CN105990507B - 侧照式发光二极管结构及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种侧照式发光二极管结构及其制造方法。结构包括一基板、一电极结构、一芯片、一胶体层和一荧光层。基板具有相对的一上表面和一下表面以及连接上表面和下表面的一侧表面。电极结构至少包括：两个第一导电部相隔设置在基板的上表面、两个第二导电部相隔设置在基板的下表面、和两个导电孔垂直贯穿基板且相隔设置，各导电孔分别连接第一导电部和第二导电部，且导电孔暴露于基板的侧表面。芯片具有相对的一第一表面与一第二表面，且芯片的第二表面设置在两第一导电部上，本实施例的设计可使单颗结构的产品良率和电性表现，以及与外部连接时的结构上的强度和稳定度皆能显著得到改善。

Description

侧照式发光二极管结构及其制造方法
技术领域
本发明有关于一种发光二极管结构及其制造方法，特别是一种侧照式发光二极管结构及其制造方法。
背景技术
节能环保的发光二极管其应用十分广泛，除了日常生活中随处可见的产品可能设置有发光二极管，如一般照明、电脑或便携式电子产品屏幕的显示器、看板、艺术作品与应用，在一些特殊的半导体制程中也利用发光二极管做为照光来源，例如紫外光发光二极管应用于紫外光曝光机、制作紫外光灯板等。
一般来说，发光二极管芯片是配置于陶瓷或金属材料所形成的基板上，并以胶体封装和包覆发光二极管形成封装结构，以避免发光二极管直接暴露于大气中而使芯片快速老化。而根据发光二极管芯片的封装结构与外部元件电性连接后，出光面和连接外部元件的设置面两者之间的相对位置，又可分为直下式(direct lighting)(即出光面与设置面分别位于相对的两平面)和侧照式(edge lighting)发光二极管结构(出光面与设置面例如呈垂直)两种。无论是何种结构，相关业者无不希望能发展出能维持甚至增进单颗结构的产品良率和电性表现，且在与外部元件组装时也能具有高对位精准度和组装效率。并且能以步骤简易而适合量产的制造方法来制作为最佳。
发明内容
本发明是有关于一种侧照式发光二极管结构及其制造方法。通过实施例的设计可使侧照式发光二极管结构单体中具有暴露于基板的侧表面的电极结构，如形成连续导电接面的导电孔。
本发明是提出一种侧照式发光二极管，包括一基板、一电极结构、一芯片、一胶体层和一荧光层。基板具有相对的一上表面和一下表面以及连接上表面和下表面的一侧表面。电极结构至少包括：两个第一导电部相隔设置在基板的上表面、两个第二导电部相隔设置在基板的下表面、和两个导电孔垂直贯穿基板且相隔设置，各导电孔分别连接第一导电部和第二导电部，且导电孔是暴露于基板的侧表面。芯片具有相对的一第一表面与一第二表面，且芯片的第二表面设置在两第一导电部上。胶体层覆盖基板的上表面和包覆芯片，胶体层的顶表面是暴露出芯片的第一表面且切齐芯片的第一表面。荧光层位于胶体层的顶表面上并覆盖芯片的第一表面。
本发明是提出一种侧照式发光二极管的制造方法，包括提供一基板，基板具有相对的一上表面和一下表面，基板包括多个单体区域(unit regions)。且形成一电极结构在基板处，其中电极结构对应于各单体区域处至少包括：两个第一导电部相隔设置在基板的上表面、两个第二导电部相隔设置在基板的下表面；和两个导电孔垂直贯穿基板且相隔设置，各导电孔分别连接第一导电部和第二导电部。分隔设置多个芯片在基板的上表面上，其中各单体区域中的芯片具有相对的一第一表面与一第二表面，且芯片的第二表面设置在两第一导电部上。形成一胶体材料在基板的上表面上并覆盖基板上表面和芯片。移除部分胶体材料以形成一胶体层，胶体层的顶表面是暴露出芯片的第一表面并切齐芯片的第一表面。涂布一荧光材料在胶体层的顶表面，以于各单体区域中形成一荧光层覆盖芯片的第一表面。切割胶体层、导电孔与基板，以形成多个分离的发光二极管，其中各发光二极管的导电孔具有接面自第一导电部延伸至第二导电部，且该些接面暴露于基板的一侧表面并与侧表面切齐，其中侧表面连接上下表面。
为了对本发明的上述及其他方面有更佳的了解，下文特举较佳实施例，并配合附图，作详细说明如下：
附图说明
图1为本发明一实施例的一侧照式发光二极管芯片的单颗结构示意图；
图2为图1的侧照式发光二极管芯片的上视图；
图3为沿图2中剖面线A-A’所示出的侧照式发光二极管芯片的剖面图；
图4为沿图2中剖面线B-B’所示出的侧照式发光二极管芯片的剖面图；
图5A～5F为本发明一实施例的侧照式发光二极管的制造方法；
图6示出本发明一实施例中多个发光二极管的电极结构做矩阵排列以及相应的两轴向切割道的位置的示意图。
附图标记说明：
10：基板；
101：上表面；
102：下表面；
103：边缘；
104：侧表面；
11：电极结构；
111a、111b：第一导电部；
1113a、1113b：第一导电部的外边缘；
112a、112b：第二导电部；
1130a、1130b：切割前的导电孔；
113a、113b：切割后的导电孔；
1110a、1110b：第一导电部的第一边缘；
20：芯片；
201：第一表面；
202：第二表面；
213：芯片侧缘；
30：胶体材料；
31：胶体层；
311：顶表面；
