CN105514266B - 稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.00；并且A为稀土。通过该方法使制备的薄膜热稳定性好，数据保持力好，低功耗。
Description
技术领域
本发明涉及一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，属于微电子技术领域。
背景技术
目前，信息化是当今世界发展的大趋势，是推动经济变革的重要力量。大力推进信息化，是覆盖我国现代化建设全局的战略举措，是贯彻落实科学发展观、全面建设小康社会、构建***和谐社会和建设创新型国家的迫切需要和必然选择（中共中央办公厅，2006—2020年国家信息化发展战略）。信息化的前提条件就是信息的存储、传输和处理。信息的存储是指信息的记录和保存，所以信息存储技术是信息化时代的支柱技术。近些年来，面对信息化带来的数据量的急剧膨胀带来的不断增加的存储需求，同时为了解决传统的存储技术{如闪存（FLASH）技术、动态存储（DRAM）和静态存储（SRAM）}面临的问题，许多半导体厂商和研究机构都在致力开发新一代的非挥发存储器。其中，相变存储器（Phase ChangeRandom Access Memory，缩写为PCRAM）最受研究者关注，这是由于其具有循环寿命长（>1013次）、元件尺寸小、存储密度高、读取速度快、稳定性强、耐高低温（-55-125℃）、抗振动、以及与现有集成电路工艺相兼容等优点，（Yifeng Hu等，Scripta Materialia, 2014，92：4-7）。PCRAM存储数据是利用相变材料中的晶态与非晶态的可逆相***来存储信息的：在非晶态时具有较高电阻可设置为逻辑“0”态，在晶态时具有较低电阻可设置为逻辑“1”态。
人的感觉器官中接受信息最多的是视觉器官（眼睛）。在生产和生活中，人们需要越来越多地利用丰富的视觉信息。所以显示技术是人类的文明的支持技术之一。利用相变材料在存储技术上的优势，如读取速度快、稳定性强、循环寿命长等特点，已有研究显示，可利用相变材料这些特点实现速度超快、分辨率超高的显示。这就将相变材料的应用拓宽到了显示领域。
作为相变存储器和相变显示器的核心，相变薄膜的相变特性决定了最终器件的各项性能。为了同时实现高稳定性、长的循环寿命和超快的读取速度，相变材料必须同时具有较大的非晶态/晶态电阻比、非晶态下的良好温度性、较好的化学稳定性和较低的熔点与热导率。然而，以上这些特点彼此之间存在一定的矛盾，例如较快的结晶速度通常意味着较低的结晶温度，而较低的结晶温度通常会导致数据保持力不理想。因此，研究工作最大的挑战是找到一个既优化又平衡的结果。Sb单元素相变薄膜材料具有低的功耗和极快的读取速度，但是由于相变点温度较低，所以热稳定性和化学稳定性相对较差。近年来，针对相变存储器的不同的应用领域，相变材料的研究范围不懂拓展。为了满足此种需要，目前主要采用两种手段对相变材料进行改性：其一是制备超晶格(多层)相变材料，如Ga30Sb70/Sb70Te20（Changzhou Wang等，Applied Surface Science，2011, 257 :6296-6299）; 其二是利用金属或半导体材料进行改性，如Cr掺杂的Sb3T1相变薄膜（Yangyang Xia等，Journal of Non-Crystalline Solids，2015, 422 :46-50）。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是克服现有技术的缺陷，提供一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料及薄膜制备方法，通过该方法使制备的薄膜热稳定性好，数据保持力好，低功耗。
为了解决上述技术问题，本发明的技术方案是：一种稀土掺杂Sb基相变薄膜材料，它的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y=1.00；并且A为稀土。
进一步，所述A为Er或Pr或Sm。
本发明还提供了一种薄膜制备方法，该薄膜使用稀土掺杂Sb基相变薄膜材料制成，并且该方法的步骤如下：
（a）制备Sb靶。
（b）制备稀土靶材，并将稀土靶材切割后贴置于Sb靶表面。
（c）对贴置稀土的Sb靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜的中稀土的掺杂量通过Sb靶表面贴置的稀土靶材的数量来调控。
进一步，所述稀土为Er或Pr或Sm。
进一步，在步骤（b）中，稀土靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30o。
进一步，在步骤（c）中，磁控溅射时的衬底为SiO2/Si(100)基片；和/或磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为25-35W；和/或磁控溅射采用的溅射气体为Ar气；其中，溅射功率优选为30W。
进一步，所述Ar气的纯度为体积百分比99.999%以上，气体流量为15～45SCCM，溅射气压为0.10～0.35 Pa。所述气体流量优先为30 SCCM，溅射气压优先为0.3Pa。
进一步，制备得到的薄膜的总厚度为50nm。
进一步，所述的稀土靶材和Sb靶材的纯度在原子百分比99.999%以上，本底真空度不大于1×10-4 Pa。
