CN105742277A - 一种大容量立体集成sram存储器三维扩展方法 - Google Patents

一种大容量立体集成sram存储器三维扩展方法 Download PDF

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Abstract

本发明一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其包括如下步骤，步骤1，确定单位存储芯片的数量；步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在***电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到***电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器。

Description

一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法
技术领域
本发明涉及微电子技术领域，具体为一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法。
背景技术
近年来，随着电子***中存储器容量不断攀升，电路面积、成本以及访问时间，延迟都在不断增长。为此，大容量、小尺寸，低延迟的存储器研究逐渐受到重视。
不少学者及机构开始着手三维存储器的研究。三维存储器可有效减少存储器面积缩短互连线长，提升集成密度。但目前三维存储器也面临以下问题：
1.目前在三维存储器制备时，中国专利CN104269404提出在制备传统存储器基础上在栅极上贯穿多个竖直通孔，连接工艺制备中不同层的栅极从而控制存储介质。但这种方法会在进行栅极回蚀时对存储介质造成损伤，使三维存储器的存储能力大大缩减；
2.其次，Johnson等人在文章“512-MbPROMwithaThree-DimensionalArrayofDiode/anti-fusomemoryCells”中提出在三维存储器的制备中采用交叉点阵列增加多层位线与字线。但制备此装置所需的临界光刻步骤次数繁多，同时因为临界光刻技术成本昂贵，所以采用这种制备方法制备三维存储器成本高额；
3.此外在三维存储器制备中，采用形成新的存储装置，而不采用传统的半导体存储器件，开发新的制作工艺流程，完成三维存储器的制备。这种制备方法的制备流程复杂多样，且工艺可靠性无法保证。
目前三维存储器的设计都只能部分解决或缓解存储器大容量，小面积的矛盾，无法建立一个***的方法完成三维存储器的设计。尽管三维存储器设计方面依旧存在着诸多问题，但由于其可以很好解决目前存储器发展所面对的小面积、大容量的问题，吸引了国内外诸多研究者对其进行研究。
发明内容
针对现有技术中存在的问题，本发明提供一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，该方法成本低，可以实现SRAM三维存储器扩展，对单片存储器进行三维集成，实现存储器大容量、小面积立体集成。
本发明是通过以下技术方案来实现：
一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，包括如下步骤，
步骤1，根据大容量SRAM存储器的容量和选取的单位存储芯片的容量，得到需要的单位存储芯片的数量；
步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，所增加的TSV孔不影响单位存储器芯片内部单元结构，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；
步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；
步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在***电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到***电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器。
优选的，片选信号采用包括低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS；各单位存储器芯片中的高电平有效片选信号CS通过TSV孔互连短接；各单位存储器芯片中的低电平有效片选信号NCS分别连接到***电路上。
优选的，单位存储芯片进行依次堆叠时，将上层单位存储芯片的TSV凸点与下层单位存储芯片的TSV凸点对应位置进行键合，每层单位存储芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至最底层的单位存储芯片。
优选的，最底层的单位存储芯片采用减薄工艺露出TSV凸点，采用互连引线将TSV凸点与***电路信号端口进行互连。
优选的，TSV孔采用冗余孔的制备方式设置。
优选的，单位存储芯片上TSV孔的数量比单位存储芯片中信号线数目多K+1个，其中，K为单位存储芯片的数量，为正整数；所述信号线包括数据信号线、地址信号线、读写使能信号线、输出使能信号线和片选信号线。
与现有技术相比，本发明具有以下有益的技术效果：
本发明利用存储单元外部区域制备竖直互连通孔(TSV)扩展三维存储器，无需采用昂贵的工艺技术，制备成本低；无需对SRAM存储器内部核心存储单元进行额外工艺制作，避免三维存储器制备过程中所引发的存储单元损伤，无需增加SRAM中存储单元多层位线和字线；通过对传统SRAM存储器制备方法的充分利用，对SRAM存储器进行容量扩展，无需大规模更改工艺流程步骤；利用立体集成的存储器模块，提高单位面积存储器容量，合理连接存储器模块结构端口，实现简单可靠，能够减少等容量存储器模块所占用的面积，缩减访问存储器模块路径长度，解决平面存储器大容量、大面积的问题。
附图说明
图1为本发明实例中所述单位存储芯片上TSV孔与RDL连接示意图。
图2为本发明实例中所述单位存储芯片堆叠原理图。
图3为本发明实例中所述两层单位存储芯片立体集成示意图。
图4为本发明实例中所述立体集成SRAM存储器的俯视图。
图5为本发明实例中所述立体集成SRAM存储器的侧视图。
图6为本发明实例中所述立体集成SRAM存储器中片选信号互连示意图。
图7为本发明实例中所述堆叠的8M的SRAM存储器结构示意图。
图中：1为RDL，2为TSV孔，3为信号端口，4为单位存储芯片，5为***电路，6为立体集成存储器层，7为***电路信号端口，8为立体集成存储器芯片层间介质，9为低电平有效片选信号NCS端口，10为***电路片选信号端口。
具体实施方式
下面结合具体的实施例对本发明做进一步的详细说明，所述是对本发明的解释而不是限定。
本发明提出的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法包括以下两个内容：三维存储器立体集成扩展方法和立体集成存储器互连结构方法。
