CN105284103B - 电子传感器和用于控制电子传感器的方法 - Google Patents
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Abstract
提供了一种电子传感器和用于控制电子传感器的方法。所述电子传感器包括至少两个具有不同光接收效率的像素和至少两个具有不同曝光设置的像素组。所述至少两个像素中的至少一个像素与所述至少两个像素组中的至少一个像素组相应。
Description
技术领域
本公开涉及一种诸如数字图像传感器的电子传感器,例如,具有宽动态范围(WDR)功能的图像传感器。
背景技术
在诸如无反光镜相机或移动通信终端的拍摄装置中,可使用对比聚焦探测方案。此外,可提供宽动态范围(WDR)功能,其中,在WDR功能中,同一对象的曝光较高的图像与曝光较低的图像被组合。
以上信息仅作为背景信息被提出以帮助对本公开的理解。至于任何上述信息是否可适用于作为针对本公开的现有技术,尚未做出决定,也未做出声明。
发明内容
技术方案
一种电子传感器包括多个像素,其中,所述多个像素包括至少一个第一像素和比第一像素具有更低曝光效率的至少一个第二像素;所述多个像素被排列在多个组中,其中,所述多个组包括第一像素组和第二像素组,第一像素组被构造为获取第一曝光量,第二像素组被构造为获取第二曝光量,第二曝光量比第一曝光量更低,其中,第一像素组包括至少一个第二像素,第一像素组中的每个第二像素检测被摄体图像以获取聚焦状态信息。
一种用于在电子传感器中检测被摄体图像的方法,其中,所述电子传感器包括多个像素,所述多个像素包括至少一个第一像素和比第一像素具有更低曝光效率的至少一个第二像素,所述方法包括:将电子传感器的特定像素与第一像素组相关联,其中,第一像素组被构造为在第一曝光时长内检测被摄体图像的至少第一部分;将电子传感器的特定其它像素与第二像素组相关联,其中,第二像素组被构造为在第二曝光时长内检测被摄体图像的至少第二部分,第二曝光时长比第一曝光时长更短;经由第一像素组的像素获取聚焦状态信息,其中,第一像素组包括至少一个第二像素,其中,聚焦状态信息是使用所述至少一个第二像素获取的。
一种非暂时性机器可读存储介质存储当由一个或更多个处理器执行时使所述一个或更多个处理器执行以下操作的指令,其中,所述操作包括:将电子传感器的至少一个像素与被构造为在一段特定时间内接收光的像素组相关联。所述操作还包括:将电子传感器的至少另一像素与被构造为在另一段特定时间内接收光的另一像素组相关联。所述像素和所述另一像素具有不同的光效率。
从以下结合附图公开本公开的各种实施例的详细描述,对于本领域技术人员而言,本公开的其它方面、优点和显著特征将变得清楚。
本公开的另一方面提供一种包括安排的指令的计算机程序,其中,当该计算机程序被执行时,该计算程序实现根据上述多个方面中的任意方面的方法。进一步的方面提供存储这种程序的机器可读存储器。
本公开的各个方面和特征在所附权利要求中被限定。
本公开的特定实施例的目的在于至少部分解决、减轻或消除与现有技术相关联的问题和/或缺点中的至少一个。特定实施例目的在于提供以下描述的优点中的至少一个优点。
有益效果
根据本公开的各种实施例的图像传感器和用于控制图像传感器的方法提供一种确保具有小光接收量的效率较低的像素(例如,相位差聚焦探测像素)的曝光量的方式,从而使用单个图像传感器来实现聚焦探测和WDR。此外,当正常执行由于光接收量比其它像素更小而具有更长曝光时长的像素的功能时,也可实现WDR功能。因此,根据本公开的各种实施例的图像传感器和用于控制图像传感器的方法可有助于改进捕捉的图像的质量以及相机模块和电子装置的小型化。
附图说明
从以下结合附图的描述,本公开的特定实施例的以上和其它实施例、特征和优点将更清楚,在附图中:
图1是根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的部件的放大示图;
图2是根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的部件的放大示图;
图3示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器中的图像检测像素的各种排列;
图4、图5、图6A、图6B和图7是与根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的像素的曝光操作相关联的示图;
图8示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器中的包括相位差聚焦探测像素的像素的各种排列;
图9示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器中的彩色滤光器的排列;
图10是根据本公开的各种实施例的沿图9中示出的数字图像传感器的线A?A’截出的剖面图;
图11是示出根据本公开的各种实施例的彩色滤光器的特性的曲线图;
图12和图13示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的捕捉的屏幕;
图14是包括根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的电子装置的框图;
图15是示出用于控制根据本公开的各种实施例的数字图像传感器的方法的流程图;
贯穿附图,相同的标号将被理解为是指同样的部件、组件和结构。
具体实施方式
在下文中,将参照附图来对本公开的各种实施例进行详细描述。所述描述包括各种特定细节以帮助理解,但这些细节仅被视为示例。相应地,本领域普通技术人员将意识到:在不脱离本公开的范围和精神的情况下可对描述在此的各种实施例进行各种改变和修改。此外,为了清楚和简明,可省略对公知功能和结构的描述。
在以下的描述和权利要求中使用的术语和词语不限于书面含义,而仅被发明人用来能够清晰且一致地理解本公开。因此,本领域技术人员应清楚:提供本公开的各种实施例的以下描述仅用于示意性的目的,而并非为了限制由权利要求和它们的等同物限定的本公开的目的。
贯穿本申请的说明书和权利要求,词语“包括”和“包含”以及这些词语的变体(例如,“包括...的”和“包括”)表示“包括但不限于此”,并且不意图(且不)排除其它组件、整体或步骤。
除非与此矛盾,否则结合本发明的具体方面、实施例或示例描述的特征、整体或特性将被理解为可应用于在此描述的任何其它方面、实施例或示例。
还将理解:贯穿本申请的说明书和权利要求书,具有一般形式“用于Y的X”的语言(其中,Y是某一动作、活动或步骤,X是用于执行该动作、活动或步骤的某一装置)包含为了进行Y而特别适配或布置的但并非仅为了进行Y而适配或布置的装置X。
贯穿本申请的说明书和权利要求,除非上下文另有所需,否则单数形式包含复数形式。具体来说,在使用不定冠词的地方,除非上下文另有所需,否则本申请将被理解为考虑复数以及单数。因此应理解,除非上下文清楚地另有指示,否则单数形式包括复数指代物。因此,例如,提到“组件表面”包括提到一个或更多个这样的表面。
根据本公开的各种实施例的电子传感器(例如,数字图像传感器)公开了在提供宽动态范围(WDR)功能的同时稳定实现聚焦探测功能的像素的排列。相较于图像传感器的其它像素,根据本公开的各种实施例的图像传感器的像素可包括在结构上或功能上具有较低光接收效率(light-receiving efficiency)的像素(“效率较低的像素”)。所述效率较低的像素可包括具有相位分离结构的像素、具有诸如红、绿和蓝颜色的滤光器的像素以及与其它像素相比具有使更少量的光穿过的微透镜结构的像素。根据电子传感器所需的性能,可以可选地或额外地对像素提供互补色(青色、品红色、黄色)的滤光器和/或对红外频率或紫外频率具有带通的滤光器。
