CN110527967B

CN110527967B - 物理气相沉积设备

Info

Publication number: CN110527967B
Application number: CN201910896402.7A
Authority: CN
Inventors: 周云; 宋维聪; 潘钱森; 霍焕俊
Original assignee: Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd
Current assignee: Shanghai Betone Semiconductor Energy Technology Co ltd
Priority date: 2019-09-23
Filing date: 2019-09-23
Publication date: 2020-09-11
Anticipated expiration: 2039-09-23
Also published as: CN110527967A

Abstract

本发明提供一种物理气相沉积设备，通过交流或脉冲直流磁控溅射将薄膜沉积到晶圆表面；包括腔体、永磁装置、靶材、腔体转接器、电磁线圈及晶圆托盘；晶圆托盘用于承载晶圆，晶圆托盘连接有射频电源以形成负偏压；腔体具有上腔部及下腔部，腔体转接器连接于上腔部及下腔部之间，用于增加靶材与晶圆托盘之间的距离；永磁装置位于靶材上方，用于产生初级磁场以实现磁控溅射；电磁线圈用于产生次级磁场以增加靶材边缘处的等离子体密度。本发明可以在膜层的沉积过程中直接实现膜层的平坦化，避免需要使用CMP平坦化工艺进行膜层平坦化的步骤，大幅降低生产成本，同时避免CMP平坦化工艺过程而可能造成的晶圆开裂，大幅提高产能。

Description

物理气相沉积设备

技术领域

本发明涉及一种半导体制造设备，特别是涉及一种物理气相沉积设备。

背景技术

在半导体制造过程中，常常需要采用物理气相沉积设备在晶圆表面或器件表面沉积薄膜。例如，温度补偿型声表滤波器（TC-SAW）是为了增强声表滤波器温度稳定性而开发的新型声表滤波器，被广泛的应用于通信领域。为实现温度补偿型的声表面波器件，需要先在铌酸锂或钽酸锂压电晶圆上制作金属叉指换能器，然后再镀上一定厚度的氧化硅温度补偿层。氧化硅层能有效提高金属插指结构的刚度，改善声表面波与压电晶圆的机电耦合，同时能有效地降低器件频率随温度变化而产生的漂移，从而可将器件的频率温度系数(TCF)大幅降低，例如，普通声表滤波器的TCF值约为-45ppm/℃，而温度补偿型声表滤波器的TCF值可降至-20ppm/℃以下。这种低TCF值的器件被称为温度补偿型声表滤波器。

目前常采用物理气相沉积的方法来制备薄膜，如上述的氧化硅温度补偿层。因为金属叉指结构具有一定的厚度，在金属叉指结构101上完成氧化硅薄膜102沉积后，其表面产生凹凸不平的结构，如图1所示，这种凹凸不平的结构会导致器件的电性能恶化。国内外主流的处理方法是对温度补偿层表面进行化学机械平坦化（CMP）处理，但是化学机械平坦化（CMP）设备昂贵，加入一道化学机械平坦化（CMP）工序会大幅度增加制造成本，而且容易导致压电晶圆在化学机械平坦化（CMP）过程中发生裂片。

同时，为了确保温度补偿型声表滤波器（TC-SAW）的频率和温度补偿性能、可靠性、稳定性以及产品的一致性，对氧化硅层的厚度均匀性有较高的要求，例如，对于直径为四寸的晶圆，氧化硅层的厚度均匀性要求为标准偏差<1%。

发明内容

鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种物理气相沉积设备，用于解决现有技术中膜层沉积后需要进行化学机械平坦化处理导致成本增加及裂片风险增加的问题，以在膜层的沉积过程中直接实现膜层表面的平坦化，避免使用CMP平坦化工艺，降低生产成本和防止裂片。

