CN105785251A - 一种硅块的少子寿命检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种少子寿命检测方法，包括：将硅锭的顶面划分为多个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭进行切割；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块、第二类硅块以及第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法工作效率高。

Description

一种硅块的少子寿命检测方法

技术领域

本发明涉及硅锭质量检测技术领域，更具体的说，涉及一种硅块的少子寿命检测方法。

背景技术

目前，铸造多晶硅锭的检测中，硅锭切割后的硅块少子检测是很重要的环节，少子的寿命大小通常表征了硅块的电学性能，少子的寿命低的硅块切割成硅片后，制作的太阳能电池的转换效率较低，难以满足电能转换标准。

太阳能电池所用的电池片是在铸锭炉中制备的硅锭制备而成。在进行少子寿命检测时，首先根据所需制备的电池片的尺寸将所述硅锭进行切割形成多个体积较小的硅块，然后对各个硅块进行少子寿命检测。

现有技术进行少子寿命检测时，检测过程复杂，工作效率低。如何提高少子寿命检测的工作效率使得当前亟待解决的一个问题。

发明内容

为解决上述问题，本发明提供了一种硅块的少子寿命检测方法，提高了少子寿命检测的工作效率。

为实现上述目的，本申请实施例提供了一种硅块的少子寿命检测方法，该少子寿命检测方法包括：

将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；

定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；

对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第三类硅块以及位于所述阵列第四行的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为780mm-900mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为5×5个阵列排布的区域。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第一行第一列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第五列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的列方向；位于所述阵列第一行第五列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第一列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的行方向。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第二类硅块、位于所述阵列第三列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第一列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第二行相对；位于所述阵列第三行第五列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第一行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三列第五行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

优选的，在上述少子寿命检测方法中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第三类硅块以及位于所述阵列第三列的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第二列的第三类硅块与位于所述阵列第三行第三列的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二行相对；位于所述阵列第三列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三行第四列的第三类硅块与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的少子寿命检测方法包括：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。所述少子寿命检测方法采用共面测试方式，只需对选定硅块的设定表面进行少子寿命检测，无需对每一个硅块的所有表面进行少子寿命检测，即可实现对切割后硅块少子寿命的检测，提高了工作效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本申请实施例提供的一种勺子寿命检测方法的流程示意图；

图2为本申请实施例提供的一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图；

图3为本申请实施例提供的另一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参考图1，图1为本申请实施例提供的一种少子寿命检测方法的流程示意图。所述少子寿命检测方法包括：

步骤S11：将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数。

所述硅锭的顶面为铸锭时硅锭朝向坩埚口的表面，其顶面为朝向坩埚底部的表面。所述M、N的具体取值根据所述硅锭的尺寸设定，在此，不做限定。

步骤S12：定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块。

所述第一类硅块是与坩埚四个顶角区域接触的硅锭部分，其有两个侧面与坩埚的侧面接触。所述第二类硅块时与坩埚侧壁区域接触的规定部分，其有一个侧面与坩埚的侧面接触。所述第三类硅块位于所述硅锭的中间区域，其侧面均不与所述坩埚的侧面接触。

按照本申请实施例所述技术方案对规定进行切割，可以获得较多与坩埚侧面不接触的硅块，所述硅块的杂质缺陷少。可以获取更多高质量的硅块。

步骤S13：对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测。

其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

所述少子寿命检测方法采用共面测试方式，只需对选定硅块的设定表面进行少子寿命检测，无需对每一个硅块的所有表面进行少子寿命检测，即可实现对切割后硅块少子寿命的检测，提高了工作效率。

参考图2，图2为本申请实施例提供的一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图，所述硅锭20的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值。此时，所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域，即将图2中所示硅锭20按照6×6阵列排布的方式切割为36块硅块21。图2中，字母A表示第一类硅块，字母B表示第二类硅块，字母C表示第三类硅块。对应字母后面的数字为硅块的编号。

