CN105681631B - 摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种内置弯曲的摄像元件的摄像元件内置基板。本发明涉及一种摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置。摄像元件内置基板包含核心层、第1配线层、空腔部、第2配线层、树脂部、以及摄像元件。所述核心层具有由金属形成的核心材料。所述第1配线层积层在所述核心层。所述空腔部贯通所述核心材料及所述第1配线层。所述第2配线层具有设置在与所述空腔部相向位置处的接地部,且积层在相对于所述核心层与所述第1配线层相反一侧。所述树脂部具有:底面,配置在所述空腔部内,且支撑在所述第2配线层;侧面,由所述核心材料所支撑;以及弯曲面,设置在与所述底面相反一侧。

Description

摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置
技术领域
本发明涉及一种摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置。
背景技术
近年来,伴随着智能手机等移动终端机的薄型化,对搭载在移动终端装置的摄像装置也要求薄型化。专利文献1~3中公开了能够实现摄像装置的薄型化的技术。在这些技术中,实现了搭载在摄像装置的摄像元件或透镜单元的薄型化。
更具体地说,在这些技术中,使用薄型摄像元件,并且根据透镜单元的像差使摄像元件弯曲。通过使摄像元件弯曲,例如无需在透镜单元设置像差修正用透镜,所以实现了透镜单元的薄型化。
[背景技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本专利04604307号公报
[专利文献2]日本专利特开2004-063776号公报
[专利文献3]日本专利特开2001-284564号公报
发明内容
[发明要解决的问题]
所述专利文献的摄像元件为薄型元件,但通过使摄像元件弯曲,而会导致摄像装置厚度方向上的摄像元件的尺寸增大。即,在使摄像元件弯曲的技术中,虽然能够实现透镜单元的薄型化,但摄像元件本身会使摄像装置的厚度增大。
鉴于如上所述的情况,本发明的目的在于提供一种内置弯曲的摄像元件的摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置。
[解决问题的技术手段]
为了达成所述目的,本发明的一形态的摄像元件内置基板具备核心层、第1配线层、空腔部、第2配线层、树脂部、以及摄像元件。
所述核心层具有由金属形成的核心材料。
所述第1配线层积层在所述核心层。
所述空腔部贯通所述核心材料及所述第1配线层。
所述第2配线层具有设置在与所述空腔部相向位置处的接地部,且积层在相对于所述核心层与所述第1配线层相反一侧。
所述树脂部具有:底面,配置在所述空腔部内,且被支撑在所述第2配线层;侧面,由所述核心材料所支撑;以及弯曲面,设置在与所述底面相反一侧。
所述摄像元件在所述空腔部内沿着所述弯曲面被粘接。
在该构成的摄像元件内置基板中,摄像元件被收容在空腔部内,因此厚度不会因摄像元件的弯曲形状而变化。因此,在该摄像元件内置基板中,能够不伴有其厚度的增大,而根据摄像元件的弯曲形状实现搭载在摄像装置的透镜单元的薄型化。而且,在该摄像元件内置基板中,获得比由金属形成的核心材料高的刚性,并且保持摄像元件的树脂部的侧面被核心材料所保持,所以在厚度方向上施加力时也不易发生变形。进而,在该摄像元件内置基板中,来自第2配线层外侧的噪音被设置在与摄像元件相向位置处的接地部所阻断,所以能够利用摄像元件形成良好的图像。
所述弯曲面也可朝向所述第2配线层凹陷。
根据该构成,能提供与具有特定像差的透镜单元对应的摄像元件内置基板。
所述摄像元件也可比所述弯曲面更朝外侧延伸。
根据该构成,将摄像元件粘接到树脂部的弯曲面时,能防止多余的粘接剂附着在摄像元件的表面。
所述弯曲面也可比所述摄像元件更朝外侧延伸。
根据该构成,摄像元件下表面的整个区域被保持在树脂部的弯曲面,所以能更良好地确保摄像元件的准确位置及形状。而且,在该构成的摄像元件中,外周部被保持在树脂部的弯曲面,所以不易因引线接合时对该外周部所施加的冲击而发生变形。
