。即，以介于第一配线部129的交叉部位129a与第二配线部130的交叉部位130a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜135而且配置有半导体膜136，与此相对，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第二透明电极膜124覆盖。通过半导体膜136，两交叉部位129a、130a难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而短路，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。此外，半导体膜136以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式配置。另一方面，第二透明电极膜124以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
[实施方式2的变形例6]
使用图27对实施方式2的变形例6进行说明。在该变形例6中，如图27所示，在介于两配线部129、130的交叉部位129a、130a之间的栅极绝缘膜135的上层侧，还层叠有半导体膜136，不仅如此，而且在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141之间，还以夹着的形式配置有第一透明电极膜123。即，以介于第一配线部129的交叉部位129a与第二配线部130的交叉部位130a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜135而且配置有半导体膜136，与此相对，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第一透明电极膜123覆盖。通过半导体膜136，两交叉部位129a、130a难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而短路，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。此外，半导体膜136以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式配置。另一方面，第一透明电极膜123以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
[实施方式2的变形例7]
使用图28对实施方式2的变形例7进行说明。在该变形例7中，如图28所示，在介于两配线部129、130的交叉部位129a、130a之间的栅极绝缘膜135的上层侧，还层叠有半导体膜136，不仅如此，而且在第二配线部130的与第一配线部129的交叉部位130a的上层侧层叠的第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141之间，以夹着的形式配置有第一透明电极膜123，并且在第二层间绝缘膜141的上层侧层叠有第二透明电极膜124。即，以介于第一配线部129的交叉部位129a与第二配线部130的交叉部位130a之间的形式不仅配置有栅极绝缘膜135而且配置有半导体膜136，与此相对，第二配线部130的交叉部位130a不仅被第一层间绝缘膜139和第二层间绝缘膜141覆盖而且还被第一透明电极膜123和第二透明电极膜124覆盖。通过半导体膜136，两交叉部位129a、130a间难以由于伴随离子迁移可能产生的金属离子而短路，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。此外，半导体膜136以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式配置。另一方面，第一透明电极膜123和第二透明电极膜124以跨越与开口部131重叠的范围和与开口部131不重叠的范围的形式呈所谓的整面状配置，因此第二配线部130的交叉部位130a的防水性(透湿耐性)变得更高。由此，在两配线部129、130的交叉部位129a、130a更难以发生离子迁移，因此能够使行控制电路部128的动作可靠性更高。
<实施方式3>