如图2所示，按照上述分类方式，第一类硅块包括A1、A6、A31以及A36。第二类硅块包括：C8-C11，C14-C17，C20-C23以及C26-C29。第三类硅块包括：B2-B5，B32-B35，B7、B12、B13、B18、B19、B24、B25以及B30。图2所示实施方式中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测。其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。

需要说明的是，图2中虚线为对应硅块的被检测表面。

图2所示实施方式中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第二类硅块B7、B12，位于所述阵列第四行的第二类硅块B19、B24，以及位于所述阵列第四列的第二类硅块B4、B34的设定表面进行少子寿命检测。其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块B7、B12的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块B19、B24的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块B4、B34的被检测表面与所述阵列第三列相对。

图2所示实施方式中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第二行的第三类硅块C8-C11以及位于所述阵列第四行的第三类硅块C20-C23的设定表面进行少子寿命检测；其中，位于所述阵列第二行的第三类硅块C8-C11的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第三类硅块C20-C23的被检测表面与所述阵列第五行相对。

图2所示实施方式中，所示硅锭20除去切割线的宽度，切割的每个硅块的顶面为156mm×156mm，以便于制备156mm×156mm太阳能电池片。该实施方式中，通过所述切割方式以及被检测表面的设置方式，可以使得每一个硅块21均等效进行了少子寿命检测。如对于第三类硅块C14，虽然未对其进行少子寿命检测，但是其与第三类硅块C8具有相同的切割面，因此，对于第三类硅块C8所述被检测表面进行少子寿命检测，即相当于对第三类硅块C14的对应表面进行了少子寿命检测。可见，图2所示实施方式无需对所有的硅块均进行少子寿命检测，只需要对18个被检测表面进行少子寿命检测，就可以等效为对每个硅块的至少一个表面进行了少子寿命检测，利用共面思想，大大降低了被检测表面的个数，提高了少子寿命检测的工作效率。

参考图3，图3为本申请实施例提供的另一种硅锭切割以及被检测表面标记的结构示意图。所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为780mm-900mm，包括端点值。此时，所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为5×5个阵列排布的区域，即将图2中所示硅锭30按照5×5阵列排布的方式切割为25块硅块31。图3中，字母a表示第一类硅块，字母b表示第二类硅块，字母c表示第三类硅块。对应字母后面的数字为硅块的编号。

如图3所示，按照上述分类方式，第一类硅块包括a1、a5、a21以及a25；第二类硅块包括b2-b4，b6、b10、b11、b15、b16、b20以及b22-b24；第三类硅块包括c7-c9、c12-c14以及c17-c19。与图2所示实施方式相同，图3中虚线为对应硅块的被检测表面。

图3所示实施方式中，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测。其中，位于所述阵列第一行第一列的第一类硅块a1与位于所述阵列第五行第五列a25的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的列方向；位于所述阵列第一行第五列的第一类硅块a5与位于所述阵列第五行第一列的第一类硅块a21的被检测表面平行于所述阵列的行方向。

图3所示实施方式中，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第三行的第二类硅块b11、b15，位于所述阵列第三列的第二类硅块b3、b23的设定表面进行少子寿命检测。其中，位于所述阵列第三行第一列的第二类硅块b11的被检测表面与所述阵列第二行相对；位于所述阵列第三行第五列的第二类硅块b15的被检测表面与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第一行的第二类硅块b3的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三列第五行的第二类硅块b23的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

图3所示实施方式中，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：对位于所述阵列第三行的第三类硅块c12-c14以及位于所述阵列第三列的第三类硅块c8、c13、c18的设定表面进行少子寿命检测。按照上述设定，c13仅具有一个被测试表面。其中，位于所述阵列第三行第二列的第三类硅块c12与位于所述阵列第三行第三列的第三类硅块c13的被检测表面与所述阵列的第二行相对；位于所述阵列第三列第二行的第三类硅块c8的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三行第四列的第三类硅块c14与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第四行的第三类硅块c18的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

