CN105515558A - 一种利用多次充电以控制软启动时间的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。本发明能够保证后续模块的运算时间，从而使得后续模块作出精确判断，从而提高了***的可靠性。

Description

一种利用多次充电以控制软启动时间的方法
技术领域
本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种利用多次充电以控制软启动时间的方法。
背景技术
随着现代电子信息产业的蓬勃发现，电子产品向多元化发展。没有充电或只有一次充电的软启动装置在***设计中缺少了设计的灵活性和资源的有效利用，在现代新型电子***的设计中就体现了很大的局限性。因软启动装置是为后续模块提供足够时间来作判断，即相当于一个延时装置，那么没有充电或只有一次充电的软启动装置，因为无法保证后续模块的运算时间，从而无法作出精确判断，从而降低了***的可靠性。
发明内容
本发明的目的就在于为了解决上述问题而提供一种利用多次充电以控制软启动时间的方法。
本发明通过以下技术方案来实现上述目的：
一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。
具体地，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与所述斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，所述反馈控制电路的反馈信号端与所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，所述斜坡信号整形电路的信号输出端与所述软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，所述软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。
更具体地，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P型场效应管，第一所述N型场效应管的漏极同时与第一所述P型场效应管的源极、第二所述P型场效应管的漏极和第二所述N型场效应管的漏极连接，第一所述N型场效应管的源极同时与第一所述P型场效应管的漏极和第三所述N型场效应管的栅极连接，第二所述P型场效应管的源极与第三所述P型场效应管的漏极连接，第三所述P型场效应管的源极、第三所述P型场效应管的衬底极、第二所述P型场效应管的衬底极和第一所述P型场效应管的衬底极均接入电源，第一所述N型场效应管的衬底极、第三所述N型场效应管的源极、第三所述N型场效应管的漏极、第三所述N型场效应管的衬底极、第二所述N型场效应管的源极和第二所述N型场效应管的衬底极均接地。
更具体地，所述斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ分别接在所述与非门Ⅰ的两个输入端上，第三所述反相器Ⅰ和第四所述反相器Ⅰ串联后接在所述与非门Ⅰ的输出端上，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成。
更具体地，所述软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一所述反相器Ⅱ接在所述D触发器的触发端，所述D触发器的输出端同时与所述反相器链的输入端和所述或非门Ⅰ的第一输入端连接，所述反相器链的输出端与所述或非门Ⅰ的第二输入端连接，所述或非门Ⅰ的输出端与第二所述反相器Ⅱ的输入端连接，第二所述反相器Ⅱ的输出端接在所述与非门Ⅱ的其中一个输入端上，所述第三反相器Ⅱ接在所述与非门Ⅱ的输出端上，所述反相器链由多个反相器串联而成。
更具体地，所述反馈控制电路包括五个反相器Ⅲ和一个或非门Ⅱ，所述第一反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的第一输入端，所述第二反相器Ⅲ、所述第三反相器Ⅲ和所述第四反相器Ⅲ依次串联并接在所述或非门Ⅱ的第二输入端，所述第二反相器Ⅲ由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成，所述第五反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的输出端。
本发明的有益效果在于：
本发明能够保证后续模块的运算时间，从而使得后续模块作出精确判断，从而提高了***的可靠性，且所涉及到的硬件结构简单，可以节约控制端口以降低***设计的成本。
附图说明
图1是本发明的逻辑框图；
图2是本发明的对MOS电容充电的斜坡信号发生电路；
图3是本发明的斜坡信号整形电路；
图4是本发明的软启动控制信号发生电路；
图5是本发明的反馈控制电路。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明：
如图1所示，本发明通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，反馈控制电路的反馈信号端与对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，斜坡信号整形电路的信号输出端与软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。