313：胶体层侧缘；
40：荧光材料；
41：荧光层；
413：荧光层侧缘；
Ur：单体区域；
Lc：导电孔的长度；
L1：胶体层的顶表面的长度；
W1：胶体层的顶表面的宽度；
H0：基板的厚度；
Hp：荧光层的厚度；
H1：荧光层顶面到基板的下表面的厚度；
WP：同一行相邻单体区域的间距；
Lg：同一列的相邻单体区域中两导电孔的最短距离；
LT：未切割前基板的长度；
WT：未切割前基板的宽度；
D1：第一切割方向；
D2：第二切割方向；
Cx：第一切割道；
Cy：第二切割道。
具体实施方式
本发明的实施例是提出一种侧照式发光二极管及其制造方法。以下是参照附图详细叙述本发明的实施态样。需注意的是，实施例所提出的结构和内容仅为举例说明之用，本发明欲保护的范围并非仅限于所述的态样。实施例中相同或类似的标号是用以标示相同或类似之部分。需注意的是，本发明并非显示出所有可能的实施例。可在不脱离本发明的精神和范围内对结构加以变化与修饰，以符合实际应用所需。因此，未在本发明提出的其他实施态样也可能可以应用。再者，图式是已简化以利清楚说明实施例的内容，图式上的尺寸比例并非按照实际产品等比例绘制。因此，说明书和图示内容仅作叙述实施例之用，而非作为限缩本发明保护范围之用。
图1为本发明一实施例的一侧照式发光二极管芯片的单颗结构示意图。图2为图1的侧照式发光二极管芯片的上视图。图3为沿图2中剖面线A-A’所示出的侧照式发光二极管芯片的剖面图。图4为沿图2中剖面线B-B’所示出的侧照式发光二极管芯片的剖面图。请同时参照第1-4图。
侧照式发光二极管1包括一基板10、一电极结构11、一芯片(chip)20、一胶体层31和一荧光层41。基板10具有相对的一上表面101和一下表面102以及连接上表面101和下表面102的一侧表面104。在基板10的上表面101和下表面102是分别形成导电线路和可连接上下表面的导电孔洞。如第1、4图所示，电极结构11至少包括两个第一导电部111a、111b相隔设置在基板10的上表面101、两个第二导电部111a、111b相隔设置在基板10的下表面102、和两个导电孔113a、113b垂直贯穿基板10且相隔设置，其中各导电孔分别连接第一导电部和第二导电部，例如导电孔113a连接第一导电部111a和第二导电部112a，导电孔113b连接第一导电部111b和第二导电部112b。
再者，导电孔的接面是暴露于基板10的侧表面104。如第1、4图所示，导电孔113a/113b的接面是自第一导电部111a/111b延伸至第二导电部112a/112b并暴露于基板10的侧表面104，且导电孔113a/113b的接面与侧表面104切齐。在一实施例中，填充于导电孔113a/113b的材料例如(但不限制地)是选用和第一、第二线路图案(例如第一导电部111a、111b和第二导电部112a/112b)相同的材料，如第1、4图所示。再者，一实施例中，第二导电部112a/112b的长度是大于第一导电部111a/111b的长度，但本发明并不限制于此。
芯片20具有相对的一第一表面201与一第二表面202，且芯片20的第二表面202设置(跨接)在两第一导电部111a/111b上，如第2、3图所示。第一表面201为芯片20的出光面。一实施例中，芯片20的第一表面201的延伸方向(例如平行xy平面)是实质上垂直于导电孔113a/113b的接面的延伸方向(例如平行yz平面)。
胶体层31覆盖基板10的上表面101和包覆芯片20，胶体层31的一顶表面311是暴露出芯片20的第一表面201且切齐芯片20的第一表面201，如图3所示。其中胶体层31的胶体材料的反射率至少大于90％。一实施例中，胶体材料的材质例如是一高分子材料，例如白色环氧树脂封胶(epoxy)或硅树脂封胶(silicone resin)(但不以此为限)，其高反射率的特性可以遮侧光，提升芯片20正向出光的效率。
荧光层41则位于胶体层31的顶表面311上并覆盖芯片20的第一表面201。实施例中，荧光层41直接接触且至少完全遮蔽芯片20的第一表面201。一实施例中，荧光层41面积大于芯片20面积且小于胶体层31的顶表面311的面积，如第2、3图所示，荧光层41的两侧缘413是对应位于芯片20的两边缘213到两第一导电部111a/111b的两外边缘1113a/1113b之间。实际制作时，可利用具有多个分隔设置开口的一遮罩，通过开口来涂布荧光材料以在芯片20上形成适当面积的荧光层41。
实际应用实施例的侧照式发光二极管1时，可通过在基板10侧表面104暴露出来的导电孔113a/113b接面与一外部元件电性连接。由于导电孔113a/113b接面与芯片20的第一表面201(出光面)实质上垂直，当发光二极管的导电孔113a/113b接面设置在外部元件后可提供侧照式光源，例如侧照式发光二极管1可设置于导光板的侧面(入光面)处，芯片20的第一表面201(出光面)朝向导光板的侧面提供光源，导电孔113a/113b接面则设置于电路板与之电性连接。
