CN105609616A - Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 - Google Patents
Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105609616A CN105609616A CN201610160829.7A CN201610160829A CN105609616A CN 105609616 A CN105609616 A CN 105609616A CN 201610160829 A CN201610160829 A CN 201610160829A CN 105609616 A CN105609616 A CN 105609616A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- substrate
- emc
- rib
- support
- outside
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 195
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 34
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 28
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 5
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 claims description 17
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 14
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 claims description 13
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 13
- 210000003205 muscle Anatomy 0.000 claims description 11
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 7
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 claims 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 6
- 239000011049 pearl Substances 0.000 description 5
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 5
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 4
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000010008 shearing Methods 0.000 description 2
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100391172 Dictyostelium discoideum forA gene Proteins 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 239000003205 fragrance Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 1
- UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N pranlukast Chemical compound C=1C=C(OCCCCC=2C=CC=CC=2)C=CC=1C(=O)NC(C=1)=CC=C(C(C=2)=O)C=1OC=2C=1N=NNN=1 UAJUXJSXCLUTNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960004583 pranlukast Drugs 0.000 description 1
- 238000002271 resection Methods 0.000 description 1
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 1
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/483—Containers
- H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/642—Heat extraction or cooling elements characterized by the shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/647—Heat extraction or cooling elements the elements conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0075—Processes relating to semiconductor body packages relating to heat extraction or cooling elements