使用图29对本发明的实施方式3进行说明。在该实施方式3中，示出从上述实施方式1变更开口部231的俯视时的形成范围后的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图29所示，本实施方式的开口部231的俯视时的形成范围与上述实施方式1中记载的开口部31相比缩小。详细而言，形成开口部231的第一开口部231A以其开口边缘与第一交叉部位组CG1中所含的各交叉部位229a、230a的外缘在俯视时重叠的方式设置。即，第一开口部231A在跨越第一交叉部位组CG1中所含的多个(4个)交叉部位229a、230a的范围形成，由此，虽然开口边缘将这些交叉部位229a、230a一并包围，但是其形成范围并不扩大至第一交叉部位组CG1的外侧的区域。第二开口部231B以其开口边缘与第二交叉部位组CG2中所含的各交叉部位229a、230a的外缘在俯视时重叠的方式设置。即，第二开口部231B在跨越第二交叉部位组CG2中所含的多个(5个)交叉部位229a、230a的范围形成，由此，虽然开口边缘将这些交叉部位229a、230a一并地包围，但是其形成范围并不扩大至第二交叉部位组CG2的外侧的区域。根据这样的结构，也能够适当地抑制离子迁移的发生，使得第一配线部229的交叉部位229a与第二配线部230的交叉部位230a之间难以发生短路。
<实施方式4>
使用图30对本发明的实施方式4进行说明。在该实施方式4中，说明从上述实施方式1变更开口部331的俯视时的形成范围后的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图30所示，本实施方式的开口部331的俯视时的形成范围与上述实施方式1中记载的开口部31相比扩大。详细而言，开口部331在跨越第一交叉部位组CG1中所含的交叉部位329a、330a和第二交叉部位组CG2中所含的交叉部位329a、330a的范围形成。因而，开口部331的开口边缘以将第一交叉部位组CG1中所含的交叉部位329a、330a和第二交叉部位组CG2中所含的交叉部位329a、330a一并地包围的形式配置。此外，X轴方向上的第一交叉部位组CG1与第二交叉部位组CG2之间的排列间隔P4相对而言比上述实施方式1中记载的X轴方向上的第一交叉部位组CG1与第二交叉部位组CG2之间的排列间隔P2(参照图9)窄。在这样的结构中，假设如上述实施方式1那样，在X轴方向上第一交叉部位组CG1与第二交叉部位组CG2之间留有有机绝缘膜(参照图9)，则有机绝缘膜只会稍留一点，因此不仅不能充分地发挥平坦化功能和保护功能，而且要担忧来自该残留的有机绝缘膜的水分向交叉部位329a、330a移动。关于这一点，通过采取开口部331的形成范围跨越第一交叉部位组CG1和第二交叉部位组CG2的方式，能够有效地避免来自有机绝缘膜的水分向交叉部位329a、330a移动的情况。根据以上说明，能够适当地抑制离子迁移的发生，使得第一配线部329的交叉部位329a与第二配线部330的交叉部位330a之间难以发生短路。
<实施方式5>
使用图31对本发明的实施方式5进行说明。在该实施方式5中，说明从上述实施方式1变更开口部431的俯视时的形成范围后的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图31所示，本实施方式的开口部431按沿X轴方向排列的每个交叉部位429a、430a放开配置。详细而言，各开口部431以在跨越沿Y轴方向排列的多个(2个)交叉部位429a、430a的范围且在比这些交叉部位429a、430a更广的范围开口的方式形成。另外，位于图31所示的右端的开口部431以在比交叉部位429a、430a更广的范围开口的方式形成。因而，在有机绝缘膜中，残留有将俯视时在X轴方向上相邻的各开口部431之间分隔的分隔部分SP，该分隔的分隔部分SP配置于在X轴方向上排列的各交叉部位429a、430a之间。此外，X轴方向上的各交叉部位429a、430a间的相对窄的排列间隔P5比上述实施方式1中记载的X轴方向上的各交叉部位29a、30a间的相对窄的排列间隔P1(参照图9)相对宽。在这样的结构中，假设如上述实施方式1那样使开口部31在跨越沿X轴方向排列的多个交叉部位29a、30a的范围开口，则有机绝缘膜会被过度除去，存在平坦化功能和保护功能受到损害的问题。关于这一点，通过在X轴方向上排列的各交叉部位429a、430a之间留有作为有机绝缘膜的一部分的分隔部分SP，能够适当地维持平坦化功能和保护功能。