第一，三维存储器立体集成扩展方法。
采用立体集成技术对SRAM芯片进行三维扩展。
首先，如图1所示，在单位存储芯片4***四周增加TSV孔区域，所增加TSV孔2不影响单位存储芯片4内部单元结构，并且每层单位存储芯片4的TSV孔2的位置坐标均保持一致，根据立体集成的K层单位存储芯片，各个单位存储芯片中TSV孔的数目比单位存储芯片4中信号线数目多K+1个。之后采用RDL(再分布互连线)将存储芯片除片选信号NCS之外的其余信号端口与TSV孔进行互连。其余信号包括地址信号，数据信号，读、写信号NEW和片选信号CS。其中，单位存储芯片4也就是容量立体集成SRAM存储器的SRAM芯片。
其次，图2给出了存储器堆叠原理图，其中数据信号，地址信号，读写使能信号NEW，输出使能信号NOE均短接，在片选信号方面采用双片选信号，低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS进行控制，在立体集成时需将低电平有效片选信号NCS单独引出。根据图2所示原理图，将最底层单位存储芯片与第二层单位存储芯片进行立体集成，立体集成过程中，将上层单位存储芯片的TSV凸点与下层单位存储芯片TSV凸点对应位置进行键合，如图3所示，但每层存储器芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至底层承接芯片。最底层单位存储芯片采用减薄工艺露出TSV凸点，采用互连引线将TSV凸点与外部电路信号端口进行互连，如图4所示。并采用同样方法依次堆叠各存储芯片，形成多层立体集成存储器结构，如图5所示。
第二，立体集成存储器互连结构方法。
如图6所示，采用RDL将片选信号与***的TSV孔互连，各层片选信号由TSV直接穿层至最下层由RDL引出，其余各信号端口采用TSV进行互连；为保证制备方法的可靠性，TSV孔采用冗余孔的制备方式，增加互连结构可靠性。
本发明所述的方法利用对单位存储芯片的依次堆叠和立体集成，解决存储器面临的大容量，大面积矛盾问题；利用传统SRAM存储器进行扩展，不需要对存储单元进行制备，保证了三维存储器存储功能完整；并且无需增加存储单元内部字线以及位线，只需要在存储器芯片外部制备TSV孔，降低了制作成本；其立体集成多个芯片，各集成芯片独立制作，并非直接完成三维存储器一体化存储集成，一定程度解决立体集成过程中面临的工艺可靠性问题；能够减少等容量存储器模块所占用的面积，缩减访问存储器模块路径长度。具体的如以下两个实例所述。
实施例1，四叠层立体集成4M的SRAM存储器。
第一，三维存储器的立体集成扩展方法。
首先，如图1所示，取1M×8SRAM存储芯片作为单元存储芯片，在其***四周增加TSV孔区域，所增加TSV孔不影响存储器芯片内部单元结构，并且每层存储器TSV位置坐标均保持一致。由于1MSRAM有17根地址信号线，8根数据信号线，1根读信号线，1根写信号线，以及2根片选信号线，其中每层片信号直接穿层至最下层的单元存储芯片，所以每层单元存储芯片的TSV孔个数为29+4+1＝34个。之后采用RDL(再分布互连线)将存储芯片除片选信号NCS之外的其余信号(包括地址信号A0-A16，数据信号D0-D7，读、写信号NWE、输出使能信号NOE)端口与TSV孔进行互连。
其次，图2给出了存储其堆叠原理图，其中取n＝4，地址线取A0-A16，数据信号为D0-D7，其中数据信号D0-D7，地址信号A0-A16，读写使能信号NEW，输出使能信号NOE均短接，在片选信号方面采用双片选信号，对低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS进行控制，在立体集成时需将NCS片选信号单独引出。根据图2所示原理图，之后如图3所示，将底层SRAM存储芯片与第二层SRAM存储芯片进行立体集成，立体集成过程中，将上层SRAM存储芯片TSV凸点与下层SRAM存储芯片TSV凸点对应位置进行键合，但每层SRAM存储芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至底层***电路。底层SRAM存储芯片采用减薄工艺露出TSV凸点，采用互连引线将TSV凸点与外部电路信号端口进行互连，如图4所示。并采用同样方法依次堆叠各SRAM存储芯片，形成如图5所示多层立体集成存储器结构，其中只包括一个由单位存储芯片4堆叠而成的立体集成存储器层6，相邻单位存储芯片4之间设置有立体集成存储器芯片层间介质8。
第二，立体集成存储器互连结构方法。
图6给出了4层单位存储芯片堆叠时片选信号互连示意图。如图6所示，采用RDL将片选信号NOE与***TSV孔互连，各层片选信号由TSV直接穿层至最下层由RDL引出，其余各信号端口采用TSV进行互连；为保证制备方法的可靠性，TSV孔采用冗余孔的制备方式，增加互连的可靠性。
实施例2：堆叠立体集成8M的SRAM存储器。
第一，三维存储器的立体集成扩展方法。
首先，如图1所示，取1M×8SRAM存储芯片作为单元存储芯片，在其***四周增加TSV孔区域，所增加TSV不影响存储器芯片内部单元结构，并且每层存储器TSV位置坐标均保持一致。由于1MSRAM有17根地址信号线，8根数据信号线，1根读信号线，1根写信号线，以及2根片选信号线，其中每层片信号直接穿层至最下层的单元存储芯片，所以每层单元存储芯片的TSV孔个数为29+8+1＝38个。之后采用RDL(再分布互连线)将存储芯片除片选信号NCS之外的其余信号(包括地址信号A0-A16，数据信号D0-D7，读、写信号NWE、输出使能信号NOE)端口与TSV孔进行互连。
其次，图2给出了存储其堆叠原理图，其中取n＝8，地址线取A0-A16，数据信号为D0-D7，其中数据信号D0-D7，地址信号A0-A16，读写使能信号NEW，输出使能信号NOE均短接，在片选信号方面采用双片选信号，对低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS进行控制，在立体集成时需将NCS片选信号单独引出。根据图2所示原理图，之后如图3所示，将底层SRAM芯片与第二层SRAM芯片进行立体集成，立体集成过程中，将上层芯片TSV凸点与下层芯片TSV凸点对应位置进行键合，但每层存储器芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至底层承接芯片。底层存储器芯片采用减薄工艺露出TSV凸点，采用互连引线将TSV凸点与外部电路信号端口进行互连，如图4所示。并采用同样方法依次堆叠各存储芯片，形成如图7所示多层立体集成存储器结构，其中包括两个对称的由单位存储芯片4堆叠而成的立体集成存储器层6，相邻单位存储芯片4之间设置有立体集成存储器芯片层间介质8。
第二，立体集成存储器互连结构方法。
图6给出了4层单位存储芯片堆叠时片选信号互连示意图。如图6所示，采用RDL将片选信号NOE与***TSV孔互连，各层片选信号由TSV直接穿层至最下层由RDL引出，其余各信号端口采用TSV进行互连；为保证制备方法的可靠性，TSV孔采用冗余孔的制备方式，增加互连的可靠性。