实施例中，暴露于基板10侧表面104的导电孔113a/113b接面例如可通过焊锡与一外部元件电性连接。而导电孔113a/113b接面的面积是为焊锡可接触的面积。相较于传统发光二极管，实施例的设计可根据实际应用所需，通过调整暴露于基板10侧表面104的导电孔113a/113b接面面积，例如增加导电孔113a/113b的长度Lc(图4)，即可增加与外部元件电性连接的接触面积。
侧照式发光二极管1的其中一组设计尺寸如下：胶体层31的顶表面311的长度L1为3.0mm，宽度W1为0.4mm(图2)，基板10的厚度H0为0.38mm，荧光层41的厚度Hp为0.10mm，荧光层41顶面到基板10的下表面102的厚度H1为0.69mm(图3)，导电孔113a/113b的长度Lc为0.57mm(图4)。若实际应用时通过焊锡与一外部元件电性连接时，暴露于基板10侧表面104的导电孔113a/113b接面的面积即为焊锡可接触的面积，例如0.38mm*0.57mm＝0.217mm2。当然，如通常知识者可知，该些数据仅为举例说明之用，本发明的范围并非仅限于该些数据，实际尺寸可根据应用条件所需做适当修改与变化。
图5A～5F为本发明一实施例的侧照式发光二极管的制造方法。图6示出本发明一实施例中多个发光二极管的电极结构做矩阵排列以及相应的两轴向切割道的位置的示意图。图5A～5F中是以单颗发光二极管的剖面图示说明制造方法，以利于清楚显示和叙述相关细节，而基板上多个发光二极管的单体区域(unit regions)之间的位置关是和切割道则可参照图6中排列。图6是示出两个轴向的切割道，例如沿第一切割方向D1的第一切割道Cx和沿第二切割方向D2的第二切割道Cy，且两切割道Cx、Cy具有一定宽度。再者，其余因视角而无法在图5A～5F和图6显示的部位如表面或侧缘等等，请参考第1～4图与前述内容的详细说明。
首先，提供一基板10，基板10具有相对的一上表面101和一下表面102，且基板10包括多个单体区域Ur(unit regions)，并形成电极结构11在基板10处。如第5A图和图6中所示，电极结构11对应于各单体区域处Ur至少包括：两个第一导电部111a、111b相隔设置在基板10的上表面101、两个第二导电部112a、112b相隔设置在基板10的下表面102、和两个导电孔1130a、1130b垂直贯穿基板10并相隔设置，且各导电孔1130a/1130b分别连接第一导电部111a/111b和第二导电部112a/112b。
一实施例中，例如是选用具有低热膨胀系数的一陶瓷(ceramic)基板10，在陶瓷基板的上下表面分别铺设第一线路图案(trace pattern)和第二线路图案，并以激光钻孔以供导电材料如金属进行电镀或直接填充其中，而形成贯穿基板10并连通上下线路的导电孔1130a/1130b。其中激光钻孔形成贯孔后，是在贯孔内填满导电材料而形成导电孔1130a/1130b。导电材料例如是单一金属或是包括两种或两种以上的复合金属作贯孔填充皆可。一实施例中，导电材料是包括金、银、铜至少其中一种。本发明对于导电孔1130a/1130b的填充方式和材料并不多作限制。一实施例中，填充于导电孔1130a/1130b的材料是选用和第一、第二线路图案(例如第一导电部111a、111b和第二导电部112a/112b)相同的材料。再者，在实施例中，切割前形成的导电孔是标示为1130a/1130b，切割后各单体中所具有的导电孔是标示为113a/113b，以利区别。
如第5B图所示，分隔设置多个芯片20在基板10的上表面101上，其中各单体区域处Ur中的芯片20具有相对的第一表面(出光面)201与第二表面202，且芯片20的第二表面202设置在两第一导电部111a、111b上。实施例中，芯片20例如是覆晶型态，以贴覆方式设置在线路图案上，如跨接在第一导电部111a、111b上。
如第5C图所示，形成一胶体材料30在基板10的上表面101，胶体材料30并覆盖基板10上表面101、该些芯片20和导电孔1130a/1130b。实施例中，胶体材料30例如是白色环氧树脂封胶(epoxy)或硅树脂封胶(silicone resin)。一实施例中，例如经由硅树脂封胶加压成形的方式，包覆芯片20和基板10上表面101。
如第5D图所示，移除部分胶体材料30以形成一胶体层31，胶体层31的顶表面311是暴露出芯片20的第一表面201并切齐芯片20的第一表面201。一实施例中，例如利用研磨(polishing)方式移除部分胶体材料30以暴露出芯片20的第一表面201。
如第5E图所示，涂布一荧光材料40在胶体层31的顶表面311，以于各单体区域Ur的适当区域中形成一荧光层41其中荧光层41至少覆盖芯片20的第一表面201。实施例中，涂布荧光材料40的步骤中，例如是：提供一遮罩(未显示)在胶体层上方，遮罩具有分隔设置的多个开口各对应芯片20的位置，且通过遮罩的开口涂布(如喷淋)荧光材料40在胶体层31的顶表面311上，以形成荧光层41至少完全覆盖芯片20的第一表面201。一实施例中，遮罩开口的面积大于芯片20的面积。一实施例中，荧光层41是直接接触芯片20的第一表面201。再者，一实施例中，切割步骤后形成的各发光二极管中，荧光层41的面积是大于芯片20面积而小于胶体层31的顶表面311的面积。各单体区域Ur中形成荧光层41的面积例如是对应遮罩的开口面积，并可依应用实际条件所需而作相应调整。