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明提供一种EMC封装的红外器件的制造方法以及EMC连体支架，目的在于在解决器件散热的同时，整个封装器件更薄。本发明的制造方法包括：制作支架上的金属基片的步骤，基片包括第一基片和第二基片；图形化基片的步骤，在第一基片和第二基片需要作为电极的区域覆盖光刻胶，露出基片边缘，然后对基片边缘进行减薄刻蚀，再去除光刻胶，使基片中间部位相对于边缘部位凸起；制作封装支架的步骤，将第一基片和第二基片封装在EMC材料中，其中EMC材料连接所述第一基片和第二基片且覆盖在所述基片的减薄位置。本发明可以做到跟金属基片厚度基本一致，由于芯片的厚度很薄，所以整个封装器件可以做到很薄，同时也顾及到了器件的散热效果。
Description
技术领域
本发明涉及一种LED封装技术，特别是涉及一种红外大功率EMC封装技术。
背景技术
红外LED广泛应用于指示灯以及配光和调光，汽车和交通灯的领域均有大量应用。随着红光的功率的增大，其散热问题也日益凸显。目前对于红光散热普遍采用和蓝光一样的铝基板散热，但是对于灯珠来说，铝基板技术方案成本很高，尤其是对少量(例如单颗)红光芯片的器件来说，铝基板所占整个封装器件的成本比例很高。目前红光LED企业均在寻求替代铝基板的散热方案。在现有技术中，有采用EMC做基板基材的技术方案，即在EMC(热固性环氧树脂)基材中嵌入铜片来解决芯片的散热问题，但是做出来的封装器件很厚，很多成品应用领域使用效果并不好。由于红外封装器件整体较厚，不利于以贴片形式的使用。
发明内容
针对上述现有技术存在的不足，本发明的目的在于减小红外大功率EMC封装器件的厚度，在解决器件散热的同时，使整个封装器件更薄。
为了解决上述问题，本发明采用的技术方案为:一种EMC封装的红外器件的制造方法，其包括：
制作支架上的金属基片的步骤，基片包括第一基片和第二基片；
图形化基片的步骤，在第一基片和第二基片需要作为电极的区域覆盖光刻胶，露出基片边缘，然后对基片边缘进行减薄刻蚀，再去除光刻胶，使基片中间部位相对于边缘部位凸起；
制作封装支架的步骤，将第一基片和第二基片封装在EMC材料中，其中EMC材料连接所述第一基片和第二基片且覆盖在所述基片的减薄位置；
固晶的步骤，将红外光芯片固定在第一基片上，且第一基片作为红外光器件的第一电极；
焊线的步骤，将引线的一端焊接在第二基片上，其另一端焊接在所述红外光芯片的第二电极上；
封装的步骤，将红外光芯片用封装胶封装在支架上。
优选地：所述制作支架上的金属基片，包括制作连体支架；连体支架包括支架单元，每个支架单元包括第一基片和第二基片，第一基片和第二基片通过内部筋条连接；支架单元之间通过外部筋条连接。
优选地：在所述封装的步骤后，还包括进行切外筋的步骤，即将外部筋条切断的步骤，外部筋条切断的时候，同时EMC材料切断。
优选地：所述制作支架上的金属基片的步骤包括制作内部筋条的步骤，
制作内部筋条的步骤，在第一基片和第二基片的外侧制作将它们连接在一起的内部筋条。
优选地：所述第一基片和第二基片左右排列，第一基片和第二基片的上边和下边均设有内部筋条。
优选地：在所述封装的步骤后，还包括进行切内筋的步骤。
优选地：在所述封装的步骤后，还包括设置菲尼尔透镜的步骤，即在封装器件上固定菲尼尔透镜。
本发明提出一种EMC连体支架，其包括第一基片和第二基片，第一基片和第二基片左右排列，在它们的外侧设有将其连接在一起的内部筋条。
优选地：第一基片和第二基片组成一个支架单元，支架单元之间设有外部筋条。
在一个实施例中，对该内部筋条和外部筋条进行减薄处理。减薄处理内部筋条和外部筋条可以有利于后续的切筋工艺，降低剪切的强度，以及降低减薄刻蚀工艺的难度。
优选地：所述第一基片和第二基片为铜片或铜合金。
在一个实施例中，在左右并排的两个基片，第一内部筋条的一端连接在第一基片的左侧边，且绕过基片的上边连接在第二基片的右侧边。这种结构在切筋的时候，内部筋条的参与部分会成为管脚，且管脚的位置会处于封装器件的两侧，其结构符合器件管脚设置位置规范，便于贴片。
本发明提出一种红外大功率EMC灯珠，其包括金属基片和金属基片***的EMC基材；所述金属基片包括用于固晶的第一基片和用于作为焊线电极的第二基片；第一基片和第二基片的边缘经过减薄处理，它们的中间存在凸起部；第一基片的凸起部上固定有红光芯片，连接在红光芯片的电极上的第一电极引线的外端部焊接在第二基片的凸起部上；在第一基片和第二基片之间有EMC基材，它们通过EMC基材连接在一起，且EMC基材覆盖在第一基片和第二基片的减薄的位置上。
优选地：在所述凸起部上设有金锡焊料层。
优选地：所述金属基片包括位于基片外侧的管脚。管脚可以是一个或两个。对于两个管脚的情况，可以便于封装器件更加电路板上的焊盘的位置进行贴装，一个管脚连接电极，另一个管脚连接电路板上的散热片(散热层)，借助于外部的散热片进一步改善散热。
优选地：所述凸起部为圆形。如果凸起部为光刻形成，将凸起部设计成圆形，有利于简化涂胶步骤，因为涂胶一般更容易形成圆形或类圆形。
优选地：所述凸起部为至少两个圆拼接而成，且圆与圆有重叠部分，组成交集圆图形。这种交集圆图形可以适用于尺寸较长的大功率芯片，且该图形制作简单。