<实施方式6>
使用图32对本发明的实施方式6进行说明。在该实施方式6中，说明从上述实施方式1变更开口部531的俯视时的形成范围的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图32所示，形成本实施方式的开口部531的第一开口部531A和第二开口部531B按沿Y轴方向排列的每个交叉部位529a、530a分开配置。详细而言，第一开口部531A和第二开口部531B以在跨越沿X轴方向排列的多个(2个或3个)交叉部位529a、530a的范围且在比这些交叉部位529a、530a宽的范围开口的方式形成。因而，在有机绝缘膜残留有将在俯视时在Y轴方向上相邻的第一开口部531A之间和第二开口部531B之间分别分隔开来的分隔部分SP，该分隔部分SP配置于在Y轴方向上排列的各交叉部位529a、530a之间。此外，Y轴方向上的各交叉部位529a、530a间的排列间隔P6比上述实施方式1中记载的Y轴方向上的各交叉部位29a、30a间的排列间隔P3(参照图9)相对较宽。在这样的结构中，假设如上述实施方式1那样使开口部31在跨越沿Y轴方向排列的多个交叉部位29a、30a的范围开口，则有机绝缘膜会被过度地除去，存在平坦化功能和保护功能受到损害的问题。关于这一点，通过在Y轴方向上排列的各交叉部位529a、530a之间留有作为有机绝缘膜的一部分的分隔部分SP，能够适当地维持平坦化功能和保护功能。
<实施方式7>
使用图33对本发明的实施方式7进行说明。在该实施方式7中，说明从上述实施方式6变更开口部631的俯视时的形成范围后的结构。另外，对与上述实施方式6相同的结构、作用和效果省略重复的说明。
如图33所示，本实施方式的开口部631按沿Y轴方向排列的每个交叉部位629a、630a分开配置，不仅如此，而且在X轴方向上在跨越第一交叉部位组CG1中所含的交叉部位629a、630a和第二交叉部位组CG2中所含的交叉部位629a、630a的范围地形成。因而，各开口部631的开口边缘以将第一交叉部位组CG1中所含的交叉部位629a、630a和第二交叉部位组CG2中所含的交叉部位629a、630a一并包围的形式配置。此外，X轴方向上的第一交叉部位组CG1与第二交叉部位组CG2之间的排列间隔P4与上述实施方式4相同(参照图30)。在这样的结构中，假设如上述实施方式1那样，在X轴方向上第一交叉部位组CG1与第二交叉部位组CG2之间留有有机绝缘膜(参照图9)，则有机绝缘膜只会稍留一点，不仅不能充分地发挥平坦化功能和保护功能，而且还要担忧来自该留下的有机绝缘膜的水分向交叉部位629a、630a的移动。关于这一点，通过采取各开口部631的形成范围跨越第一交叉部位组CG1和第二交叉部位组CG2的方式，能够适当地避免来自有机绝缘膜的水分向交叉部位629a、630a移动的情况。根据以上说明，能够有效地抑制离子迁移的发生，使得在第一配线部629的交叉部位629a与第二配线部630的交叉部位630a之间难以发生短路。
<实施方式8>
使用图34对本发明的实施方式8进行说明。在该实施方式8中，说明从上述实施方式1变更开口部731的俯视时的形成范围后的结构。另外，对与上述实施方式1相同的结构、作用和效果，省略重复的说明。
如图34所示，本实施方式的开口部731按沿X轴方向和Y轴方向分别排列的每个交叉部位729a、730a个别地配置。详细而言，开口部731以在比与各交叉部位729a、730a重叠的范围广的范围开口的方式形成，因此并不跨越多个交叉部位729a、730a。因而，在有机绝缘膜中残留将在俯视时在X轴方向和Y轴方向上相邻的各开口部731之间分隔的分隔部分SP，该分隔部分SP配置在在X轴方向和Y轴方向上分别排列的各交叉部位729a、730a之间。此外，X轴方向上的各交叉部位729a、730a间的相对窄的排列间隔P5与上述实施方式5相同(参照图31)，不仅如此，而且Y轴方向上的各交叉部位729a、730a间的排列间隔P6与上述实施方式6相同(参照图32)。在这样的结构中，假设如上述实施方式1那样使开口部31在跨越沿X轴方向和Y轴方向排列的各多个交叉部位29a、30a的范围开口，则有机绝缘膜会被过剩地除去，存在损害平坦化功能和保护功能的问题。关于这一点，通过在X轴方向和Y轴方向上分别排列的各交叉部位729a、730a之间留下作为有机绝缘膜的一部分的分隔部分SP，能够适当地维持平坦化功能和保护功能。
<其它实施方式>