进一步，所述薄膜的厚度通过磁控溅射的溅射时间来调控。
采用了上述技术方案后，本发明提供的稀土掺杂Sb 基相变薄膜材料的厚度可以通过溅射时间控制，薄膜的晶态电阻、相变温度、热稳定性和功耗可以通过稀土掺杂的量进行调控，因此这类薄膜可以应用于相变存储器和相变显示器等。
附图说明
图1 为本发明的不同的Er掺杂量的Sb相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系曲线；
图2 为本发明的不同的稀土（掺杂量相同）种类的相变薄膜材料的原位电阻与温度的关系曲线。
具体实施方式
为了使本发明的内容更容易被清楚地理解，下面根据具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
本例制备稀土Er掺杂(x=0.08)的Sb相变薄膜材料，厚度50nm。
制备步骤为：
1. 清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；
a) 在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗；
b) 在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c) 在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2. 采用射频溅射方法制备薄膜前准备：
a) 装好Sb溅射靶材，在将厚度为2mm, 直径为40mm, 圆心角的度数为30o的扇形Er片一片放置于Sb靶表面，并使其圆心重合。靶材的纯度均达到99.999%（原子百分比），并将本底真空抽至1×10-4 Pa；
b) 设定溅射功率30W；
c) 使用高纯Ar气作为溅射气体（体积百分比达到99.999%），设定Ar气流量为30SCCM，并将溅射气压调节至0.3Pa。
3. 采用磁控溅射方法制备纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间（200s），开始对靶材进行溅射，清洁靶材表面；
b) 靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的射频电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位射频电源，依照设定的溅射时间（120s），开始溅射单层薄膜。
实施例二
本例制备稀土Er掺杂(x=0.16)的Sb相变薄膜材料，厚度50nm。
制备步骤为：
1. 清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；
a) 在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗；
b) 在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c) 在120 ℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2. 采用射频溅射方法制备薄膜前准备：
a) 装好Sb溅射靶材，在将厚度为2mm, 直径为40mm, 圆心角的度数为30o的两片扇形Er片放置于Sb靶表面，并使其圆心重合。靶材的纯度均达到99.999%（原子百分比），并将本底真空抽至1×10-4 Pa；
b) 设定溅射功率25W；
c) 使用高纯Ar气作为溅射气体（体积百分比达到99.999%），设定Ar气流量为15SCCM，并将溅射气压调节至0.1Pa。
3. 采用磁控溅射方法制备纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间（200s），开始对靶材进行溅射，清洁靶材表面；
b) 靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的射频电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位射频电源，依照设定的溅射时间（120s），开始溅射单层薄膜。
实施例三
本例制备稀土Er掺杂(x=0.24)的Sb相变薄膜材料，厚度50nm。
制备步骤为：
1. 清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；
a) 在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗；
b) 在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c) 在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2. 采用射频溅射方法制备薄膜前准备：
a) 装好Sb溅射靶材，在将厚度为2mm, 直径为40mm, 圆心角的度数为30o的三片扇形Er片放置于Sb靶表面，并使其圆心重合。靶材的纯度均达到99.999%（原子百分比），并将本底真空抽至1×10-4 Pa；
b) 设定溅射功率35W；
c) 使用高纯Ar气作为溅射气体（体积百分比达到99.999%），设定Ar气流量为45SCCM，并将溅射气压调节至0.35Pa。
3. 采用磁控溅射方法制备纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间（200s），开始对靶材进行溅射，清洁靶材表面；
b) 靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的射频电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位射频电源，依照设定的溅射时间（120s），开始溅射单层薄膜。
实施例四
本例制备稀土Pr掺杂(x=0.08)的Sb相变薄膜材料，厚度50nm。
制备步骤为：
1. 清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；
a) 在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗；
b) 在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c) 在120℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2. 采用射频溅射方法制备薄膜前准备：
a) 装好Sb溅射靶材，在将厚度为2mm, 直径为40mm, 圆心角的度数为30o的一片扇形Pr片放置于Sb靶表面，并使其圆心重合。靶材的纯度均达到99.999%（原子百分比），并将本底真空抽至1×10-4 Pa；
b) 设定溅射功率32W；
c) 使用高纯Ar气作为溅射气体（体积百分比达到99.999%），设定Ar气流量为20SCCM，并将溅射气压调节至0.2Pa。
3. 采用磁控溅射方法制备纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间（200s），开始对靶材进行溅射，清洁靶材表面；
b) 靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的射频电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位射频电源，依照设定的溅射时间（120s），开始溅射单层薄膜。
实施例五
本例制备稀土Sm掺杂(x=0.08)的Sb相变薄膜材料，厚度50nm。
制备步骤为：
1. 清洗SiO2/Si(100)基片，清洗表面、背面，去除灰尘颗粒、有机和无机杂质；
a) 在丙酮溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗；
b) 在乙醇溶液中强超声清洗3-5分钟，再去离子水冲洗，高纯N2吹干表面和背面；
c) 在120 ℃烘箱内烘干水汽，约20分钟。
2. 采用射频溅射方法制备薄膜前准备：
a) 装好Sb溅射靶材，在将厚度为2mm, 直径为40mm, 圆心角的度数为30o的一片扇形Sm片放置于Sb靶表面，并使其圆心重合。靶材的纯度均达到99.999%（原子百分比），并将本底真空抽至1×10-4 Pa；
b) 设定溅射功率30W；
c) 使用高纯Ar气作为溅射气体（体积百分比达到99.999%），设定Ar气流量为30SCCM，并将溅射气压调节至0.3Pa。
3. 采用磁控溅射方法制备纳米相变薄膜材料：
a)将空基托旋转到靶位，打开靶上所施加的射频电源，依照设定的溅射时间（200s），开始对靶材进行溅射，清洁靶材表面；
b) 靶材表面清洁完成后，关闭靶上所施加的射频电源，将代溅射基片旋转到靶位，开启靶位射频电源，依照设定的溅射时间（120s），开始溅射单层薄膜。
以上所述的具体实施例，对本发明解决的技术问题、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。
Claims (5)
1.一种薄膜制备方法，其特征在于：该薄膜使用稀土掺杂Sb基相变薄膜材料制成，稀土掺杂Sb基相变薄膜材料的化学分子式为SbxAy；其中0<x≤0.92，0<y≤0.48，x+y＝1.00；并且A为稀土，所述A为Pr或Sm，并且该方法的步骤如下：
(a)制备Sb靶；
(b)制备稀土靶材，并将稀土靶材切割后贴置于Sb靶表面；
(c)对贴置稀土靶材的Sb靶进行磁控溅射，制备得到需要的薄膜；其中，所述薄膜中的稀土的掺杂量通过Sb靶表面贴置的稀土靶材的数量来调控；
在所述的步骤(b)中，稀土靶材切割成规则的扇形结构，并且扇形所对的圆心角的度数为30°；
在所述的步骤(c)中，磁控溅射时的衬底为SiO2/Si(100)基片；磁控溅射时的电源采用射频电源，且溅射功率为25-35W；磁控溅射采用的溅射气体为Ar气。
2.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述Ar气的纯度为体积百分比99.999％以上，气体流量为15～45SCCM，溅射气压为0.10～0.35Pa。
3.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的总厚度为50nm。
4.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：所述的稀土靶材和Sb靶材的纯度在原子百分比99.999％以上，本底真空度不大于1×10-4Pa。
5.根据权利要求1所述的一种薄膜制备方法，其特征在于：制备得到的薄膜的厚度通过磁控溅射的溅射时间来调控。