为实现上述目的及其他相关目的，本发明提供一种物理气相沉积设备，通过交流或脉冲直流磁控溅射将薄膜沉积到晶圆表面；所述物理气相沉积设备包括：腔体、永磁装置、靶材、腔体转接器及晶圆托盘；所述靶材位于所述腔体顶部；所述晶圆托盘位于所述腔体的下部，用于承载晶圆，所述晶圆托盘连接有射频电源以形成负偏压；所述腔体具有上腔部及下腔部，所述腔体转接器连接于所述上腔部及下腔部之间，用于增加所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离；所述永磁装置位于所述靶材上方，用于产生初级磁场以实现磁控溅射。

可选地，还包括一个或多个电磁线圈，所述电磁线圈设置于所述腔体转接器上或者所述腔体的腔壁上，用于产生次级磁场。

进一步地，所述电磁线圈通过改变输入电流的大小和方向来调节所述次级磁场的强度及方向，从而优化所述靶材表面附近的等离子体密度。

进一步地，通过调节所述次级磁场的强度及方向，可以提高所述靶材边缘处等离子体密度和溅射速率，从而增加沉积于所述晶圆边缘的膜层厚度。

可选地，所述电磁线圈放置在所述腔体外部或者内部。

可选地，还包括一个或多个磁环，用于产生次级磁场。

进一步地，所述磁环安装在所述腔体外部或内部，通过上下移动所述磁环和使用不同极性的磁环调节次级磁场的强度及方向，从而优化所述靶材表面附近的等离子体密度。

可选地，还包括阳极环，所述阳极环位于靶材边缘的腔壁上。

进一步地，还包括上挡板，所述上挡板的第一部分连接于所述阳极环及所述腔体转接器之间的腔壁，第二部分向下延伸以遮挡所述腔壁。

可选地，还包括下挡板，所述下挡板连接于腔壁上并朝所述晶圆托盘延伸，用于遮挡所述晶圆托盘的侧面。

可选地，所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离通过所述晶圆托盘的上下移动以及不同厚度的腔体转接器调节，所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离的调节范围介于40mm~90mm之间。

进一步地，所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离的调节介于80mm~90mm之间。

可选地，所述腔体转接器与所述上腔部及下腔部的连接处分别设有密封圈。

可选地，所述晶圆托盘的材质包括不锈钢及铝合金中的一种。

可选地，所述晶圆托盘表面镀有氧化物层或氮化物层。

进一步地，所述晶圆托盘表面镀有氧化铬、氧化硅层及氮化铝层中的一种。

可选地，所述晶圆托盘上形成的负偏压用于增加向晶圆托盘方向运动的正电荷离子的动能，以轰击所述晶圆表面的膜层的凸起区域，使该凸起区域的粒子从所述膜层中脱离，并重新填充所述膜层中的凹陷区域，实现了膜层的平坦化。

可选地，所述射频电源采用的频率范围介于400 KHz~27 MHz之间，加载的射频功率范围为介于100W~450W之间。

可选地，所述晶圆直径为75mm以上。

可选地，所述晶圆的材料选自于铌酸锂压电晶圆及钽酸锂压电晶圆中的一种。

可选地，所述晶圆上具有凸起结构。

进一步地，所述凸起结构包括金属叉指结构。

可选地，所述物理气相沉积设备沉积的薄膜种类包括氧化硅。

如上所述，本发明的物理气相沉积设备，具有以下有益效果：

本发明的物理气相沉积设备可以在氧化硅薄膜的沉积过程中直接实现膜层的平坦化，避免传统需要使用CMP平坦化工艺进行膜层平坦化的步骤，可以大幅降低生产成本，同时避免CMP平坦化工艺过程而可能造成的晶圆开裂，从而可以大幅提高产能。本发明用于温度补偿型声表滤波器（TC-SAW）制造领域，可以在氧化硅薄膜的沉积过程中直接实现插指结构上氧化硅层的平坦化，因无须使用CMP平坦化工艺而可以大幅降低生产成本，同时因为避免了CMP平坦化工艺而杜绝了晶圆开裂，大幅提高产能，为温度补偿型声表滤波器（TC-SAW）制造厂家带来非常可观的经济效益。