本发明并不限定于上述记述和根据附图说明的实施方式，例如以下那样的实施方式也包含在本发明的技術的范围内。
(1)在上述各实施方式以外，还可以对第一配线部和第二配线部在X轴方向和Y轴方向上的排列数、交叉部位间(第一配线部间、第二配线部间)的排列间隔等适当地进行变更。具体而言，例如可以构成为，第一配线部沿Y轴方向排列3条以上，第二配线部沿X轴方向排列6条以上或4条以下。此外，还可以构成为第一配线部和第二配线部中的任一者仅配置一条而另一者配置多条。
(2)在上述各实施方式以外，还可以对开口部的俯视时的形成范围的具体大小适当地进行变更。随之，对由一个开口部跨越的交叉部位的数量(由一个开口部的开口边缘包围的交叉部位的数量)也可以适当地进行变更。具体而言，例如可以构成为：开口部在跨越沿Y轴方向排列的3个以上交叉部位的范围开口，或在跨越沿X轴方向排列的6个以上交叉部位的范围开口。另外，在具体地设定开口部的俯视时的形成范围和由一个开口部跨越的交叉部位的数量时，优选考虑交叉部位间(第一配线部间、第二配线部间)的排列间隔地进行。
(3)在上述各实施方式中，例示了第一交叉部位组与第二交叉部位组以在X轴方向上相邻的形式配置的例子，本发明例如还能够应用于以下的结构，即，第一配线部沿Y轴方向排列3个以上并且第一配线部的Y轴方向上的排列间隔为两种，第一交叉部位组与第二交叉部位组以在Y轴方向上相邻的形式配置。在这种情况下，如果应用实施方式1的结构，则以跨越第一交叉部位组中所含的多个交叉部位的形式开口的第一开口部与以跨越第二交叉部位分中所含的多个交叉部位的形式开口的第二开口部在Y轴方向上空出相对宽的排列间隔地排列配置。除此以外，还可以在第一交叉部位组与第二交叉部位组以在Y轴方向上相邻的形式配置的结构中组合实施方式2～8中记载的结构。
(4)在上述各实施方式中，例示了2个交叉部位组以在X轴方向上相邻的形式配置的例子，本发明例如还可以应用于以下结构，即，第一配线部和第二配线部分别沿Y轴方向和X轴方向排列配置3条以上并且第一配线部和第二配线部在Y轴方向和X轴方向上的排列间隔各为两种，配置成各2个交叉部位在Y轴方向上相邻并且各2个交叉部位在X轴方向上相邻。可以在该结构中适当地组合实施方式1～8中记载的结构。
(5)在上述各实施方式中，例示了第一层间绝缘膜和第二层间绝缘膜至少在与开口部重叠的范围形成的例子，也可以在第一层间绝缘膜与第二层间绝缘膜中的任一者或两者形成有与有机绝缘膜的开口部连通的开口。
(6)还可以在上述实施方式1的变形例1～7中记载的结构中组合上述实施方式3～8。
(7)还可以在上述实施方式2及其变形例1～7中记载的结构中组合上述实施方式3～8。
(8)还可以在上述实施方式3中记载的结构中组合上述实施方式4～8。特别是在实施方式3中组合实施方式8的情况下，各开口部按每个交叉部位个别地形成，并且各开口部以仅在与各交叉部位重叠的范围开口的形式形成。
(9)在上述各实施方式中，例示了在阵列基板的非显示部配置的行控制电路部的配线结构，在阵列基板的非显示部配置的列控制电路部的配线结构中也能够同样地应用本发明。此外，在行控制电路部和列控制电路部以外还在阵列基板的非显示部形成有电路部的情况下，在这样的电路部也能够应用本发明。
(10)在上述各实施方式以外，阵列基板的行控制电路部的配置和设置数也能够适当地变更。例如，行控制电路部与阵列基板的显示部在图5所示的右侧相邻地配置的结构和在阵列基板上在左右夹着显示部的位置配置有一对行控制电路部的结构也包含于本发明。
(11)上述各实施方式以外，还可以对栅极绝缘膜、保护膜、第一层间绝缘膜、有机绝缘膜和第二层间绝缘膜使用的具体材料分别适当地进行变更。此外，对各透明电极膜使用的具体材料也能够适当地进行变更。此外，也可以将形成阵列基板的基材的玻璃基板变更为合成树脂制的基板。
(12)在上述各实施方式中，例示了栅极绝缘膜为单层膜的例子，也可以层叠由不同的材料构成的膜。例如，可以使栅极绝缘膜为例如由氮化硅(SiNx)构成的下层侧栅极绝缘膜与由氧化硅(SiO2)构成的上层侧栅极绝缘膜的层叠结构，即，使上下的层叠顺序与第一层间绝缘膜相反的层叠结构。