根据本公开的各种实施例的电子传感器(例如,图像传感器)包括用于检测图像信息的像素,其中,所述像素中的至少某些像素是效率较低的像素,并且所述电子传感器通过使用所述效率较低的像素来检测关于聚焦调整(或聚焦)状态的信息。根据本公开的特定实施例,效率较低的像素可能比图像传感器的其它像素使用更长曝光时间(或时长)来获取相同的图像信息量。例如,在一对具有相位分离结构的效率较低的像素之中,第一效率较低的像素可检测穿过成像透镜的出射光瞳的一侧的光(例如,图像信息),第二效率较低的像素可检测穿过成像透镜的出射光瞳的另一侧的光(例如,图像信息)。根据本公开的各种实施例的电子装置的控制器可通过对由第一效率较低的像素检测到的图像与由第二效率较低的像素检测到的图像之间的距离进行比较来检测聚焦状态。
此外,根据本公开的各种实施例的电子传感器(例如,图像传感器)的像素可被分类为至少两组,使得第一像素组被设置为比第二像素组具有更高或更低的像素曝光量,由此实现WDR功能。像素曝光量可通过曝光时长、像素的光电转换效率(或胶片速度)、像素大小、透镜调整或彩色滤光器来设置。根据本公开的各种实施例,具有较高曝光量的像素(曝光较高的像素)可检测在图像传感器中形成的图像的区域中的暗色部分的图像信息,具有较低曝光量的像素(“曝光较低的像素”)可检测捕捉图像的区域中的明亮部分的图像信息。
如先前所述,效率较低的像素比其它像素(“图像检测像素”)具有更低的光接收效率。在假设对于两个像素集的给定曝光时长的情况下,相较于图像检测像素,效率较低的像素每单位时间可能具有更少的入射光。这种对入射光的约束可在结构上或在控制器的控制下发生。例如,在假设相同曝光时长的情况下,效率较低的像素可能比图像检测像素获取更少的图像信息。
当设置用于实现WDR功能的像素组时,根据本公开的各种实施例的电子传感器(例如,数字图像传感器)可对效率较低的像素进行排列以与曝光较高的像素组相应,从而提高光接收量相对不足的像素(例如,效率较低的像素)的性能。如此,通过基于排列成与曝光较高的像素组相应的效率较低的像素来获取关于聚焦状态的信息,可实现更准确的聚焦探测。关于聚焦状态的信息也可从排列成与曝光较低的像素组相应的曝光较低的像素获取,但是聚焦探测性能可能比排列成与曝光较高的像素组相应的效率较低的像素更低。
当像素被构造为形成图像传感器时,如果布置了光接收量不足的滤光器,则布置有特定彩色滤光器的像素可被设置为曝光较高的像素。在这种情况下,效率较低的像素可被排列成与这些彩色滤光器相应。依据包括根据本公开的各种实施例的图像传感器的电子装置的模式设置或拍摄时间,图像传感器的像素可被重新排列在曝光较高的像素和曝光较低的像素的位置中。以这种方式,当动态分配图像传感器的像素时,效率较低的像素中的至少某些像素可位于曝光较高的组。当图像传感器的像素被重新排列在第一像素组和第二像素组中时,图像传感器的每个像素的光电转换效率可被图像传感器的控制器改变,或者每个像素的曝光时长可被图像传感器的控制器调整。在图像传感器上分布的效率较低的像素也可被分类为被设置为曝光较高的像素的像素组和被设置为曝光较低的像素的像素组中的一个像素组中,并且控制器可基于从被分类为曝光较高的像素组的效率较低的像素检测到的信息来检测关于更好的聚焦状态的信息。
因此,在由根据本公开的各种实施例的数字图像传感器允许的最大曝光时长期间,至少某些效率较低的像素可获取聚焦探测所需的图像信息。各个效率较低的像素都被构造为相同的图像检测环境(例如,预定曝光量),从而在获取聚焦探测所需的信息的效率较低的像素之间保持一致性。
在下文中,将参照图1、2、3、4、5、6A、6B、7、8、9、10、11、12、13、14和15来提供对数字图像传感器的进一步的详细描述。
图1是根据本公开的一个实施例的数字图像传感器100的部件的放大示图。
参照图1,数字图像传感器100的单位像素115a、115b和115c中的每一个包括互连区域13、光接收区域15和成像透镜(例如,微透镜)17。
互连区域13可按照预定间隔被排列在图像传感器100的基板11的表面,光接收区域15可被排列在互连区域13之间。例如,互连区域13和光接收区域15可被交替地排列在基板11的表面。在互连区域13上,可布置有诸如电线或信号线的元件。光接收区域15可以是大体上检测光和图像以用于转换为电信号并将与检测到的图像的信息相应的电信号传送到互连区域13的光电转换区域。
单位像素115a、115b和115c中的每个可包括一个光接收区域15、连接到光接收区域15的互连区域13的互连晶体管和排列为与光接收区域15相应的微透镜17。单位像素115a、115b和115c中的多个像素可作为图像检测像素115a和115b运行,并且如上所述,某些像素可包括相较于图像检测像素115a和115b而具有更低的光接收效率的效率较低的像素。效率较低的像素可被构造为聚焦探测像素,例如,具有相位分离结构的相位差聚焦探测像素115c。根据本公开的实施例,效率较低的像素可不具有相位分离结构。例如,通过使用彩色滤光器或使更少的量光穿过的微透镜,某些像素的曝光量可被限制为小于其它像素。
图1示出当相位差聚焦探测像素115c被构造时在光接收区域15中安装遮光层19的相位分离结构。每个微透镜17可被布置为使得它的光轴P与相应于微透镜17的光接收区域13一致。在图1中,在光接收区域15上面的互连区域13之间,形成了空腔(cavity)29,并且遮光层19可被布置在互连区域13之间的空腔29中。参照图8,遮光层19可覆盖光接收区域15的表面区域的一部分(例如,在光接收区域15的一侧的光接收区域15的大约一半的表面区域),因此,部分地遮住入射到光接收区域15的光。在假设相同的曝光时长的情况下,相位差聚焦探测像素115c可具有大约是图像检测像素115a和115b的曝光量的一半的曝光量。
根据本公开的实施例,例如,如图8中所示,相位差聚焦探测像素115c可包括彼此邻近排列或彼此相隔的一对像素115c-1和115c-2。布置在第一相位差聚焦探测像素115c-1中的遮光层19可被布置为不与在第二相位差聚焦探测像素115c-2上的遮光层19重叠(例如,被布置在偏离位置中)。在这种情况下,当第一相位差聚焦探测像素115c-1检测到穿过微透镜17的出射光瞳的一侧的光时,第二相位差聚焦探测像素115c-2可检测到穿过微透镜17的出射光瞳的另一侧的光。图像传感器100和/或安装有图像传感器100的电子装置(诸如,相机或便携式终端)对从相位差聚焦探测像素115c检测到的图像之间的距离进行比较,由此测量图像传感器100的聚焦状态。
图2是根据本公开的各种实施例的改进数字图像传感器200的部件的放大示图。当对图2中示出的图像传感器200进行描述时,具有与图1中示出的图像传感器100的结构或功能相似的结构或功能的组件可由相同的标号来指示,而不管结构上的差别。
参照图2,相位差聚焦探测像素115c被示出,其中,相位差聚焦探测像素115c被布置为使得微透镜17的光轴L偏离光接收区域15的光轴P。在如图2中所示的相位差聚焦探测像素115c中,随着微透镜17的光轴L与光接收区域15的光轴P偏离,仅穿过微透镜17的出射光瞳的一侧或另一侧的光可入射到光接收区域15。相位差聚焦探测像素115c形成相应对并被用于聚焦探测操作,在该对中的相位差聚焦探测像素115c的微透镜17可被布置在相对于彼此偏离的位置中。
如此,根据本公开的各种实施例的图像传感器的效率较低的像素可具有相位分离结构,其中,在该相位分离结构中,布置了遮光层19,或者微透镜17的光轴P偏离光接收区域15的光轴P。然而,如先前所述,根据本公开的各种实施例的图像传感器可通过使用布置为与某些像素相应的滤光器或微透镜来实现效率较低的像素。
以下将进一步描述安装有改进本公开的各种实施例的遮光层19的相位差聚焦探测像素115c。