之后，如第5F图和图6中所示，切割(dicing)胶体层31、基板10与导电孔1130a/1130b，以形成多个分离的单颗发光二极管的结构。切割后，各发光二极管的导电孔113a/113b(为切割前原导电孔1130a/1130b的一部分)具有接面自第一导电部延伸至第二导电部，且这些接面暴露于基板10的侧表面104(侧表面104连接上表面101和下表面102)并与侧表面104切齐。
实施例中，各单体区域Ur中，两导电孔1130a/1130b与两第一导电部111a/111b是部分重叠，如第5A、5B、6图所示，进行切割时是切除导电孔113a/113b不与第一导电部111a/111b重叠的部分，以形成暴露于基板10的侧表面104处的接面。一实施例中，如第5A、5B、6图所示，各单体区域Ur的两导电孔1130a/1130b是分别对应两第一导电部111a/111b的第一边缘(同侧边缘)1110a/1110b，且对应第一导电部111a/111b的导电孔1130a/1130b长轴是沿第一方向(如x方向)排列，且第一方向平行于一切割方向(如图6中切割道Cx所行的第一切割方向D1)。一实施例中，导电孔1130a/1130b的长轴例如是分别与第一导电部111a/111b的第一边缘1110a/1110b重叠，因此进行胶体层31与基板20的切割步骤时，如图6中切割道Cx是沿第一边缘1110a/1110b切割。因此，切割后各发光二极管单体的导电孔113a/113b可形成如图1所示的暴露于基板10的侧表面104处的接面。一实施例中，导电孔113a/113b的接面是垂直于第一导电部111a/111b和第二导电部112a/112b。由于之前激光钻孔形成贯孔后，是在贯孔内填满导电材料而形成导电孔1130a/1130b，因此导电孔1130a/1130b经切割后，所暴露于基板10侧表面104处的接面是整面的(即导电材料连续面)并与基板10侧表面104切齐，如图1所示。
另外，虽然实施例及图示中是示出以长轴甚大于短轴的长形柱体作贯孔形状以形成导电孔1130a/1130b的说明，但本发明并不特别限制其形状，在基板20中形成的导电孔1130a/1130b只要与电极(如第一导电部111a/111b)的边缘有部分重叠，使其在经过形成单体的切割步骤后可形成暴露于基板10侧表面104处连续性的导电接面，即属本发明可实施的态样。导电孔1130a/1130b的形状(例如在基板10的上表面101的面积和形状，包括长短轴的尺寸等等)都可依实际应用的条件例如所欲形成的接面面积而定，本发明对此并不多做限制。
一实施例中，其中一组设计尺寸例如是，未切割前的基板10的长度LT为109.2mm，宽度WT为54.5mm(图6)，基板10上定义的多个如矩阵排列状的单体区域Ur，其位于同一行(column)的相邻单体区域Ur可具有间距(pitch)WP为1.00mm，而位于同一列(row)的相邻单体区域Ur中两导电孔1130a/1130b的最短距离Lg为1.05mm。激光钻孔在x和y方向上的间距例如大于0.95mm。以宽度约100μm的第一切割道Cx和第二切割道Cy对基板10进行如图6所示的切割。其中，间距WP的大小是以切割时不造成基板不当破裂和不影响导电孔113a/113b暴露的连续性导电接面的范围皆可应用。切割后各单体区域Ur例如是长度为3.0mm(同图2的L1)，宽度为0.4mm(同图2的W1)，而一块厚度0.38mm的基板10，切割后可形成例如是42*30＝1260个侧照式发光二极管的单体。当然，如通常知识者可知，该些数据仅为举例说明之用，本发明的范围并非仅限于该些数据，实际尺寸可根据应用条件所需做适当修改与变化。
另外，由于芯片20在封装过程中反复地进行加热冷却、或是封装后芯片20在运作过程中，会造成热膨胀系数不同的各构装材料层在界面产生热应力，而导致构装材料层产生变形、脱层、崩裂、甚至芯片的毁损。因此实施例中，用来设置芯片20的基板10和覆盖于基板10上与基板直接接触的胶体层31，其自身的热膨胀系数(Coefficient of thermalexpansion，CTE)越小越好，而两者之间的热膨胀系数差异也越小越好，以避免制程中产生的热应力对结构产生不当的破坏。一实施例中，基板10例如是具有低的热膨胀系数(约6ppm/℃)的陶瓷基板，而胶体层31例如是具有低热膨胀系数的白色环氧树脂封胶或硅树脂封胶(硅树脂封胶具有热膨胀系数约14ppm/℃)。再者，陶瓷基板具有高抗弯折强度，也可保护芯片20不受应力拉扯，也有应力阻挡层的功用。另外，胶体层31(例如硅胶加二氧化钛)的反射率例如是至少大于90％，以将芯片20的侧光导至正向，增进正向出光的效率，提升照度。