如图2所示，对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P型场效应管，第一N型场效应管的漏极同时与第一P型场效应管的源极、第二P型场效应管的漏极和第二N型场效应管的漏极连接，第一N型场效应管的源极同时与第一P型场效应管的漏极和第三N型场效应管的栅极连接，第二P型场效应管的源极与第三P型场效应管的漏极连接，第三P型场效应管的源极、第三P型场效应管的衬底极、第二P型场效应管的衬底极和第一P型场效应管的衬底极均接入电源，第一N型场效应管的衬底极、第三N型场效应管的源极、第三N型场效应管的漏极、第三N型场效应管的衬底极、第二N型场效应管的源极和第二N型场效应管的衬底极均接地。
对MOS电容充电的斜坡信号发生电路，主要是通过对MOS电容进行充电，产生斜坡信号，并通过相应控制信号控制初始信号的电平值，达到多次充电的目的。
如图3所示，斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一反相器Ⅰ和第二反相器Ⅰ分别接在与非门Ⅰ的两个输入端上，第三反相器Ⅰ和第四反相器Ⅰ串联后接在与非门Ⅰ的输出端上，第一反相器Ⅰ和第二反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成。
斜坡信号整形电路是通过一个逻辑电路(等效为或运算)对初始信号进行整形，产生的输出信号作为软启动控制信号发生电路的控制信号。
如图4所示，软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一反相器Ⅱ接在D触发器的触发端，D触发器的输出端同时与反相器链的输入端和或非门Ⅰ的第一输入端连接，反相器链的输出端与或非门Ⅰ的第二输入端连接，或非门Ⅰ的输出端与第二反相器Ⅱ的输入端连接，第二反相器Ⅱ的输出端接在与非门Ⅱ的其中一个输入端上，第三反相器Ⅱ接在与非门Ⅱ的输出端上，反相器链由多个反相器串联而成。
软启动控制信号发生电路是通过一个D触发器及相应的逻辑电路产生一个控制信号，作为反馈控制电路的输入信号。
如图5所示，反馈控制电路包括五个反相器Ⅲ和一个或非门Ⅱ，第一反相器Ⅲ接在或非门Ⅱ的第一输入端，第二反相器Ⅲ、第三反相器Ⅲ和第四反相器Ⅲ依次串联并接在或非门Ⅱ的第二输入端，第二反相器Ⅲ由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成，第五反相器Ⅲ接在或非门Ⅱ的输出端。
反馈控制电路是通过对初始信号及软启动控制信号进行逻辑运算(等效为与非运算)，产生的输出信号作为对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的控制信号，控制初始信号的电平，从而达到多次充电的目的。
上述内容中的罗马数字用于区分不同电路部分中的相同元器件。
本发明所涉及到的硬件总体结构为图1所示的逻辑框图，图2、图3、图4和图5分别为所涉及到的四个电路的具体原理图，将图2、图3、图4和图5中标注出的相同字符端连接在一起便构成了本发明所涉及到的整个硬件结构电路。
如图2、图3、图4和图5所示的电路原理图，初始时刻，初始信号(IBIAS信号)为低电平，且接到地的NMOS管的栅极(接READY_L信号)电压为低电平，该NMOS管截止，由READY_L控制的PMOS管导通，接到电源的PMOS管截止(因CTR信号的初始状态为高电平)，此时，初始信号(IBIAS信号)的通过对MOS电容充电，使得电压缓慢上升，产生一个斜坡电压信号，当电压上升到某一设定值(通过调节反相器INV_H中串联PMOS管的个数来调节该设定值)时，通过反馈控制电路使得READY_L变为高电平，接到地的NMOS管导通，此时初始信号(IBIAS信号)与地相连，其电压变为低电平，此过程为升压过程1；当初始信号(IBIAS信号)重新变为低电平后，通过初始信号(IBIAS信号)的反馈控制电路后，READY_L信号重新变为高电平，此时，初始信号(IBIAS信号)缓慢升压，但这一次当信号升压至某一设定值时，不会再突变到低电平，这是利用D触发器(DFF)的边沿触发的原理，即本次由于D触发器的时钟端的电平未发生跳变，所以，本次升压过程中初始信号(IBIAS信号)一直升压至某一固定电压值(该固定电压值和与初始信号(IBIAS信号)相连反相器INV_L串联的NMOS管的个数有关)，此过程为升压过程2；当初始信号(IBIAS信号)升压到固定电压值时足以时反相器发生翻转，此时，通过反馈控制电路，使得对MOS电容充电的斜坡信号产生电路中接到电源的PMOS的栅极信号CTR变为低电平，此时，该PMOS管导通，初始信号(IBIAS信号)直接接到电源，初始信号(IBIAS信号)的电压突变至电源电压，此过程为升压过程3。由于是通过对MOS电容进行充电，所以电压是缓慢上升的；且第一次升压过程中，电压升到固定值时又重新变为低电平，即多次升压充电。以上两个原因，使得软启动时间得以控制，从而保证了***的可靠性。
本发明兼容了两种通信协议以控制多通道选择，为***设计提供相当大的灵活性，能适应更多的***设计。在***设计时可以根据I/O资源的情况合理的选择控制方式。在I/O资源丰富的情况下可以选择用特定管脚进行控制这样有利于减小***设计的复杂性；而在I/O资源紧缺的情况下则可以选择用一键脉冲复用管脚的方式进行控制，可以节约控制端口以降低***设计的成本。
说明：本专利中的元器件不限制型号，适用于普遍的元器件，其中，NMOS代表N型场效应管，PMOS代表P型场效应管，INV代表反相器，INV_CHAIN代表多个反相器串联组成的反相器链(串联的反相器的个数视具体情况而定),INV_L代表由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成的反相器(串联的NMOS管的个数视具体情况而定),INV_H代表由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成的反相器(串联的PMOS管的个数视具体情况而定)，NAND代表与非门,NOR代表或非门，DFF代表D触发器。
以上仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围内。