所述空腔部也可被所述第2配线部堵塞。
根据该构成,能防止异物从第2配线层侧混入到空腔部内,并且能确保第2配线层中能设置配线等的区域较大。
所述接地部也可电连接在所述核心材料。
在该构成中,核心材料作为接地部的一部分发挥功能,所以摄像元件更加不易受到来自外部的噪音的影响。
在本发明的一形态的摄像元件内置基板的制造方法中,将用来在树脂形成弯曲面的模具部件配置在贯通由金属形成的核心材料的空腔部内。
向所述空腔部内填充所述树脂。
在配置所述模具部件并填充所述树脂之后,使所述树脂硬化。
在使所述树脂硬化之后,通过去除所述模具部件而露出所述树脂的所述弯曲面。
在露出所述弯曲面之后,沿着所述弯曲面粘接摄像元件。
在该构成中,能通过使用模具部件而容易地形成具有弯曲面的树脂部。
本发明的一形态的摄像装置具备透镜单元、核心层、第1配线层、空腔部、第2配线层、树脂部、以及摄像元件。
所述透镜单元构成为能够使外部光透过。
所述核心层与所述透镜单元相向地配置,且具有由金属形成的核心材料。
所述第1配线层积层在所述核心层的所述透镜单元侧。
所述空腔部贯通所述核心材料及所述第1配线层。
所述第2配线层具有设置在与所述空腔部相向位置处的接地部,且积层在相对于所述核心层与所述第1配线层相反一侧。
所述树脂部具有:底面,配置在所述空腔部内,且被支撑在所述第2配线层;侧面,由所述核心材料所支撑;以及弯曲面,设置在与所述底面相反侧,具有与所述透镜单元的像差相应的形状。
所述摄像元件在所述空腔部内沿着所述弯曲面被粘接,受到透过所述透镜单元的外部光的入射。
[发明的效果]
本发明能提供一种内置弯曲的摄像元件的摄像元件内置基板及其制造方法、以及摄像装置。
附图说明
图1是本发明的一实施方式的摄像装置的立体图。
图2是所述摄像装置的沿着图1的A-A'线的剖视图。
图3是所述摄像装置的摄像元件内置基板的俯视图。
图4是所述摄像元件内置基板的沿着图3的B-B'线的剖视图。
图5是图4的由单点链线所包围的区域的放大图。
图6是与所述实施方式相关的摄像元件内置基板的剖视图。
图7A是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7B是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7C是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7D是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7E是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7F是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7G是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图7H是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板的剖视图。
图8是表示所述摄像元件内置基板的制造方法1的流程图。
图9(a)~(f)是表示所述摄像元件内置基板的制造方法1的制造过程的剖视图。
图10(g)~(l)是表示所述摄像元件内置基板的制造方法1的制造过程的剖视图。
图11是表示所述摄像元件内置基板的制造方法2的流程图。
图12(a)~(d)是表示所述摄像元件内置基板的制造方法2的制造过程的剖视图。
图13(e)~(h)是表示所述摄像元件内置基板的制造方法2的制造过程的剖视图。
图14是表示利用所述制造方法2所制造的摄像元件内置基板的变化例的剖视图。
具体实施方式
以下,一边参照附图,一边对本发明的实施方式进行说明。
[摄像装置1]
图1是本发明的一实施方式的摄像装置1的立体图。图2是摄像装置1的沿着图1所示的A-A'线的剖视图。摄像装置1能够用于多种多样的用途,尤其适于作为智能手机等移动终端机之类的要求薄型化的电子机器的用途。
摄像装置1具备镜筒部100、以及摄像元件内置基板10。摄像元件内置基板10设置在镜筒部100的底部,且具有朝向镜筒部100内配置的摄像元件11。