综合上述，实施例的侧照式发光二极管中，除了胶体层31的顶表面311与芯片20的第一表面201切齐，如图3所示，单颗发光二极管结构中基板10也具有两边缘103分别与101承载表面连接，胶体层31也具有两胶体层侧缘313分别与顶表面311连接。在切割胶体层31与基板10完成单体切割后，胶体层31的两胶体层侧缘313切齐于基板10的两边缘103，导电孔113a/113b是暴露出接面在基板10的侧表面104并切齐于基板10的侧表面104。实际应用时，暴露于基板10侧表面104的导电孔113a/113b接面可与一外部元件(例如外部电路)作黏着以完成电性连接，形成侧照式光源，即芯片20的出光面(即第一表面201)与外接电极(即导电孔113a/113b暴露出之接面)垂直。通过实施例提出的特殊设计，可增加外接电极与外部元件的表面黏着面积(如上述增加导电孔113a/113b的长度Lc)，进而提高与外部电路进行组装时的对位精准度和组装效率。特别是当发光二极管结构尺寸甚小时，实施例的设计还可使单颗结构的产品良率和电性表现，以及与外部连接时的结构上的强度和稳定度皆能显著得到改善。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的范围。

Claims (10)

1.一种发光二极管，其特征在于，包括：
一基板，具有相对的一上表面和一下表面以及连接所述上表面和所述下表面的多个侧表面，所述基板是一平的基板；
一电极结构，至少包括：
两个第一导电部相隔设置在所述基板的所述上表面；
两个第二导电部相隔设置在所述基板的所述下表面；和
两个导电孔贯穿所述基板且相隔设置，各所述导电孔分别连接所述第一导电部和所述第二导电部，且所述导电孔是暴露在所述基板的同一侧的所述侧表面上；
一芯片，具有相对的一第一表面与一第二表面，且所述芯片的所述第二表面面向所述基板的所述上表面，且所述芯片以覆晶方式跨接地设置在两所述第一导电部上；
一胶体层，具有一顶表面，所述胶体层覆盖所述基板的所述上表面和包覆所述芯片的侧表面，并暴露出所述芯片的所述第一表面；和
一荧光层，位于所述芯片的所述第一表面上。
2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述导电孔的接面是自所述第一导电部延伸至所述第二导电部并暴露于所述基板的同一侧的所述侧表面，所述接面与所述侧表面切齐。
3.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述芯片的所述第一表面为一出光面，所述第一表面的延伸方向是实质上垂直于所述导电孔的接面的延伸方向。
4.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述胶体层具有两第二侧面分别与所述基板的所述上表面连接，所述胶体层的所述两第二侧面分别与所述基板的所述两第一侧面共平面。
5.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述荧光层是直接接触所述芯片的所述第一表面，且至少完全遮蔽所述芯片的所述第一表面。
6.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述荧光层的面积实质上等于或大于所述芯片的所述第一表面的面积且小于所述胶体层的所述顶表面的面积。
7.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于，所述荧光层的两侧缘是对应于所述芯片的两边缘到两所述第一导电部的两外边缘之间。
8.一种发光二极管的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基板，所述基板具有相对的一上表面和一下表面，所述基板包括多个单体区域，所述基板是一平的基板；
形成一电极结构在所述基板处，所述电极结构对应于各所述单体区域处至少包括：
两个第一导电部相隔设置在所述基板的所述上表面；
两个第二导电部相隔设置在所述基板的所述下表面；和
两个导电孔贯穿所述基板且相隔设置，各所述导电孔分别连接所述第一导电部和所述第二导电部；
分隔设置多个芯片在所述基板的所述上表面上，其中各所述单体区域中的所述芯片具有相对的一第一表面与一第二表面，且所述芯片的所述第二表面面向所述基板的所述上表面，且所述芯片以覆晶方式跨接地设置在两所述第一导电部上；
形成一胶体材料在所述基板的所述上表面上并包覆所述芯片的侧表面，并暴露出所述芯片的所述第一表面；
涂布一荧光材料在所述芯片的所述第一表面上；和
切割所述胶体层、所述导电孔与所述基板，以形成多个分离的发光二极管，其中各所述发光二极管的所述导电孔具有接面自所述第一导电部延伸至所述第二导电部，且所述接面暴露于所述基板的同一侧表面并与所述侧表面切齐，所述侧表面连接所述上表面和所述下表面。
9.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，各所述发光二极管中，所述芯片的所述第一表面为一出光面，所述第一表面的延伸方向是实质上垂直于所述导电孔的所述接面的延伸方向。
10.根据权利要求8所述的制造方法，其特征在于，切割步骤后，各所述发光二极管的所述基板具有两第一侧面分别与所述上表面和所述下表面连接，所述胶体层具有两第二侧面分别与所述基板的所述上表面连接，且所述胶体层的所述两第二侧面分别与所述基板的所述两第一侧面共平面，所述导电孔暴露出的所述接面是切齐于所述基板的同一侧的所述侧表面。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI557952B (zh) 2014-06-12 2016-11-11 新世紀光電股份有限公司 發光元件
