CN102466646A - 准单晶硅片的外观检测方法 - Google Patents
准单晶硅片的外观检测方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102466646A CN102466646A CN2011104015750A CN201110401575A CN102466646A CN 102466646 A CN102466646 A CN 102466646A CN 2011104015750 A CN2011104015750 A CN 2011104015750A CN 201110401575 A CN201110401575 A CN 201110401575A CN 102466646 A CN102466646 A CN 102466646A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- quasi
- monocrystalline silicon
- grid
- gage
- silicon sheet
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种准单晶硅片的外观检测方法，其包括以下步骤：首先，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)。之后，将阵列通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺。接着，将二维网格量尺与硅片四周边缘重合。随后，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面，找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计。最后，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。由此，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，能够提高检测的准确率。
Description
技术领域
本发明涉及一种检测方法，尤其涉及一种准单晶硅片的外观检测方法。
背景技术
目前市场中出现了用多晶铸锭的方法生产准单晶硅片硅的方法，该方法将单晶、多晶优势相结合，提高产品的竞争力，通过上述方法制作的准单晶硅片除了包含大面积单晶晶粒，通常不可避免地出现部分随机生长的多晶晶粒。但是，单、多晶晶粒面积占整个硅片面积的比例是准单晶硅片的一个重要技术参数，用来评价准单晶硅片质量。目前没有便宜、方便的定量方法和工具来量测该比例参数。
发明内容
本发明的目的就是为了解决现有技术中存在的上述问题，提供一种准单晶硅片的外观检测方法。
本发明的目的通过以下技术方案来实现：
准单晶硅片的外观检测方法，其包括以下步骤：步骤①，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)；步骤②，将n×n阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺；步骤③，将二维网格量尺贴于准单晶硅片表面；步骤④，调整二维网格量尺的网格线***四个边缘线，以与硅片四周边缘重合；步骤⑤，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面，找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量；步骤⑥，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。
上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的n＝3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的二维网格量尺的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理，令光绘图形区域保留下来，没有被光照射区域变为透明部分，构成二维网格量尺。
更进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的网格线线宽为10um至156um，透明基底厚度为5um至200um。
再进一步地，上述的准单晶硅片的外观检测方法，其中：所述的网格线线宽为50um，透明基底厚度为50um。
本发明技术方案的优点主要体现在：通过直观的统计计算，即可得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，依托于二维网格量尺的存在，能够提高检测的准确率，易于推广。
附图说明
本发明的目的、优点和特点，将通过下面优选实施例的非限制性说明进行图示和解释。这些实施例仅是应用本发明技术方案的典型范例，凡采取等同替换或者等效变换而形成的技术方案，均落在本发明要求保护的范围之内。这些附图当中，
图1是二维网格量尺放置在准单晶硅片上的施示意图。
1 准单晶硅片 2 二维网格量尺
具体实施方式
准单晶硅片的外观检测方法，其与众不同在于包括以下步骤：
首先，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片1面积的1/(n×n)。具体来说，以n＝10为例，每个网格代表准单晶硅片表面积的1/100，即如图1所示。
接着，为了后续检测便利，将n×n阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺2。具体来说，本发明所采用的二维网格量尺2的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制。之后，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理。在此期间，显影、定影液为市场常见药液体。经过光照射，光绘图形区域已改变结构的晶体会变为黑色物质保留下来，而没有被光照射区域的晶体未改变其结构，在定影过程中被定影液冲洗掉，变为透明部分，构成二维网格量尺2。
之后，将二维网格量尺2贴于准单晶硅片1表面。在此期间，调整二维网格量尺2的网格线***四个边缘线，让二维网格量尺2与准单晶硅片1四周边缘重合。这样，减少不必要的检测误差。
随后，透过二维网格量尺2的透明基底观察硅片表面，找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布。随即，统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量。
最后，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例。将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片1面积的比例。
就本发明一较佳的实施方式来看，考虑到后续统计的便利，n的具体数据可以取3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
进一步来看，考虑到网格划分的清晰度得到保证，网格线线宽为10um至156um，透明基底厚度为5um至200um。并且，就多次对比实验来看，为了满足现有流水线的快速检测需求，本发明采用的网格线线宽为50um，透明基底厚度为50um。并且，网格线的颜色以深色为佳，以异于准单晶硅片片表面原色，如：黑色、红色、蓝色等。
通过上述的文字表述可以看出，采用本发明后，实施起来简单便利，通过直观的统计计算，即可得出单晶晶粒、多晶晶粒占据准单晶硅片面积的比例，可以快速评价准单晶硅片质量。并且，依托于二维网格量尺的存在，能够提高检测的准确率，易于推广。
Claims (5)
1.准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于包括以下步骤：
步骤①，将准单晶硅片表面积划分成n×n阵列的网格，令每个网格面积占整个准单晶硅片面积的1/(n×n)；
步骤②，将n×n阵列，通过网格线制作于一个透明基底，形成二维网格量尺；
步骤③，将二维网格量尺贴于准单晶硅片表面；
步骤④，调整二维网格量尺的网格线***四个边缘线，以与硅片四周边缘重合；
步骤⑤，透过二维网格量尺的透明基底观察硅片表面，找出硅片上单晶晶粒、多晶晶粒的位置分布，并统计出单晶晶粒、多晶晶粒占据的网格数量；
步骤⑥，将单晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为单晶晶粒占整个硅片面积的比例，将多晶晶粒占据的网格数量乘1/(n×n)，即为多晶晶粒占整个准单晶硅片面积的比例。
2.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的n＝3、5、6、7、8、9、10、11、12、13。
3.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的二维网格量尺的制造方法为，在暗室中利用光绘机在菲林底片中央位置绘制，将经过光绘工序的菲林底片进行显影、定影处理，令光绘图形区域保留下来，没有被光照射区域变为透明部分，构成二维网格量尺。
