CN105628218B - 一种光模块芯片温度校准方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种光模块芯片温度校准方法，设置最大预热时间，对待校准芯片和标准样品进行预热并计时；对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，判断所述偏离值是否不大于指定阈值；若是，则根据采集到的所述若干温度值计算温度补偿值；根据所述补偿值对所述待校准芯片进行校准。本发明的一种光模块温度校准方法通过自动判断芯片温度是否达到稳定值，克服了现有技术中人工判断引起的误差，提高了校准准确度，同时自动化程度高，不需要人为参与，方便高效。

Description

一种光模块芯片温度校准方法
技术领域
本发明涉及光模块领域，特别涉及一种光模块芯片温度校准方法。
背景技术
对光模块芯片温度进行校准是芯片生产中必要的一个环节，而现有的温度校准方法一般采用多通道板对芯片进行预热，然后在常温下通过红外传感器来校准温度，整个过程均需要人工手动控制，但由于操作人员不知道芯片温度何时能够达到稳定，这对校准的准确度产生了较大的影响，同时人工校准的效率也比较低下。
发明内容
本发明在于克服现有技术的上述不足，提供一种准确度高、方便高效的光模块芯片温度校准方法。
为了实现上述发明目的，本发明采用的技术方案是：
一种光模块芯片温度校准方法，包括：
设置最大预热时间，对待校准芯片和标准样品进行预热并计时；
对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，判断所述偏离值是否不大于指定阈值；
若是，则根据采集到的所述若干温度值计算温度补偿值；
根据所述补偿值对所述待校准芯片进行校准。
进一步地，所述最大预热时间为10-30min。
进一步地，所述偏离值为所述若干次温度值的方差或标准差，所述指定阈值由所述偏离值对应的所述方差或所述标准差决定。
进一步地，所述对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，包括：
每隔预定时间采样一次待校准芯片温度，直到采集到预定数量个温度值，则根据所述预定数量个温度值计算得到偏离值。
进一步地，所述预定时间为15s-45s。
进一步地，如果所述偏离值大于指定阈值，判断当前计时时间是否超过所述最大预热时间，若否，则继续采集若干个所述待校准芯片的温度值并再次计算偏离值。
进一步地，若所述偏离值大于指定阈值且当前计时时间超过最大预热时间，则重置所述计时，并对所述待校准芯片重新进行温度采集。
进一步地，若所述偏离值大于指定阈值且当前计时时间超过最大预热时间，则对所述待校准芯片进行检修。
与现有技术相比，本发明的有益效果
本发明的一种光模块温度校准方法通过自动判断芯片温度是否达到稳定值，克服了现有技术中人工判断引起的误差，提高了校准准确度，同时自动化程度高，不需要人为参与，方便高效。
附图说明
图1是本发明的一种光模块芯片温度校准方法流程图。
具体实施方式
下面结合具体实施方式对本发明作进一步的详细描述。但不应将此理解为本发明上述主题的范围仅限于以下的实施例，凡基于本发明内容所实现的技术均属于本发明的范围。
实施例1：
图1是本发明的一种光模块芯片温度校准方法流程图，包括：
设置最大预热时间，对待校准芯片和标准样品进行预热并计时；
对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，判断所述偏离值是否不大于指定阈值；
若是，则根据采集到的所述若干温度值计算温度补偿值；
根据所述补偿值对所述待校准芯片进行校准。
作为本发明的一个前提条件，光模块产品在充分散热的情况下，外壳温度可以迅速稳定，同种型号的产品在温度稳定后外壳温度基本一致，不同功耗的产品在温度稳定后外壳温度也具有同样的温度分布情况。
一般的，最大预热时间越大，指定阈值越小，采集的温度值越多，则数据的精度就越高，在实际生产中，需要考虑生产效率与实际情况来设置相应的参数进行校准，偏离值表示待校准模块温度偏离的程度，越小表示温度越稳定。
本发明的一种光模块温度校准方法通过自动判断芯片温度是否达到稳定值，克服了现有技术中人工判断引起的误差，提高了校准准确度，同时自动化程度高，不需要人为参与，方便高效。
进一步地，所述最大预热时间为15-45min。
正如前面所述，预热时间越短，则得到的数据可能不准确；预热时间越长，则会降低生产效率，间接的增加成本，因此，经过多次测试，将时间设置为10-30min是较优的选择。
进一步地，所述偏离值为所述若干次温度值的方差或标准差，所述指定阈值由所述偏离值对应的所述方差或所述标准差决定。
理论上，在对温度进行无限次测量之后，可以保证其方差或标准差为0（即指定阈值为0），在实际生产中，由于来自各方面的误差以及测量次数的影响，则需要将指定阈值设置在一个合理的范围内，经过多次测试，假如计算值为方差，则将指定阈值设置为0.2-0.5是较优的选择。
进一步地，所述对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，包括：
每隔预定时间采样一次待校准芯片温度，直到采集到预定数量个温度值，则根据所述预定数量个温度值计算得到偏离值。
进一步地，所述预定时间为15s-45s。
在采集多个温度值过程中，必然会涉及到数据采集频率，采集频率过快则可能导致采集到的温度是尚未达到稳定时的温度，这会影响后续判断；采集过慢则导致生产效率低下，因此，经过大量测试，将预定时间设置为15s-45s来克服上述缺陷，同时，选择的预定数量一般为10-15个，这种选择确保一次测试过程所需要的时间不会太长，不影响校准效率，一般为4-6分钟校准一次，在实际测试中，可根据测试环境进行调整。
进一步地，如果所述偏离值大于指定阈值，判断当前计时时间是否超过所述最大预热时间，若否，则继续采集若干个所述待校准芯片的温度值并再次计算偏离值。
这里可采取不同的方法进行计算，方法1，重新采集与第一次采集的若干个数量相同个温度值，并根据之后采集的若干个温度值再次计算偏离值，并判断偏离值是否满足条件；方法2，继续采集温度，每采集到一个温度值，则将其与之前采集到的所有温度值一起计算偏离值，或者只取采集到的后预定数量个数据进行计算偏离值。
进一步地，若所述偏离值大于指定阈值且当前计时时间超过最大预热时间，则重置所述计时，并对所述待校准芯片重新进行温度采集。
进一步地，若所述偏离值大于指定阈值且当前计时时间超过最大预热时间，则对所述待校准芯片进行检修。
出现预热时间超时仍未达到要求的精度时，一般有两种情况，一是校准过程中外界环境对校准结果产生了较大影响，这种情况需要滤除干扰重新对芯片进行校准，此时也可以重新设定校准参数；二是芯片自身有缺陷，使其无法满足条件，这种情况则需要对该芯片送修。
实施例2：
在本发明的一个具体实施中，本发明实施方式如下步骤：
S1：参数设置。设置采样时间参数为30min、指定阈值为0.3、预定数量为10、预定时间为30s。
S2:按照本发明所述的方法进行采集，最终得到一组偏离值符合指定阈值的温度值，26.34、26.94、27.09、27.19、27.28、27.31、27.25、27.31、27.31、27.28、27.28。
取最后一次采集到的温度值27.28作为待校准芯片的温度，读取标准样品当前温度为27.10。
S3:根据待校准芯片的温度与标准样品当前温度计算偏离值。
计算偏离值的公式为T2=k×T1+offset，其中T1表示待校准芯片的温度；T2表示标准样品当前温度；offset表示偏离值；K为常数，其大小根据不同产品的特性决定，K值的计算方法为现有技术，在此不再赘述。
S4：将S3得到的偏离值补偿到待校准的产品上，完成校准；上述具体补偿方法也属于现有技术，在此不再赘述。
上面结合附图对本发明的具体实施方式进行了详细说明，但本发明并不限制于上述实施方式，在不脱离本申请的权利要求的精神和范围情况下，本领域的技术人员可以作出各种修改或改型。