US10580932B2 (en) 2016-12-21 2020-03-03 Nichia Corporation Method for manufacturing light-emitting device
TW201919261A (zh) 2017-11-05 2019-05-16 新世紀光電股份有限公司 發光裝置
CN109192839B (zh) * 2018-09-13 2024-02-20 中山市光圣半导体科技有限公司 一种紫外led立体封装器件及其制造方法
CN109216338A (zh) * 2018-10-25 2019-01-15 深圳市创显光电有限公司 一种感应式led装置及其应用方法
KR20200064399A (ko) * 2018-11-29 2020-06-08 주식회사 글로우원 투명 led 패널
JP7132504B2 (ja) * 2018-11-30 2022-09-07 日亜化学工業株式会社 発光装置
CN113644085B (zh) * 2020-08-14 2023-06-02 友达光电股份有限公司 电子装置及电子装置的制造方法
CN113130729A (zh) * 2021-04-22 2021-07-16 深圳光台实业有限公司 Led封装结构、封装方法及光源

Family Cites Families (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020123163A1 (en) * 2000-04-24 2002-09-05 Takehiro Fujii Edge-emitting light-emitting semiconductor device and method of manufacture thereof
US6952079B2 (en) 2002-12-18 2005-10-04 General Electric Company Luminaire for light extraction from a flat light source
JP2005191530A (ja) * 2003-12-03 2005-07-14 Sumitomo Electric Ind Ltd 発光装置
CN101487951A (zh) 2005-01-31 2009-07-22 凸版印刷株式会社 光学片和使用它的背光源单元以及显示器
US9018655B2 (en) 2005-02-03 2015-04-28 Epistar Corporation Light emitting apparatus and manufacture method thereof
JP4706825B2 (ja) * 2005-02-18 2011-06-22 日亜化学工業株式会社 サイドビュー型発光装置
CN100485989C (zh) * 2005-11-22 2009-05-06 夏普株式会社 发光元件及其制造方法和具备发光元件的背光灯单元及其制造方法
TWI309480B (en) * 2006-07-24 2009-05-01 Everlight Electronics Co Ltd Led packaging structure
US7889421B2 (en) 2006-11-17 2011-02-15 Rensselaer Polytechnic Institute High-power white LEDs and manufacturing method thereof
KR101319209B1 (ko) 2006-11-24 2013-10-16 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치의 백라이트 유닛
TW200841089A (en) 2007-04-09 2008-10-16 Chu-Liang Cheng Light source module and liquid crystal display
US7810956B2 (en) 2007-08-23 2010-10-12 Koninklijke Philips Electronics N.V. Light source including reflective wavelength-converting layer
WO2009066430A1 (ja) 2007-11-19 2009-05-28 Panasonic Corporation 半導体発光装置および半導体発光装置の製造方法
GB0801509D0 (en) 2008-01-28 2008-03-05 Photonstar Led Ltd Light emitting system with optically transparent thermally conductive element
TWI416755B (zh) 2008-05-30 2013-11-21 Epistar Corp 光源模組、其對應之光棒及其對應之液晶顯示裝置
US7825427B2 (en) 2008-09-12 2010-11-02 Bridgelux, Inc. Method and apparatus for generating phosphor film with textured surface
US7928655B2 (en) 2008-11-10 2011-04-19 Visera Technologies Company Limited Light-emitting diode device and method for fabricating the same
EP2448023B1 (en) * 2009-06-22 2016-08-31 Nichia Corporation Light-emitting device
CN102074639B (zh) * 2009-11-24 2013-06-05 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管及其制程
JP2011114093A (ja) 2009-11-25 2011-06-09 Panasonic Electric Works Co Ltd 照明装置
TWI512918B (zh) * 2010-01-14 2015-12-11 Xintec Inc 晶片封裝體及其形成方法
US8771577B2 (en) 2010-02-16 2014-07-08 Koninklijke Philips N.V. Light emitting device with molded wavelength converting layer
US8362515B2 (en) * 2010-04-07 2013-01-29 Chia-Ming Cheng Chip package and method for forming the same
JP5759790B2 (ja) 2010-06-07 2015-08-05 株式会社東芝 半導体発光装置の製造方法
JP2012033823A (ja) 2010-08-02 2012-02-16 Stanley Electric Co Ltd 発光装置およびその製造方法
US20120061700A1 (en) 2010-09-09 2012-03-15 Andreas Eder Method and system for providing a reliable light emitting diode semiconductor device
CN102412344A (zh) * 2010-09-23 2012-04-11 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装方法
TW201218428A (en) 2010-10-25 2012-05-01 Hon Hai Prec Ind Co Ltd Light emitting diode package structure
KR20120050282A (ko) 2010-11-10 2012-05-18 삼성엘이디 주식회사 발광 소자 패키지 및 그 제조 방법
KR20120072962A (ko) 2010-12-24 2012-07-04 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
KR20120082190A (ko) 2011-01-13 2012-07-23 삼성엘이디 주식회사 발광소자 패키지
JP5537446B2 (ja) * 2011-01-14 2014-07-02 株式会社東芝 発光装置、発光モジュール、発光装置の製造方法
US8581287B2 (en) 2011-01-24 2013-11-12 Stanley Electric Co., Ltd. Semiconductor light emitting device having a reflective material, wavelength converting layer and optical plate with rough and plane surface regions, and method of manufacturing
KR20120106568A (ko) 2011-03-18 2012-09-26 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 발광 장치의 제작 방법
US8899767B2 (en) 2011-03-31 2014-12-02 Xicato, Inc. Grid structure on a transmissive layer of an LED-based illumination module
JP5983603B2 (ja) 2011-05-16 2016-08-31 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