(13)在上述各实施方式中，作为半导体膜所使用的氧化物半导体，例示了In-Ga-Zn-O类半导体，也可以使用其它氧化物半导体。例如也可以含有Zn-O类半导体(ZnO)、In-Zn-O类半导体(IZO(注册商标))、Zn-Ti-O类半导体(ZTO)、Cd-Ge-O类半导体、Cd-Pb-O类半导体、CdO(氧化镉)、Mg-Zn-O类半导体、In-Sn-Zn-O类半导体(例如In2O3-SnO2-ZnO)、In-Ga-Sn-O类半导体等。此外，作为半导体膜的材料，在氧化物半导体以外，例如还可以使用非晶硅和多晶硅。在使用多晶硅的情况下，优选使用CG硅(ContinuousGrainSilicon：连续粒状结晶硅)。
(14)在上述各实施方式中，例示了第一金属膜和第二金属膜由钛(Ti)和铜(Cu)的层叠膜形成的情况，但也可以使用例如钼(Mo)、氮化钼(MoN)、氮化钛(TiN)、钨(W)、铌(Nb)、钼-钛合金(MoTi)，钼-钨合金(MoW)等代替钛。除此以外，还可以使用钛、铜、铝等单层的金属膜。
(15)在上述各实施方式中，例示了动作模式为FFS模式的液晶面板，除此以外对IPS(In-PlaneSwitching：面内开关型)模式和VA(VerticalAlignment：垂直取向)模式等其它动作模式的液晶面板也能够应用本发明。特别是在动作模式为VA模式的液晶面板中，将共用电极部(对置电极部)不形成于阵列基板而形成于CF基板侧即可。
(16)在上述各实施方式中，例示了在液晶面板中显示部在短边方向上配置在中央而在长边方向上靠近一端部侧地配置的结构，但在液晶面板中显示部在长边方向上配置在中央而在短边方向上靠近一端部侧地配置的结构也包含于本发明。此外，在液晶面板中显示部在长边方向和短边方向上分别靠近一端部侧地配置的结构也包含于本发明。相反地在液晶面板中显示部在长边方向和短边方向上配置在中央的结构也包含于本发明。
(17)在上述各实施方式中，例示了将驱动器直接COG安装在阵列基板上的结构，在通过ACF与阵列基板连接的挠性基板上安装驱动器的结构也包含于本发明。
(18)在上述各实施方式中，例示了将列控制电路部和行控制电路部设置在阵列基板的非显示部的情况，也可以省略列控制电路部和行控制电路部中的任一者，使驱动器担负其功能。
(19)在上述各实施方式中，例示了形成为纵长的方形的液晶面板，本发明还可以应用于形成为横长的方形的液晶面板和形成为正方形的液晶面板。
(20)将触摸面板或视差屏障面板(开关液晶面板)等功能性面板以层叠的形式安装在上述各实施方式中记载的液晶面板的结构也包含于本发明。此外，在液晶面板上直接形成触摸面板图案的结构也包含于本发明。
(21)在上述各实施方式中，作为液晶显示装置具备的背光源装置例示了边缘光型结构，使用直下型的背光源装置的结构也包含于本发明。
(22)在上述各实施方式中，例示了具备作为外部光源的背光源装置的透射型液晶显示装置，本发明还可以应用于利用外光进行显示的反射型液晶显示装置，在这种情况下，能够省略背光源装置。此外，本发明还可以应用于半透射型液晶显示装置。
(23)在上述各实施方式中，使用TFT作为液晶显示装置的开关元件，也可以应用于使用TFT以外的开关元件(例如薄膜二极管(TFD))的液晶显示装置，此外，在进行彩色显示的液晶显示装置以外也可以应用于进行白黑显示的液晶显示装置。
(24)在上述各实施方式中，例示了使用液晶面板作为显示面板的液晶显示装置，还可以在使用其它种类的显示面板(PDP(等离子体显示面板)和有机EL面板等)的显示装置中应用本发明。在这种情况下，能够省略背光源装置。
(25)在上述各实施方式中，例示了在显示部用TFT中从栅极配线分支出栅极电极部并且沟道部具有与栅极电极部在俯视时不重叠的延伸部的结构，但还可以采用沟道部的整个区域与从栅极配线分支的结构的栅极电极部分别在俯视时重叠的配置结构。
(26)在上述各实施方式中，例示了被分类为小型或中小型的用于便携式信息终端、便携式电话(包括智能手机)、笔记本电脑(包括平板型笔记本电脑)、数字相框、便携式游戏机、电子墨水纸等各种电子设备等的液晶面板，本发明还可以应用于屏幕尺寸为20英寸～90英寸的被分类为中型或大型(超大型)的液晶面板。在这种情况下，能够将液晶面板用于电视接收装置、电子看板(数字标牌)、电子黑板等电子设备。
附图标记的说明
11……液晶面板(显示装置)
11a……CF基板(对置基板)
11b、111b……阵列基板(基板)
11c……液晶层(液晶)
11j……密封部
17、117……显示部用TFT(薄膜晶体管)
23……第一透明电极膜(透明电极膜)
24……第二透明电极膜(透明电极膜)
28、128……行控制电路部
29、129、229、329、629……第一配线部
29a、129a、229a、329a、429a、529a、629a、729a……交叉部位
