CN105242097A - 薄晶片电流传感器 - Google Patents

薄晶片电流传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN105242097A
CN105242097A CN201510720530.8A CN201510720530A CN105242097A CN 105242097 A CN105242097 A CN 105242097A CN 201510720530 A CN201510720530 A CN 201510720530A CN 105242097 A CN105242097 A CN 105242097A
Authority
CN
China
Prior art keywords
silicon wafer
semi
conductor chip
scribing
described silicon
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510720530.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105242097B (zh
Inventor
U.奥塞莱希纳
M.莫茨
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN105242097A publication Critical patent/CN105242097A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105242097B publication Critical patent/CN105242097B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
    • G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
    • G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
    • G01R31/2855—Environmental, reliability or burn-in testing
    • G01R31/2856—Internal circuit aspects, e.g. built-in test features; Test chips; Measuring material aspects, e.g. electro migration [EM]
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/202—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices using Hall-effect devices
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
    • G01R33/02—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux
    • G01R33/06—Measuring direction or magnitude of magnetic fields or magnetic flux using galvano-magnetic devices
    • G01R33/07—Hall effect devices
    • G01R33/072—Constructional adaptation of the sensor to specific applications
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
    • H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
    • G—PHYSICS
    • G01—MEASURING; TESTING
    • G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
    • G01R15/00—Details of measuring arrangements of the types provided for in groups G01R17/00 - G01R29/00, G01R33/00 - G01R33/26 or G01R35/00
    • G01R15/14—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks
    • G01R15/20—Adaptations providing voltage or current isolation, e.g. for high-voltage or high-current networks using galvano-magnetic devices, e.g. Hall-effect devices, i.e. measuring a magnetic field via the interaction between a current and a magnetic field, e.g. magneto resistive or Hall effect devices
    • G01R15/207—Constructional details independent of the type of device used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Environmental & Geological Engineering (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Hall/Mr Elements (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
  • Measuring Magnetic Variables (AREA)

Abstract

本发明涉及薄晶片电流传感器。实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装，但是在其他实施例中通过过孔接触而使面朝下安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。