在摄像元件内置基板10中,使用薄型且具有可挠性的平板状摄像元件11。摄像元件11的厚度优选100μm以下,进而优选50μm以下。使摄像元件11弯曲,摄像元件11的检测面即上表面成为凹状。摄像元件11例如构成为CMOS(complementary metal oxidesemiconductor,互补金属氧化物半导体)影像传感器或CCD(charge-coupled device,电荷耦合元件)影像传感器。
镜筒部100具有包含五片透镜101a~101e的透镜单元101、以及保持透镜单元101的透镜架102。透镜单元101是与摄像元件11的上方相向地配置,且以透镜101a~101e的光轴通过摄像元件11的中央部的方式构成。
而且,镜筒部100具有配置在透镜单元101与摄像元件11之间的红外线截止滤光器103、自动调焦用致动器104、以及作为壳体设置的包装部105。
在透镜架102上,在最上部的透镜101a的位置设置着用来接受外部光的受光窗102a。入射到受光窗102a的外部光依次透过透镜101a~101e及红外线截止滤光器103而入射到摄像元件11的凹状检测面。摄像装置1能够通过利用摄像元件11检测外部光而形成图像。
透镜单元101的构成、及摄像元件11的弯曲形状是以能够利用摄像元件11形成良好的图像的方式来决定。即,摄像元件的弯曲形状是与透镜单元101的构成对应地适当决定。此外,透镜单元101并不限定于特定构成,透镜的形状或片数能够适当决定。
例如,摄像元件11能设为像抵消透镜单元101的像差的弯曲形状。由此,透镜单元101能减少像差修正用透镜等,因而薄型化。而且,在这种透镜单元101中,无需考虑其像差,所以能够容易地进行设计,并且能够实现更简单的构成。
本实施方式的摄像元件内置基板10具有将弯曲的摄像元件11整体收容在内部的构成。因此,在摄像元件内置基板10中,厚度不会因摄像元件11的弯曲形状而增大,薄型形状得以保持。以下,对摄像元件内置基板10的详细构成进行说明。
[摄像元件内置基板10的构成]
(整体构成)
图3是本实施方式的摄像元件内置基板10的俯视图。图4是摄像元件内置基板10的沿着图3所示的B-B'线的剖视图。摄像元件内置基板10具备核心层12、第1配线层13、以及第2配线层14。第1配线层13及第2配线层14包含导体部(各图中的斜线区域)及绝缘体部(各图中的点区域)。
核心层12具有由铜等金属形成的核心材料19。核心材料19构成为核心层12的基材,且为连续的一块平板。在摄像元件内置基板10中,通过金属制核心材料19的作用获得高刚性。第1配线层13积层在核心层12的上表面,第2配线层14积层在核心层12的下表面。
在摄像元件内置基板10的中央区域,设置着贯通核心层12及第1配线层13的空腔部20。即,空腔部20具有以第2配线层14的上表面为底面的凹形状。空腔部20形成用来收容摄像元件11的空间。
空腔部20并不限定于特定形状,只要能够收容摄像元件11,便能够设为任意形状。但是,为了摄像元件内置基板10的小型化,优选沿着摄像元件11的轮廓形成空腔部20,使空腔部20与摄像元件11之间的间隙狭窄。在图3及图4所示的例中,空腔部20是沿着摄像元件11的矩形轮廓形成为大致矩形。
空腔部20内的摄像元件11是通过使用由金等形成的金属丝17的引线接合而连接在位于第1配线层13的上表面的上表面电极23。而且,第1配线层13与第2配线层14由贯通电极22连接。贯通电极22插通形成在核心层12的通孔部18内,且利用绝缘树脂部24而与核心材料19绝缘。
第2配线层14从下侧无间隙地封闭空腔部20。在本实施方式中,能不在第2配线层14设置开口部等,而在空腔部20内设置弯曲的摄像元件11,详细情况见下文。由此,能防止异物从第2配线层14的下方混入到空腔部20内,并且能确保第2配线层14中能设置配线等的区域较大。
第2配线层14在与空腔部20之间具有隔着绝缘层形成的接地部15。接地部15是沿着空腔部20的底面由金属形成,且能够将来自第2配线层14下方的噪音与空腔部20阻断。接地部15并不限定于特定构成,例如能构成为配线状、平板状、网状。
而且,核心材料19电连接在接地部15,构成为摄像元件内置基板10中的接地部的一部分。由此,将来自外部的噪音更加良好地与空腔部20阻断。如此,在摄像元件内置基板10中,来自外部的噪音不易对空腔部20内的摄像元件11造成影响,所以能够利用摄像元件11良好地形成图像。
