CN105448423B - 导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板 - Google Patents

Abstract

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。导电膜的制作方法包括步骤S1，提供一透明基材；步骤S2，在所述透明基材上涂布光刻胶层；步骤S3，在所述光刻胶层上制作出相应图案化的凹槽并利用紫外光照固化所述光刻胶层，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸；步骤S4，在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液，该步骤中的涂布方式为狭缝式挤压涂布，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°；所述纳米银线的线长为10μm‑300μm，线径小于500nm，长宽比大于400；及步骤S5，固化所述凹槽内的纳米银线溶液以形成纳米银线导电膜。

Description

导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板

【技术领域】

本发明涉及触控技术领域，特别涉及一种导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。

【背景技术】

在传统智能手机，如iphone等的电容式触控面板中，导电膜的材料通常为氧化铟锡(简称为ITO)。ITO的透光率很高，导电性能较好，广泛应用为目前触控面板与显示面板的导电电极材料。但是，铟是一种昂贵的金属材料，以ITO作为导电层的材料，很大程度上提升触摸屏的成本，再者，ITO导电层在图形化工艺中，需将镀好的整面ITO膜进行蚀刻，以形成ITO图案，在此工艺中，大量的ITO被蚀刻掉，造成大量的贵金属浪费及污染，成本较高。而且，在制造方法上，制作ITO导电膜需要真空腔、较高的沉积温度和/或高退火温度以获得高传导性，造成ITO的整体制作成本非常昂贵。ITO导电膜的基础制造流程近年来并未发生太大的改变。总是不可避免的需要ITO镀膜，ITO图形化。

正因如此，产业界一直在致力于开发I T O的替代材料，其中纳米银线(silvernano wires，简称SNW)作为一种新兴材料开始替代ITO成为优选的导电材料。SNW是诸多ITO替代材料目前最为成熟的一种。纳米银线具有银优良的导电性，同时由于其纳米级别的尺寸效应，使得其具有优异的透光性与耐曲挠性，因此可用作为优选替代ITO作为触控电极的材料，实现基于纳米银线的触控面板。

将纳米银线做成导电层的方法目前还未完全成熟，很大程度上还是借用ITO的一些制作工艺或制作设备生搬硬套使用在纳米银线导电膜的制作。最常用的莫过于，制作导电层时，在基底上正面涂布一层纳米银线导电浆液，固化后形成纳米银线的导电薄膜，然后蚀刻出想要的导电图案。这种方法在制作导电薄膜时会蚀刻掉非常多的纳米银线材料，而且这些材料不可以再次使用，只能进行回收再次成型后才可继续使用，造成原材料的过度浪费。

在另外的其他工艺中，大都会将纳米银线涂布在基质或基材上。在涂布的工艺中，由于现有技术制备的纳米银线具有很高的长宽比(大于100)，因此在涂布形成均匀薄膜时存在一定的工艺技术困难，并且纳米银线之间由于仅凭较弱的分子间作用力搭接在一起，容易在曲挠作用下发生滑移，致使纳米银线导电膜的电阻较高，导向性能不好。

同时，由于纳米银线的反光率比ITO高，采用纳米银线作为导电层时，触控面板在视觉上会出现白雾现象，如果采用涂布纳米银线制作导电层的话，纳米银线导电膜在基材上的分布面积非常大，以致纳米银线本身材料的雾度问题就会非常明显，影响其制作成的触摸面板的视觉效果与透光度。

【发明内容】

为克服现有纳米银线替代ITO作为新的导电材料来制作触控面板的工艺问题，本发明提供了一种新的导电膜的制作方法及触控面板的制作方法及触控面板。

本发明解决技术问题的方案是提供一种导电膜的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

步骤S1，提供一透明基材；

步骤S2，在所述透明基材上涂布光刻胶层；

步骤S3，在所述光刻胶层上制作出相应图案化的凹槽并利用紫外光照固化所述光刻胶层，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸；

步骤S4，在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液，该步骤中的涂布方式为狭缝式挤压涂布(slot die coating)，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°；所述纳米银线的线长为10μm-300μm，线径小于500nm，长宽比大于400；及

步骤S5，固化所述凹槽内的纳米银线溶液以形成纳米银线导电膜。

优选地，步骤S4中，所述涂布方法为：

S41，由所述光刻胶层的第一端向第二端涂布；及

S42，接续S41，由所述光刻胶层的所述第二端向所述第一端涂布；

所述第一端与所述第二端为所述光刻胶层的两个边部。

优选地，步骤S3中，利用一图案化的模具对所述光刻胶层以卷对卷制程施压后将网格图案转移至所述光刻胶层上形成图案化的凹槽。

优选地，所述纳米银线导电膜包含复数纳米银线导电电极与复数虚拟纳米银线导电电极。

一种触控面板的制作方法，该制作方法包括以下步骤：

步骤S9，采用如上所述的导电膜的制作方法形成所述纳米银线导电膜；

步骤S10，提供一ITO导电层，所述ITO导电层具有沿一轴向方向分布的复数ITO导电电极，所述纳米银线导电膜中具有沿另一轴向方向分布的复数纳米银线导电电极，所述每一ITO导电电极与所述每一纳米银线导电电极交错排列，所述纳米银线导电电极的涂布面积为所述ITO导电电极的涂布面积的5％-10％，或小于5％；及