图3示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器100中的图像检测像素115a和115b的各种示例排列。例如,如上所述,可通过将图像传感器100的像素115分别布置为具有不同曝光量设置的两个像素组来实现WDR功能。为此,像素115可在图像传感器100的生产过程中被固定,或者可根据安装有图像传感器100的装置的拍摄模式被自适应地布置。在本公开的各种实施例的描述中,术语“不同的曝光量设置”可表示曝光较高的像素115a被曝光期间的时长长度与曝光较低的像素115b被曝光期间的时长长度彼此不同。对于不同的曝光量设置,在某些实施例中,可在曝光较高的像素115a的曝光的同时执行曝光较低的像素115b的曝光。另一方面,可不需要在曝光较低的像素115b的曝光的同时执行曝光较高的像素115a的曝光。对于不同的曝光量设置,在某些实施例中,曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b的光电转换效率可被设置为彼此不同。对于不同的曝光量设置,在某些实施例中,曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b的像素大小可被设置为彼此不同,或者可通过控制透镜或滤光器来可选地调整每单位时间入射到像素的光量。
图4、图5、图6A、图6B和图7示出与根据本公开的各种实施例的数字图像传感器100的像素115的曝光相关的曲线图。
参照图4,具有相对低的光接收效率的第二像素的组(例如,曝光较低的像素115b的组,组2)可晚于包括第一像素的组(例如,曝光较高的像素115a的组,组1)开始曝光,并且第一像素组(即,组1)的像素的曝光与第二像素组(即,组2)的像素的曝光可同时结束。
图5示出在根据本公开的各种实施例的图像传感器100中组1的像素的曝光与组2的像素的曝光同时开始并且组2的像素的曝光比组1的像素的曝光更早结束的结构。虽然在图5中未示出,但是组2的像素的曝光可比组1的像素的曝光开始得更晚结束得更早。
图6A示出根据本公开的各种实施例的图像传感器100的像素15被分类为第一像素组组1和第二像素组组2,并且具有相对小曝光量的组2的像素的曝光被执行了两次以获取曝光中等的图像信息的结构。
参照图6A,在组1的像素的曝光期间,组2的像素可被依次曝光两次。因此,虽然图像传感器100的像素115被分类为具有不同曝光时长的两组,但是可获得与当图像传感器100的像素115被分类为具有不同曝光时长的三个像素组(即,组1、组2和组3)时相同的效果。在这种情况下,组2(例如,曝光较低的像素115b的组)的初次曝光与曝光较高的像素115a的组的曝光同时开始,并且在曝光较高的像素115a的组的曝光期间,组2(例如,曝光较低的像素115b的组)的二次曝光可在初次曝光结束之后被执行,并且可与曝光较高的像素115a的组的曝光的结束同时结束。
根据本公开的某些实施例,组2的像素(例如,曝光较低的像素115b)的初次曝光的时长长度可被设置为与曝光较低的像素115b的二次曝光的时长长度不同。根据本公开的某些实施例,曝光较低的像素115b可被设置为经历两次或更多次(例如,三次或四次)的曝光操作。这样做,在WDR功能的实现中,图像传感器100的像素15可被设置为三个或更多个具有不同曝光时长的组。
根据本公开的实施例,图像传感器100的像素115的某些像素可被设置为用于在预设曝光时长期间检测对象图像的第一像素组组1,图像传感器110的像素115中的其它像素可被设置为用于在设置为比组1的曝光时长更短的曝光时长期间检测对象图像的第二像素组组2。像素115中的既没有设置为第一像素组组1也没有被设置为第二像素组组2的其它像素可被设置为第三像素组组3,其中,第三像素组组3用于在比组1的像素更短且比组2的像素更长的时长期间检测对象图像。组1的像素可以是曝光较高的像素115a,组3的像素可以是曝光中等的像素,组2的像素可以是曝光较低的像素115b。
根据本公开的另一实施例,图像传感器100的像素115可被设置为第一像素组组1、第二像素组组2和第三像素组组3,其中,各个像素组的曝光时长可彼此相同,但是所述像素组之一可具有不同的光电转换效率,或者各个像素组的像素的曝光量可利用像素大小、对透镜或滤光器的调整、或额外的遮光板而被设置为不同。
图6B是与根据本公开的各种实施例之一的图像传感器100的像素115的曝光相关联的曲线图,其中,第三像素组组3与第一像素组组1具有相同的曝光时长,但是具有比组1更低的曝光量。如此,通过在相同的曝光时长的情况下改变曝光量随时间变化的梯度,图像传感器100的像素115可被设置为第一像素组组1、第二像素组组2和第三像素组组3。可通过控制各个像素115的光电转换效率来调整不同曝光量随时间的设置。
图7是当根据本公开的各种实施例的图像传感器100的像素115被分类为三个具有不同曝光时长的组时与曝光相关联的曲线图。例如,如图7中所示,第一像素组组1的曝光、第二像素组组2的曝光和第三像素组组3的曝光可彼此独立地被执行。
以这种方式,根据本公开的各种实施例,可通过根据曝光时长不同地设置曝光量的改变的梯度将像素设置为不同的组。例如,可通过控制像素的光电转换效率、像素大小、或者是透镜或滤光器,或者通过使用额外的遮光层来调整每单位时间入射到像素的光量,从而根据曝光时长不同地设置不同像素组的像素的曝光量。
根据本公开的各种实施例,可通过使用曝光时长差来在明亮环境下调整曝光量。根据各种实施例,可通过使用相同曝光时长以及曝光量的改变的梯度变化(例如,光电转换效率)来在暗色环境下调整曝光量。
通过针对图像传感器100的像素115中的曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b并且可选地针对曝光中等的像素单独地执行曝光,图像传感器100可检测在各个像素针对给定对象的曝光时长期间形成的多个图像信息。根据实施例,高曝光、中等曝光和低曝光的比率可根据期望的动态范围来确定。根据曝光比率,曝光较高的像素115a的曝光时长和曝光较低的像素115b的曝光时长可被确定。例如,当曝光比率根据曝光时长而被确定时,如果适当曝光的曝光时长是1/250秒并且曝光比率是1:2:4,则曝光较高的像素115a可具有曝光时长1/125秒,曝光较低的像素115b可具有曝光时长1/500秒,曝光中等的像素可具有曝光时长1/250秒。可由电子装置的控制器将从各个像素检测到的多个图像信息进行组合以完成捕捉的图像。
图8示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器(例如,图像传感器100)中的包括相位差聚焦探测像素115c的像素115的各种排列。
参照图8,相位差聚焦探测像素115c可被布置为与被设置为曝光较高的像素115a的像素相应。以下将进一步描述相位差聚焦探测像素115c与被设置为曝光较高的像素115a的像素相应的排列。
在特定时间点的曝光较高的像素115a不需要一直维持为曝光较高的像素。例如,暗区域和亮区域可根据拍摄时间点而变化,或者曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b的对象或排列可根据用户的操纵而被重设。
根据本公开的实施例,相位差聚焦探测像素115c可被形成,其中,遮光层19被布置或微透镜17的光轴L偏离光接收区域15的光轴P。相位差聚焦探测像素115c的位置可不在拍摄时间点被重设,并且可根据结构特征被固定在特定位置中。此外,根据本公开的各种实施例,数字图像传感器(例如,图像传感器100)可重设曝光较高的像素(例如,曝光较高的像素115a)、曝光较低的像素(例如,曝光较低的像素115b)以及可选地曝光中等的像素(例如,具有曝光较高的像素的曝光时长与曝光较低的像素的曝光时长之间的曝光时长的像素)的排列。
额外地或可选地,根据本公开的各种实施例的图像传感器(例如,图像传感器100)可将至少某些相位差聚焦探测像素(例如,相位差聚焦探测像素115c)设置为被排列为与曝光较高的像素相应。根据本公开的实施例,如图8中所示,当图像传感器100的像素115被设置为曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b时,曝光较高的像素115a的数量和曝光较低的像素115b的数量可被设置为彼此相同或不同,并且曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b可根据特定图案的重复而被规则地排列,或可选地可被不规则地排列。当图像传感器100的像素115被重新排列为曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b以及可选地曝光中等的像素时,相位差聚焦探测像素115c中的某些像素可被排列为与曝光较高的像素115a相应。