本发明在晶圆托盘表面镀上一薄层光滑致密的氧化物层或者氮化物层，能大幅降低裂片的几率；经测试发现添加该氧化物层或者氮化物层后可以将高偏压工艺过程中压电晶圆的破片率从2%降至0.5%甚至更低，从而可以有效地降低成本、提高产能，为厂家带来良好的经济效益。

附图说明

图1显示为现有技术中的物理气相沉积设备沉积的氧化硅示意图，该氧化硅表面呈现有凹凸不平结构。

图2显示为本发明的物理气相沉积设备的结构示意图。

图3显示为本发明的物理气相沉积设备在高偏压正常靶基距工艺条件下沉积的氧化硅的扫描电镜图。

图4显示为本发明的物理气相沉积设备在高偏压大靶基距工艺条件下沉积的氧化硅的扫描电镜图。

图5显示为本发明的物理气相沉积设备在靶基距为80mm时沉积的氧化硅膜厚均匀性和电磁线圈电流大小的关系曲线图。

元件标号说明：

腔体201，下腔部2011，上腔部2012，靶材202，阳极环203，上挡板204，第一部分2041，第二部分2042，下挡板205，电磁线圈206，腔体转接器207，晶圆托盘208，晶圆209，永磁装置210，射频电源211。

具体实施方式

以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。

如在详述本发明实施例时，为便于说明，表示器件结构的剖面图会不依一般比例作局部放大，而且所述示意图只是示例，其在此不应限制本发明保护的范围。此外，在实际制作中应包含长度、宽度及深度的三维空间尺寸。

为了方便描述，此处可能使用诸如“之下”、“下方”、“低于”、“下面”、“上方”、“上”等的空间关系词语来描述附图中所示的一个元件或特征与其他元件或特征的关系。将理解到，这些空间关系词语意图包含使用中或操作中的器件的、除了附图中描绘的方向之外的其他方向。此外，当一层被称为在两层“之间”时，它可以是所述两层之间仅有的层，或者也可以存在一个或多个介于其间的层。

在本申请的上下文中，所描述的第一特征在第二特征 “之上”的结构可以包括第一和第二特征形成为直接接触的实施例，也可以包括另外的特征形成在第一和第二特征之间的实施例，这样第一和第二特征可能不是直接接触。

需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，遂图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局型态也可能更为复杂。

本发明提供一种在物理气相沉积腔内用永磁装置210通过交流或脉冲直流磁控溅射将氧化硅薄膜沉积到晶圆表面的方法，通过增加一个腔体转接器207，大幅增加靶材202到晶圆托盘208的距离，同时配合晶圆托盘208上加载的负偏压以进一步优化氧化硅填充的平整度，并通过可调电磁线圈206或永磁装置210，改善靶材202表面的磁场分布，优化氧化硅薄膜的厚度均匀性。

为实现上述目的，如图2所示，本实施例提供一种物理气相沉积设备，所述物理气相沉积设备主要包括腔体201、永磁装置210、靶材202、阳极环203、腔体转接器207、电磁线圈206、晶圆托盘208、上挡板204以及下挡板205。

如图2所示，所述靶材202位于所述腔体201顶部，用于提供物理气相沉积所需的材料源，所述靶材与交流电源或脉冲直流电源相连，高能离子将所述靶材202中的材料粒子轰出，在晶圆209表面沉积形成所需的材料膜层。

如图2所示，所述晶圆托盘208位于所述腔体201的下部，用于承载晶圆209，所述晶圆托盘208连接有射频电源211以形成负偏压。所述晶圆托盘208上形成的负偏压用于增加向晶圆托盘208方向运动的正电荷离子的动能，以轰击所述晶圆209表面的膜层的凸起区域，使该凸起区域的粒子从所述膜层中脱离，并重新填充所述膜层中的凹陷区域，实现了膜层的平坦化。例如，所述射频电源211采用的频率范围介于400 KHz~27 MHz之间，在本实施例中射频电源211采用的频率可以选用为13.56 MHz，加载的射频功率范围为介于100W~450W之间。