此外,并非必须为核心材料19连接于接地部15的构成。例如,核心材料19也可构成为摄像元件内置基板10的配线的一部分,也可不具有摄像元件内置基板10中的电功能。
(空腔部20的内部构成)
摄像元件内置基板10具备在空腔部20内保持摄像元件11的树脂部16。树脂部16具有支撑在第2配线层14的上表面的底面16a、由核心材料19所支撑的侧面16b、以及设置在与第2配线层14相反一侧的弯曲面16c。
树脂部16的底面16a与第2配线层14上表面的位于空腔部20内的整个区域密接。而且,树脂部16的侧面16b遍及其全周地与核心材料19密接。根据这种构成,树脂部16中,底面16a被第2配线层14的上表面所约束,且侧面16b被核心材料19所约束,所以树脂部16的形状不易受损。
而且,树脂部16的侧面16b被保持在核心材料19,由此摄像元件内置基板10的刚性提高。即,在不存在核心层12及第1配线层13的空腔部20中,第2配线层14因在摄像元件内置基板10的厚度方向施加的力而容易变形,但在核心层12中,与核心材料19成为一体的树脂部16以抑制第2配线层14的变形的方式发挥作用。
如此,在摄像元件内置基板10中,不易因在厚度方向施加的力而发生变形,所以能防止损伤的产生,并且确保摄像元件11的准确位置及形状。
利用粘接剂21将摄像元件11粘接到树脂部16的弯曲面16c。使摄像元件11与树脂部16之间的粘接剂21的厚度均匀。由此,摄像元件11沿着弯曲面16c呈凹状地弯曲。即,树脂部16的弯曲面16c保持摄像元件11,并且界定摄像元件11的形状。
如上所述,摄像元件11的弯曲形状是与透镜单元101的构成对应地决定为规定形状,所以树脂部16的弯曲面16c是以将摄像元件11界定为该规定形状的方式构成。典型的是,与摄像元件11的弯曲形状同样地形成树脂部16的弯曲面16c。
粘接到树脂部16的弯曲面16c的摄像元件11收在空腔部20内的核心层12。如此,在摄像元件内置基板10中,通过设置能够收容摄像元件11的空腔部20,即便使摄像元件11弯曲,厚度也不会增大。
在普通基板中,如果设置能够收容摄像元件11的空腔部,那么刚性便会减弱,容易产生变形或损伤。就这点来说,在本实施方式的摄像元件内置基板10中,即便设置空腔部20,也因核心层12的核心材料19而获得充分的刚性,所以不易产生变形或损伤。
图5是图4的由单点链线包围的区域的放大图。树脂部16的弯曲面16c形成得比摄像元件11的下表面稍小,摄像元件11的周缘部比树脂部16的弯曲面16c更朝外侧延伸。即,在摄像元件11的下表面具有从弯曲面16c延伸出的外缘部11a。
由此,在将摄像元件11粘接到树脂部16的弯曲面16c时,多余的粘接剂21被排出到外缘部11a的外侧。因此,能防止如下情况:在摄像元件内置基板10中,多余的粘接剂21附着在摄像元件11的检测面,阻碍摄像元件11对外部光的检测。
(比较例)
图6是与所述实施方式相关的摄像元件内置基板110的剖视图。关于摄像元件内置基板110,对与所述实施方式的摄像元件内置基板10相同的构成标注相同符号,并适当省略其说明。
摄像元件内置基板110具有普通的平板状摄像元件111。摄像元件111利用粘接剂121粘接在空腔部20的底面。在空腔部20内,设置着将摄像元件111与核心材料19隔开的树脂部116。树脂部116与摄像元件111隔开,在摄像元件111与树脂部116之间形成有间隙122。
在摄像元件内置基板110中,与所述实施方式的摄像元件内置基板10不同,摄像元件111并非弯曲形状。因此,在摄像元件内置基板110中,未获得所述实施方式的透镜单元薄型化的效果。
而且,在摄像元件内置基板110中,与所述实施方式的摄像元件内置基板10不同,在摄像元件111与树脂部116之间形成有间隙122。因此,摄像元件内置基板110中,在与间隙122对应的部分,第2配线层14容易变形。即,摄像元件内置基板110的刚性比所述实施方式的摄像元件内置基板10弱。
[变化例]
图7A~图7H是所述实施方式的变化例的摄像元件内置基板10的剖视图。以下,一边适当参照附图,一边对摄像元件内置基板10的变化例进行说明。
(核心层12的厚度)
在摄像元件内置基板10中,只要摄像元件11收在空腔部20内,则无论核心层12的厚度如何均能获得与所述实施方式相同的效果。