图9示出根据本公开的各种实施例的数字图像传感器中的彩色滤光器的排列,图10是根据本公开的各种实施例的沿图9中示出的数字图像传感器的线A到A’截出的剖面图。
参照图9和图10,根据本公开的各种实施例的图像传感器100包括与像素115a、115b和115c相应的彩色滤光器21。例如,各种彩色滤光器21可包括白光滤光器W、红光滤光器R、绿光滤光器G或蓝光滤光器B或者可使另一颜色的光穿透或遮挡另一彩色的光的滤光器。彩色滤光器21可根据入射光的波长具有不同的透光度。例如,参照图11,相较于具有红光滤光器R、绿光滤光器G和/或蓝光滤光器B的像素,具有白光滤色器W的像素可具有更高的曝光率值,并且用于红光滤光器R、绿光滤光器G和/或对于蓝光滤光器B的曝光率值可彼此相似。因此,在相同的曝光时长期间被布置为与白光滤光器W相应的像素可比其它像素具有更高的曝光量。为了补偿相位差探测像素115c的不足的光接收量,相位差探测像素115c可被布置为具有白光滤光器W。
图12和图13示出由根据本公开的各种实施例的数字图像传感器捕捉的屏幕。例如,图12和图13示出曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b的排列可在图像传感器中改变的结构。
根据各种因素(诸如,拍摄时间点或将被拍摄的具体对象),亮区域和暗区域可在图像区域I中变化。包括根据本公开的各种实施例的图像传感器的电子装置可在对象的图像中识别亮区域和暗区域,并对曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b进行重新排列。此外,根据操纵电子装置的用户意图,特定区域可被设置为感兴趣区域(ROI)。
参照图12和图13,当包括根据本公开的各种实施例的图像传感器的电子装置(例如,拍摄装置)被设置为肖像模式时,与人体的至少一部位(例如,面部或整个躯干)相应的区域可被设置为图像区域I中的ROI。当根据本公开的各种实施例的图像传感器(例如,图像传感器100)在将被捕捉的图像区域I中设置ROI时,图像传感器100可将与ROI相应的像素设置为曝光较高的像素115a或曝光较低的像素115b,或者可调节曝光较高的像素115a的数量与曝光较低的像素115b的数量的比率。例如,图像传感器100可动态地分配与曝光较高的像素115a相应的像素组的排列和与曝光较低的像素115b相应的像素组的排列。
通过根据图像的亮区域和暗区域的动态范围或者根据针对像素的不同输出而设置的ROI或ROI之外的区域来不同地设置针对第一像素组组1的像素和第二像素组组2的像素的排列、曝光时长率、增益率等,图像传感器的像素可被分类为曝光较高的组和曝光较低的组。例如,在拍摄屏幕中的暗区域或ROI中,像素输出值被设置得更高的第一像素组组1(例如,曝光较高的像素的组)的比率可比第二像素组组2的比率更高;然而,在亮区域或ROI之外的区域中,像素输出值被设置得更低的组2(例如,曝光较低的像素的组)的比率可比组1的比率更高。因此,图像传感器100可保证更宽的动态范围以捕捉图像。当获取捕捉图像的信息时,安装有根据本公开的各种实施例的图像传感器的电子装置的控制器可通过从被布置为与第一像素组组1的像素相应的效率较低的像素(例如,相位差聚焦探测像素115c)检测到的信息来检测聚焦状态。
如上所述,相位差聚焦探测像素115c可具有比图像检测像素115a和115b更低的光接收效率。例如,相位差聚焦探测像素115c可具有相位分离结构,其中,在相位分离结构中,光接收区域115c的光轴P和微透镜的光轴L被布置为彼此偏离,或者提供遮光层19以遮挡光接收区域15的一部分。穿过相位分离结构的光可被部分地遮挡或它的入射路径改被变,使得入射到相位差聚焦探测像素115c的光接收区域的光量可比入射到图像检测像素115a和115b的光接收区域的光量小。
在根据本公开的各种实施例的图像传感器中,相位差聚焦探测像素115c可被均匀地分布在图像传感器100的整个区域上。此外,ROI可根据拍摄模式或拍摄时间而被设置为不同,使得相位差聚焦探测像素115c也可被分布在ROI之外的区域中。根据实施例,布置在ROI之外的相位差探测像素115c可被去激活以使其不进行聚焦探测操作。例如,可仅利用布置在ROI中的相位差聚焦探测像素115c来检测聚焦状态。即使当特定相位差聚焦探测像素115c被去激活时,电子装置的控制器也可根据从布置在ROI中的相位差聚焦探测像素(例如,布置为与第一像素组组1的像素相应的相位差聚焦探测像素115c)检测到的信息在捕捉时间检测对焦状态:从布置在ROI之外的相位差聚焦探测像素115c检测到的信息被丢弃或以其它方式而未被使用。
图12示出在捕捉图像的区域I中与作为被摄体的人物的面部相应的区域的效率较低的像素(相位差聚焦探测像素)包括曝光较高的像素115a的结构。如上所述,针对作为被摄体的人物的面部,可通过使用在安装有图像传感器的电子装置的控制器中提供的算法来将特定区域的像素设置为曝光较高的像素115a。可使用安装在电子装置上的硬件(诸如,中央处理器(CPU)和只读存储器(ROM))、安装在硬件上的固件或软件以及安装在电子装置上的应用中的至少一个来实现所述算法。
根据实施例,如图13中所示,如用户所期望的,特定区域的像素可被设置为曝光较高的像素115a。如果与作为被摄体的人物的面部相应的区域在捕捉时间被设置为ROI,则电子装置的控制器通过从ROI中的被布置为与曝光较高的像素115a相应的相位差探测像素115c检测到的信息来检测聚焦状态。例如,可由电子装置的控制器将布置在ROI之外的相位差探测像素115c去激活或排除从布置在ROI之外的相位差探测像素115c检测到的信息。因此,通过使用从布置在曝光较高的像素115a的组中的相位差探测像素115c检测到的信息,电子装置的处理器可检测捕捉图像的聚焦状态。
图13示出捕捉图像的区域I被划分为预定大小的块的结构以及存在被摄体人物的完整身体的区域的块被设置为ROI的结构。包括在与ROI相应的块中的相位差探测像素115c中的至少某些像素可被设置为与曝光较高的像素115a相应,可从ROI中的被布置为与曝光较高的像素115a相应的相位差探测像素115c检测关于聚焦状态的图像信息。电子装置的控制器从检测到的图像信息检测图像传感器100的聚焦状态,由此改进ROI的聚焦探测的性能。根据本公开的各种实施例,不与ROI相应的块的相位差探测像素115c也可以在曝光较高的像素115a或在曝光较低的像素115b中。
以下将作出对具有根据本公开的各种实施例的图像传感器的电子装置以及在该电子装置中设置或重新设置曝光较高的像素和曝光较低的像素的布置的操作的描述。
图14是包括根据本公开的各种实施例的数字图像传感器100的电子装置30的框图。电子装置30可包括电子传感器,例如,数字图像传感器100。
电子传感器可包括第一像素和具有比第一像素更低的曝光效率的第二像素,其中,第一像素组被构造为获取曝光量,第二像素组被构造为获取比所述曝光量更少的曝光量。第一像素组包括至少一个第二像素,并且第一像素组的第二像素检测被摄体图像以获取聚焦状态信息。
第一像素可包括白光检测像素,第二像素可包括红光检测像素、绿光检测像素和蓝光检测像素中的至少一个。
第一像素可包括包含第一滤光器的像素,第二像素可包括包含第二滤光器的像素,其中,在相同曝光时长期间穿过第二滤光器的光比穿过第一滤光器的光更少。
第一像素可包括包含第一透镜的像素,第二像素可包括包含第二透镜的像素,其中,在相同曝光时长期间穿过第二透镜的光比穿过第一透镜的光更少。
至少第一像素或至少第二像素可包括互连区域、布置在互连区域之间的光接收区域和布置在光接收区域上的微透镜。
第二像素可包括相位分离结构,相位分离结构可包括遮光层。
第二像素可包括被构造为检测穿过微透镜的出射光瞳的一侧的光的像素。
所述曝光量和所述较少曝光量可以是至少部分基于在电子传感器上形成的图像来确定的。
