CN105575872A - 改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法，本发明通过所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm，增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命；另外，通过铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。

Description

改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法
技术领域
本发明涉及一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法。
背景技术
如图1所示，现有的单极静电吸附盘(ESC)介质表面及电极主体层1跟铝基座2之间有一薄层的环氧树脂材料即树脂保护环3(epoxyprotectionring)，其作用主要有两个：一是起到粘附作用；二是保护铝基座避免受到等离子体损伤。在现有的部件设计基础上随着刻蚀(Etch)总射频时数的增加，树脂保护环由于刻蚀等离子气体的侵蚀，达到一定程度下保护层会出现损伤(Etchdamage)脱落的情况，从而大大降低部件的使用寿命，设计寿命>5000小时，但实际使用寿命小于2000小时。
发明内容
本发明的目的在于提供一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构及方法，能够解决静电吸附盘树脂保护环损伤的问题。
为解决上述问题，本发明提供一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，包括：
介质表面及电极主体，铝基座，及设置于所述介质表面及电极主体和铝基座之间的树脂保护环，其中，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm。
进一步的，在上述结构中，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.15mm。
进一步的，在上述结构中，所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
进一步的，在上述结构中，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
根据本发明的另一面，提供一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，包括：
设置铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm；
在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环。
进一步的，在上述方法中，所述间隙距离为0.15mm。
进一步的，在上述方法中，在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环之前，还包括：
设置所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
进一步的，在上述方法中，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
与现有技术相比，本发明通过所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm，增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命；另外，通过铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。应用本发明可有效改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，部件使用寿命改善效果显著。实验数据表明部件使用寿命从现有的2000小时提高到5000小时。
附图说明
图1是现有的静电吸附盘的结构示意图；
图2是现有的铝基座结构示意图；
图3本发明一实施例的铝基座的结构示意图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
如图1所示，本发明提供一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，包括：
介质表面及电极主体1，铝基座2，及设置于所述介质表面及电极主体1和铝基座2之间的树脂保护环3，其中，所述铝基座2的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离(Gap)即树脂保护环的膜厚为0.13mm～0.17mm。如图1所示，现有的铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.07mm，本实施例通过增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命。
优选的，如图3所示，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.15mm。本实施例将间隙距离增大0.08mm，即由原来的0.07mm增加到0.15mm。
优选的，所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。如图2所示，现有的铝基座的倒角半径为1mm，铝基座的倒角处为氧化铝钝化表面21，铝基座的非倒角处为铝表面22，本实施例通过优化基座倒角半径，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。
优选的，如图3所示，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。本实施例优化铝基座上沿倒角半径，倒角半径从1mm减小至0.5mm。
根据本发明的另一面，本发明还提供另一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，包括：
设置铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离即树脂保护环的膜厚为0.13mm～0.17mm；
在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环。如图1所示，现有的铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.07mm，本实施例通过增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命。
优选的，如图3所示，所述间隙距离为0.15mm。实施例将间隙距离增大0.08mm，即由原来的0.07mm增加到0.15mm。
优选的，在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环之前，还包括，设置所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。如图2所示，现有的铝基座的倒角半径为1mm，铝基座的倒角处为氧化铝钝化表面21，铝基座的非倒角处为铝表面22，本实施例通过优化基座倒角半径，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。
优选的，如图3所示，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。本实施例优化铝基座上沿倒角半径，倒角半径从1mm减小至0.5mm。
综上所述，本发明通过所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm，增加静电吸附盘的铝基座的间隙尺寸，其作用有两个：一是保证树脂保护环膜厚的均匀性及批次之间膜厚工艺重复性；二是增加靠近等离子体方向树脂保护环膜厚(厚度增倍)，改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，从而提高静电吸附盘部件寿命；另外，通过铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm，较小的倒角半径可以使得等离子体难于接触到树脂保护环，减少树脂保护环被侵蚀速度，帮助提高静电吸附盘部件寿命。应用本发明可有效改善静电吸附盘树脂保护环损伤的问题，部件使用寿命改善效果显著。实验数据表明部件使用寿命从现有的2000小时提高到5000小时。
本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。
显然，本领域的技术人员可以对发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包括这些改动和变型在内。

Claims (8)

1.一种改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，包括：
介质表面及电极主体，铝基座，及设置于所述介质表面及电极主体和铝基座之间的树脂保护环，其中，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm。
2.如权利要求1所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，所述铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.15mm。
3.如权利要求1所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
4.如权利要求3所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的结构，其特征在于，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
5.如权利要求1所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，包括：
设置铝基座的上沿外圈1.5mm范围内与所述介质表面及电极主体之间的间隙距离为0.13mm～0.17mm；
在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环。
6.如权利要求5所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，所述间隙距离为0.15mm。
7.如权利要求5所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，在所述铝基座与所述介质表面及电极主体之间的间隙填充树脂保护环之前，还包括：
设置所述铝基座的倒角半径为0.3mm～0.7mm。
8.如权利要求7所述的改善静电吸附盘树脂保护环损伤的方法，其特征在于，所述铝基座的倒角半径为0.5mm。
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