Claims (6)

1.一种利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：通过对MOS电容充电的斜坡信号发生电路、斜坡信号整形电路、软启动控制信号发生电路及反馈控制电路对初始信号进行多次充电，以达到控制软启动时间的目的。
2.根据权利要求1所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的斜坡信号输出端与所述斜坡信号整形电路的斜坡信号输入端连接，所述反馈控制电路的反馈信号端与所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的反馈信号端连接，所述斜坡信号整形电路的信号输出端与所述软启动控制信号发生电路的信号输入端连接，所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路的信号输入端接入复位信号，所述软启动控制信号发生电路的信号输出端作为整个电路模块的输出控制信号端。
3.根据权利要求2所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：所述对MOS电容充电的斜坡信号发生电路包括三个N型场效应管和两个P型场效应管，第一所述N型场效应管的漏极同时与第一所述P型场效应管的源极、第二所述P型场效应管的漏极和第二所述N型场效应管的漏极连接，第一所述N型场效应管的源极同时与第一所述P型场效应管的漏极和第三所述N型场效应管的栅极连接，第二所述P型场效应管的源极与第三所述P型场效应管的漏极连接，第三所述P型场效应管的源极、第三所述P型场效应管的衬底极、第二所述P型场效应管的衬底极和第一所述P型场效应管的衬底极均接入电源，第一所述N型场效应管的衬底极、第三所述N型场效应管的源极、第三所述N型场效应管的漏极、第三所述N型场效应管的衬底极、第二所述N型场效应管的源极和第二所述N型场效应管的衬底极均接地。
4.根据权利要求2所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：所述斜坡信号整形电路包括四个反相器Ⅰ和一个与非门Ⅰ，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ分别接在所述与非门Ⅰ的两个输入端上，第三所述反相器Ⅰ和第四所述反相器Ⅰ串联后接在所述与非门Ⅰ的输出端上，第一所述反相器Ⅰ和第二所述反相器Ⅰ均由一个NMOS管和多个串联的PMOS管组成。
5.根据权利要求2所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：所述软启动控制信号发生电路包括三个反相器Ⅱ、一个D触发器、一个反相器链、一个或非门Ⅰ和一个与非门Ⅱ，第一所述反相器Ⅱ接在所述D触发器的触发端，所述D触发器的输出端同时与所述反相器链的输入端和所述或非门Ⅰ的第一输入端连接，所述反相器链的输出端与所述或非门Ⅰ的第二输入端连接，所述或非门Ⅰ的输出端与第二所述反相器Ⅱ的输入端连接，第二所述反相器Ⅱ的输出端接在所述与非门Ⅱ的其中一个输入端上，所述第三反相器Ⅱ接在所述与非门Ⅱ的输出端上，所述反相器链由多个反相器串联而成。
6.根据权利要求2所述的利用多次充电以控制软启动时间的方法，其特征在于：所述反馈控制电路包括五个反相器Ⅲ和一个或非门Ⅱ，所述第一反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的第一输入端，所述第二反相器Ⅲ、所述第三反相器Ⅲ和所述第四反相器Ⅲ依次串联并接在所述或非门Ⅱ的第二输入端，所述第二反相器Ⅲ由一个PMOS管和多个串联的NMOS管组成，所述第五反相器Ⅲ接在所述或非门Ⅱ的输出端。
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060158170A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Thompsen Brett J Clocked ramp apparatus for voltage regulator softstart and method for softstarting voltage regulators
US20110279045A1 (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Rohm Co., Ltd. Control circuit for switching power supply
US20120126765A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Stone John D Circuit and system with soft-start functionality
CN103904875A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 合肥工业大学 开关电源中的数字软启动电路
CN104135146A (zh) * 2014-07-29 2014-11-05 广州金升阳科技有限公司 软启动方法及电路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060158170A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Thompsen Brett J Clocked ramp apparatus for voltage regulator softstart and method for softstarting voltage regulators
US20110279045A1 (en) * 2010-04-23 2011-11-17 Rohm Co., Ltd. Control circuit for switching power supply
US20120126765A1 (en) * 2010-11-24 2012-05-24 Stone John D Circuit and system with soft-start functionality
CN103904875A (zh) * 2014-03-24 2014-07-02 合肥工业大学 开关电源中的数字软启动电路
CN104135146A (zh) * 2014-07-29 2014-11-05 广州金升阳科技有限公司 软启动方法及电路

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