Description

薄晶片电流传感器
本发明是于2011年8月31日提交的、申请号为“2011102543935”、发明名称为“薄晶片电流传感器”的分案申请。
技术领域
本发明通常涉及集成电路（IC）电流传感器并且更具体地涉及根据薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。
背景技术
流电（galvanically）隔离集成电路（IC）电流传感器的期望性质包括高磁灵敏度；高机械稳定性和可靠性；对芯片边界附近的霍尔（Hall）传感器元件的低应力影响；高热均匀性和低热梯度；高隔离电压；以及低制造成本。传统的电流传感器可以包括一个或多个旨在应对这些期望性质的特征或者以旨在应对这些期望性质的方式制造。
例如，一些电流传感器使用引线框作为电流引线。其他电流传感器还包括磁芯。然而，这样的传感器可能制造昂贵。
其他电流传感器包括额外的层，诸如硅管芯顶部上的特殊磁层或者在隔离层上形成的厚金属层。这些传感器也是昂贵的，并且前者可能对干扰场敏感并且可能受到与IC外部的电流引线的定位相关的缺陷的困扰。
因此，需要一种在使缺陷最小化的同时具有期望性质的流电隔离IC电流传感器。
发明内容
在一个实施例中，一种薄晶片集成电路电流传感器包括：电流导体；薄晶片半导体芯片，基本上没有从芯片边缘向内超过约10微米（μm）的划片缺陷；至少一个磁场感测元件，布置在薄晶片半导体芯片的表面上；以及隔离层，位于电流导体和薄晶片半导体芯片之间。
在一个实施例中，一种方法包括：从第一面划片小于硅晶片的整个厚度；将叠层带施加到硅晶片的第一面；对硅晶片的第二面进行背研磨；将划片带施加到硅晶片的第二面；移除叠层带；对硅晶片进行过刻蚀；对半导体晶片的半导体芯片进行分割；以及利用至少一个分割的半导体芯片形成磁场电流传感器。
在一个实施例中，一种薄晶片集成电路电流传感器包括：电流导体；薄晶片半导体芯片，具有至少一个过刻蚀的研磨前划片（DBG）边缘，该至少一个边缘包括从该至少一个边缘向内延伸约10微米（μm）的缺陷区域；至少一个磁场感测元件，布置在薄晶片半导体芯片上；以及隔离层，位于电流导体和薄晶片半导体芯片之间。
附图说明
考虑到结合附图的本发明的各种实施例的下面详细描述，可以更完整地理解本发明，其中：
图1示出了根据实施例的传感器的框图；
图2A示出了根据实施例的研磨前划片工艺的流程图；
图2B示出了根据实施例的研磨前划片工艺的流程图；
图3示出了根据实施例的晶片图像；
图4示出了根据实施例的传感器的框图；
图5示出了根据实施例的传感器的框图；
图6示出了根据实施例的传感器的框图。
尽管本发明经得起各种修改和替选形式的检验，但是其细节在附图中作为示例被示出并且将被详细描述。然而，应当理解，意图并非是使本发明限于所描述的特定实施例。相反，意图是涵盖落在如所附权利要求限定的本发明的精神和范围内的所有修改、等价物和替选方案。
具体实施方式
实施例涉及使用薄晶片制造工艺制造的IC电流传感器。这样的技术可以包括其中利用研磨前划片（DBG）的处理，这可以改进可靠性并且使应力效应最小化。尽管实施例利用面朝上安装（face-upmounting），但是通过针对与隔离层耦合的芯片表面的过孔（viathrough）接触或者其他接触，在其他实施例中使面朝下（face-down）安装是可能的。IC电流传感器实施例可以在使常常与传统的IC电流传感器相关联的缺陷最小化的同时呈现许多优点。
参照图1，IC电流传感器100的实施例包括电流导体102、在电流导体上形成的隔离层104、以及通过接合线110耦合到信号引脚108的薄晶片芯片106。在一个实施例中，薄晶片芯片106是根据薄晶片制造工艺制造的，该工艺可以包括晶片的研磨前划片以及可选的背面刻蚀并且将在下面更详细地讨论。
磁传感器元件112，诸如一个实施例中的霍尔效应元件，被布置在薄晶片芯片106的表面上。在一个实施例中，电流导体102包括一个或多个槽114，其可以有助于限定通过电流导体102的电流流动路径。当传感器元件102相对槽114定位时，每个槽114可以在策略上使电流流动线路集中以使每个传感器元件112附近的磁场最大化。申请人还引用共同所有的美国专利申请第12/630,596、12/711,471和12/756,652号，它们的整体内容通过引用合并于此。