所述曝光量和所述较少曝光量可以是至少部分基于在电子传感器上形成的图像的至少一部分的亮区域与暗区域的动态范围比率来确定的。
所述曝光量和所述较少曝光量可以是基于曝光时长和光电转换效率中的至少一个来确定的。
图15是示出用于控制根据本公开的各种实施例的数字图像传感器100的方法300的流程图。
所述方法可包括:将电子传感器的至少第一像素与第一像素组相关联,其中,第一像素组被构造为在第一曝光时长内检测被摄体图像中的至少第一部分;将电子传感器的至少第二像素与第二像素组相关联,其中,第二像素组被构造为在第二曝光时长内检测被摄体图像中的至少第二部分,其中,第二曝光时长比第一曝光时长更短;经由第一像素组的像素获取聚焦状态信息,
将第一像素与第一像素组相关联的步骤可包括:在相同曝光时长期间将比第二像素具有更低的曝光效率的像素与第一像素组相关联。
将所述至少第一像素与第一像素组相关联的步骤可包括:将包括相位分离结构的像素与第一像素组相关联,相位分离结构可包括遮光层。
所述方法还可包括:以重复的图案来构造第一像素组和第二像素组。
所述方法还可包括:以不规则的图案来构造第一像素组和第二像素组。
所述方法还可包括:经由第一像素组在第一曝光时长内检测被摄体图像的所述至少第一部分;经由第二像素组在第二曝光时长内检测被摄体图像的所述至少第二部分。
检测至少第二部分的步骤可包括:在经由第一像素组在第一曝光时长内检测被摄体图像的所述至少第一部分期间检测被摄体图像的所述至少第二部分至少两次。
所述方法还可包括:确定被摄体图像的感兴趣区域;将第一像素与第一像素组相关联的步骤可包括:将与感兴趣区域相应的至少一个像素与第一像素组相关联。
将至少第一像素与第一像素组相关联的步骤包括:在至少感兴趣区域中,将一个或更多个像素与第一像素组相关联,其中,所述一个或更多个像素的数量比与第二像素组相关联的像素的数量更大。
电子装置30可包括根据本公开的各种实施例的图像传感器100,并包括控制器31以及用于不同地设置图像传感器100的每个像素115的曝光量(例如,将每个像素115设置为曝光较高的像素115a、曝光较低的像素115b、以及可选地,曝光中等的像素之一)的像素设置器33。每个像素115的曝光量可根据在捕捉时间的屏幕的构成或在捕捉屏幕中的被摄体的位置而被动态设置。
电子装置30可以是例如数码相机、便携式多媒体播放器(PMP)、移动通信终端、平板个人计算机(PC)、车辆导航器或黑盒、或者是膝上型计算机。如果图像传感器100被用作闭路摄像机或视频通信摄像机,则图像传感器100可被提供为单独的相机模块并可以无线方式或有线方式被连接到电子装置(例如,台式计算机或服务器)的主体。
控制器31可包括硬件(诸如,CPU、应用处理器(AP)、只读存储器(ROM)、随机访问存储器(RAM))或安装在硬件上的固件或软件。
为了方便起见,在假设图像检测像素115a和115b的结构彼此相同的情况下,将对根据本公开的各种实施例的像素115的动态设置布置进行描述。然而,应注意:在构造根据本公开的各种实施例的图像传感器100的各个像素115时,如果图像检测像素115a和115b具有不同的物理结构(如彩色滤光器21的布置),则图像传感器100的像素115可被分类并布置为比以下描述得更多的组。
根据本公开的各种实施例的图像传感器100的像素115可被分类并设置为包括第一像素组组1和第二像素组组2的2个组,或者可被分类并设置为还包括曝光中等的组的3个或更多个组,其中,第一像素组组1包括曝光较高的像素115a,第二像素组组2包括曝光较低的像素115b。此外,根据本公开的各种实施例的图像传感器的像素115中的某些像素可包括可被均匀地分布在图像传感器100的整个区域上的相位差聚焦探测像素115c。因此,当图像传感器100的像素115根据曝光量被分类并被设置时,相位差聚焦探测像素115c也可被分类为具有不同曝光量的像素组。在这种情况下,可从被分配为与曝光较高的像素115a相应的相位差聚焦探测像素115c提供聚焦探测所需的图像信息。
此外,在以下描述中,当图像检测像素115a和115b被分类并被设置为第一像素组组1和第二像素组组2时,曝光量可根据曝光时长而被调整。然而,如上所述,每个图像检测像素的曝光也可根据光电转换效率、对透镜或滤光器的调整以及曝光时长而被调整。
在下文中,将参照图14和图15对用于通过电子装置30控制根据本公开的各种实施例的图像传感器100的方法300进行描述。
在操作311,一旦拍摄开始,则在操作313,电子装置30的控制器(例如,包括图像传感器100的移动通信终端的AP)将图像传感器100的像素115中的某些像素设置为用于在设置的曝光时长期间检测被摄体图像的第一像素组组1,并在操作315,将图像传感器100的剩余像素115中的至少某些剩余像素设置为用于在设置得比组1的曝光时长更短的曝光时长期间检测被摄体图像的第二像素组组2。例如,分类为组1的像素被设置为曝光较高的像素115a,分类为组2的像素被设置为曝光较低的像素115b。
如果对于电子装置30不存在单独的设置,则曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b可彼此相邻地分布。如果曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b彼此相邻地分布,则暗图像和亮图像可从与像素相应的图像被获取并彼此组合,从而获取具有改进的动态范围的一个图像。可选地,在捕捉图像区域的暗部分中,组1的比率可设置得比组2的比率高。如果已经设置了例如肖像模式的拍摄模式,则在操作312,可将人物的面部或完整身体设置为图像区域中的ROI。ROI可通过拍摄模式或通过用户选择来设置。
在操作312设置ROI的操作可先于在操作313设置第一像素组组1的操作或与其基本同时发生。例如,如果电子装置30已经被设置为肖像模式,则控制器31可在操作312首先识别人物的位置以在捕捉图像区域I中设置ROI,随后可在操作313控制像素设置器33将组1的比率设置为比组2的比率更高。控制器31可在操作312根据捕捉模式或用户的选择来设置ROI并可同时在操作313将ROI的像素中的至少某些像素设置为组1.
像素设置器33可响应于控制器31的前述命令,将图像传感器100的像素115分类为组1和组2(例如,曝光较高的像素115a和曝光较低的像素115b)。如果控制器31设置将图像传感器100的像素115分类为2个组,则在操作315设置第二像素组组2的操作可与在操作313设置第一像素组组1的操作基本同时发生。
在暗区域或ROI中,具有更长曝光时长的组1的像素的比例可比组2的像素的比例更高,在亮区域或ROI之外的区域中,具有更短曝光时长的组2的像素的比例可比组1的像素的比例更高。因此,组1的像素可检测暗区域或ROI的更多的图像信息,组2的像素可检测亮区域或ROI之外的区域的更多的图像信息。例如,电子装置30可在捕捉图像区域I中识别暗区域和亮区域,并可在识别的相应区域中将组1的比率设置为比组2的比率更高。此外,根据ROI的用户设置或电子装置的拍摄模式(例如,肖像模式或风景模式),电子装置30的控制器31(例如,CPU或AP)可设置ROI。一旦设置了ROI,则可将ROI中的更多像素设置为组1或组2。
如果在图像传感器100的像素115之中存在没被设置为组1或组2的像素,则这些像素可在操作316被可选地设置为第三像素组组3,其中,第三像素组组3用于在比组1的曝光时长更短且比组2的曝光时长更长的曝光时长期间检测被摄体图像。在这种情况下,组3的像素可作为曝光中等的像素进行操作,组2的像素可作为曝光较低的像素进行操作。然而,如上所述,在没有单独设置组3的情况下,组2的像素可以以不同的曝光时长检测曝光的图像至少两次。如果组2的像素检测曝光的图像至少两次,则可简化图像传感器100的像素的分类,并在同时可实现更有效的WDR功能。