Claims (6)

1.一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，包括：
设置最大预热时间，对待校准芯片和标准样品进行预热并计时；
对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，判断所述偏离值是否不大于指定阈值；
若是，则根据采集到的所述若干温度值计算温度补偿值；
根据所述补偿值对所述待校准芯片进行校准；
而且，如果所述偏离值大于指定阈值，判断当前计时时间是否超过所述最大预热时间，若否，则继续采集若干个所述待校准芯片的温度值并再次计算偏离值，若是，则重置所述计时，并对所述待校准芯片重新进行温度采集。
2.根据权利要求1所述的一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，所述最大预热时间为10-30min。
3.根据权利要求1所述的一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，所述偏离值为所述若干次温度值的方差或标准差，所述指定阈值由所述偏离值对应的所述方差或所述标准差决定。
4.根据权利要求1所述的一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，所述对所述待校准芯片采集若干次温度值，根据所述若干次温度值计算得到偏离值，包括：
每隔预定时间采样一次待校准芯片温度，直到采集到预定数量个温度值，则根据所述预定数量个温度值计算得到偏离值。
5.根据权利要求4所述的一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，所述预定时间为15s-45s。
6.根据权利要求1所述的一种光模块芯片温度校准方法，其特征在于，若所述偏离值大于指定阈值且当前计时时间超过最大预热时间，则对所述待校准芯片进行检修。
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