优选地：所述凸起部为四边形，且其顶角为圆角。圆角有利于在进行EMC注胶的时候，胶体更流畅的分布到减薄处，且胶压平稳，不会浸入凸起部表面，引起表面污染。
优选地：金属基片还包括第三基片，第三基片和第二基片分别位于第一基片的两侧；第二电极引线的两端分别连接在第一基片和第三基片上；第二基片和第三基片的外侧设有管脚。第三基片的设置，可以使第一基片位于中间，以确保芯片位于整个封装器件的中间位置，为后续透镜的设置提供便利，且增加电极的散热面积。
优选地：所述芯片封装在透明封胶内，在透明封胶上面设有菲涅尔透镜。菲涅尔透镜可以是聚光透镜，也可以是散光透镜。
优选地：所述芯片封装在透明封胶内，在透明封胶上方设有灯帽透镜。
优选地：由所述金属基片和EMC基材组成的支架的厚度为0.1～0.2mm。在优选实施例中，支架的厚度与金属基片的厚度一致，在此种情况，在完成EMC封装金属基片步骤后，需要对高出金属基片的EMC材料进行减薄处理，以使支架的厚度与金属基片的厚度相同。由于支架的厚度可以控制在0.1～0.2mm，封装后的灯珠的厚度可以做成0.3～0.5mm的超薄器件。
本发明创造的有益效果如下：
相比现有技术，本发明将金属基片通过EMC连接起来，为了确保粘结力，将金属基片的边缘减薄，形成低位台面。这种设计可以增加EMC基材与铜片侧边的粘结力度，因此铜片不必再卡嵌入EMC基材中，本发明创造提出的基板结构可以做到跟金属基片厚度基本一致，由于芯片的厚度很薄，所以整个封装器件可以做到很薄，同时也顾及到了器件的散热效果。
附图说明
图1为本发明实施例一的金属基板的结构示意图；
图2是图1的剖面示意图；
图3是实施例一的结构示意图；
图4是图3实施例的剖面示意图；
图5是实施例二的结构示意图；
图6是实施例三的结构示意图；
图7是实施例四的结果示意图；
图8是实施例四封装灯珠的结构示意图。
图9是实施例五的连体支架的结构示意图。
图10是实施例六的连体支架的结构示意图。
图11是本发明的工艺流程图。
图中标识说明：
1、金属基片；2、第一基片；3、第二基片；4、减薄部；5、第一凸起部；6、第二凸起部；7、红光芯片；8、第一电极引线；9、EMC基材；10、第一减薄部；11、第二减薄部；12、管脚；13、凸起部；14、凸起部；15、灯帽透镜；16、第三基片；17、第一基片；18、第二基片；19、第二电极引线；20、第一基片；21、第二基片；22、第一内部筋条；23、第二内部筋条；24、外部筋条；25、内部筋条；26、外部筋条；27、第一基片；28、第二基片。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
参见图1至图4所示的实施例一，该红外大功率EMC灯珠包括金属基片1和金属基片***的EMC基材。金属基片1包括用于固晶的第一基片2和用于作为焊线电极的第二基片3。第一基片2和第二基片3的边缘经过减薄处理，即存在减薄部4，它们的中间存在凸起部。第一基片的第一凸起部5上固定有红光芯片7，连接在红光芯片7的电极上的第一电极引线8的外端部焊接在第二基片3的第二凸起部6上。在第一基片2和第二基片3之间有EMC基材9，它们通过EMC基材9连接在一起，且EMC基材覆盖在第一减薄部10和第二减薄部11上。金属基片为铜片。在第一凸起部和第二凸起部上设有金锡焊料层，其用于焊接红光芯片和第一电极引线。
在基片外侧设有管脚12。管脚是两个。第一凸起部和第二凸起部为方形。
参见图5，在另一个实施例中，凸起部13还可以为圆形。如果凸起部为光刻形成，将凸起部设计成圆形，有利于简化涂胶步骤，因为涂胶一般更容易形成圆形或类圆形。
在另一实施例中，参见图6，凸起部14为三个圆或两个圆拼接而成，且圆与圆有重叠部分，组成交集圆图形。这种交集圆图形可以适用于尺寸较长的大功率芯片，且该图形制作简单。
参见图3，凸起部为四边形，且其顶角为直角。在另一个实施例中，四边形的顶角为圆角。圆角有利于在进行EMC注胶的时候，胶体更流畅的分布到减薄处，且胶压平稳，不会浸入凸起部表面，引起表面污染。
红光芯片7封装在透明封胶内，在透明封胶上面设有菲涅尔透镜。菲涅尔透镜不会明显增加器件的厚度，且能够实现改变光线方向的作用。由于本发明提供的金属基板结构是一种减薄结构，所以配合金属基板的透镜结构也需要有相应的薄的结构，上述菲涅尔透镜结构可以很好的与本发明的金属基板减薄结构相配合，使器件整体结构更薄。
在另一个实施例中，参见图8，芯片封装在透明封胶内，在透明封胶上方设有灯帽透镜15。
参见图7，该图是另外一个实施例，该例子中，金属基片还包括第三基片16，第三基片16和第二基片18分别位于第一基片17的两侧。第二电极引线19的两端分别连接在第一基片17和第三基片16上。第二基片18和第三基片16的外侧设有管脚。第三基片16的设置，可以使第一基片17位于中间，以确保芯片位于整个封装器件的中间位置，为后续透镜的设置提供便利，且增加电极的散热面积。
为了制造上述封装器件，本发明提出一种EMC封装的红外器件的制造方法，参见图11所述框图，其包括：
制作支架上的金属基片的步骤，基片包括第一基片和第二基片；
图形化基片的步骤，在第一基片和第二基片需要作为电极的区域覆盖光刻胶，露出基片边缘，然后对基片边缘进行减薄刻蚀，再去除光刻胶，使基片中间部位相对于边缘部位凸起；
制作封装支架的步骤，将第一基片和第二基片封装在EMC材料中，其中EMC材料连接所述第一基片和第二基片且覆盖在所述基片的减薄位置；
固晶的步骤，将红外光芯片固定在第一基片上，且第一基片作为红外光器件的第一电极；
焊线的步骤，将引线的一端焊接在第二基片上，其另一端焊接在所述红外光芯片的第二电极上；