根据本公开的各种实施例的图像传感器100的像素115中的某些像素可包括效率较低的像素(例如,相位差聚焦探测像素115c)并可被不同地布置(例如,在图像传感器100的整个区域上被均匀地布置、在图像传感器100的区域上被不规则地布置或在图像传感器100的区域上被集中布置)。相位差聚焦探测像素115c也可被设置为属于用于WDR功能的组1或组2(换言之,曝光较高的像素115a的组或曝光较低的像素115b的组)。在检测聚焦状态的操作317,当与从被设置为组2的相位差聚焦探测像素115c检测到的信息进行比较时,从被设置为组1的相位差聚焦探测像素115c检测到的信息可包括更准确的关于聚焦状态的信息。在操作317,控制器31可从图像信息检测图像传感器100的聚焦状态,其中,图像信息是从与被设置为组1的像素相应的相位差聚焦探测像素115c获取的。
一旦检测到关于聚焦状态的信息,控制器31可通过单独处理来控制安装在电子装置30上的透镜的聚焦调整。可通过一般拍摄装置的操作机制来不同地实现聚焦调整,因此将不对其进行详细地描述。
当聚焦状态被优化时,控制器31在操作319将从像素115检测到的图像信息进行组合以获取一个完整的图像,并在操作321终止拍摄。
根据本公开的各种实施例,具有低接收光效率的像素中的至少某些像素(例如,诸如相位差聚焦探测像素)可保证图像传感器允许的最大曝光时长乃至最大曝光量。因此,根据本公开的各种实施例的图像传感器可执行WDR功能,并且同时,相位差聚焦探测像素可保证充足的曝光量,使得图像传感器可平滑地执行聚焦探测。此外,相位差聚焦探测像素可在相同的环境下(例如,在相同的曝光时长下)进行操作,由此保持相位差聚焦探测像素之间的一致性。
将理解:实施例可以以硬件、软件或软硬件结合的形式来实现。根据本公开的各种实施例的用于控制电子传感器(诸如,例如图像传感器)的方法可被实现为在其上记录有计算机可读代码、指令、程序或软件的非暂时性计算机可读记录介质。非暂时性计算机可读记录介质可以是可存储其后可被计算机***读取的数据的任何数据存储装置。非暂时性计算机可读记录介质的示例包括但不限于:ROM(不论是否可擦除或是否可重写)、RAM、光盘、磁光盘(例如,CD、CD-ROM、DVD、DVD-ROM、蓝光等)、磁带、软盘、硬盘和非易失性存储器。非暂时性计算机可读记录介质也可被分布在联网的计算机***中,使得可以以分布式方式来存储并运行所述计算机可读代码、指令、程序或软件。
因此,实施例提供一种包括用于实现本申请的权利要求中的任一权利要求所要求保护的设备或方法的代码的程序以及存储这种程序的机器可读存储器。进一步说,这种程序可经由任何介质(例如,以有线连接或无线连接携带的通信信号)以电子方式表达并且实施例适当地包括所述程序。
虽然已经参照示例实施例具体地示出并描述了本公开,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由权利要求限定的本公开的精神和范围的情况下,可对其在形式上或细节上进行各种改变。例如,在本公开的各种实施例的描述中,已经描述了在捕捉图像区域I中的ROI的像素被布置为曝光较高的像素,但这种描述仅意图描述简洁。例如,在根据本公开的各种实施例的图像传感器中,在ROI中,图像传感器的像素中的至少某些像素可被布置为曝光较高的像素,并且其它像素中的至少某些像素可被布置为曝光较低的像素。当曝光较高的像素和曝光较低的像素被布置在ROI中时,曝光较高的像素的比率可高于曝光较低的像素的比率。此外,可从ROI中被布置为与曝光较高的像素相应的效率较低的像素(例如,相位差聚焦探测像素115c)获取聚焦探测所需的信息。
虽然已经参照本公开的各种实施例具体地示出并描述了本公开,但是本领域普通技术人员将理解,在不脱离由权利要求及其等同物限定的本公开的精神和范围的情况下,可对其在形式上或细节上进行各种改变。
Claims (18)
1.一种电子传感器,包括:
多个第一像素;
多个第二像素,具有比第一像素更低的曝光效率;
第一像素组,用于检测针对被摄体图像的第一图像信息,其中,第一像素组被构造为获取第一曝光量,其中,第一像素组包括所述多个第一像素中的一部分第一像素和所述多个第二像素中的至少一部分第二像素;
第二像素组,用于检测针对被摄体图像的第二图像信息,其中,第二像素组被构造为获取第二曝光量,第二曝光量比第一曝光量更低,其中,第二像素组包括所述多个第一像素中的另一部分第一像素和所述多个第二像素中的另一部分第二像素,
其中,第一像素组包括至少一个第一像素和至少一个第二像素,第一像素组中的每个第二像素检测被摄体图像以获取聚焦状态信息,以及
其中,所述电子传感器通过将至少第一图像信息和第二图像信息进行组合来获取针对被摄体图像的完整图像。
2.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第一像素包括白光检测像素;
第二像素包括红光检测像素、绿光检测像素或蓝光检测像素中的至少一个。
3.如权利要求1至2中的任意一项权利要求所述的电子传感器,其中,第一像素包括包含第一滤光器的像素;
第二像素包括包含第二滤光器的像素,其中,在相同曝光时长期间穿过第二滤光器的光比穿过第一滤光器的光更少。
4.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第一像素包括包含第一透镜的像素;
第二像素包括包含第二透镜的像素,其中,在相同曝光时长期间穿过第二透镜的光比穿过第一透镜的光更少。
5.如权利要求1所述的电子传感器,其中,至少第一像素或至少第二像素包括互连区域、布置在互连区域之间的光接收区域和布置在光接收区域上的微透镜。
6.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第二像素包括相位分离结构,其中,相位分离结构包括遮光层。
7.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第二像素包括被构造为检测穿过微透镜的出射光瞳的一侧的光的像素。
8.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第一曝光量和第二曝光量是至少部分基于在电子传感器上形成的图像而确定的。
9.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第一曝光量和第二曝光量是至少部分基于在电子传感器上形成的图像的至少一部分的亮区域与暗区域的动态范围比率而确定的。
10.如权利要求1所述的电子传感器,其中,第一曝光量和第二曝光量是基于曝光时长和光电转换效率中的至少一个而确定的。
11.一种用于在电子传感器中检测被摄体图像的方法,其中,所述电子传感器包括多个第一像素和比第一像素具有更低曝光效率的多个第二像素,所述方法包括:
将电子传感器的特定像素与第一像素组相关联,其中,第一像素组被构造为在第一曝光时长内检测被摄体图像的至少第一部分,其中,第一像素组包括所述多个第一像素中的一部分第一像素和所述多个第二像素中的至少一部分第二像素;
通过第一像素组检测针对被摄体图像的第一图像信息;
将电子传感器的特定其它像素与第二像素组相关联,其中,第二像素组被构造为在第二曝光时长内检测被摄体图像的至少第二部分,其中,第二曝光时长比第一曝光时长更短,其中,第二像素组包括所述多个第一像素中的另一部分第一像素和所述多个第二像素中的另一部分第二像素;
通过第二像素组检测针对被摄体图像的第二图像信息;
经由第一像素组的第二像素获取聚焦状态信息;以及
将至少第一图像信息和第二图像信息进行组合,并且完成被摄体图像。
12.如权利要求11所述的方法,其中,所述至少一个第二像素是包括相位分离结构的像素,其中,相位分离结构包括遮光层。
13.如权利要求11或12所述的方法,其中,将特定像素与第一像素组相关联以及将特定其它像素与第二像素组相关联的步骤包括:以重复的图案之一来构造第一像素组和第二像素组。
14.如权利要求11至12中的任意一项权利要求所述的方法,其中,将特定像素与第一像素组相关联以及将特定其它像素与第二像素组相关联的步骤包括:以不规则的图案之一来构造第一像素组和第二像素组。
15.如权利要求11所述的方法,其中,检测所述至少第二部分的步骤包括:在经由第一像素组在第一曝光时长内检测被摄体图像的所述至少第一部分期间,检测被摄体图像的所述至少第二部分至少两次。