图3所示实施方式中，所示硅锭30除去切割线的宽度，切割的每个硅块的顶面为156mm×156mm，以便于制备156mm×156mm太阳能电池片。该实施方式中，通过所述切割方式以及被检测表面的设置方式，可以使得每一个硅块31均等效进行了少子寿命检测。如对于第三类硅块c7，虽然未对其进行少子寿命检测，但是其与第三类硅块c12具有相同的切割面，因此，对于第三类硅块c12所述被检测表面进行少子寿命检测，即相当于对第三类硅块c7的对应表面进行了少子寿命检测。可见，图3所示实施方式无需对所有的硅块均进行少子寿命检测，只需要对13个被检测表面进行少子寿命检测，就可以等效为对每个硅块的至少一个表面进行了少子寿命检测，利用共面思想，大大降低了被检测表面的个数，提高了少子寿命检测的工作效率。

在本实施例中，首选药保证被检测面个数最少，然后优先在第一类硅块表面设置被检测表面，其实是第二类硅块，最后是第三类硅块。因此，任一种实施方式均是在所述第一类硅块上设置一个被检测表面。

可以采用少子测试仪器进行所述少子寿命检测。

通过上述描述可知，采用本申请实施例方式所述的少子寿命检测方法进行检测时，对于按照设定阵列排布切割后的硅片的设定被检测表面进行少子寿命检测，采用共面思想，每一个硅块至多有一个被检测表面，且无需对所有硅块进行少子寿命检测，被检测表面个数少，检测效率高。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种硅块的少子寿命检测方法，其特征在于，包括：

将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域，在所述硅锭高度方向上，按照所划分的阵列将所述硅锭切割为M×N个硅块，M、N为正整数；

定义位于所述阵列四个顶角区域的硅块为第一类硅块，位于所述阵列四边区域的硅块为第二类硅块，其他硅块为第三类硅块；

对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测，对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，每一个第一类硅块均具有一个被检测的表面；任意相邻的两个第二类硅块中至多具有一个被检测表面；任意相邻两个第三类硅块中至多具有两个被检测表面；对同一个硅块，至多有一个被检测的表面；对任一硅块如其没有被检测的表面，则其至少有一个相邻硅块具有被检测的表面。

2.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为950mm-1150mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为6×6个阵列排布的区域。

3.根据权利要求2所述的检测方法，其特征在于，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测，其中，所有的第一类硅块的被检测表面均平行于所述阵列的列方向。

4.根据权利要求3所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第二类硅块、位于所述阵列第四行的第二类硅块以及位于所述阵列第四列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对；位于所述阵列第四列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第三列相对。

5.根据权利要求4所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第二行的第三类硅块以及位于所述阵列第四行的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第三行相对；位于所述阵列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列第五行相对。

6.根据权利要求1所述的检测方法，其特征在于，所述硅锭的顶面为矩形，所述矩形的边长取值范围为780mm-900mm，包括端点值；所述将硅锭的顶面划分为M×N个阵列排布的区域为将所述硅锭分为5×5个阵列排布的区域。

7.根据权利要求6所述的检测方法，其特征在于，所述对所述第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对所有的第一类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第一行第一列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第五列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的列方向；位于所述阵列第一行第五列的第一类硅块与位于所述阵列第五行第一列的第一类硅块的被检测表面平行于所述阵列的行方向。

8.根据权利要求7所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第二类硅块、位于所述阵列第三列的第二类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第一列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列第二行相对；位于所述阵列第三行第五列的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第一行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三列第五行的第二类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。

9.根据权利要求8所述的检测方法，其特征在于，所述对选定的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测为：

对位于所述阵列第三行的第三类硅块以及位于所述阵列第三列的第三类硅块的设定表面进行少子寿命检测；

其中，位于所述阵列第三行第二列的第三类硅块与位于所述阵列第三行第三列的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二行相对；位于所述阵列第三列第二行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第四列相对；位于所述阵列第三行第四列的第三类硅块与所述阵列的第四行相对；位于所述阵列第三列第四行的第三类硅块的被检测表面与所述阵列的第二列相对。