CN105551954A - 一种沉积氮化钛薄膜的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 52
- NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N Titanium nitride Chemical compound [Ti]#N NRTOMJZYCJJWKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 49
- XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J titanium tetrachloride Chemical compound Cl[Ti](Cl)(Cl)Cl XJDNKRIXUMDJCW-UHFFFAOYSA-J 0.000 claims abstract description 27
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 24
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 36
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 17
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 9
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 8
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 5
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims description 5
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 3
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 3
- 238000006557 surface reaction Methods 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 9
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- -1 chlorine ions Chemical class 0.000 abstract 2
- 210000002381 plasma Anatomy 0.000 abstract 2
- 238000005086 pumping Methods 0.000 abstract 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 2
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 229910000069 nitrogen hydride Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31105—Etching inorganic layers
- H01L21/31111—Etching inorganic layers by chemical means
- H01L21/31116—Etching inorganic layers by chemical means by dry-etching
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法，首先在真空反应腔体中，只通入少量四氯化钛气体，在一定高温和等离子的共同作用下，将四氯化钛分解成氯离子，氯离子在辅助气体的作用下，清除半导体结构表面的氧化物，反应副产物依靠气泵的作用下抽出反应腔体；而后，继续通入四氯化钛气体和氨气，在高温和等离子体的共同作用下，反应生成所需要氮化钛薄膜。即采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法。
背景技术
目前，三维数据型存储技术(3D-NAND)以其小体积、大容量为出发点，将储存单元采用三维模式层层堆叠的高度集成为设计理念，生产出高单位面积存储密度，高效存储单元性能的的存储器，已经成为新兴存储器设计和生产的主流工艺。
在此工艺制造过程中，将储存单元采用三维模式层层堆叠的低成本，高效率的制造工艺，将是其核心制造技术。因为采用储存单元三维模式层层堆叠的结构，决定了在其生产工艺中将会出现复杂的结构(例如成“L”型的弯曲结构，超深孔洞的结构)，而这些结构中最终要形成金属钨的连接，那么作为金属钨的阻挡层氮化钛的沉积将至关重要。因为为了降低接触电阻，通常需要清除在氮化钛沉积前的结构上一层氧化物。
因此，如何找到一种低成本的方法来去除氧化物以及沉积形成氮化钛阻挡层成为本领域技术人员致力于研究的方向。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明公开了一种沉积氮化钛薄膜的方法，可基于原位清除氮化物工艺，所述方法包括：
步骤S1，提供一待形成氮化钛薄膜的半导体结构，且所述半导体结构的表面具有一层氧化物；
步骤S2，将所述半导体结构放置在一反应腔体中，并向所述反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛(TiCl4)气体，以清除所述氧化物；
步骤S3，继续向所述反应腔体中通入氨气(NH3)和第二体积的四氯化钛气体，以在所述半导体结构的表面形成所述氮化钛薄膜；
其中，所述第一体积小于所述第二体积。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述方法应用于储存单元三维模式层层堆叠的结构的制备工艺中。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述氮化钛薄膜为金属钨(W)的阻挡层。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述辅助气体为氩气(Ar)。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述反应腔体为真空反应腔体。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述反应腔体为具有高温和等离子体(也可以称之为电浆)的气氛的反应腔体。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述步骤S2包括：
步骤S21，将所述半导体结构放置在所述反应腔体中，并向所述反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，所述第一体积的四氯化钛气体在所述高温和等离子体的气氛中分解产生氯离子，所述氯离子在所述辅助气体的作用下，将所述氧化物予以清除；
步骤S21，采用气泵(pump)将所述步骤S21中产生的反应副产物从所述反应腔体中抽出。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述步骤S3包括：
步骤S31，向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气体，在所述高温和等离子体的气氛中，所述氨气和第二体积的四氯化钛气体在所述半导体结构的表面反应生成所述氮化钛薄膜；
步骤S32，采用气泵将所述步骤S31中产生的反应副产物从所述反应腔体中抽出。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，根据工艺需求设定所述第一体积和所述第二体积。
上述的沉积氮化钛薄膜的方法，其中，所述氧化物为自然氧化物(nativeoxide)或金属氧化物(metaloxide)。
上述发明具有如下优点或者有益效果：