4.根据权利要求1所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的网格线线宽为10um至156um，透明基底厚度为5um至200um。
5.根据权利要求4所述的准单晶硅片的外观检测方法，其特征在于：所述的网格线线宽为50um，透明基底厚度为50um。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011104015750A CN102466646A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 准单晶硅片的外观检测方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN2011104015750A CN102466646A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 准单晶硅片的外观检测方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102466646A true CN102466646A (zh) | 2012-05-23 |
Family
ID=46070549
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2011104015750A Pending CN102466646A (zh) | 2011-12-07 | 2011-12-07 | 准单晶硅片的外观检测方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102466646A (zh) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103075996A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-05-01 | 李中平 | 地球仪经纬度检测器 |
| CN105785251A (zh) * | 2014-12-23 | 2016-07-20 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种硅块的少子寿命检测方法 |
| CN107655442A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-02-02 | 广东出入境检验检疫局检验检疫技术中心 | 一种测定不规则食品接触材料及制品接触面积的装置及其制作方法和应用 |
| CN110889823A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-03-17 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种SiC缺陷的检测方法和*** |
-
2011
- 2011-12-07 CN CN2011104015750A patent/CN102466646A/zh active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103075996A (zh) * | 2013-02-25 | 2013-05-01 | 李中平 | 地球仪经纬度检测器 |
| CN105785251A (zh) * | 2014-12-23 | 2016-07-20 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种硅块的少子寿命检测方法 |
| CN105785251B (zh) * | 2014-12-23 | 2018-05-25 | 浙江昱辉阳光能源有限公司 | 一种硅块的少子寿命检测方法 |
| CN107655442A (zh) * | 2017-08-28 | 2018-02-02 | 广东出入境检验检疫局检验检疫技术中心 | 一种测定不规则食品接触材料及制品接触面积的装置及其制作方法和应用 |
| CN110889823A (zh) * | 2019-10-08 | 2020-03-17 | 山东天岳先进材料科技有限公司 | 一种SiC缺陷的检测方法和*** |
| CN110889823B (zh) * | 2019-10-08 | 2022-08-26 | 山东天岳先进科技股份有限公司 | 一种SiC缺陷的检测方法和*** |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102466646A (zh) | 准单晶硅片的外观检测方法 | |
| CN102049732B (zh) | 一种硅片边缘膜厚测量方法 | |
| KR101588706B1 (ko) | 자동조정 스크린 인쇄 프로세스 | |
| CN109840909B (zh) | 一种坩埚气泡计数装置及计数方法 | |
| CN203217624U (zh) | 一种新型棋盘格标定板 | |
| CN105488779A (zh) | 摄像机畸变修正标定板及标定方法 | |
| CN109360794B (zh) | 一种晶硅光伏太阳能电池电极二次印刷精度视觉检测方法及装置 | |
| CN100460815C (zh) | 微型数字式太阳敏感器 | |
| CN104064610A (zh) | 以微纳米结构硅为光敏层的正照式Si-PIN光电探测器及其制备方法 | |
| CN103545174A (zh) | 光刻对焦参数测试方法及*** | |
| CN106644081B (zh) | 一种多光谱影像标定方法 | |
| CN208970518U (zh) | 硅片选择性发射极对位结构 | |
| CN106097319A (zh) | 一种用于相机检校的黑白棋盘格角点提取方法 | |
| CN102005369A (zh) | 一种用于外延工艺的光刻对准方法 | |
| CN102288776B (zh) | 玉米植株生长速率测量方法 | |
| CN107195639A (zh) | 一种阵列基板母板的制备方法、阵列基板母板和检测方法 | |
| CN203941362U (zh) | 液晶面板 | |
| CN102799061B (zh) | 双重曝光制作工艺的光掩模组及其形成方法 | |
| CN103697907A (zh) | 一种用于相机参数标定的高精度标定板及其制作方法 | |
| CN111370341A (zh) | 晶体硅电池界面复合速率的测试方法 | |
| CN105895741A (zh) | 光伏电池的背面套印方法 | |
| CN110992353B (zh) | 基于智能感知的芯片涂层薄膜质量检测方法 | |
| US10062158B2 (en) | Wafer nanotopography metrology for lithography based on thickness maps | |
| CN102508412A (zh) | 线宽和线粗糙度的量测方法 | |
| CN104576429B (zh) | 一种薄膜层应力的测量方法和*** |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: ZHONGLI TENGHUI PHOTOVOLTAIC TECHNOLOGY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: JIANGSU TENGHUI ELECTRIC POWER TECHNOLOGY CO., LTD. Effective date: 20120418 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20120418 Address after: 215542 No. 1 Teng Hui Road, Sha Chang Industrial Park, Jiangsu, Changshou City Province Applicant after: Zhongli Talesun Solar Technology Co., Ltd. Address before: 215542 No. 1 Teng Hui Road, Sha Chang Industrial Park, Jiangsu, Changshou City Province Applicant before: Jiangsu Tenghui Electric Power Technology Co., Ltd. |
|
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C12 | Rejection of a patent application after its publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20120523 |