例如,也可如图7A所示,核心层12形成得比摄像元件11的尺寸厚。而且,还可如图7B所示,较薄地形成核心层12,摄像元件11的外周部进入到第1配线层13内。
(弯曲面16c的大小)
摄像元件内置基板10只要以如下方式构成即可,也就是,树脂部16的弯曲面16c能够保持摄像元件11,并且界定摄像元件11的形状。
例如,也可如图7C所示,树脂部16的弯曲面16c形成为与摄像元件11的下表面同等大小。而且,还可如图7D所示,树脂部16的弯曲面16c形成得比摄像元件11的下表面大,例如,可延伸到核心层12的上表面。
在这些构成中,与所述实施方式相比,不易获得参照图5所说明的防止多余粘接剂21附着在摄像元件11的检测面的效果。但是,通过使粘接剂21的量最佳化而减少多余的粘接剂21等,由此能够抑制多余的粘接剂21造成的不良影响。
另一方面,在这些构成中,摄像元件11下表面的整个区域被树脂部16的弯曲面16c所约束,所以比所述实施方式更加良好地获得确保摄像元件11的准确位置及形状的效果。而且,摄像元件11的外周部被保持在树脂部16的弯曲面16c,所以即便在引线接合时对摄像元件11外周部施加冲击,也不易产生摄像元件11的变形。
(摄像元件11的位置)
在摄像元件内置基板10中,只要摄像元件11收在空腔部20内,则无论摄像元件11的位置如何均能获得与所述实施方式相同的效果。
例如,也可如图7E所示,将摄像元件11配置在空腔部20的较深位置,摄像元件11下表面的中央部与第2配线层14的上表面(空腔部20的底面)相接。而且,还可如图7F所示,摄像元件11的中央部进入到第2配线层14内。
在这些构成中,摄像元件11的中央部未被保持在树脂部16的弯曲面16c,所以用来保持摄像元件11的弯曲形状的力比所述实施方式弱。但是,通过使用可挠性高的摄像元件11,即便为这些构成,也能充分地保持摄像元件11的弯曲形状。
另一方面,在这些构成中,能将摄像元件11收容在空腔部20内较低的位置,所以能够使核心层12更薄。由此,能实现摄像元件内置基板10的进一步薄型化。
(树脂部16的除弯曲面16c以外的构成)
在摄像元件内置基板10的树脂部16中,弯曲面16c只要能够保持摄像元件11并且界定摄像元件11的形状即可,关于弯曲面16c以外的构成,能够根据所述实施方式适当变更。
例如,也可如图7G所示,在树脂部16,在比弯曲面16c更靠外侧设置阶差部25。但是,阶差部25必须构成为不与摄像元件11接触,以免阻碍摄像元件11与树脂部16的弯曲面16c的密接。
(树脂部16的弯曲面16c及摄像元件11的弯曲形状)
如上所述,在摄像元件内置基板10中,与透镜单元101的构成对应地决定树脂部16的弯曲面16c及摄像元件11的弯曲形状。因此,树脂部16的弯曲面16c及摄像元件11的弯曲形状根据透镜单元101构成的不同而发生各种变化。
例如,如图7H所示,摄像元件内置基板10中的树脂部16的弯曲面16c及摄像元件11的弯曲形状有时也会视透镜单元101的构成而成为凸形状。
[摄像元件内置基板10的制造方法]
(制造方法1)
图8是表示摄像元件内置基板10的制造方法1的流程图。图9及图10是表示摄像元件内置基板10的制造方法1的制造过程的剖视图。以下,一边参照图9及图10,一边按照图8对摄像元件内置基板10的制造方法1进行说明。
·步骤S1-01
如图9(a)所示,准备形成有与空腔部20对应的贯通口S1的包含核心材料19的核心层12。
·步骤S1-02
如图9(b)所示,在核心层12的下表面贴附临时固定膜F。
·步骤S1-03
如图9(c)所示,将用来形成树脂部16的弯曲面16c的模具部件M,使凸状的弯曲面朝向上侧地***到贯通口S1内,并贴附到临时固定膜F。
·步骤S1-04
如图9(d)所示,将树脂部16填充到贯通口S1内并使其硬化。此外,步骤S1-03的模具部件M的配置也可在将树脂16在贯通口S1填充树脂部16之后、使树脂部16硬化之前进行。
·步骤S1-05
如图9(e)所示,使临时固定膜F从核心层12剥离。
·步骤S1-06
如图9(f)所示,使核心层12上下翻转,并在核心层12的上表面形成第1配线层13,在核心层12的下表面形成第2配线层14。
·步骤S1-07