所述晶圆托盘208的材质包括不锈钢及铝合金中的一种。对于一般的氧化硅溅射工艺腔，一般在高偏压的工艺条件下，晶圆209尤其是压电晶圆，如铌酸锂压电晶圆和钽酸锂压电晶圆等在物理气相沉积工艺过程中容易因出现电弧放电现象而发生裂片，为了改善上述缺陷，本实施例在所述晶圆托盘208表面镀有氧化物层或氮化物层，例如，所述氧化物层或氮化物层可以是氧化硅层、氧化铬层或者氮化铝层等，镀上该氧化物层或者氮化物层可以大幅降低工艺过程中压电晶圆的破片率。经测试发现添加该氧化物层或者氮化物层后可以将高偏压工艺过程中压电晶圆的破片率从2%降至0.5%甚至更低，从而可以有效地降低成本、提高产能，为厂家带来良好的经济效益。

为了改善膜层沉积的平整度，如图2所示，所述腔体201具有上腔部2012及下腔部2011，所述腔体转接器207连接于所述上腔部2012及下腔部2011之间，用于增加所述靶材202与所述晶圆托盘208之间的距离。腔体转接器207用来增加靶材202到晶圆托盘208的距离（靶基距），加入腔体转接器207后靶基距变大，同时因为所述晶圆托盘208的位置相对靶材202可以上下移动，所以靶基距可调节的范围变大，所述靶材202与所述晶圆托盘208之间的距离通过所述晶圆托盘208的上下移动以及不同厚度的腔体转接器207调节，所述靶材202与所述晶圆托盘208之间的距离的调节范围介于40mm~90mm之间。具体地，靶基距越大，正电荷粒子和靶材202表面溅射下来的粒子垂直或接近垂直向下运动的方向性越好，就越有利于改善晶圆表面凸起结构（如金属叉指结构）之间的膜层（如氧化硅）填充的平整度。据此，本实施例中，所述靶材202与所述晶圆托盘208之间的距离的最佳调节介于80mm~90mm之间。

所述腔体转接器207与所述上腔部2012及下腔部2011可以通过螺丝及对应设置的螺孔进行固定，并便于所述腔体转接器207与所述上腔部2012及下腔部2011的拆卸，便于依据实际需求更换不同厚度的腔体转接器207，以提高设备的可调及适用范围。为了进一步改善所述腔体转接器207与所述上腔部2012及下腔部2011的密封性，所述腔体转接器207与所述上腔部2012及下腔部2011的连接处分别设有密封圈，所述密封圈可以为橡胶等。

如图2所示，所述电磁线圈206可以设置于所述腔体201外部或者内部，作为示例，所述电磁线圈206设置于所述腔体转接器207上或者所述腔体201的腔壁上，所述电磁线圈206可以为一个或多个，用于产生次级磁场以优化所述靶材202边缘处的等离子体密度。由于靶基距加大之后往往会造成晶圆209边缘膜层偏薄，晶圆209中间相对偏厚，膜厚均匀性变差，具体地，电磁线圈206固定在腔体转接器207上，跟靶材202在同一高度或偏下位置，产生次级磁场，通过改变电磁线圈206的输入电流可以调节线圈产生的次级磁场的强度和方向，优化靶材202表面附近的磁场分布，从而可以有效地提高靶材202边缘处等离子体密度和溅射速率，增加沉积于晶圆209边缘的膜层厚度，优化沉积膜层的均匀性。

在另一实施例中，所述一个或多个电磁线圈206也可以采用一个或多个磁环代替，用于产生次级磁场，所述磁环可以安装在所述腔体外部或内部，通过上下移动所述磁环和使用不同极性的磁环调节次级磁场的强度及方向，从而优化所述靶材表面附近的等离子体密度。