封装的步骤，将红外光芯片用封装胶封装在支架上。
本发明需要用到一种EMC连体支架，参见图10所示结构，其包括第一基片27和第二基片28，第一基片和第二基片左右排列，在它们的外侧设有将其连接在一起的内部筋条25。第一基片和第二基片组成一个支架单元，支架单元之间设有外部筋条26。内部筋条用于连接一个封装器件内的两个金属基片的，外部筋条用于连接相邻的两个封装器件的支架铜片的，即支架单元之间的连接件。制作支架上的金属基片的步骤包括制作内部筋条的步骤，即在第一基片和第二基片的外侧制作将它们连接在一起的内部筋条。
在一个实施例中，对该内部筋条和外部筋条进行减薄处理。减薄处理内部筋条和外部筋条可以有利于后续的切筋工艺，降低剪切的强度，以及降低减薄刻蚀工艺的难度。
参见图9所示实施例，在左右并排的两个基片，第一内部筋条22的一端连接在第一基片20的左侧边，且绕过基片的上边连接在第二基片21的右侧边。在基片下方设有与第一内部筋条相同的第二内部筋条23。这种结构在切筋的时候，内部筋条的参与部分会成为管脚，而且是如图1所示的两个管脚，且管脚的位置会处于封装器件的两侧，其结构符合器件管脚设置位置规范，便于贴片。切筋的时候，需要将基片上方和下方的内部筋条的部分切除。
在封装的步骤后，还包括进行切外筋的步骤，即将外部筋条切断的步骤，外部筋条切断的时候，同时EMC材料切断。
第一基片和第二基片左右排列，第一基片和第二基片的上边和下边均设有内部筋条。
在封装的步骤后，还包括进行切内筋的步骤。
在封装的步骤后，还包括设置菲尼尔透镜的步骤，即在封装器件上固定菲尼尔透镜。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种EMC封装的红外器件的制造方法，其包括：
制作支架上的金属基片的步骤，基片包括第一基片和第二基片；
图形化基片的步骤，在第一基片和第二基片需要作为电极的区域覆盖光刻胶，露出基片边缘，然后对基片边缘进行减薄刻蚀，再去除光刻胶，使基片中间部位相对于边缘部位凸起；
制作封装支架的步骤，将第一基片和第二基片封装在EMC材料中，其中EMC材料连接所述第一基片和第二基片且覆盖在所述基片的减薄位置；
固晶的步骤，将红外光芯片固定在第一基片上，且第一基片作为红外光器件的第一电极；
焊线的步骤，将引线的一端焊接在第二基片上，其另一端焊接在所述红外光芯片的第二电极上；
封装的步骤，将红外光芯片用封装胶封装在支架上。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述制作支架上的金属基片，包括制作连体支架；连体支架包括支架单元，每个支架单元包括第一基片和第二基片，第一基片和第二基片通过内部筋条连接；支架单元之间通过外部筋条连接。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：在所述封装的步骤后，还包括进行切外筋的步骤，即将外部筋条切断的步骤，外部筋条切断的时候，同时EMC材料切断。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述制作支架上的金属基片的步骤包括制作内部筋条的步骤，
制作内部筋条的步骤，在第一基片和第二基片的外侧制作将它们连接在一起的内部筋条。
5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：所述第一基片和第二基片左右排列，第一基片和第二基片的上边和下边均设有内部筋条。
6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于：在所述封装的步骤后，还包括进行切内筋的步骤。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：在所述封装的步骤后，还包括设置菲尼尔透镜的步骤，即在封装器件上固定菲尼尔透镜。
8.一种EMC连体支架，其特征在于包括第一基片和第二基片，第一基片和第二基片左右排列，在它们的外侧设有将其连接在一起的内部筋条。要对该内部筋条和外部筋条进行减薄处理。
9.根据权利要求8所述的EMC连体支架，其特征在于：第一基片和第二基片组成一个支架单元，支架单元之间设有外部筋条。
10.根据权利要求8所述的EMC连体支架，其特征在于：所述第一基片和第二基片为铜片。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610160829.7A CN105609616A (zh) | 2016-03-21 | 2016-03-21 | Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610160829.7A CN105609616A (zh) | 2016-03-21 | 2016-03-21 | Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105609616A true CN105609616A (zh) | 2016-05-25 |
Family