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| CN106374043A (zh) * | 2016-09-26 | 2017-02-01 | 江苏理工学院 | 一种Si‑Sb‑Se纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN106953006A (zh) * | 2017-02-24 | 2017-07-14 | 江苏理工学院 | 一种SiO2 掺杂Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法与用途 |
| CN107732009A (zh) * | 2017-08-31 | 2018-02-23 | 江苏理工学院 | 一种用于相变存储器的钐掺杂锡锑相变薄膜材料及其制备方法 |
| CN110158043A (zh) * | 2018-02-13 | 2019-08-23 | 江苏理工学院 | 一种Pr掺杂Sn-Sb纳米相变薄膜材料及其制备方法 |
| CN108493337A (zh) * | 2018-04-27 | 2018-09-04 | 江苏理工学院 | 一种镧系元素铈掺杂纯锑纳米相变材料及其制备方法 |
| CN112397644B (zh) * | 2019-08-15 | 2023-07-14 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 一种相变材料、相变存储单元及其制备方法 |
| CN113285021B (zh) * | 2021-05-20 | 2023-06-09 | 江苏理工学院 | 一种Y掺杂Sb基纳米相变存储薄膜材料及其制备方法和应用 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101232036A (zh) * | 2007-01-23 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 相变存储器及其制造方法 |
| CN101315811A (zh) * | 2008-07-22 | 2008-12-03 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 动态相变存储器 |
| CN101630559A (zh) * | 2009-07-03 | 2010-01-20 | 北京工业大学 | 一种用于信息存储的(GeTe)a(Sb2Te3)b基稀磁半导体材料 |
| CN103794224A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-05-14 | 华中科技大学 | 一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法 |
-
2015
- 2015-12-03 CN CN201510876374.4A patent/CN105514266B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN101232036A (zh) * | 2007-01-23 | 2008-07-30 | 三星电子株式会社 | 相变存储器及其制造方法 |
| CN101315811A (zh) * | 2008-07-22 | 2008-12-03 | 中国科学院上海微***与信息技术研究所 | 动态相变存储器 |
| CN101630559A (zh) * | 2009-07-03 | 2010-01-20 | 北京工业大学 | 一种用于信息存储的(GeTe)a(Sb2Te3)b基稀磁半导体材料 |
| CN103794224A (zh) * | 2014-01-27 | 2014-05-14 | 华中科技大学 | 一种基于相变磁性材料的非易失性逻辑器件及逻辑操作方法 |
Non-Patent Citations (3)
| Title |
|---|
| Characterizations and thermal stability improvement of phase-change memory device containing Ce-doped GeSbTe films;Yu-Jen Huang,et al;《Thin Solid Films》;20111211;第520卷(第9期);全文 * |
| Thin films of Sb<sub>2</sub>S<sub>3</sub> doped by Sm<up>3+</up> ions;B. Frumarova, et al;《Journal of Non-Crystalline Solids》;20031001;第326-327卷;全文 * |
| Yb-doped SnTe semimetal thin films deposited by thermal evaporation: Structural, electrical,and thermoelectric properties;A.Hmood,et al;《Superlattices and Microstructures》;20141023;第76卷;全文 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN105514266A (zh) | 2016-04-20 |
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