Claims (6)

1.一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，包括如下步骤，
步骤1，根据大容量SRAM存储器的容量和选取的单位存储芯片的容量，得到需要的单位存储芯片的数量；
步骤2，在单位存储芯片四周增加TSV孔区域，所增加的TSV孔不影响单位存储器芯片内部单元结构，并且每个单位存储芯片TSV位置坐标均保持一致；
步骤3，采用再分布互连线将单位存储器芯片的地址信号，数据信号，读写信号NEW和片选信号CS的端口与该单位存储器芯片上的TSV孔进行互连；
步骤4，将所有的单位存储芯片依次堆叠在***电路上，并将各单位存储器芯片中的数据信号、地址信号、读写使能信号NEW和输出使能信号NOE通过TSV孔互连短接，将各单位存储器芯片的片选信号分别连接到***电路上；得到三维扩展的大容量立体集成SRAM存储器。
2.根据权利要求1所述的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，片选信号采用包括低电平有效片选信号NCS和高电平有效片选信号CS；各单位存储器芯片中的高电平有效片选信号CS通过TSV孔互连短接；各单位存储器芯片中的低电平有效片选信号NCS分别连接到***电路上。
3.根据权利要求1所述的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，单位存储芯片进行依次堆叠时，将上层单位存储芯片的TSV凸点与下层单位存储芯片的TSV凸点对应位置进行键合，每层单位存储芯片片选信号均以TSV孔穿层连接至最底层的单位存储芯片。
4.根据权利要求1所述的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，最底层的单位存储芯片采用减薄工艺露出TSV凸点，采用互连引线将TSV凸点与***电路信号端口进行互连。
5.根据权利要求1所述的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，TSV孔采用冗余孔的制备方式设置。
6.根据权利要求1所述的一种大容量立体集成SRAM存储器三维扩展方法，其特征在于，单位存储芯片上TSV孔的数量比单位存储芯片中信号线数目多K+1个，其中，K为单位存储芯片的数量，为正整数；所述信号线包括数据信号线、地址信号线、读写使能信号线、输出使能信号线和片选信号线。
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