本发明公开了一种沉积氮化钛薄膜的方法，通过合理利用氮化钛层沉积原物料四氯化钛中氯元素具有蚀刻氧化物的特性，在温度和气流的配合作用下，原位的清除复杂的半导体结构表面的氧化物，再直接沉积需要的氮化钛薄膜。采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。
附图说明
通过阅读参照以下附图对非限制性实施例所作的详细描述，本发明及其特征、外形和优点将会变得更加明显。在全部附图中相同的标记指示相同的部分。并未可以按照比例绘制附图，重点在于示出本发明的主旨。
图1是本发明实施例中沉积氮化钛薄膜的方法流程图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
如图1所示，本实施例涉及一种沉积氮化钛薄膜的方法，该方法可基于原位清除氮化物工艺应用在储存单元三维模式层层堆叠的结构的制备工艺中，具体的该方法包括如下步骤：
步骤一，提供一待形成氮化钛薄膜的半导体结构，且半导体结构的表面具有一层氧化物，在本发明的实施例中，该半导体结构为待清除氧化层和待形成氮化硅阻挡层的储存单元三维模式层层堆叠的结构。
在本发明一个优选的实施例中，氧化物为自然氧化物或金属氧化物(例如ZrO，HfO等)，在本发明的实施例中，该氧化物的厚度为10～20埃(例如10埃、12埃、15埃或20埃)。
在本发明一个优选的实施例中，氮化钛薄膜为金属钨(W)的阻挡层。
步骤一，将上述半导体结构放置在一反应腔体中，并向反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛(TiCl4)气体，以清除氧化物。
在本发明一个优选的实施例中，上述辅助气体为氩气(Ar)。
在本发明一个优选的实施例中，上述反应腔体为真空反应腔体。
在本发明一个优选的实施例中，上述反应腔体为具有高温和等离子体的气氛的反应腔体。
在本发明一个优选的实施例中，上述步骤一包括：
首先，将半导体结构放置在反应腔体中，并向反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，第一体积的四氯化钛气体在高温和等离子体的气氛中分解产生氯离子，氯离子在辅助气体的作用下，将氧化物予以清除。
其次，采用气泵将清除氧化物的过程中产生的反应副产物从反应腔体中抽出。
步骤三，继续向反应腔体中通入氨气(NH3)和第二体积的四氯化钛气体，以在半导体结构的表面形成氮化钛薄膜；其中，第二体积大于第二体积，在本发明一个优选的实施例中，根据具体的工艺需求设定第一体积和第二体积。
在本发明一个优选的实施例中，步骤三包括：
首先，向反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气体，在高温和等离子体的气氛中，氨气和第二体积的四氯化钛气体在半导体结构的表面反应生成氮化钛薄膜。
其次，采用气泵将生成氮化钛薄膜的过程中产生的反应副产物从反应腔体中抽出。
综上，本发明公开的沉积氮化钛薄膜的方法，首先在真空反应腔体中，只通入少量四氯化钛气体，在一定高温和等离子的共同作用下，将四氯化钛分解成氯离子，氯离子在辅助气体Ar的作用下，清除半导体结构表面的氧化物，反应副产物依靠气泵的作用下，抽出反应腔体。而后，继续通入四氯化钛气体和氨气，在高温和等离子体的共同作用下，反应生成所需要氮化钛薄膜；即采用原位的方法，以低成本的优点来完成复杂结构表面的氧化物清除和氮化钛薄膜的沉积，最终实现晶圆制造成本的降低，且该方法简单易行，操作可控性强。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (10)
1.一种沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，基于原位清除氮化物工艺，所述方法包括：
步骤S1，提供一待形成氮化钛薄膜的半导体结构，且所述半导体结构的表面具有一层氧化物；
步骤S2，将所述半导体结构放置在一反应腔体中，并向所述反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，以清除所述氧化物；
步骤S3，继续向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气体，以在所述半导体结构的表面形成所述氮化钛薄膜；
其中，所述第一体积小于所述第二体积。
2.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述方法应用于储存单元三维模式层层堆叠的结构的制备工艺中。
3.如权利要求2所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述氮化钛薄膜为金属钨的阻挡层。
4.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述辅助气体为氩气。
5.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述反应腔体为真空反应腔体。
6.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述反应腔体为具有高温和等离子体的气氛的反应腔体。
7.如权利要求65所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S2包括：
步骤S21，将所述半导体结构放置在所述反应腔体中，并向所述反应腔体中通入辅助气体和第一体积的四氯化钛气体，所述第一体积的四氯化钛气体在所述高温和等离子体的气氛中分解产生氯离子，所述氯离子在所述辅助气体的作用下，将所述氧化物予以清除；
步骤S21，采用气泵将所述步骤S21中产生的反应副产物从所述反应腔体中抽出。
8.如权利要求6所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述步骤S3包括：
步骤S31，向所述反应腔体中通入氨气和第二体积的四氯化钛气体，在所述高温和等离子体的气氛中，所述氨气和第二体积的四氯化钛气体在所述半导体结构的表面反应生成所述氮化钛薄膜；
步骤S32，采用气泵将所述步骤S31中产生的反应副产物从所述反应腔体中抽出。
9.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，根据工艺需求设定所述第一体积和所述第二体积。
10.如权利要求1所述的沉积氮化钛薄膜的方法，其特征在于，所述氧化物为自然氧化物或金属氧化物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610055250.4A CN105551954A (zh) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 一种沉积氮化钛薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201610055250.4A CN105551954A (zh) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 一种沉积氮化钛薄膜的方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN105551954A true CN105551954A (zh) | 2016-05-04 |
Family
ID=55831068
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201610055250.4A Pending CN105551954A (zh) | 2016-01-27 | 2016-01-27 | 一种沉积氮化钛薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN105551954A (zh) |
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-
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|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
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