ID=55989377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610160829.7A Pending CN105609616A (zh) | 2016-03-21 | 2016-03-21 | Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105609616A (zh) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103392242A (zh) * | 2011-02-28 | 2013-11-13 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN104282821A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块 |
| CN104752597A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN204464316U (zh) * | 2014-11-19 | 2015-07-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种封装支架 |
| CN204538081U (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-05 | 福建省鼎泰光电科技有限公司 | 一种led封装结构 |
-
2016
- 2016-03-21 CN CN201610160829.7A patent/CN105609616A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN103392242A (zh) * | 2011-02-28 | 2013-11-13 | 日亚化学工业株式会社 | 发光装置 |
| CN104282821A (zh) * | 2013-07-12 | 2015-01-14 | 光宝光电(常州)有限公司 | 发光二极管结构、发光二极管结构金属支架及承载座模块 |
| CN104752597A (zh) * | 2013-12-30 | 2015-07-01 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构及其封装方法 |
| CN204464316U (zh) * | 2014-11-19 | 2015-07-08 | 厦门市三安光电科技有限公司 | 一种封装支架 |
| CN204538081U (zh) * | 2015-05-12 | 2015-08-05 | 福建省鼎泰光电科技有限公司 | 一种led封装结构 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| WO2016192452A1 (zh) | Csp led的封装方法和csp led | |
| US9978915B2 (en) | Manufacturing method of a flip-chip light emitting diode package module | |
| TWI419373B (zh) | 使用定電壓電源供應器之多晶封裝結構 | |
| TW201510414A (zh) | 發光二極體組件以及相關之照明裝置 | |
| CN105990507B (zh) | 侧照式发光二极管结构及其制造方法 | |
| CN103545420B (zh) | 半导体发光装置 | |
| CN111457260A (zh) | 发光组件及制作方法 | |
| CN103943616B (zh) | 一种led发光装置 | |
| CN102931322A (zh) | 大功率cob封装led结构及其晶圆级制造工艺 | |
| JP2011009681A (ja) | 外側に切断斜面を具えた発光ダイオードパッケージ構造及びその製作方法 | |
| TW201515279A (zh) | 發光二極體組件及製作方法 | |
| CN104347610B (zh) | 嵌入式led器件及其制作方法和发光设备 | |
| TW201232752A (en) | Light-mixing multichip package structure | |
| CN105895625A (zh) | 用于邻近传感器的晶片级封装 | |
| CN103840071A (zh) | 一种led灯条制作方法及led灯条 | |
| TW201349598A (zh) | 發光半導體元件及其製作方法 | |
| CN103972377A (zh) | 利用倒装固晶对全角度发光led灯丝进行封装的方法 | |
| CN105609616A (zh) | Emc封装的红外器件的制造方法以及emc连体支架 | |
| CN110010753A (zh) | 半导体发光装置及其制造方法 | |
| CN203038968U (zh) | Led照明模块 | |
| CN205609572U (zh) | 红外大功率emc灯珠 | |
| CN102214587B (zh) | 制作多层式阵列型发光二极管的方法 | |
| CN108538997A (zh) | 表面贴装型支架和多芯片光电器件 | |
| TWI342624B (en) | Led leadframe | |
| CN202443970U (zh) | 一种采用cob技术的led封装结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20160525 |
|
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |