CN105301920A - 一种光刻胶清洗剂及清洗方法 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种光刻胶清洗剂及清洗方法。所述清洗剂包括甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。清洗方法为将附有光刻胶的芯片进入清洗液中,进行恒温振荡,再用甲醇进行冲洗,烘干。使用本发明的清洗剂及方法,能够彻底清洗光刻胶残留,避免在基因测序时芯片上各种杂质和金属离子对检测结果的干扰。
Description
技术领域
本申请属于半导体制造技术领域,具体涉及一种光刻胶清洗剂及清洗方法。
背景技术
基因芯片(genechip)的原型是80年代中期提出的。基因芯片的测序原理是杂交测序方法,即通过与一组已知序列的核酸探针杂交进行核酸序列测定的方法。光刻工艺是用于制造集成电路、液晶显示屏和基因芯片等都需要使用的常规工艺,而光刻胶是光刻工艺中所必须使用的材料。光刻胶又称光致抗蚀剂,由感光树脂、增感剂和溶剂三种主要成分组成的对光敏感的混合液体。光刻胶应该具有比较小的表面张力,使光刻胶具有良好的流动性和覆盖。感光树脂经光照后,在曝光区能很快地发生光固化反应,使得这种材料的物理性能,特别是溶解性、亲合性等发生明显变化。光刻胶广泛用于印刷电路和集成电路的制造以及印刷制版等过程。光刻胶的技术复杂,品种较多。根据其化学反应机理和显影原理,可分负性胶和正性胶两类。光照后形成不可溶物质的是负性胶;反之,对某些溶剂是不可溶的,经光照后变成可溶物质的即为正性胶。利用这种性能,将光刻胶作涂层,就能在硅片表面刻蚀所需的电路图形。
光刻胶可以分为三种类型。第一种为光聚合型,采用烯类单体,在光作用下生成自由基,自由基再进一步引发单体聚合,最后生成聚合物,具有形成正像的特点。第二种为光分解型,采用含有叠氮醌类化合物的材料,经光照后,会发生光分解反应,由油溶性变为水溶性,可以制成正性胶。第三种为光交联型,采用聚乙烯醇月桂酸酯等作为光敏材料,在光的作用下,其分子中的双键被打开,并使链与链之间发生交联,形成一种不溶性的网状结构,而起到抗蚀作用,这是一种典型的负性光刻胶。柯达公司的产品KPR胶即属此类。采用感光胶通过曝光、显影和刻蚀等方式在每一层结构面上形成所需要的图案。在进行后一层处理时,需要将前一次使用后的光刻胶完全清洗干净。
改善光刻胶的清洗方法主要使用延长浸泡时间、提高浸泡温度和采用腐蚀性强的溶液,非常容易造成芯片的腐蚀及损坏。同时,需要频繁更换清洗液。另外,现有技术中使用的浓硫酸,只能去除光刻胶表层,不能彻底去除光刻胶。
发明内容
本发明的一个目的是一种光刻胶清洗剂,包括以下组分:
甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。
所述清洗剂还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
所述清洗剂按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%,聚氧化丙烯三醇0.1-0.3%,壬基聚氧乙烯醚5-6%,对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%,余量为有机溶剂。
所述对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚的重量比为4:1。
所述有机溶剂为N-N二甲基甲酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。
本发明的另一个目的是一种光刻胶清洗方法,包括以下步骤:
将附有光刻胶的芯片浸入清洗剂中,进行恒温振荡,再用甲醇进行冲洗,烘干。
进行恒温振荡的温度为80-85℃,时间为1-3小时。
本发明针对现有清洗剂存在的问题进行改进,采用的有机溶剂和渗透剂,使得到的光刻胶清洗剂对光刻胶的清洗能力强,能够彻底清洗光刻胶残留,避免在基因测序时芯片上各种杂质和金属离子对检测结果的干扰。同时,清洗剂中含有腐蚀抑制剂,不会腐蚀芯片基材,能够有保护芯片,非常适合工业化生产,大规模的推广应用。本发明的清洗方法能够在清洗剂效果显著的基础上,更进一步的增强清洗效果。
具体实施方式
实施例1
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1%,聚氧化丙烯三醇0.3%,壬基聚氧乙烯醚5%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,N-N二甲基甲酰胺11%和乙二醇单甲醚79.7%。
实施例2
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.1%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,N-N二甲基甲酰胺16%和乙二醇单甲醚72.9%。
实施例3
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1.5%,聚氧化丙烯三醇0.2%,壬基聚氧乙烯醚6%,对氨基苯甲酸甲酯2%,儿茶酚1%,N-N二甲基甲酰胺19%和乙二醇单甲醚70.3%。
实施例4
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1.6%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯1.2%,儿茶酚1.8%,N-N二甲基甲酰胺44%和乙二醇单甲醚45.75%。
实施例5
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1.2%,聚氧化丙烯三醇0.2%,壬基聚氧乙烯醚5.9%,对氨基苯甲酸甲酯2.8%,儿茶酚0.2%,乙二醇单甲醚89.7%。
实施例6
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇1.8%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯2.4%,儿茶酚0.6%,N-N二甲基甲酰胺89.55%。
实施例7
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇2%,聚氧化丙烯三醇0.25%,壬基聚氧乙烯醚5.4%,对氨基苯甲酸甲酯1.1%,儿茶酚1.9%,N-N二甲基甲酰胺89.35%。
实施例8
光刻胶清洗清洗剂,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇1%,聚氧化丙烯三醇0.15%,壬基聚氧乙烯醚5.5%,对氨基苯甲酸甲酯1%,儿茶酚2%,乙二醇单甲醚90.35%。
实施例9
将附有光刻胶的芯片浸入清洗剂中,进行恒温振荡,温度为80℃,时间为1小时,再用甲醇进行冲洗,烘干。
实施例10
将附有光刻胶的芯片浸入清洗剂中,进行恒温振荡,温度为83℃,时间为3小时,再用甲醇进行冲洗,烘干。
实施例11
将附有光刻胶的芯片浸入清洗剂中,进行恒温振荡,温度为85℃,时间为2小时,再用甲醇进行冲洗,烘干。
对比例1
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:二甲基苯甲醇0.5%,壬基聚氧乙烯醚1.5%,乙二醇单甲醚98%。
对比例2
光刻胶清洗组合物,按重量份计包括以下组分:对氨基苯甲酸甲酯0.2%,儿茶酚0.2%,JFC-20.1%,N-N二甲基甲酰胺99.5%。
对本发明实施例1、实施例5、对比例1和对比例2进行芯片光刻胶清洗效果的评价,结果如下:
表1
由表1可知,本发明中的实施例1和实施例5中,光刻胶的去除效果显著优于对比例1和对比例2,在腐蚀检测中,实施例1和实施例5无腐蚀,而对比例1和对比例2则有轻微腐蚀迹象。
上述详细说明是针对本发明其中之一可行实施例的具体说明,该实施例并非用以限制本发明的专利范围,凡未脱离本发明所为的等效实施或变更,均应包含于本发明技术方案的范围内。
Claims (7)
1.一种光刻胶清洗剂,其特征在于,包括以下组分:
甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇,聚氧化丙烯三醇,壬基聚氧乙烯醚和有机溶剂。
2.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述清洗剂还包括腐蚀抑制剂对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚。
3.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述清洗剂按重量份计包括以下组分:甲基苯甲醇或二甲基苯甲醇1-2%,聚氧化丙烯三醇0.1-0.3%,壬基聚氧乙烯醚5-6%,对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚3%,余量为有机溶剂。
4.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述对氨基苯甲酸甲酯和儿茶酚的重量比为4:1。
5.如权利要求1所述的光刻胶清洗剂,其特征在于,所述有机溶剂为N-N二甲基甲酰胺和乙二醇单甲醚中的一种或两种。
6.如权利要求1所述的一种光刻胶清洗方法,其特征在于,包括以下步骤:
将附有光刻胶的芯片浸入清洗剂中,进行恒温振荡,再用甲醇进行冲洗,烘干。
7.如权利要求6所述的光刻胶清洗方法,其特征在于,进行恒温振荡的温度为80-85℃,时间为1-3小时。
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