如图10(g)所示,在第1配线层13的上表面及第2配线层14的下表面分别贴附保护抗蚀层P。
·步骤S1-08
如图10(h)所示,在第1配线层13及核心层12形成空腔部20。
·步骤S1-09
如图10(i)所示,通过蚀刻将模具部件M从空腔部20去除,使树脂部16的弯曲面16c露出。
·步骤S1-10
如图10(j)所示,使保护抗蚀层P从第1配线层13及第2配线层14剥离。
·步骤S1-11
如图10(k)所示,利用粘接剂21将摄像元件11粘接到树脂部16的弯曲面16c。
·步骤S1-12
如图10(l)所示,通过引线接合将摄像元件11与第1配线层13连接,完成摄像元件内置基板10。
在以上所说明的制造方法1中,通过使用模具部件M,能简单且准确地形成树脂部16的弯曲面16c。模具部件M只要具有用来形成树脂部16的弯曲面16c的弯曲面即可,并不限于图示的形状。模具部件M例如也可具有设置在弯曲面外侧的平坦面。
(制造方法2)
图11是表示摄像元件内置基板10的制造方法2的流程图。图12及图13是表示摄像元件内置基板10的制造方法2的制造过程的剖视图。以下,一边参照图12及图13,一边按照图11对摄像元件内置基板10的制造方法2进行说明。
·步骤S2-01
如图12(a)所示,准备形成有与空腔部20的外周部对应的贯通口S2的包含核心材料19的核心层12。
·步骤S2-02
如图12(b)所示,将树脂16x填充到贯通口S2并使其硬化。
·步骤S2-03、S2-04
如图12(c)所示,在核心层12的上表面形成第1配线层13,在核心层12的下表面形成第2配线层14。而且,在第1配线层13的上表面及第2配线层14的下表面分别贴附保护抗蚀层P。
·步骤S2-05
如图12(d)所示,在第1配线层13及核心层12形成空腔部20。
·步骤S2-06
如图13(e)所示,使保护抗蚀层P从第1配线层13及第2配线层14剥离。
·步骤S2-07
如图13(f)所示,将具有弯曲面16c的树脂部件16y***到空腔部20内,并利用粘接剂16z粘接到第2配线层14及树脂16x。由此,形成包含树脂16x、树脂部件16y、及粘接剂16z的树脂部16。
·步骤S2-08
如图13(g)所示,利用粘接剂21将摄像元件11粘接到树脂部件16y的弯曲面16c。
·步骤S2-09
如图13(h)所示,通过引线接合将摄像元件11与第1配线层13连接,完成摄像元件内置基板10。
在以上所说明的制造方法2中,通过预先准备具有弯曲面16c的树脂部件16y,能利用简单的工艺来制造摄像元件内置基板10。
制造方法2所使用的树脂部件16y的形状能够适当决定。例如,也可像图14所示的摄像元件内置基板10那样在树脂部件16y的弯曲面16c的外侧形成有平坦面。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但毋庸置疑的是本发明并不仅限定于所述实施方式,能在不脱离本发明的主旨的范围内施加各种变更。
[符号的说明]
1 摄像装置
10 摄像元件内置基板
11 摄像元件
12 核心层
13 第1配线层
14 第2配线层
15 接地部
16 树脂部
16a 底面
16b 侧面
16c 弯曲面
17 金属丝
19 核心材料
20 空腔部
21 粘接剂
100 镜筒部
101 透镜单元
101a、101b、101c、101d 透镜

Claims (8)

1.一种摄像元件内置基板,包含:
核心层,具有由金属形成的核心材料;
第1配线层,积层在所述核心层;
空腔部,贯通所述核心材料及所述第1配线层;
第2配线层,积层在相对于所述核心层与所述第1配线层相反一侧,具有设置在与所述空腔部相向位置处的接地部;
树脂部,具有配置在所述空腔部内且被支撑在所述第2配线层的底面、由所述核心材料所支撑的侧面、及设置在与所述底面相反一侧的弯曲面;以及
摄像元件,在所述空腔部内沿着所述弯曲面被粘接。
2.根据权利要求1所述的摄像元件内置基板,其中
所述弯曲面朝向所述第2配线层凹陷。
3.根据权利要求2所述的摄像元件内置基板,其中
所述摄像元件比所述弯曲面更朝外侧延伸。
4.根据权利要求2所述的摄像元件内置基板,其中
所述弯曲面比所述摄像元件更朝外侧延伸。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像元件内置基板,其中
所述空腔部被所述第2配线层堵塞。
6.根据权利要求1至4中任一项所述的摄像元件内置基板,其中
所述接地部被电连接在所述核心材料。
7.一种摄像元件内置基板的制造方法,
将用来在树脂形成弯曲面的模具部件配置在贯通由金属形成的核心材料的空腔部内,
将所述树脂填充到所述空腔部内,
在配置所述模具部件并填充所述树脂之后,使所述树脂硬化,
在使所述树脂硬化之后,通过将所述模具部件去除,而使所述树脂的所述弯曲面露出,且
在使所述弯曲面露出之后,沿着所述弯曲面粘接摄像元件。
8.一种摄像装置,包含:
透镜单元,构成为能够使外部光透过;
核心层,与所述透镜单元相向地配置,且具有由金属形成的核心材料;
第1配线层,积层在所述核心层的所述透镜单元侧;
空腔部,贯通所述核心材料及所述第1配线层;
第2配线层,积层在相对于所述核心层与所述第1配线层相反一侧,具有设置在与所述空腔部相向位置处的接地部;
树脂部,具有配置在所述空腔部内且被支撑在所述第2配线层的底面、由所述核心材料所支撑的侧面、及设置在与所述底面相反一侧且具有与所述透镜单元的构成对应的形状的弯曲面;以及
摄像元件,在所述空腔部内沿着所述弯曲面被粘接,受到透过所述透镜单元的外部光的入射。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9893058B2 (en) * 2015-09-17 2018-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure
FR3075466B1 (fr) * 2017-12-15 2020-05-29 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Couvercle de boitier de circuit electronique
CN112189260A (zh) * 2018-05-28 2021-01-05 索尼半导体解决方案公司 成像装置
CN110007424B (zh) * 2018-12-05 2021-09-28 多普光电科技有限公司 图案投影成像***
TWI660493B (zh) * 2018-12-06 2019-05-21 財團法人工業技術研究院 影像感測器及其製造方法
SG10202002922RA (en) * 2020-03-30 2021-10-28 Sharma Nishant SVVRON Effect - 3D TV & Camera (without Glasses)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867836A (zh) * 2011-07-07 2013-01-09 索尼公司 固态图像传感装置和电子设备
CN104038681A (zh) * 2013-03-05 2014-09-10 太阳诱电株式会社 摄像机组件

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5400072A (en) * 1988-12-23 1995-03-21 Hitachi, Ltd. Video camera unit having an airtight mounting arrangement for an image sensor chip
JP4604307B2 (ja) 2000-01-27 2011-01-05 ソニー株式会社 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム
JP3607160B2 (ja) * 2000-04-07 2005-01-05 三菱電機株式会社 撮像装置
US6949808B2 (en) * 2001-11-30 2005-09-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Solid-state imaging apparatus and manufacturing method thereof
JP2004063776A (ja) 2002-07-29 2004-02-26 Sony Corp 撮像装置及びその製造方法