16.如权利要求11所述的方法,还包括:
确定被摄体图像的感兴趣区域;
其中,将特定像素与第一像素组相关联的步骤包括:
将与感兴趣区域相应的至少一个像素与第一像素组相关联。
17.如权利要求11所述的方法,其中,将特定像素与第一像素组相关联以及将特定其它像素与第二像素组相关联的步骤还包括:
在至少感兴趣区域中,将与第一像素组相关联的一个或更多个像素的数量构造为比与第二像素组相关联的像素的数量更大。
18.一种存储当由一个或更多个处理器执行时使所述一个或更多个处理器在电子传感器中执行以下操作的指令的非暂时性机器可读存储介质,其中,所述电子传感器包括多个第一像素和比第一像素具有更低曝光效率的多个第二像素,其中,所述操作包括:
将电子传感器的至少一个像素与第一像素组相关联,其中,第一像素组被构造为在第一曝光时长内检测被摄体图像的至少第一部分,其中,第一像素组所述多个第一像素中的一部分第一像素和所述多个第二像素中的至少一部分第二像素;
通过第一像素组检测针对被摄体图像的第一图像信息;
将电子传感器的至少另一像素与第二像素组相关联,其中,第二像素组被构造为在第二曝光时长内检测被摄体图像的至少第二部分,其中,第二曝光时长比第一曝光时长更短,其中,第二像素组包括所述多个第一像素中的另一部分第一像素和所述多个第二像素中的另一部分第二像素;
通过第二像素组检测针对被摄体图像的第二图像信息;
经由第一像素组的第二像素获取聚焦状态信息;以及
将至少第一图像信息和第二图像信息进行组合,并且完成被摄体图像。
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JP6312487B2 (ja) * | 2014-03-26 | 2018-04-18 | キヤノン株式会社 | 画像処理装置及びその制御方法、並びに、プログラム |
US9392160B2 (en) * | 2014-06-20 | 2016-07-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Circuit and method providing wide dynamic-range operation of auto-focus(AF) focus state sensor elements, digital imaging device, and computer system including same |
US10078198B2 (en) * | 2014-08-08 | 2018-09-18 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Photographing apparatus for automatically determining a focus area and a control method thereof |
KR102263537B1 (ko) * | 2014-09-30 | 2021-06-11 | 삼성전자주식회사 | 전자 장치와, 그의 제어 방법 |
KR20160109694A (ko) * | 2015-03-12 | 2016-09-21 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 상기 이미지 센서를 포함하는 이미지 처리 시스템 |
AU2016264606B2 (en) * | 2015-05-19 | 2020-09-03 | Magic Leap, Inc. | Semi-global shutter imager |
KR102429361B1 (ko) * | 2015-06-04 | 2022-08-04 | 엘지전자 주식회사 | 카메라 및 그 제어 방법 |
KR20170056909A (ko) * | 2015-11-16 | 2017-05-24 | 삼성전자주식회사 | 이미지 센서 및 이를 포함하는 전자 장치 |
KR102536083B1 (ko) * | 2015-12-24 | 2023-05-24 | 삼성전자주식회사 | 이미징 장치, 전자 장치 및 그의 이미지 획득 방법 |
US9883128B2 (en) * | 2016-05-20 | 2018-01-30 | Semiconductor Components Industries, Llc | Imaging systems with high dynamic range and phase detection pixels |
JP6765860B2 (ja) * | 2016-06-01 | 2020-10-07 | キヤノン株式会社 | 撮像素子、撮像装置、および撮像信号処理方法 |
GB2554663B (en) * | 2016-09-30 | 2022-02-23 | Apical Ltd | Method of video generation |
CN106454149B (zh) * | 2016-11-29 | 2019-03-19 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像拍摄方法、装置及终端设备 |
JP6960745B2 (ja) * | 2017-02-16 | 2021-11-05 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置及びその制御方法、プログラム、記憶媒体 |
US10706512B2 (en) * | 2017-03-07 | 2020-07-07 | Adobe Inc. | Preserving color in image brightness adjustment for exposure fusion |
GB2561163B (en) * | 2017-03-30 | 2021-05-12 | Apical Ltd | Control systems and image sensors |
CN107040724B (zh) | 2017-04-28 | 2020-05-15 | Oppo广东移动通信有限公司 | 双核对焦图像传感器及其对焦控制方法和成像装置 |
CN107105141B (zh) * | 2017-04-28 | 2019-06-28 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、图像处理方法、成像装置和移动终端 |
CN109302559B (zh) * | 2017-07-24 | 2024-04-16 | 格科微电子(上海)有限公司 | 实现cmos图像传感器于像素合成模式下的相位对焦方法 |
JP6840247B2 (ja) * | 2017-08-18 | 2021-03-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法、及び撮像装置の制御プログラム |
KR102549481B1 (ko) * | 2018-05-10 | 2023-06-30 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
KR102570607B1 (ko) | 2018-06-22 | 2023-08-25 | 삼성전자주식회사 | 이미지의 광원의 타입을 결정하는 전자 장치 및 방법 |
JP7195790B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-12-26 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
CN108924445B (zh) * | 2018-08-01 | 2020-09-22 | 成都善思微科技有限公司 | 基于roi的图像读出电路、图像读出方法及图像探测器 |