DE102011050450A1 (de) 2011-05-18 2012-11-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronischer Halbleiterchip, optoelektronisches Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauelements
JP2013021175A (ja) 2011-07-12 2013-01-31 Toshiba Corp 半導体発光素子
US20130094177A1 (en) 2011-10-13 2013-04-18 Intematix Corporation Wavelength conversion component with improved thermal conductive characteristics for remote wavelength conversion
JP5956167B2 (ja) 2012-01-23 2016-07-27 スタンレー電気株式会社 発光装置、車両用灯具及び発光装置の製造方法
KR101957700B1 (ko) 2012-02-01 2019-03-14 삼성전자주식회사 발광 장치
US8946747B2 (en) 2012-02-13 2015-02-03 Cree, Inc. Lighting device including multiple encapsulant material layers
US9240530B2 (en) 2012-02-13 2016-01-19 Cree, Inc. Light emitter devices having improved chemical and physical resistance and related methods
US9287475B2 (en) 2012-07-20 2016-03-15 Cree, Inc. Solid state lighting component package with reflective polymer matrix layer
JP6099901B2 (ja) 2012-08-23 2017-03-22 スタンレー電気株式会社 発光装置
US9337405B2 (en) * 2012-08-31 2016-05-10 Nichia Corporation Light emitting device and method for manufacturing the same
CN103855142B (zh) 2012-12-04 2017-12-29 东芝照明技术株式会社 发光装置及照明装置
KR20140094752A (ko) 2013-01-22 2014-07-31 삼성전자주식회사 전자소자 패키지 및 이에 사용되는 패키지 기판
JP2014170902A (ja) 2013-03-05 2014-09-18 Toshiba Corp 半導体発光装置及びその製造方法
TW201507209A (zh) 2013-08-01 2015-02-16 Genesis Photonics Inc 發光二極體封裝結構及其製造方法
KR20150042362A (ko) 2013-10-10 2015-04-21 삼성전자주식회사 발광다이오드 패키지 및 그 제조방법
US9419189B1 (en) 2013-11-04 2016-08-16 Soraa, Inc. Small LED source with high brightness and high efficiency
KR102075993B1 (ko) 2013-12-23 2020-02-11 삼성전자주식회사 백색 ｌｅｄ 소자들을 제조하는 방법
KR101584201B1 (ko) 2014-01-13 2016-01-13 삼성전자주식회사 반도체 발광소자 및 이의 제조방법
TWI542047B (zh) 2014-01-13 2016-07-11 邱羅利士公司 發光二極體封裝結構之製法
US20150280078A1 (en) 2014-03-31 2015-10-01 SemiLEDs Optoelectronics Co., Ltd. White flip chip light emitting diode (fc led) and fabrication method
CN204155931U (zh) * 2014-06-25 2015-02-11 常州欧密格光电科技有限公司 一种超小超薄高光效侧射型高亮白光多晶led元件
US20160181476A1 (en) 2014-12-17 2016-06-23 Apple Inc. Micro led with dielectric side mirror

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