步骤S11，将所述纳米银线导电膜与所述ITO导电层进行贴合。

一种触控面板，包括透明基材；导电微图案层，所述导电微图案层设置在所述透明基材之上，所述导电微图案层系纳米银线导电膜，所述纳米银线导电膜包括具有凹槽的光刻胶层及凹槽内的导电微图案，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸，所述导电微图案包括填充于所述凹槽内的多条纳米银线，是通过在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液而形成，上述涂布方式为狭缝式挤压涂布(slot die coating)，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°，所述导电微图案相互搭接形成导电网络；所述纳米银线的线长为10μm-300μm，线径小于500nm，长宽比大于400；所述导电微图案包括阵列的第一导电电极和第二导电电极，第一导电电极和第二导电电极正交设置，第一导电电极包括多个第一导电单元，该多个第一导电单元串联形成通路，第二导电电极包括多个在形状上与第一导电单元互补的第二导电单元，该多个第二导电单元被第一导电单元隔开，形成虚拟纳米银线导电电极；每两个第二导电单元之上搭接透明绝缘垫，每一透明绝缘垫将相邻两个第二导电单元搭接在一起，并在绝缘垫与第二导电单元重叠的区域内设置通孔，在通孔内填充满导电物质；每个绝缘垫上布设一个导接线，导接线位置对应于相邻两第二导电单元上的通孔处，即导接线横跨两两相邻的第二导电单元上方，绝缘垫下方的第二导电单元与绝缘垫上方的到界线通过通孔内的导电物质电性连接。

优选地，所述导电微图案层包含复数纳米银线导电电极与复数虚拟纳米银线导电电极，所述触控面板另包含一具有一可视面及一内表面的盖板，及一ITO导电层，ITO导电层设置于所述内表面上，所述ITO导电层具有沿一轴向方向分布的复数ITO导电电极，所述纳米银线导电电极的涂布面积为所述ITO导电电极的涂布面积的5％-10％，或小于5％。

所述凹槽的深度小于5μm，所述凹槽的宽度为200nm-30μm。优选地，所述凹槽的截面形状为梯形、半圆形或三角形。

优选地，所述凹槽的截面面积在所述基材表面面积的占有率小于10％。

与现有技术相比，本发明的触控面板的导电层由传统的ITO材料替换为纳米银线材料，将导电效果更佳，成本更低，外观视觉效果更好的纳米银线更新换代到目前的触控技术领域中，迎合并逐渐主导触控产品的发展方向，具有前瞻性与市场主导性的有益效果。

本发明的导电膜的制作方法，触控面板的制作方法在制作纳米银线导电膜时将模具上的线状网格图案转印到光刻胶层上之后通过涂布纳米银线溶液的方式在基材上形成导电微图案。由于其仅在导电微图案的线状导电连接处才涂布有纳米银线材料，即可以理解为导电微图案的线状分布面积即为纳米银线材料的涂覆面积。而现有的蚀刻或光刻工艺是将制作好的整面的纳米银线导电膜在无需连接处进行打断，打断的方式为线状切割。被线状打断后的导电微图案为面状分布导电微图案。如此比较来看，本发明的导电膜的制作方法，触控面板的制作方法制作的纳米银线导电膜将传统的面状的分布形式变为线状的分布形式。

在标准的矩形网格线的导电微图案中，甚至可以理解为，光刻或蚀刻工艺中蚀刻掉的线状区域即为本发明导电膜的制作方法，触控面板的制作方法中涂布的纳米银线的区域。所以，通过本发明导电膜的制作方法，触控面板的制作方法制作出的纳米银线导电膜在基材上的分布面积将大大较少。

本发明的导电膜的制作方法，触控面板的制作方法制作出的线状网格导电微图案的面积只占纳米银线导电膜表面面积的5％。在线状网格导电微图案面积减少的缘由下，制成的纳米银线导电膜的透光率得到提高，同时纳米银线的材料使用量大大减少，制作成本得到降低。当然，同时由于网格线状导电微图案面积的减少，其本身具有的雾度问题也得到大大改善。

本发明的导电膜的制作方法，触控面板的制作方法直接在光刻胶层上成形图案，且该光刻胶层可根据需要从基材上取下或保留其上。区别于现有技术中必须将导电微图案成型在基材上的特征。如此对于基材的材料特性要求就大大降低，不管是柔性基材还是刚性基材，只需在光刻胶层上转印出图案化的凹槽后，涂刷纳米银线溶液，然后固化即可形成网格状的导电微图案。由此来看，对于基材的材料特性要求大大降低。

由于将微图案只是转印到光刻胶层上，在转印的过程中可以更加方便对其进行紫外线固化。固化后，纳米银线涂覆在凹槽内后更容易形成规则化的导电微图案。固化后的光刻胶层还可以作为导电微图案线际之间的间隔区，以保证导电微图案的完整导通。

在湿法涂布纳米银线溶液时，往复采用狭缝式涂布的方式，从光刻胶层的第一端连续涂布到第二端，或者于第一端和第二端的连线呈一定的设计角度进行往复涂布，可以将凹槽的底部及内部更加完全的将纳米银线溶液灌入凹槽内而形成良率比较高的导电微图案。

此外，由于本发明的导电层为纳米银线材料制成，其导电性和透光性都非常好。以致模具上光刻槽的深度可以更浅，也即是最终制作出的纳米银线导电膜的厚度可以更薄，可以小于10μm，也可以小于500nm，甚至可以减低到小于200nm，如此对制作工艺要求大大降低，同时制作出的纳米银线导电膜更加符合轻薄化的需求。在凹槽宽度上，由于纳米银线的优良透光率特性，其宽度可以不用像其他导电材料需局限在5μm以下才能保证导电层的透光率大于90％，像本发明的导电膜的制作方法，触控面板的制作方法的凹槽宽度可以在20μm-30μm内随意调整，都可以保证透光率在90％以上。以使得不管是在制作模具时还是在制作整个纳米银线导电膜时的工艺要求得到降低。

【附图说明】

图1是本发明纳米银线导电薄膜的截面结构示意图。

图2是本发明纳米银线导电薄膜的平面示意图。

图3是本发明导电膜的制作方法流程图。

图4是本发明导电膜的制作方法步骤中提供的透明基材立体结构示意图。

图5是本发明导电膜的制作方法步骤中涂布光刻胶后的立体结构示意图。

图6是本发明导电膜的制作方法步骤中导电微图案转印至光刻胶层后的立体结构示意图。

图7是本发明导电膜的制作方法步骤中湿法涂布纳米银线溶液后的立体结构示意图。

图8是本发明导电膜的制作方法步骤中抛光工艺后的立体结构示意图。

图9是本发明触控面板的制作方法流程图。

图10是本发明触控面板的制作方法步骤中制作出的导电微图案平面示意图。

图11a是本发明触控面板的制作方法步骤中制作出的第一种网格导电微图案的剖面图。

图11b是本发明触控面板的制作方法步骤中制作出的第二种网格导电微图案的剖面图。

图11c是本发明触控面板的制作方法步骤中制作出的第三种网格导电微图案的剖面图。

图11d是本发明触控面板的制作方法步骤中制作出的第四种网格导电微图案的剖面图。

图12是图10中A处的放大视图，为本发明触控面板的制作方法步骤中提供一绝缘垫后的平面示意图。

图13是本发明触控面板的制作方法步骤中在绝缘垫上铺设导接线后的平面示意图。

图14是采用本发明触控面板的制作方法制作出的触控面板***结构示意图。

图15是图14中B处的放大视图。

图16是采用本发明触控面板的制作方法制作出的又一触控面板结构示意图。

图17a是图16所示触控面板的导电微图案平面示意图。

图17b是图16所示触控面板的导电微图案变形结构平面示意图。

【具体实施方式】

为了使本发明的目的，技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图及实施实例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。

请参阅图1与图2，系纳米银线导电膜800的剖切结构示意图，纳米银线薄膜805一般制作在基材807上，包括嵌入在基质803中的多根纳米银线801，纳米银线801排布在基质803中相互搭接形成导电网络。纳米银线801(silver nano wires，简称SNW)的线长为10μm-300μm，优选20μm-100μm，最好其长度为20μm-50μm，纳米银线801的线径(或线宽)小于500nm或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比(线长与线径之比)大于10，优选大于50，更优选大于100，大于400，大于500。基材807一般为透明绝缘材料，可以是玻璃、聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等，但并不以此为限。

银在一般状态下为银白色金属，且为不透明材料，导电性极佳。而当银制成纳米银线801时，纳米银线801具有良好的透光率与极佳的导电性，能够很好的运用于触控面板的触控电极。

基质803是指含纳米银线801的溶液在经过涂布等方法设置在基材807上，经过加热烘干使得易挥发的物质挥发后，留在基材807上的非纳米银线801物质。纳米银线801散布或嵌入其中，形成导电网络，部分纳米银线801从基质803材料中突出。纳米银线801依靠基质803形成纳米银线薄膜805，基质803可以保护纳米银线801免受腐蚀、磨损等外界环境的影响。

纳米银线薄膜805的厚度约为10nm-5μm，优选为20nm-1μm，更优为50nm-200nm。在一些实施例中，纳米银线导电膜805的折射率为1.3-2.5，更优为1.35-1.8。

含纳米银线801的溶液是指，纳米银线801分散在特定的溶剂里而形成的悬浮溶液，该溶剂可以是水、水溶液、离子溶液或增稠剂，但不以此为限。

此外，可通过选择适当的基质803材料来调整纳米银线薄膜805的光学特性，特别是解决雾度问题。例如，可以将基质803调整为具有期望的折射率、组成元素和一定的厚度，都可以有效地减少反射损耗、眩光影响、雾度。

雾度是指由于纳米银线薄膜805中的纳米银线801表面光漫射造成的云雾状或混浊的外观。屏幕的雾度问题会导致在室外场景光线照射的情况下，屏幕反射光强烈，严重的时候会使得用户看不清屏幕。

纳米银线薄膜805的透光率或清晰度可由以下参数定量的限定：透光率和雾度。透光率是指通过介质传输的入射光的百分比，纳米银线薄膜805的透光率至少为90％，甚至可以高达95％-97％。雾度是光漫射的指数，雾度是指入射光中分离出来并在传输的过程中散射的光的数量百分比。在本发明的实施例中雾度不会超过3％，甚至可以达到不超过1.5％。

请同时参阅图3—图7，本发明提供一种导电膜的制作方法，该导电膜为上述的纳米银线导电膜800。在本发明选择以压印的方法形成该纳米银线导电膜800。特别地，当透明基材807为柔性材料时，可以通过卷对卷的辊筒压印的方法高速的生产该纳米银线导电膜800。先制作出具有相应网格图案1031的模具103，网格图案1031的网格单元的形状为正三边形、正方形、菱形、矩形、平行四边形或曲边四边形、正六边形、多边形、不规则形状等，再进行以下步骤：

步骤S1，提供一透明基材106。请参阅图4，基材106为柔性材料制成，如选用可饶性柔性材料制成，是指在工业上具有一定强度并具有一定可挠性的材料。包括但不限于聚酰亚胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚碳酸酯(PC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)等。

步骤S2，涂布光刻胶。请参阅图5，在透明基材106上涂覆一层透明的光刻胶，形成光刻胶层107。光刻胶层107的厚度为小于等于纳米银线薄膜805的厚度，即小于等于10nm-50μm，优选为小于等于20nm-10μm，更优为小于等于50nm-200nm。

步骤S3，在光刻胶层107上制作出相应的图案化凹槽1071。请参阅图6，在透明基材106上形成光刻胶层107后，再通过一表面有网格图案1031的模具103对基材106上的光刻胶层107进行施压，在施压的同时，可以采用紫外固化光刻胶层107等手段，将模具103表面的网格图案1031转移到光刻胶层107上，在光刻胶层107上成形模具103上的网格图案1031。其中光刻胶层107上的网格图案1031的边线为凹槽1071。凹槽的深度小于5μm，优选小于500nm，更优选小于200nm。该凹槽1071的槽口横截面平面面积与光刻胶层107的表面面积之比小于10％—20％，更优为小于5％—10％。

在网格图案1031转印至光刻胶层107上后时，由于光刻胶层107为流性材料，其具有一定的流动性，为了形成使网格图案1031更加规则，方便之后更加稳定的灌入纳米银线801溶液，此处会通过紫外等固化手段对光刻胶层107进行固化，降低其内部材料的弹性，便于注入纳米银线801溶液。固化波长小于400nm。

在本步骤中，优选使用模具103对所述光刻胶层107以卷对卷制程施压后将网格图案1031转移至光刻胶层107上。

在其他变化实施例中，例如在基材106双面均涂布光刻胶的情况下，可利用卷对卷施压后将网格图案1031转移至光刻胶层107上。

步骤S4，湿法涂布纳米银线溶液。又称金属化工艺，请参阅图7，在透明光刻胶层107表面涂布掺有疏水溶剂的纳米银线801溶液，根据自流平效应使纳米银线801沉积于网格图案1031的凹槽1071中，并在透明光刻胶层107上涂布一层疏水层，以加快纳米银线801溶液往凹槽1071中聚集。湿法涂布工艺中采用连续式涂布方法，在透明光刻胶层107表面涂布掺有疏水溶剂的纳米银线801溶液，该纳米银线801溶液中的纳米银线的的线长为10μm-300μm，优选20μm-100μm，最好其长度20μm-50μm，纳米银线801的线径小于500nm或小于200nm，100nm，优选为小于50nm，且其长宽比大于100，优选大于400，更优选大于500。疏水溶剂比重为10％-20％之间。

根据自流平效应，纳米银线801溶液会自动沉积于光刻胶层107的凹槽1071中，可以在透明光刻胶层107表面增涂一层10％的疏水层，该疏水层的厚度控制在200nm以内，使其远小于凹槽1071的深度，则配合纳米银线801溶液中本身含有的疏水剂成分，可以加快纳米银线801往凹槽1071处聚集，在连续式涂布后，确保纳米银线801溶液充满于凹槽1071中。之后通过加热烘烤，使纳米银线801溶液凝结，最终在凹槽1071中形成导电微图案105。

在本发明的优先实施方式中，纳米银线801溶液涂布在光刻胶层107上时采用狭缝式挤压涂布(Slot die coating)，进一步提高涂布精度和均匀性。在操作涂布时会采用设备从光刻胶层107的第一端1075按照一个方向不停的涂布到第二端1077后，再做回程运动，从第二端1077朝着第一端1075不停的运动。其中第一端1075、第二端1077为光刻胶层107的两个对应的边缘。采用狭缝式挤压涂布并往复涂布会使得纳米银线801溶液可以更好的流入凹槽1071的底部和角落，使涂布更加均匀和完整。如有需要，狭缝式挤压涂布可以与第一端1075和第二端1077的连线呈一定的设计角度(15°—85°)进行往复涂布。

步骤S5，固化凹槽1071内的纳米银线801溶液，形成纳米银线导电膜800。在凹槽1071内均匀涂布好纳米银线801溶液之后，还需要固化凹槽1071内的纳米银线801溶液形成纳米银线导电膜800。固化方法可以为自然晾干、简单烘烤或加热固化等，将凹槽1071内纳米银线801溶液进行固化形成导电微图案105。采用加热固化手段时的热压的温度为25℃到250℃之间。

在某些情况下(如溢胶、平整度不佳等)，可选择进行抛光工艺。请参阅图8，去除光刻胶层107表面多余的纳米银线801，只保留凹槽1071中的纳米银线801，从而形成纳米银线导电膜800；该纳米银线导电膜800包括凹槽1071内的导电微图案105及收容该导电微图案105的光刻胶层107。该抛光工艺可以采用机械抛光、化学电解或化学腐蚀中的任意一种或组合。

最终形成的导电微图案105埋入在光刻胶层107内，更进一步来说是埋入在光刻胶层107内的凹槽1071中，导电微图案105的面积即凹槽1071的面积占整个光刻胶层107的面积小于10％—20％，更优为小于5％—10％。光刻胶层107上除凹槽1071之外为透光区1073，因为该区域内分布的为透明的光刻胶，所以纳米银线导电膜800的透光率至少会大于透光区1073的面积，至少大于80％。再加上凹槽1071内的纳米银线801材料的导电微图案105本身具有很高的透光性，以使得整个纳米银线导电膜800的透光率很容易达到90％以上。

请参阅图9—图15，采用如上所述的纳米银线导电膜800制作方法来制作触控面板20的方法包括：

步骤S6，制作导电微图案205。请参阅图10，在基材206上通过上述纳米银线导电膜800的制作方法一体转印制做出导电微图案205。导电微图案205包括阵列的第一导电电极2051和第二导电电极2053，第一导电电极2051与第二导电电极2053正交设置。第一导电电极2051包括多个第一导电单元2052，该多个第一导电单元2052串连形成通路。每一第一导电单元2052上都设置有通过如上所述的纳米银线导电膜800制作方法转印而得的网格导电微图案2054。第二导电电极2053包括多个在形状上与第一导电单元2052互补的第二导电单元2056，该多个第二导电单元2056被第一导电单元2052隔开，无法互相连接，藉此形成具有虚拟导电电极效果的第二导电电极2053。

请参阅图11a，单个网格导电微图案2054的截面视图，网格导电微图案2054由凹槽2071内的纳米银线801导电材料组合而成。凹槽2071的底面面积在光刻胶层207上的分布面积即为导电微图案205在光刻胶层207上的分布面积。其在数值上小于5％-10％，如果采用光刻工艺成形的导电微图案205在光刻胶层207上的分布面积至少要大于50％，由此看出，采用本发明的制作方法所制成的导电微图案205的材料成本将大大减少，同时本发明采用纳米银线801制作为导电微图案205后，分布面积的减少还会降低纳米银线801的雾度。

凹槽2071的深度小于光刻胶层207的厚度，以致纳米银线801的导电微图案205是嵌入在光刻胶层207内部，使得导电微图案205不会与基材206形成接触。凹槽2071的截面形状可以为方形，此处的截面形状是指垂直于光刻胶层207进行剖切后，所看到的凹槽2071的截面形状。

在其他实施例中，请参阅11b、11c、11d，凹槽2071的形状也可以为梯形、圆形、三角形、不规则形状等，但须保证凹槽2071的顶部开口尺寸大于或等于凹槽2071底部的尺寸，比如说梯形的长边会设置在槽口2072处，而短边在设置在槽底2074处，如此设置是基于在口大底小的形状结构时，湿法涂布纳米银线801溶液时更加容易灌入到凹槽2071内，均匀完整的溶入在光刻胶层207内，形成良率较高的导电微图案205。

步骤S7，在每两个第二导电单元2056之上搭接透明绝缘垫2055。请参阅图12，每一透明绝缘垫2055将相邻的两个第二导电单元2056搭接在一起，并在绝缘垫2055与第二导电单元2056重叠的区域内设置通孔2058，之后在通孔2058内填充满导电物质。

步骤S8，在绝缘垫2055上铺设导接线2057。请参阅图13，在每一绝缘垫2055上均布设一个导接线2057，导接线2057位置对应于其中一方向上相邻的两第二导电单元2052上的通孔2058处，即导接线2057横跨两两相邻的第二导电单元2052上方，绝缘垫2055下方的第二导电单元2052与绝缘垫2055上方的导接线2057通过通孔2058内的导电材料电性连接。至此，相邻的两第二导电单元2052之间完成电性连接形成了导通连接的第二导电电极2053。

在一些工艺制程中，往往还需在导电微图案205上方成型一盖板，制作完整的触摸面板。盖板的材料可以是玻璃，蓝宝石玻璃，强化玻璃，PEEK(polyetheretherketone聚醚醚酮)，PI(Polyimide聚酰亚胺)，PET(polyethylene terephthalate聚对苯二甲酸乙二醇酯)，PC(聚碳酸酯聚碳酸酯)，PES(聚丁二酸乙二醇酯，PMMA(聚甲基丙烯酸甲酯polymethylmethacrylate)及其任意两者的复合物等材料。

第一导电电极2051与第二导电电极2053以及导接线2057的材料可以为纳米银线801，也可以为其他导电金属如金银铜。过孔内的材料也可以为纳米银线801或其他导电金属。

绝缘垫2055材料可以是光阻，PI，PC，PMMA，PET，PEEK，PES，透明油墨，树脂类，二氧化硅、氧化钛、氧化锌、氮化硅、氮氧化硅、氮化铝、氧化钽、聚酰等透明绝缘材料。

本发明另包含以下三个实施步骤接续于所述的步骤S8之后：步骤S9，采用如步骤S1到步骤S8所述的导电膜的制作方法形成所述纳米银线导电膜800；步骤S10，提供一ITO导电层(图未示)，所述ITO导电层具有沿一轴向方向分布的复数ITO导电电极(图未示)，所述纳米银线导电膜800中具有沿另一轴向方向分布的复数纳米银线导电电极(图未示)，所述每一ITO导电电极与所述每一纳米银线导电电极交错排列；及步骤S11，将所述纳米银线导电膜800与所述ITO导电层进行贴合。

请参阅图14和图15，为通过上述触控面板制作方法制作出的触控面板30的层状结构，位于最上层的为盖板301，最下方的为基材309，基材309上成型有纳米银线导电膜303。在纳米银线导电膜303上方涂布有一层平整层302和/或一层保护层(图未示)。平整层302和/或一层保护层的上方为光学匹配层304。当没有设置带有粘性的保护层时，需要额外设置有粘合层306，用来粘合基材309与盖板301。当设置了具有粘性的保护层时，此处的粘合层306可以不存在。

纳米银线导电膜303上设置有由本发明第一实施例所述制作方法制作出的导电微图案305，该导电微图案305包括第一导电电极3051和第二导电电极(图未示，可参阅图13)，第一导电电极3051彼此之间已互相导通连接，第二导电电极借助绝缘垫3055将位于光刻胶层307的第一导电电极3051和第二导电电极绝缘后，通过导接线3057间接的实现导通，形成两个方向(X和Y)形状互补、分别导通的导电微图案305。

为了更好的解决纳米银线导电膜303的雾度问题，当设置了粘合层306后，粘合层306材料OCA(光学透明胶，Optical Clear Adhesive)或LOCA(液态光学透明胶，LiquidOptical Clear Adhesive)。此处将涂覆高折射率的粘合层306，该粘合层306的折射率为1.52-1.79，以使涂覆在纳米银线导电薄膜303上后可以将雾度降低到5％以下，最佳可以降低到3％，2％，1.5％。

由于OCA胶在一般常用作为粘结作用时，其折射率为1.52左右，如将其提升为具有更高折射率的OCA胶需要在工艺上做特殊处理，以致折射率越高，工艺难度越大，制作成本越高。

粘合层306的折射率为1.52-1.79，优选为1.7。选取时，首先会根据OCA胶的制作工艺考虑，1.52时是普通OCA胶的折射率，在制作成本上最低。如果进一步提升其折射率，难度会逐渐加大，当提高至1.79时，继续往上提高其难度将会非常大，所以综合制作难度与投入成本，1.79即为极限大的范围。

优选为1.7时，除了与制作工艺难度及成本相关外，还会根据纳米银线导电薄膜303上纳米银线801的密度相关，当纳米银线801密度大时，粘合层306的折射率最佳值就越大，最低不小于1.52。

此外，还会与基材309的材料相关，当玻璃材质的基材309具有高反射特性时，粘合层306的折射率最佳值就越大，最低不小于1.52。

请参阅图16，本发明第四实施例的触控面板40包括基材401，导电微图案层403，高折射率粘合层405，第一电极层407和盖板409，其中盖板409与触摸物体(手指或触控笔)接触。盖板409包括盖板上表面4091和盖板下表面4093(此处及后述的“上”或“下”为相对位置，并非绝对定义，同时可以理解为上表面颠倒时也即成为下表面)，盖板上表面4091为触摸物体接触面，盖板下表面4093可作为附着面直接成形第一电极层407。基材401包括基材上表面4011和基材下表面4013，本实施例中，基材上表面4011可作为附着面直接成形导电微图案层403。基材下表面4013用于依附显示模组。不可置疑地，作为一种变形，导电微图案层403也可以直接成形在基材下表面4013上。

所述高折射率粘合层405用于将第一电极层407和导电微图案层403粘合为一体，当所述的第一电极层407和导电微图案层403之间除高折射率粘合层405之外无其他绝缘层状结构时，高折射率粘合层405还具有介电性，将第一电极层407和导电微图案层403进行绝缘设置。高折射率粘合层405可以选用OCA胶。

在电容式触摸屏中，第一电极层407一般靠近触摸面，导电微图案层403则相对远离触摸面。导电微图案层403与第一电极层407检测触摸面板40被触碰时的电容变化，以感应触摸区域或触控位置。

请参阅图16、图17a、图17b，第一电极层407为ITO材料的导电层，其通过蚀刻、光刻、黄光工艺制成，导电微图案层403通过本发明第一实施例导电膜的制作方法制成。可以理解，第一电极层407上的电极图案包括多条第一导电电极4051，导电微图案层403包括多条第二导电电极4053。第一导电电极4051上导电材料通过传统的蚀刻、光刻、黄光工艺而全部涂布在每一第一导电单元上4052。第二导电电极4053上的导电材料通过本发明第一实施例的制作工艺仅在第二导电单元上4056的网格凹槽区域涂布有纳米银线801导电材料。

导电微图案层403包括多个第二导电单元4056和多个与第二导电单元4056形状互补且电性不连接的虚拟(dummy)导电单元4059，多个第二导电单元4056形成第二导电电极4053平行等间距分布在一个轴向上(X轴)。此处，图17a与图17b的差异在于，图17a所绘示的导电单元4059系由实线导电网格构成，而图17b所绘示的导电单元4059系由虚线导电网格构成。藉由前述网格设计态样，多个虚拟导电单元4059交叉排布在第二导电单元4056之间，对其空隙处形成补充。在视觉上，会分布在与第二导电电极4053垂直的另一个轴向上(Y轴)；因此，就观察者而言，网格线分布是整面且平均的。

虚拟导电单元4059的材质与第二导电单元4056的材质相同，均为纳米银线801，且通过本发明第一实施例导电膜的制作方法在基材401上直接成形。

该虚拟导电单元4059的设置使导电微图案层403所在界面的不同区域的材质保持一致，其克服了当光线穿过导电微图案层403时，容易受到不同界面材质折射率的影响，造成触控电极图案容易浮现与光线亮度不均匀等的问题，其使得触控面板40有较佳的光学表现即视觉上匹配。

ITO材料的第一电极层407上设置有与多个第二导电电极4053交错的第一导电电极4051，该第一导电电极4051包括多个第一导电单元4052，该第一导电单元4052的投影位置与导电微图案层403的虚拟导电单元4059相对应。即，导电微图案层403的第二导电单元4056在一个轴向(X轴)平行等间距排列，第一电极层407的第一导电单元4052在另一个轴向(Y轴)平行等间距排列，且与第二导电单元4056在投影区域形状互补。

第一导电单元4052与第二导电单元4056的形状可以为图示的菱形，也可以为三角形、四边形、六边形、波浪形或其他不规则图形。

本实施例的触控面板40将ITO材料的第一电极层407做在上层靠近触控面，导电微图案层403做在下层远离触控面，导电微图案层403远离触控面后会在一定程度上解决纳米银线801的雾度问题。如此一层ITO，一层纳米银线，一上一下，可以有效的解决纳米银线801在使用时的雾度难题。

从第一电极层407和导电微图案层403的制作工艺上来看，采用本发明的制作方法而得的导电微图案层403第二导电单元4056上导电材料的涂布面积要远远小于蚀刻、光刻、黄光工艺所得的第一电极层407第一导电单元4052上导电材料的涂布面积。一般来说，第二导电单元4056上导电材料的涂布面积仅为第一导电单元4052上导电材料的涂布面积的5％-10％，甚至小于5％。

以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的原则之内所作的任何修改，等同替换和改进等均应包含本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种导电膜的制作方法，其特征在于：该制作方法包括以下步骤：

步骤S1，提供一透明基材；

步骤S2，在所述透明基材上涂布光刻胶层；

步骤S3，在所述光刻胶层上制作出相应图案化的凹槽并利用紫外光照固化所述光刻胶层，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸；

步骤S4，在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液，该步骤中的涂布方式为狭缝式挤压涂布(slot die coating)，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°；所述纳米银线的线长为10μm-300μm，线径于500nm，长宽比大于400；及

步骤S5，固化所述凹槽内的纳米银线溶液以形成纳米银线导电膜。

2.如权利要求1所述的导电膜的制作方法，其特征在于：步骤S4中，所述涂布方法为：

S41，由所述光刻胶层的第一端向第二端涂布；及

S42，接续S41，由所述光刻胶层的所述第二端向所述第一端涂布；所述第一端与所述第二端为所述光刻胶层的两个边部。

3.如权利要求1所述的导电膜的制作方法，其特征在于：步骤S3中，利用一图案化的模具对所述光刻胶层以卷对卷制程施压后将网格图案转移至所述光刻胶层上形成图案化的凹槽。

4.一种触控面板的制作方法，其特征在于：

该制作方法包括以下步骤：

步骤S9，采用如权利要求1-3任一项所述的导电膜的制作方法形成所述纳米银线导电膜；

步骤S10，提供一ITO导电层，所述ITO导电层具有沿一轴向方向分布的复数ITO导电电极，所述纳米银线导电膜中具有沿另一轴向方向分布的复数纳米银线导电电极，所述每一ITO导电电极与所述每一纳米银线导电电极交错排列，所述纳米银线导电电极的涂布面积为所述ITO导电电极的涂布面积的5％-10％，或小于5％；及

步骤S11，将所述纳米银线导电膜与所述ITO导电层进行贴合。

5.一种触控面板，其特征在于：包括:

透明基材，

导电微图案层，所述导电微图案层设置在所述透明基材之上，所述导电微图案层系纳米银线导电膜，所述纳米银线导电膜包括具有凹槽的光刻胶层及凹槽内的导电微图案，所述凹槽的顶部开口尺寸大于所述凹槽底部的尺寸，所述导电微图案包括填充于所述凹槽内的多条纳米银线，是通过在透明光刻胶层上涂布一层疏水层，在所述凹槽内涂布掺有疏水溶剂的纳米银线溶液而形成，上述涂布方式为狭缝式挤压涂布(slot die coating)，所述狭缝式挤压涂布为从光刻胶层的一端到另一端做往复式涂布，且两端的连线呈15°—85°，所述导电微图案相互搭接形成导电网络；所述纳米银线的线长为10μm-300μm，线径小于500nm，长宽比大于400；所述导电微图案包括阵列的第一导电电极和第二导电电极，第一导电电极和第二导电电极正交设置，第一导电电极包括多个第一导电单元，该多个第一导电单元串联形成通路，第二导电电极包括多个在形状上与第一导电单元互补的第二导电单元，该多个第二导电单元被第一导电单元隔开，形成虚拟纳米银线导电电极；每两个第二导电单元之上搭接透明绝缘垫，每一透明绝缘垫将相邻两个第二导电单元搭接在一起，并在绝缘垫与第二导电单元重叠的区域内设置通孔，在通孔内填充满导电物质；每个绝缘垫上布设一个导接线，导接线位置对应于相邻两第二导电单元上的通孔处，即导接线横跨两两相邻的第二导电单元上方，绝缘垫下方的第二导电单元与绝缘垫上方的到界线通过通孔内的导电物质电性连接。

6.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于：所述导电微图案层包含复数纳米银线导电电极与复数虚拟纳米银线导电电极，所述触控面板另包含一具有一可视面及一内表面的盖板，及一ITO导电层，ITO导电层设置于所述内表面上，所述ITO导电层具有沿一轴向方向分布的复数ITO导电电极，所述纳米银线导电电极的涂布面积为所述ITO导电电极的涂布面积的5％-10％，或小于5％。

7.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于：所述凹槽的深度小于5μm，所述凹槽的宽度为200nm-30μm。

8.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于：所述凹槽的截面形状为梯形、半圆形或三角形。

9.如权利要求5所述的触控面板，其特征在于：所述凹槽的截面面积在所述基材表面面积的占有率小于10％。