CN105316634A - 一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法 - Google Patents

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周飞
马强
吴志威
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Abstract

本发明公开了一种Cr-B-C-N薄膜的制备方法，其包括如下步骤：(1)将基材清洗吹干后安装在镀膜仪内的载物台；(2)使用Ar+束轰击基材，进一步清洗以及活化基材表面；(3)往镀膜仪内通入高纯氩气，采用闭式非平衡磁控溅射镀膜仪，沉积厚度约为0.2μm的Cr过渡层；通入氩气和氮气的混合气体，设定各靶材溅射电流，在基材表面制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。通过本发明制备的Cr-B-C-N纳米复合薄膜，膜基结合力较高，薄膜摩擦系数和磨损率较低，薄膜具有良好的耐蚀性、热稳定性和化学稳定性；同时采用该方法可方便调节薄膜中B元素的含量，有助于提高生产效率。

Description

一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法
技术领域：
本发明涉及表面工程以及摩擦学领域，具体来说，涉及的是一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法。
背景技术：
CrN薄膜具有高硬度、优异的耐磨性和热稳定性以及良好的耐蚀性等性能，作为TiN薄膜的替代薄膜已广泛应用于刀具和模具行业。但CrN和TiN薄膜摩擦系数均较大，并不适宜应用于精度要求比较高的工作环境。石墨碳为层状材料，摩擦系数低，掺杂在CrN和TiN薄膜薄膜中可有效降低薄膜摩擦系数，但薄膜在温度升高时的热稳定性较差。同时，一些研究者发现在MeCN基薄膜中掺杂B元素可有效提高薄膜在温度升高时的热稳定性和抗氧化性，但薄膜摩擦系数较高，摩擦学性能较差。目前，一些研究者已经制备出Ti-B-C-N和Zr-B-C-N薄膜，通过研究发现薄膜具有优异的机械性能和摩擦学性能，并在温度升高时具有良好的热稳定性能和抗氧化性能。而关于Cr-B-C-N薄膜的研究还属于空白。本发明通过在Cr-C-N薄膜中掺杂B元素制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜，薄膜不仅摩擦系数低，具有良好的耐磨性，还可以改善薄膜在温升时的热稳定性和抗氧化性。
发明内容：
本发明提供一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，通过改变CrB2靶溅射电流，获得具有不同微结构，低摩擦因数，强膜基结合力，良好的热稳定性、抗氧化性和耐磨性的Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
本发明采用如下技术方案：一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其包括如下步骤：
(1)打开闭式非平衡磁控溅射镀膜仪的真空腔门，将基材清洗吹干后安装在镀膜仪腔体内的载物台；
(2)将镀膜仪腔体抽真空至10-4Pa数量级，同时将真空腔体加热至温度为200℃，使腔体内的残余水分快速蒸发；
(3)待真空腔体冷却至室温时，通入高纯Ar气，对基材进行离子束清洗，进一步清洗以及活化基材表面，Ar+离子束轰击基材时，镀膜机腔体内本底真空达到10-4Pa数量级时，Ar气流量0～30sccm，基材负偏压0～1000V，占空比0～100％，清洗完基材后，继续保持通入Ar气，开启磁控溅射电源，让磁控溅射靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
(4)通入高纯氩气，腔体气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa，采用闭式非平衡磁控溅射镀膜仪，调节Cr靶溅射电流为4A，基材负偏压0-100V，沉积时间为15min，在基材上制备厚度约为0.2μm的Cr过渡层；
(5)通入氩气和氮气的混合气体，在基材上制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
进一步地，所述基材为单晶硅，不锈钢，玻璃，镁合金和钛合金中的任一种。
进一步地，将处理好的单晶硅片或者不锈钢先后在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，然后使用电吹风吹干，最后装夹在载物台上。
进一步地，步骤(5)中通入氩气和氮气的混合气体，基材负偏压0-100V，占空比为20％-80％，设定Cr靶溅射电流4A，C靶溅射电流4A，调节CrB2靶溅射电流0-4A，沉积时间1h20min，固定或旋转载物台，在基材上制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
本发明具有如下有益效果：
(1)可在室温下制备薄膜，同时对基材的选择没有限制；
(2)Cr-B-N-C中金属Cr、非金属B、C和N的含量可以通过调节溅射靶电流和OEM(快速反馈的光学发射监测器)进行调节；
(3)此方法制备工艺简单，操作能动性好。
附图说明：
图1是采用本发明方法实施例1制备的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的纳米压痕硬度和弹性模量。
图2是采用本发明方法实施例1制备的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的X射线衍射光谱。
图3是采用本发明方法实施例1制备的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的表面扫描电镜图。
图4是采用本发明方法实施例1制备的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的截面扫描电镜图。
图5是非平衡磁控溅射镀膜仪中，固定基材位置在金属Cr靶、C靶和CrB2靶中间的布局示意图。
具体实施方式：
本发明Cr-B-C-N复合薄膜是采用闭式非平衡磁控溅射镀膜仪制备的，此方法可在较低温度下，几乎所有的基材上沉积Cr-B-C-N复合薄膜。其具体步骤如下：
(1)打开闭式非平衡磁控溅射镀膜仪的真空腔门，将基材清洗吹干后安装在镀膜仪腔体内的载物台；基材可以为单晶硅，不锈钢，玻璃，镁合金和钛合金中的任一种；
(2)将镀膜仪腔体抽真空至10-4Pa数量级，同时保持腔体温度为200℃，使腔体内的残余水分更快蒸发；
(3)待腔体冷却至室温时，通入高纯Ar气，对基材进行离子束清洗，进一步清洗以及活化基材表面，Ar+离子束轰击基材时，镀膜机腔体内本底真空达到10-4Pa数量级，Ar气流量0～30sccm，基材负偏压0～1200V，占空比0～100％，清洗完基材后，继续保持通入Ar气，开启磁控溅射电源，让磁控溅射靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
(4)通入高纯氩气，腔体气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa，采用非平衡磁控溅射镀膜仪，调节Cr靶溅射电流为4A，基材负偏压0-100V，沉积时间为15min，在基材上制备厚度约为0.2μm的Cr过渡层；
(5)通入氩气和氮气的混合气体，设定OEM＝50％(由于氮活性气体的分压由快速反馈的光学发射监测器(OEM)控制，这个反馈过程是通过观察溅射金属靶材的发射谱线,因此，利用一个快速响应动态调压电阀来控制氮的流量。在本专利中，通入氩气和氮气的混合气体，生成氮化物的OEM被设定为50％)，基材负偏压0-100V，占空比为20％-80％，设定Cr靶溅射电流4A，C靶溅射电流4A，调节CrB2靶溅射电流0-4A，沉积时间1h20min，固定或旋转载物台，在基材上制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
下面通过具体的实施例来说明本发明Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法。
本发明的实施例具体按照以下步骤实施：
(1)基材准备
使用天然金刚石玻璃刀将单晶Si(100)片切割成大小为5×5cm2小块；通过机械加工将316L不锈钢加工为的圆盘，然后通过打磨和抛光使得其表面粗糙度Ra＝30nm。将处理好的单晶Si(100)片和316L不锈钢先后在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，然后使用电吹风吹干，最后装夹在镀膜机腔体内的载物台。使用2个Cr靶，1个C靶和1个CrB2靶共四个靶材，安装在镀膜仪中。
(2)靶材及基材离子清洗
本底真空达到10-4Pa数量级时，通入Ar气(0～50sccm)，设定基材负偏压0～1200V，占空比0～100％，利用Ar+离子轰击基材表面，进一步清除基材表面的污染物和活化沉积表面。清洗完基材后，保持Ar气流量30sccm，让金属Cr，C和CrB2靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物。
(3)薄膜制备
通入高纯Ar气30sccm，待镀膜机腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa后，调节加载在Cr靶上的溅射电流为4A，调节基材负偏压0～100V，占空比20％～80％，载物台转速为10rpm，溅射一层厚度约为0.2μm的Cr过渡层。通入高纯氩气和氮气30sccm，设定加载在C靶上的溅射电流为4A，调节加载在CrB2靶上的溅射电流0-4A，时间设定为1h20min。
实施例1
(1)基材及靶材准备
使用5×5cm2的单晶Si(100)片和的316L不锈钢作为基材，其中316L不锈钢打磨并抛光至粗糙度Ra＝50nm，然后将单晶Si(100)片和316L不锈钢依次在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，最后用电吹风吹干。将清洗后的单晶Si(100)和316L不锈钢基材安装在镀膜机载物台。选择2个Cr靶，1个C靶和1个CrB2靶共四个靶材，安装在镀膜机中。
(2)靶材及基材离子清洗
等本底真空度达到10-4Pa数量级，通入30sccm的Ar气，设定基材负偏压-600V，占空比50％，利用Ar+离子轰击单晶Si(100)片和316L不锈钢表面，进一步清除基材表面的污染物和活化沉积表面。清洗完基材后，调节Ar气流量至30sccm，开启磁控溅射电源，让金属Cr，C和CrB2靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物。
(3)薄膜制备
通入高纯氩气30sccm，等腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa后，保持负偏压-80V，占空比50％，设定基材的旋转速度10rpm，调节Cr靶溅射电流为4A，沉积厚度约为0.2μm的Cr过渡层。通入高纯氩气和氮气30sccm，设定C靶溅射电流为4A，调节CrB2靶溅射电流0-4A，OEM＝50％，在室温下制备1h20min。
(4)薄膜的检测
①硬度的测定：通过金刚石纳米压痕仪测量Cr-B-C-N纳米复合薄膜的硬度，见图1。
②晶相的测定：通过X射线衍射光谱测定薄膜的晶相结构，见图2。
③化学键结构分析：通过X射线能谱仪进行表征分析薄膜的化学键结构，见图3。
④SEM形貌的分析：通过场发射扫描电镜观察薄膜表面形貌和截面形貌，见图4。
实施例2
(1)基材及靶材准备
用天然金刚石刀将单晶Si(100)切割成尺寸为5×5cm2的小块，用电火花线切割的TC4钛合金作为基材，其中钛合金打磨并抛光至粗糙度Ra＝50nm，然后将单晶Si(100)片和钛合金依次在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，最后用电吹风吹干，然后将单晶Si(100)片在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，最后用电吹风吹干。将清洗后的单晶Si(100)基材安装在载物台上。使用2个C靶和2个CrB2靶共四个靶材，安装在镀膜机中。
(2)靶材及基材离子清洗
等本底真空度达到10-4Pa数量级，通入30sccm的Ar气，设定基材负偏压-450V，占空比50％，利用Ar+离子轰击单晶Si(100)片表面，进一步清除基材表面的污染物和活化沉积表面。清洗完基材后，调节Ar气流量至30sccm，开启直流磁控溅射电源，让C和CrB2靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物。
(3)薄膜制备
向腔体内通入高纯氩气30sccm，等腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa后，负偏压为-80V，占空比50％，基材的旋转速度10rpm，然后设定C靶溅射电流为4A，CrB2靶溅射电流0-4A，OEM＝50％，在室温下制备1h20min。
实施例3
(1)基材及靶材准备
用的316L不锈钢和TC4钛合金作为基材，其中316L不锈钢和钛合金打磨并抛光至粗糙度Ra＝50nm，然后在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，最后用电吹风吹干。将清洗后的合金基材安装在载物台上。选择1个Cr靶，2个C靶和1个CrB2靶共四个靶材，安装在镀膜机中。
(2)靶材及基材离子清洗
等本底真空度达到10-4Pa数量级，通入30sccm的Ar气，设定基材负偏压-450V，占空比50％，利用Ar+离子轰击单晶Si(100)片表面，进一步清除基材表面的污染物和活化沉积表面。清洗完基材后，调节Ar气流量至30sccm，开启磁控溅射电源，让金属Cr，C和CrB2靶空跑5分钟，以去除靶表面的氧化物。
(3)薄膜制备
在沉积室内通入高纯氩气30sccm，等腔体内的气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa后，设定Cr靶的溅射电流4A，设定偏压-80V，占空比50％，设定基材的旋转速度10rpm，沉积厚度约为0.2μm的Cr过渡层。设定CrB2靶溅射电流0-4A，C靶溅射电流4A，OEM＝50％，保持制备时间为1h20min。
实施例4
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例1中相同，只需将实施例1中的CrB2靶替换为B4C靶。
实施例5
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例2中相同，只需将实施例2中的1个C靶替换为B4C靶。
实施例6
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例3中相同，只需将实施例3中的1个C靶替换为B4C靶。
实施例7
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例1中相同，只需将实施例1中的CrB2靶替换为B靶。
实施例8
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例2中相同，只需将实施例2中的1个CrB2靶替换为B靶。
实施例9
本实施例中所有的步骤和参数都和实施例3中相同，只需将实施例3中的CrB2靶替换为B靶。
以上所述仅是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下还可以作出若干改进，这些改进也应视为本发明的保护范围。

Claims (4)

1.一种Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：包括如下步骤
(1)打开闭式非平衡磁控溅射镀膜仪的真空腔门，将基材清洗吹干后安装在镀膜仪腔体内的载物台；
(2)将镀膜仪腔体抽真空至10-4Pa数量级，同时将真空腔体加热至温度为200℃，使腔体内的残余水分快速蒸发；
(3)待真空腔体冷却至室温时，通入高纯Ar气，对基材进行离子束清洗，进一步清洗以及活化基材表面，Ar+离子束轰击基材时，镀膜机腔体内本底真空达到10-4Pa数量级时，Ar气流量0～30sccm，基材负偏压0～1000V，占空比0～100％，清洗完基材后，继续保持通入Ar气，开启磁控溅射电源，让磁控溅射靶空跑5分钟，以去除靶材表面的氧化物；
(4)通入高纯氩气，腔体气压稳定在4.0～5.0×10-1Pa，采用闭式非平衡磁控溅射镀膜仪，调节Cr靶溅射电流为4A，基材负偏压0-100V，沉积时间为15min，在基材上制备厚度约为0.2μm的Cr过渡层；
(5)通入氩气和氮气的混合气体，在基材上制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
2.如权利要求1所述的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：所述基材为单晶硅，不锈钢，玻璃，镁合金和钛合金中的任一种。
3.如权利要求2所述的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：将处理好的单晶硅片或者不锈钢先后在丙酮，酒精和去离子水中进行超声清洗，然后使用电吹风吹干，最后装夹在载物台上。
4.如权利要求1所述的Cr-B-C-N纳米复合薄膜的制备方法，其特征在于：步骤(5)中通入氩气和氮气的混合气体，基材负偏压0-100V，占空比为20％-80％，设定Cr靶溅射电流4A，C靶溅射电流4A，调节CrB2靶溅射电流0-4A，沉积时间1h20min，固定或旋转载物台，在基材上制备Cr-B-C-N纳米复合薄膜。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107313018A (zh) * 2017-07-06 2017-11-03 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 不锈钢基材表面的具有高硬耐蚀性的CrB2涂层及其制备方法
CN107988577A (zh) * 2017-10-18 2018-05-04 南京航空航天大学 一种CrSiBCN纳米复合薄膜的制备方法
CN109778119A (zh) * 2019-01-09 2019-05-21 南京航空航天大学 一种Ni-CrSiN耐磨耐蚀涂层及其制备方法
CN113403651A (zh) * 2021-06-21 2021-09-17 集美大学 一种利用纳米涂层提高脱模剂涂覆均匀性的方法
CN116162917A (zh) * 2023-04-26 2023-05-26 赣州澳克泰工具技术有限公司 一种多层涂层刀具及制备方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103469169A (zh) * 2013-09-04 2013-12-25 南京航空航天大学 Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法
CN104325738A (zh) * 2014-10-20 2015-02-04 辽宁科技大学 一种冷轧圆盘飞剪的硬质涂层及其制备方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN103469169A (zh) * 2013-09-04 2013-12-25 南京航空航天大学 Cr-B-C纳米复合薄膜的制备方法
CN104325738A (zh) * 2014-10-20 2015-02-04 辽宁科技大学 一种冷轧圆盘飞剪的硬质涂层及其制备方法

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
J.LIN ET AL.: "《Structure and properties of Ti–B–C–N nanocomposite coatings synthesized using pulsed closed field unbalanced magnetron sputtering(P-CFUBMS)》", 《SURFACE & COATINGS TECHNOLOGY》 *
K.P.BUDNA ET AL.: "《Synthesis–structure–property relations for Cr–B–N coatings sputter deposited reactively from a Cr–B target with 20at% B》", 《VACUUM》 *
XIANGYANG CHEN ET AL.: "《Microstructure,mechanical and tribological properties of Ti–B–C–N films prepared by reactive magnetron sputtering》", 《DIAMOND & RELATED MATERIALS》 *
ZHIWEI WU ET AL.: ""Influence of trimethylsilane flow on the microstructure, mechanical and tribological properties of CrSiCN coatings in water lubrication"", 《APPLIED SURFACE SCIENCE》 *
宣天鹏编著: "《表面工程技术的设计与选择》", 31 May 2011, 机械工业出版社 *

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107313018A (zh) * 2017-07-06 2017-11-03 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 不锈钢基材表面的具有高硬耐蚀性的CrB2涂层及其制备方法
CN107988577A (zh) * 2017-10-18 2018-05-04 南京航空航天大学 一种CrSiBCN纳米复合薄膜的制备方法
CN109778119A (zh) * 2019-01-09 2019-05-21 南京航空航天大学 一种Ni-CrSiN耐磨耐蚀涂层及其制备方法
CN113403651A (zh) * 2021-06-21 2021-09-17 集美大学 一种利用纳米涂层提高脱模剂涂覆均匀性的方法
CN116162917A (zh) * 2023-04-26 2023-05-26 赣州澳克泰工具技术有限公司 一种多层涂层刀具及制备方法

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