如图2所示，所述永磁装置210位于所述靶材202上方，用于产生初级磁场以实现正常的磁控溅射。

如图2所示，所述阳极环203位于靶材202边缘的腔壁上。所述上挡板204包括第一部分2041及第二部分2042，第一部分2041连接于所述阳极环203及所述腔体转接器207之间的腔壁上，第二部分2042向下延伸以遮挡所述腔壁。具体地，阳极环203位于靶材202边缘侧面跟腔壁和上挡板204之间，用于防止溅射工艺过程中腔内阳极表面被介质膜（如氧化硅绝缘层）完全覆盖，保证阳极正常接地，杜绝阳极消失的问题。同时，所述上挡板204的第二部分2042可以遮挡腔壁，以及腔壁上的腔体转接器207及电磁线圈206，避免溅射粒子在腔壁沉积，膜层越来越厚最终剥落造成腔体201内颗粒过多的问题。

如图2所示，所述下挡板205连接于腔壁上并朝所述晶圆托盘208延伸，用于遮挡所述晶圆托盘208的侧面，防止溅射粒子在其表面沉积，造成腔体201内颗粒过多的问题。

所述晶圆托盘208上放置的晶圆209直径可以选用为75mm以上。所述晶圆209的材料优选为压电晶圆，例如，所述压电晶圆可以选自于铌酸锂压电晶圆及钽酸锂压电晶圆中的一种。所述晶圆209上具有凸起结构，例如，所述凸起结构包括金属叉指结构，所述金属叉指结构的材料优选为铝或者钛。

本实施例的物理气相沉积设备可依据实际需求沉积不同材料的膜层，尤其在所述物理气相沉积设备沉积的薄膜种类为二氧化硅时，膜层厚度均匀性能获得极大的改善。

在一个具体的实施过程中，利用本实施例的物理气相沉积设备在晶圆209上沉积氧化硅薄膜，其中，晶圆209直径选用为75毫米，晶圆209材料选用为铌酸锂或钽酸锂压电晶片，晶圆209上有图形化的金属叉指结构，其高度为170nm，宽度为450nm。

当靶基距跟标准物理沉积工艺腔的靶基距（通常为35-50 mm）相同时，只在晶圆托盘208上加载射频（RF）负偏压，在RF功率为150-200W条件下沉积氧化硅薄膜，能得到如图3所示的高偏压正常靶基距条件下氧化硅表面的SEM图片，可以看出，氧化硅表面平整度跟普通溅射工艺的结果相比有一定的改进，但是表面仍有比较大的起伏。

当物理气相沉积工艺腔的靶基距加大到80mm的时候，同样在晶圆托盘208上加载RF偏压，当RF功率为150-200W条件下沉积氧化硅薄膜，能得到图4所示的高偏压大靶基距条件下氧化硅表面的SEM图片，可以看出，图4显示的氧化硅的表面平整度跟图3相比有了非常大的改进。本发明高偏压大靶基距的氧化硅沉积设备已通过声表滤波器的相关测试，可以在不做CMP平坦化处理的情况下氧化硅层仍能满足温度补偿型声表滤波器（TC-SAW）的需求，器件的TCF值可降至-10ppm/℃。

靶基距加大之后往往会造成晶圆上沉积的氧化硅边缘偏薄，晶圆中间相对偏厚，膜厚均匀性变差。靶基距越大，晶圆边缘相对中间越薄，本实施例使用电磁线圈206来增强靶材202边缘的磁场强度，从而提高晶圆边缘的溅射速率，优化氧化硅膜厚的均匀性。图5显示为在靶基距为80mm的条件下，氧化硅膜厚均匀性和电磁线圈206电流大小的关系曲线；由图可见，对于直径为四寸的晶圆，通过使用电磁线圈206可以把氧化硅的厚度均匀性的标准偏差从4.16%降至0.81%。

本发明在晶圆托盘208表面镀上一薄层光滑致密的氧化物层或者氮化物层，能大幅降低裂片的几率；经测试发现添加该氧化物层或者氮化物层后可以将高偏压工艺过程中压电晶圆的破片率从2%降至0.5%甚至更低，从而可以有效地降低成本、提高产能，为厂家带来良好的经济效益。

所以，本发明有效克服了现有技术中的种种缺点而具高度产业利用价值。

上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims

1.一种物理气相沉积设备，其特征在于，通过交流或脉冲直流磁控溅射将薄膜沉积到晶圆表面；所述物理气相沉积设备包括：腔体、永磁装置、靶材、腔体转接器及晶圆托盘；所述靶材位于所述腔体顶部；所述晶圆托盘位于所述腔体的下部，用于承载晶圆，所述晶圆托盘连接有射频电源以形成负偏压，所述晶圆托盘表面镀有光滑致密的氧化物层或氮化物层；所述腔体具有上腔部及下腔部，所述腔体转接器连接于所述上腔部及下腔部之间，用于增加所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离；所述永磁装置位于所述靶材上方，用于产生初级磁场以实现磁控溅射；还包括一个或多个电磁线圈，所述电磁线圈设置于所述腔体转接器上或者所述腔体的腔壁上，所述电磁线圈与靶材在同一高度或偏下位置，用于产生次级磁场，所述电磁线圈通过改变输入电流的大小和方向来调节所述次级磁场的强度及方向，从而优化所述靶材表面附近的等离子体密度，通过调节所述次级磁场的强度及方向，可以提高所述靶材边缘处等离子体密度和溅射速率，从而增加沉积于所述晶圆边缘的膜层厚度。

2.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述电磁线圈放置在所述腔体外部或者内部。

3.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：还包括一个或多个磁环，用于产生次级磁场。

4.根据权利要求3所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述磁环安装在所述腔体外部或内部，通过上下移动所述磁环和使用不同极性的磁环调节次级磁场的强度及方向，从而优化所述靶材表面附近的等离子体密度。

5.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：还包括阳极环，所述阳极环位于靶材边缘的腔壁上。

6.根据权利要求5所述的物理气相沉积设备，其特征在于：还包括上挡板，所述上挡板的第一部分连接于所述阳极环及所述腔体转接器之间的腔壁，第二部分向下延伸以遮挡所述腔壁。

7.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：还包括下挡板，所述下挡板连接于腔壁上并朝所述晶圆托盘延伸，用于遮挡所述晶圆托盘的侧面。

8.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离通过所述晶圆托盘的上下移动以及不同厚度的腔体转接器调节，所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离的调节范围介于40mm～90mm之间。

9.根据权利要求8所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述靶材与所述晶圆托盘之间的距离的调节为80mm～90mm之间。

10.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述腔体转接器与所述上腔部及下腔部的连接处分别设有密封圈。

11.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆托盘的材质包括不锈钢及铝合金中的一种。

12.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆托盘表面镀有氧化铬、氧化硅层及氮化铝层中的一种。

13.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆托盘上形成的负偏压用于增加向晶圆托盘方向运动的正电荷离子的动能，以轰击所述晶圆表面的膜层的凸起区域，使该凸起区域的粒子从所述膜层中脱离，并重新填充所述膜层中的凹陷区域，实现了膜层的平坦化。

14.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述射频电源采用的频率范围介于400KHz～27MHz之间，加载的射频功率范围为介于100W～450W之间。

15.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆直径为75mm或以上。

16.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆的材料选自于铌酸锂压电晶圆及钽酸锂压电晶圆中的一种。

17.根据权利要求1所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述晶圆上具有凸起结构。

18.根据权利要求17所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述凸起结构包括金属叉指结构。

19.根据权利要求1至18任意一项所述的物理气相沉积设备，其特征在于：所述物理气相沉积设备沉积的薄膜种类包括氧化硅。