US11172142B2 (en) * | 2018-09-25 | 2021-11-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Image sensor for sensing LED light with reduced flickering |
CN111345032B (zh) * | 2019-05-15 | 2021-12-31 | 合刃科技(深圳)有限公司 | 图像传感器、光强感知***及方法 |
JP2021129144A (ja) * | 2020-02-10 | 2021-09-02 | キヤノン株式会社 | 撮像装置、撮像装置の制御方法、及びプログラム |
CN111432099B (zh) * | 2020-03-30 | 2021-04-30 | Oppo广东移动通信有限公司 | 图像传感器、处理***及方法、电子设备和存储介质 |
US11516378B2 (en) * | 2020-04-27 | 2022-11-29 | Qualcomm Incorporated | Methods and apparatus employing a phase detection autofocus (PDAF) optical system |
KR20220060297A (ko) * | 2020-11-04 | 2022-05-11 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 |
CN114584725A (zh) * | 2020-11-30 | 2022-06-03 | 华为技术有限公司 | 一种图像传感器及成像装置 |
KR20230068826A (ko) | 2021-11-11 | 2023-05-18 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 시스템 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2959142B2 (ja) | 1991-02-22 | 1999-10-06 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置 |
JP3592147B2 (ja) | 1998-08-20 | 2004-11-24 | キヤノン株式会社 | 固体撮像装置 |
US7623168B2 (en) * | 2000-07-13 | 2009-11-24 | Eastman Kodak Company | Method and apparatus to extend the effective dynamic range of an image sensing device |
JP4421793B2 (ja) * | 2001-07-13 | 2010-02-24 | 富士フイルム株式会社 | ディジタルカメラ |
KR100443348B1 (ko) * | 2001-12-29 | 2004-08-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 씨모스 이미지센서 및 그의 제조 방법 |
US8264576B2 (en) | 2007-03-05 | 2012-09-11 | DigitalOptics Corporation Europe Limited | RGBW sensor array |
US8081234B2 (en) * | 2004-12-29 | 2011-12-20 | Intel Corporation | Technique for increased exposure range in image sensors |
KR100761376B1 (ko) | 2005-12-19 | 2007-09-27 | 엠텍비젼 주식회사 | 다이내믹 레인지가 넓은 이미지 센서 |
US7496291B2 (en) * | 2006-03-21 | 2009-02-24 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Method and apparatus for interleaved image captures |
JP2008061844A (ja) | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Kao Corp | コンパクト容器 |
JP4961982B2 (ja) | 2006-12-07 | 2012-06-27 | ソニー株式会社 | 固体撮像装置、固体撮像装置の駆動方法および撮像装置 |
JP4961993B2 (ja) | 2006-12-18 | 2012-06-27 | 株式会社ニコン | 撮像素子、焦点検出装置および撮像装置 |
US7956914B2 (en) | 2007-08-07 | 2011-06-07 | Micron Technology, Inc. | Imager methods, apparatuses, and systems providing a skip mode with a wide dynamic range operation |
JP2009194604A (ja) | 2008-02-14 | 2009-08-27 | Seiko Epson Corp | 撮像装置及び撮像装置の駆動方法 |
JP5552214B2 (ja) | 2008-03-11 | 2014-07-16 | キヤノン株式会社 | 焦点検出装置 |
KR100982620B1 (ko) | 2008-03-13 | 2010-09-15 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 이미지 센서의 제조 방법 |
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JP2011059337A (ja) * | 2009-09-09 | 2011-03-24 | Fujifilm Corp | 撮像装置 |
JP5232118B2 (ja) * | 2009-09-30 | 2013-07-10 | 富士フイルム株式会社 | 撮像デバイスおよび電子カメラ |
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TWI575494B (zh) * | 2011-08-19 | 2017-03-21 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 半導體裝置的驅動方法 |
JP5947507B2 (ja) * | 2011-09-01 | 2016-07-06 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及びその制御方法 |
WO2013042518A1 (ja) | 2011-09-22 | 2013-03-28 | 富士フイルム株式会社 | デジタルカメラ |
US20140063300A1 (en) * | 2012-09-06 | 2014-03-06 | Aptina Imaging Corporation | High dynamic range imaging systems having clear filter pixel arrays |
US9451152B2 (en) * | 2013-03-14 | 2016-09-20 | Apple Inc. | Image sensor with in-pixel depth sensing |
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