JP2004297683A (ja) * 2003-03-28 2004-10-21 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置
JP2005278133A (ja) * 2003-07-03 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置および光学機器
JP4424470B2 (ja) * 2003-12-02 2010-03-03 ソニー株式会社 固体撮像装置
JP2005260436A (ja) * 2004-03-10 2005-09-22 Mitsubishi Electric Corp 撮像モジュールおよびこれを用いた撮像装置
KR100691157B1 (ko) * 2005-04-07 2007-03-09 삼성전기주식회사 포커싱 무조정형 카메라 모듈
JP2009521798A (ja) * 2005-12-24 2009-06-04 ヒュン キュ チョイ, 半導体パッケージ、その製造方法及びイメージセンサー用の半導体パッケージモジュール
JP5267987B2 (ja) * 2006-11-06 2013-08-21 日本電気株式会社 半導体装置およびその製造方法
KR101378418B1 (ko) * 2007-11-01 2014-03-27 삼성전자주식회사 이미지센서 모듈 및 그 제조방법
JP2010152128A (ja) * 2008-12-25 2010-07-08 Nikon Corp 撮像光学素子の製造方法
US8193555B2 (en) * 2009-02-11 2012-06-05 Megica Corporation Image and light sensor chip packages
JP2012098322A (ja) * 2010-10-29 2012-05-24 Sony Corp 撮像装置
US8698269B2 (en) * 2011-02-28 2014-04-15 Ibiden Co., Ltd. Wiring board with built-in imaging device and method for manufacturing same
JP5720306B2 (ja) * 2011-02-28 2015-05-20 ソニー株式会社 固体撮像素子の製造方法
JP2012242587A (ja) * 2011-05-19 2012-12-10 Toshiba Corp カメラモジュールおよびカメラモジュールの製造方法
US8742527B2 (en) * 2011-09-27 2014-06-03 Kabushiki Kaisha Toshiba Solid state imaging device, solid state imaging element, portable information terminal device and method for manufacturing the solid state imaging element
JP2013167868A (ja) * 2011-12-01 2013-08-29 Sumitomo Bakelite Co Ltd 画像表示装置
JP2014038995A (ja) * 2012-10-23 2014-02-27 Taiyo Yuden Co Ltd 電子部品内蔵基板
KR20160080166A (ko) * 2014-12-29 2016-07-07 에스케이하이닉스 주식회사 이미지 센서 내장형 패키지 및 그 제조방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102867836A (zh) * 2011-07-07 2013-01-09 索尼公司 固态图像传感装置和电子设备
CN104038681A (zh) * 2013-03-05 2014-09-10 太阳诱电株式会社 摄像机组件

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