30、130、230、330、630……第二配线部
30a、130a、230a、330a、430a、530a、630a、730a……交叉部位
31、231、331、431、531、631、731……开口部
31A、231A、531A……第一开口部
31B、231B、531B……第二开口部
35、135……栅极绝缘膜(绝缘膜)
36、136……半导体膜
37……保护膜
39……第一层间绝缘膜
40……有机绝缘膜
41……第二层间绝缘膜
AA……显示部
NAA……非显示部
P1～P6……排列间隔(间隔)

Claims (12)

1.一种显示装置，其特征在于，包括：
基板，其具有能够显示图像且配置在中央侧的显示部和以包围所述显示部的形式配置在外周侧的非显示部；
配置在所述非显示部的电路部；
构成所述电路部的第一配线部；
第二配线部，其构成所述电路部，并且以与所述第一配线部交叉的形式配置在所述第一配线部的上层侧；
以介于所述第一配线部与所述第二配线部之间的形式配置的绝缘膜；和
有机绝缘膜，其配置在所述第二配线部的上层侧，并且具有至少在与所述第一配线部和所述第二配线部的交叉部位重叠的范围开口的开口部，且由有机树脂材料构成。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于：
所述有机绝缘膜设置成：所述开口部至少在比与所述交叉部位重叠的范围广的范围开口。
3.如权利要求1或2所述的显示装置，其特征在于：
所述第一配线部和所述第二配线部中的至少一者配置有多条，使得所述交叉部位空出间隔地排列多个，
所述有机绝缘膜设置成：所述开口部至少在跨越多个所述交叉部位的范围开口。
4.如权利要求1～3中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一配线部和所述第二配线部中的至少一者配置有多条，使得所述交叉部位空出彼此不同的间隔地排列至少3个，
所述有机绝缘膜设置成：作为所述开口部，至少具有第一开口部和第二开口部，该第一开口部至少在跨越所述间隔相对小的2个所述交叉部位的范围开口，该第二开口部至少在与所述间隔相对大的2个所述交叉部位中的与所述第一开口部不重叠的所述交叉部位重叠的范围开口。
5.如权利要求1～4中任一项所述的显示装置，其特征在于，包括：
与所述基板形成为相对状的对置基板；
被夹持在所述基板与所述对置基板之间的液晶；和
介于所述基板与所述对置基板之间并且以包围所述液晶的形式配置而将所述液晶密封的密封部，
所述电路部配置在比所述显示部靠近所述密封部的位置。
6.如权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置包括介于所述有机绝缘膜与所述第二配线部之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的第一层间绝缘膜。
7.如权利要求6所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置包括配置在所述有机绝缘膜的上层侧并且配置在至少与所述开口部重叠的范围的透明电极膜。
8.如权利要求7所述的显示装置，其特征在于：
所述透明电极膜包括配置在相对下层侧的第一透明电极膜和配置在相对上层侧的第二透明电极膜，
所述显示装置包括介于所述第一透明电极膜与所述第二透明电极膜之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的第二层间绝缘膜。
9.如权利要求1～8中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述显示装置包括介于所述第二配线部与所述绝缘膜之间且配置在至少与所述开口部重叠的范围的保护膜。
10.如权利要求1～9中任一项所述的显示装置，其特征在于：
所述第一配线部和所述第二配线部至少含有铜。
11.如权利要求1～10中任一项所述的显示装置，其特征在于：
在所述显示部中设置有半导体膜使用氧化物半导体的薄膜晶体管，
在所述电路部中，所述半导体膜以介于所述第二配线部与所述绝缘膜之间的形式设置。
12.如权利要求11所述的显示装置，其特征在于：
所述氧化物半导体含有铟(In)、镓(Ga)、锌(Zn)、氧(O)。
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