CN105483652A - 化学气相沉积装置及其使用方法 - Google Patents

化学气相沉积装置及其使用方法 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种化学气相沉积装置及其使用方法，所述化学气相沉积装置包括相对设置的上、下极板、设于所述下极板上方的沉积基板、设于所述下极板下方的基座、以及设于所述基座下方的支撑件；其中，所述支撑件、基座、下极板、及沉积基板之间通过数个螺纹柱以及分别套设于数个螺纹柱上且位于所述沉积基板上方的数个螺帽相连接；从而通过调节数个螺帽的高度即可实现所述下极板的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板之间的间距可调，在实际生产成膜过程中，可将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，对膜厚均匀性起到改善作用。

Description

化学气相沉积装置及其使用方法
技术领域
本发明涉及化学气相沉积技术领域，尤其涉及一种化学气相沉积装置及其使用方法。
背景技术
化学气相沉积(CVD，ChemicalVaporDeposition)是一种制备薄膜材料的气相生长方法，它是把一种或几种含有构成薄膜元素的化合物、单质气体通入放置有基材的反应室，借助空间气相化学反应在基体表面上沉积固态薄膜的工艺技术。化学气相沉积的反应机理为：将反应气体导入反应器中，在热能、电能或光能的作用下发生解离而变成活性极强的离子或离子团(plasma)，所述离子或离子团通过扩散方式到达固体基板表面发生化学反应生成固态产物并沉积在基板表面。
如图1所示，为现有的一种化学气相沉积装置，其包括制程腔100、设于制程腔100内且相对设置的上极板(Diffuser)200与下极板(Susceptor)300、以及设于制程腔100内且设于所述下极板300上方的玻璃基板400，其中，所述制程腔100是CVD成膜的反应场所，气体在制程腔100中电离，部分或全部发生解离而形成高能原子、正负离子、电子和气体分子的混合体，到达基板表面发生化学反应并沉积在玻璃基板400上；所述上极板200用于让反应气体能够均匀的到达玻璃基板400表面，从而提高成膜的均匀性；所述下极板300给玻璃基板400提供一个平行度很好的沉膜平台并且给玻璃基板400提供反应所需的制程温度。
对于化学气相沉积来说，上极板200与下极板300之间的间距(spacing)是CVD成膜的重要工艺参数，它影响离子团(plasma)的分布，从而影响膜层的沉积速率和成膜均匀性。在一定范围内，当间距增大时，成膜的厚度也增大。然而，如果间距太大，大大影响淀积速度，并造成颗粒(particle)问题，则会严重影响成膜质量。如果间距太小，从喷嘴(Showhead)出来的强气流直接喷到玻璃基板400上，强气流直接冲击玻璃基板400表面，离子可能来不及淀积就被强气流带走，这样就降低了成膜速率。所以，在适当的范围内，调整上极板200与下极板300的间距大小，可以相应改变成膜的厚度。
在实际生产中，制程腔100两侧的膜厚是存在差异的。在图1所示的制程腔结构中，制程腔100左侧的干泵(DryPump)500具有抽气的作用，导致腔内两侧气流不对称，即腔左侧的气流密度要大于右侧的气流密度。再者，制程腔100左侧的真空阀(SlitValve)600处开有小槽，导致离子团(plasma)在此聚集程度比较高。综合以上两点，制程腔100左侧成膜的膜厚要大于右侧成膜的膜厚，使用现有的化学气相沉积装置会导致成膜的不均匀。
发明内容
本发明的目的在于提供一种化学气相沉积装置，在使用的过程中可以根据成膜的均匀程度调整不同位置的上、下极板之间的间距大小，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，对膜厚均匀性起到改善作用。
本发明的目的还在于提供一种化学气相沉积装置的使用方法，通过调节化学气相沉积装置中不同位置的螺纹柱上的螺帽的高度，调节不同位置的上、下极板之间的间距，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，起到改善膜厚均匀性的作用。
为实现上述目的，本发明提供一种化学气相沉积装置，包括相对设置的上极板与下极板、设于所述下极板上方的沉积基板、设于所述下极板下方的基座、以及设于所述基座下方的支撑件；
其中，所述基座包括用于支撑所述下极板的第一支撑板、以及固定连接于所述第一支撑板中央下方的支撑块；所述支撑件包括用于支撑所述基座的第二支撑板、以及固定连接于所述第二支撑板中央下方的支撑柱；
所述第二支撑板与第一支撑板、下极板、及沉积基板之间通过数个螺纹柱以及分别套设于数个螺纹柱上且位于所述沉积基板上方的数个螺帽相连接；
所述数个螺纹柱的底部分别与第二支撑板固定连接，所述第一支撑板、下极板、及沉积基板中分别设有数个第一、第二、第三通孔，所述数个螺纹柱穿过所述第一支撑板、下极板、及沉积基板中的第一、第二、第三通孔并延伸出去，数个螺帽从所述沉积基板的上方套设于数个螺纹柱上，并且与螺纹柱之间实现螺纹连接，从而通过调节数个螺帽的高度即可实现所述下极板的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板之间的间距可调。
所述支撑件与基座、下极板、及沉积基板之间通过两个螺纹柱及两个螺帽相连接，且所述两个螺纹柱分别位于所述下极板的左右两侧。
所述上、下极板为两块上下平行的电极，其中，所述上极板与射频电源相连，所述下极板接地。
所述沉积基板为玻璃基板。
所述第一支撑板与第二支撑板为圆形或三角形基板。
所述基座通过传动装置连接到步进马达，以步进方式升降下极板。
所述化学气相沉积装置还包括腔室本体，所述上极板、下极板、沉积基板、基座均位于所述腔室本体内部，所述支撑件的第二支撑板位于所述腔室本体内部，所述支撑件的支撑柱的上部位于所述腔室本体内部，下部从所述腔室本体穿出，位于所述腔室本体外部；所述腔室本体上设有用来向腔室本体内部通入反应气体的进气孔。
所述支撑柱外设有水平方向限位套，所述水平方向限位套位于所述腔室本体的外部，且通过连接机构固定于墙壁上。
本发明还提供一种化学气相沉积装置的使用方法，包括如下步骤：
步骤1、提供一化学气相沉积装置，其包括相对设置的上极板与下极板、设于所述下极板上方的沉积基板、设于所述下极板下方的基座、以及设于所述基座下方的支撑件；
其中，所述基座包括用于支撑所述下极板的第一支撑板、以及固定连接于所述第一支撑板中央下方的支撑块；所述支撑件包括用于支撑所述基座的第二支撑板、以及固定连接于所述第二支撑板中央下方的支撑柱；
所述第二支撑板与第一支撑板、下极板、及沉积基板之间通过数个螺纹柱以及分别套设于数个螺纹柱上且位于所述沉积基板上方的数个螺帽相连接；
所述数个螺纹柱的底部分别与第二支撑板固定连接，所述第一支撑板、下极板、及沉积基板中分别设有数个第一、第二、第三通孔，所述数个螺纹柱穿过所述第一支撑板、下极板、及沉积基板中的第一、第二、第三通孔并延伸出去，数个螺帽从所述沉积基板的上方套设于数个螺纹柱上，并且与螺纹柱之间实现螺纹连接；所述腔室本体上设有用来向腔室本体内部通入反应气体的进气孔；
步骤2、通过进气孔向腔室本体内部通入反应气体，射频电源通过上极板向腔室本体内部提供能量，下极板作为下电极直接接地，从而在上极板和下极板之间产生射频电场，将反应气体激发成等离子体，进而对放置于下极板上的沉积基板进行镀膜；
步骤3、当所述步骤2中出现下极板上不同位置的成膜厚度不一的情况时，停止沉积制程，打开腔室本体，通过调节不同位置的螺纹柱上的螺帽的高度，调节不同位置的上、下极板之间的间距，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，起到改善膜厚均匀性的作用。
所述化学气相沉积装置中，所述支撑件与基座、下极板、及沉积基板之间通过两个螺纹柱及两个螺帽相连接，且所述两个螺纹柱分别位于所述下极板的左右两侧；
在步骤2中，当下极板左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板左侧的螺帽向上拧，将下极板右侧的螺帽向下拧，从而使得下极板的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，此时，左侧的上、下极板的间距变小，右侧的上、下极板的间距变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板上成膜的均匀性；
在步骤2中，当下极板右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板右侧的螺帽向上拧，将下极板左侧的螺帽向下拧，从而使得下极板的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板的间距变小，左侧的上、下极板的间距变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板上成膜的均匀性。
本发明的有益效果：本发明提供的一种化学气相沉积装置及其使用方法，所述化学气相沉积装置包括相对设置的上、下极板、设于所述下极板上方的沉积基板、设于所述下极板下方的基座、以及设于所述基座下方的支撑件；其中，所述支撑件、基座、下极板、及沉积基板之间通过数个螺纹柱以及分别套设于数个螺纹柱上且位于所述沉积基板上方的数个螺帽相连接；从而通过调节数个螺帽的高度即可实现所述下极板的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板之间的间距可调，在实际生产成膜过程中，可将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，对膜厚均匀性起到改善作用。
附图说明
为了能更进一步了解本发明的特征以及技术内容，请参阅以下有关本发明的详细说明与附图，然而附图仅提供参考与说明用，并非用来对本发明加以限制。
附图中，
图1为现有的一种化学气相沉积装置的结构示意图；
图2为本发明的化学气相沉积装置的结构示意图；
图3为本发明的化学气相沉积装置中上、下极板的间距调整后的效果示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明所采取的技术手段及其效果，以下结合本发明的优选实施例及其附图进行详细描述。
请参阅图2，本发明提供一种化学气相沉积装置，包括相对设置的上极板10与下极板20、设于所述下极板20上方的沉积基板30、设于所述下极板20下方的基座40、以及设于所述基座40下方的支撑件50；
其中，所述基座40包括用于支撑所述下极板20的第一支撑板41、以及固定连接于所述第一支撑板41中央下方的支撑块42；所述支撑件50包括用于支撑所述基座40的第二支撑板51、以及固定连接于所述第二支撑板51中央下方的支撑柱52；
具体的，所述第二支撑板51与第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30之间通过数个螺纹柱60以及分别套设于数个螺纹柱60上且位于所述沉积基板30上方的数个螺帽70相连接；
具体的，所述数个螺纹柱60的底部分别与第二支撑板51固定连接，所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中分别设有数个第一、第二、第三通孔43、23、33，所述数个螺纹柱60穿过所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，数个螺帽70从所述沉积基板30的上方套设于数个螺纹柱60上，并且与螺纹柱60之间实现螺纹连接，从而通过调节数个螺帽70的高度即可实现所述下极板20的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板10、20之间的间距可调，对膜厚均匀性起到改善作用。
如图2所示，在本发明提供的实施例中，所述支撑件50与基座40、下极板20、及沉积基板30之间通过两个螺纹柱60及两个螺帽70相连接，且所述两个螺纹柱60分别位于所述下极板20的左右两侧。
在化学气相沉积过程中，当下极板20左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，可以将下极板20左侧的螺帽70向上拧，将下极板20右侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，实现如图3所示的效果，此时，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，右侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
反之，当下极板20右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，可以将下极板20右侧的螺帽70向上拧，将下极板20左侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
同理，当螺纹柱60分布于下极板20的前后位置时，可以通过调整下极板20在前后方向的倾斜角度，从而调整下极板20前后方向的成膜均匀性。具体的，所述螺纹柱60还可以均匀性分布于下极板20的其它位置，通过调整不同位置的螺帽70的高度来调整下极板20上成膜的均匀性。
具体的，所述上、下极板10、20为两块上下平行的电极，其中，所述上极板10与射频电源11相连，所述下极板20接地。
具体的，所述沉积基板30为反应气体沉积成膜的衬底基板，优选的，所述沉积基板30为玻璃基板。
具体的，所述第一支撑板41与第二支撑板51可以为圆形、三角形或其它形状的基板。
具体的，所述基座40通过传动装置连接到步进马达，以步进方式升降下极板20。
具体的，所述化学气相沉积装置还包括腔室本体90，所述上极板10、下极板20、沉积基板30、基座40均位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的第二支撑板51位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的支撑柱52的上部位于所述腔室本体90内部，下部从所述腔室本体90穿出，位于所述腔室本体90外部。
具体的，所述腔室本体90上设有用来向腔室本体90内部通入反应气体的进气孔91。
具体的，所述支撑柱52外设有水平方向限位套80，所述水平方向限位套80位于所述腔室本体90的外部，且通过连接机构固定于墙壁或其它物体上，当所述基座40在步进马达的带动下上下运动时，由于基座40与支撑件50通过螺纹柱60与螺帽70连接，从而支撑件50也会随基座40上下运动，此时，所述水平方向限位套80对所述支撑柱52起到水平方向限位的作用。
请参阅图2-3，本发明还提供一种化学气相沉积装置的使用方法，包括如下步骤：
步骤1、如图2所示，提供一化学气相沉积装置，其包括相对设置的上极板10与下极板20、设于所述下极板20上方的沉积基板30、设于所述下极板20下方的基座40、以及设于所述基座40下方的支撑件50；
其中，所述基座40包括用于支撑所述下极板20的第一支撑板41、以及固定连接于所述第一支撑板41中央下方的支撑块42；所述支撑件50包括用于支撑所述基座40的第二支撑板51、以及固定连接于所述第二支撑板51中央下方的支撑柱52；
所述第二支撑板51与第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30之间通过数个螺纹柱60以及分别套设于数个螺纹柱60上且位于所述沉积基板30上方的数个螺帽70相连接；
所述数个螺纹柱60的底部分别与第二支撑板51固定连接，所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中分别设有数个第一、第二、第三通孔43、23、33，所述数个螺纹柱60穿过所述第一支撑板41、下极板20、及沉积基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，数个螺帽70从所述沉积基板30的上方套设于数个螺纹柱60上，并且与螺纹柱60之间实现螺纹连接；
所述化学气相沉积装置还包括腔室本体90，所述上极板10、下极板20、沉积基板30、基座40均位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的第二支撑板51位于所述腔室本体90内部，所述支撑件50的支撑柱52的上部位于所述腔室本体90内部，下部从所述腔室本体90穿出，位于所述腔室本体90外部；所述腔室本体90上设有用来向腔室本体90内部通入反应气体的进气孔91；
步骤2、通过进气孔91向腔室本体90内部通入反应气体，射频电源11通过上极板10向腔室本体90内部提供能量，下极板20作为下电极直接接地，从而在上极板10和下极板20之间产生射频电场，将反应气体激发成等离子体，进而对放置于下极板20上的沉积基板30进行镀膜；
步骤3、如图3所示，当所述步骤2中出现下极板20上不同位置的成膜厚度不一的情况时，停止沉积制程，打开腔室本体90，通过调节不同位置的螺纹柱60上的螺帽70的高度，调节不同位置的上、下极板10、20之间的间距，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，起到改善膜厚均匀性的作用。
优选的，所述化学气相沉积装置中，所述支撑件50与基座40、下极板20、及沉积基板30之间通过两个螺纹柱60及两个螺帽70相连接，且所述两个螺纹柱60分别位于所述下极板20的左右两侧。
在步骤2中，当下极板20左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板20左侧的螺帽70向上拧，将下极板20右侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，实现如图3所示的效果，此时，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，右侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
在步骤2中，当下极板20右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板20右侧的螺帽70向上拧，将下极板20左侧的螺帽70向下拧，从而使得下极板20的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变小，左侧的上、下极板10、20的间距(spacing)变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板20上成膜的均匀性。
综上所述，本发明提供的一种化学气相沉积装置及其使用方法，所述化学气相沉积装置包括相对设置的上、下极板、设于所述下极板上方的沉积基板、设于所述下极板下方的基座、以及设于所述基座下方的支撑件；其中，所述支撑件、基座、下极板、及沉积基板之间通过数个螺纹柱以及分别套设于数个螺纹柱上且位于所述沉积基板上方的数个螺帽相连接；从而通过调节数个螺帽的高度即可实现所述下极板的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板之间的间距可调，在实际生产成膜过程中，可将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，对膜厚均匀性起到改善作用。
以上所述，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本发明的技术方案和技术构思作出其他各种相应的改变和变形，而所有这些改变和变形都应属于本发明后附的权利要求的保护范围。

Claims (10)

1.一种化学气相沉积装置，其特征在于，包括相对设置的上极板(10)与下极板(20)、设于所述下极板(20)上方的沉积基板(30)、设于所述下极板(20)下方的基座(40)、以及设于所述基座(40)下方的支撑件(50)；
其中，所述基座(40)包括用于支撑所述下极板(20)的第一支撑板(41)、以及固定连接于所述第一支撑板(41)中央下方的支撑块(42)；所述支撑件(50)包括用于支撑所述基座(40)的第二支撑板(51)、以及固定连接于所述第二支撑板(51)中央下方的支撑柱(52)；
所述第二支撑板(51)与第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过数个螺纹柱(60)以及分别套设于数个螺纹柱(60)上且位于所述沉积基板(30)上方的数个螺帽(70)相连接；
所述数个螺纹柱(60)的底部分别与第二支撑板(51)固定连接，所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中分别设有数个第一、第二、第三通孔(43、23、33)，所述数个螺纹柱(60)穿过所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中的第一、第二、第三通孔(43、23、33)并延伸出去，数个螺帽(70)从所述沉积基板(30)的上方套设于数个螺纹柱(60)上，并且与螺纹柱(60)之间实现螺纹连接，从而通过调节数个螺帽(70)的高度即可实现所述下极板(20)的不同位置及不同角度的倾斜，使得上、下极板(10、20)之间的间距可调。
2.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述支撑件(50)与基座(40)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过两个螺纹柱(60)及两个螺帽(70)相连接，且所述两个螺纹柱(60)分别位于所述下极板(20)的左右两侧。
3.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述上、下极板(10、20)为两块上下平行的电极，其中，所述上极板(10)与射频电源(11)相连，所述下极板(20)接地。
4.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述沉积基板(30)为玻璃基板。
5.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述第一支撑板(41)与第二支撑板(51)为圆形或三角形基板。
6.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述基座(40)通过传动装置连接到步进马达，以步进方式升降下极板(20)。
7.如权利要求1所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述化学气相沉积装置还包括腔室本体(90)，所述上极板(10)、下极板(20)、沉积基板(30)、基座(40)均位于所述腔室本体(90)内部，所述支撑件(50)的第二支撑板(51)位于所述腔室本体(90)内部，所述支撑件(50)的支撑柱(52)的上部位于所述腔室本体(90)内部，下部从所述腔室本体(90)穿出，位于所述腔室本体(90)外部；所述腔室本体(90)上设有用来向腔室本体(90)内部通入反应气体的进气孔(91)。
8.如权利要求7所述的化学气相沉积装置，其特征在于，所述支撑柱(52)外设有水平方向限位套(80)，所述水平方向限位套(80)位于所述腔室本体(90)的外部，且通过连接机构固定于墙壁上。
9.一种化学气相沉积装置的使用方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤1、提供一化学气相沉积装置，其包括相对设置的上极板(10)与下极板(20)、设于所述下极板(20)上方的沉积基板(30)、设于所述下极板(20)下方的基座(40)、以及设于所述基座(40)下方的支撑件(50)；
其中，所述基座(40)包括用于支撑所述下极板(20)的第一支撑板(41)、以及固定连接于所述第一支撑板(41)中央下方的支撑块(42)；所述支撑件(50)包括用于支撑所述基座(40)的第二支撑板(51)、以及固定连接于所述第二支撑板(51)中央下方的支撑柱(52)；
所述第二支撑板(51)与第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过数个螺纹柱(60)以及分别套设于数个螺纹柱(60)上且位于所述沉积基板(30)上方的数个螺帽(70)相连接；
所述数个螺纹柱(60)的底部分别与第二支撑板(51)固定连接，所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中分别设有数个第一、第二、第三通孔(43、23、33)，所述数个螺纹柱(60)穿过所述第一支撑板(41)、下极板(20)、及沉积基板(30)中的第一、第二、第三通孔(43、23、33)并延伸出去，数个螺帽(70)从所述沉积基板(30)的上方套设于数个螺纹柱(60)上，并且与螺纹柱(60)之间实现螺纹连接；
所述化学气相沉积装置还包括腔室本体(90)，所述上极板(10)、下极板(20)、沉积基板(30)、基座(40)均位于所述腔室本体(90)内部，所述支撑件(50)的第二支撑板(51)位于所述腔室本体(90)内部，所述支撑件(50)的支撑柱(52)的上部位于所述腔室本体(90)内部，下部从所述腔室本体(90)穿出，位于所述腔室本体(90)外部；所述腔室本体(90)上设有用来向腔室本体(90)内部通入反应气体的进气孔(91)；
步骤2、通过进气孔(91)向腔室本体(90)内部通入反应气体，射频电源(11)通过上极板(10)向腔室本体(90)内部提供能量，下极板(20)作为下电极直接接地，从而在上极板(10)和下极板(20)之间产生射频电场，将反应气体激发成等离子体，进而对放置于下极板(20)上的沉积基板(30)进行镀膜；
步骤3、当所述步骤2中出现下极板(20)上不同位置的成膜厚度不一的情况时，停止沉积制程，打开腔室本体(90)，通过调节不同位置的螺纹柱(60)上的螺帽(70)的高度，调节不同位置的上、下极板(10、20)之间的间距，将膜厚比较大的地方间距调小，将膜厚比较小的地方间距调大，从而改变膜厚，起到改善膜厚均匀性的作用。
10.如权利要求9所述的化学气相沉积装置的使用方法，其特征在于，所述化学气相沉积装置中，所述支撑件(50)与基座(40)、下极板(20)、及沉积基板(30)之间通过两个螺纹柱(60)及两个螺帽(70)相连接，且所述两个螺纹柱(60)分别位于所述下极板(20)的左右两侧；
在步骤2中，当下极板(20)左侧成膜的厚度要大于右侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板(20)左侧的螺帽(70)向上拧，将下极板(20)右侧的螺帽(70)向下拧，从而使得下极板(20)的左侧向上倾斜，右侧向下倾斜，此时，左侧的上、下极板(10、20)的间距变小，右侧的上、下极板(10、20)的间距变大，从而降低左侧的成膜速率及厚度，提高右侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板(20)上成膜的均匀性；
在步骤2中，当下极板(20)右侧成膜的厚度要大于左侧成膜的厚度时，所述步骤3中，通过将下极板(20)右侧的螺帽(70)向上拧，将下极板(20)左侧的螺帽(70)向下拧，从而使得下极板(20)的右侧向上倾斜，左侧向下倾斜，此时，右侧的上、下极板(10、20)的间距变小，左侧的上、下极板(10、20)的间距变大，从而降低右侧的成膜速率及厚度，提高左侧的成膜速率及厚度，进而提高下极板(20)上成膜的均匀性。
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