利用薄晶片工艺，薄晶片芯片106可以具有比200μm小得多的厚度，诸如在实施例中为约50μm或更小或甚至约20μm或更小。这样的厚度比传统的厚晶片的厚度小得多，减少了传感器元件112和电流导体102之间的竖直（相对于纸面上的图1的取向）距离d。这可以通过避免由于芯片厚度d与边缘距离e的较小比引起的应力效应来改进传感器100的精度。例如，在薄晶片制造实施例中，e可以是约75μm并且d在约25μm至约65μm的范围内。尽管所有芯片经历某种程度的应力，但是跨越芯片的均匀应力好过具有不均匀应力的区域。在实施例中，不均匀区域出现在芯片100的边缘附近。因而，边缘距离e是临界应力距离，特别地如果e小于d的话。通过由于较薄的晶片而把传感器元件112定位为较接近边缘，芯片106的更多区域是均匀的而非不均匀的，因为距离e不是较小的也不与芯片厚度d相当。此外，期望的是将传感器元件112定位在槽114附近但是还使槽114在不增加芯片尺寸的情况下彼此隔开较远。因而，由于更均匀的应力以及更均匀的应力所呈现的相关定位优点，传感器100实现了芯片空间的更高效使用。再者，较小距离d的显著优点是鉴于传感器元件112和流过电流导体102的电流之间的较小距离的、传感器100的增加灵敏度。此外，与电流导体102的厚度相比芯片106的较小厚度可以提供更均匀的和/或更小的温度梯度和芯片上的电路的更好补偿、以及更高的精度。薄晶片制造还提供了芯片106的更清洁的、更平滑的边缘，具有更少的碎屑（chip）和其他缺陷以及以后显现的断裂，这可能影响可靠性、增加应力并且以其他形式减少传感器100的寿命性能。
参照图2A，图示了薄晶片制造工艺200的实施例。在202处，对硅晶片部分地（诸如在一个实施例中半切割（half-cut））划片。在204处，在206处进行背研磨以使晶片变薄之前将叠层带施加到硅晶片的一个面。在208处，在没有叠层带的面上，将划片带施加到晶片，随后在210处从晶片移除划片带。随后在212处执行过刻蚀工艺。
在图2B中示出了另一实施例。工艺201图示了206处的背研磨和208处的框或带安装之间的额外的等离子体刻蚀207。
与其他制造工艺相比，薄晶片工艺200包括研磨前划片，即202在206之前。此外，与锯穿晶片的整个厚度的传统工艺相比，202处的划片是部分切割划片。如工艺200中的研磨前划片导致了具有更平滑的边缘、没有与其他方法相关联的碎屑、断裂和其他缺陷的薄晶片。这可以在图3中看到，其示出了标准工艺（左侧）以及使用研磨前划片和等离子体刻蚀的薄晶片工艺（右侧）的图像。在标准工艺的晶片图像中，在锯条切穿硅晶片时由锯条引起的碎屑和断裂从锯切缝隙延伸到晶片中约40μm。
相比而言，研磨前划片的晶片图像示出了仅从锯切缝隙延伸到晶片的边缘中约10μm或更小的碎屑。通常，电流传感器对由改变感测元件的灵敏度的压电效应引起的应力极为敏感，比其他传感器更是如此。尽管期望薄管芯，但是薄管芯具有应力挑战。使用过刻蚀作为研磨前划片薄晶片工艺的一部分进一步净化（refine）和改进芯片边缘，使得薄晶片适于用在电流传感器中。
在图4中示出了薄晶片电流传感器400的另一实施例。传感器400与传感器100相似，但是在薄晶片芯片表面106的顶部上安装到印刷电路板（PCB）416。PCB416包括PCB416的底面上的铜迹线418，并且焊接凸点420使薄晶片芯片表面106与PCB416的迹线418耦合。
在图5中，薄晶片电流传感器500通过过孔（viathrough-hole）522面朝下安装到PCB516的铜迹线518。如这里讨论的薄晶片制造工艺的实施例可以容易地适应通孔522，并且由于实施例允许从管芯的后面形成接触，因此过孔522不需要如传统的面朝下安装中的那样使导体小于管芯。因此，由于因芯片506的面朝下安装导致的传感器元件512和电流导体502之间的较小距离d2，所以传感器500可以具有增加的磁场信号。传感器元件512在这里被示出为布置在薄晶片芯片506的底表面上。
在图6中示出的另一面朝下安装实施例中，薄晶片电流传感器600包括通过接合线610与信号引脚608耦合的过孔622。与图5的传感器500相似，由于传感器元件612和电流导体602之间的较小距离d2，传感器600可以提供增加的磁场信号。
在另一实施例中，薄晶片半导体芯片耦合到包括例如玻璃或陶瓷的载体或信号传导层。该载体层基本上比薄晶片半导体芯片厚，诸如至少两倍厚。
这里已描述了***、器件和方法的各种实施例。这些实施例仅被给出作为示例，并非意图限制本发明的范围。而且，应当认识到，已描述的实施例的各种特征可以以各种方式组合以产生许多额外的实施例。而且，尽管已描述了用于与所公开的实施例一起使用的各种材料、尺寸、形状、注入位置等，但是在不超出本发明的范围的情况下可以利用除了所公开的那些以外的其他事物。
相关领域的普通技术人员将认识到，本发明可以包括比上面描述的任何单独实施例中说明的少的特征。这里描述的实施例并非意味着穷举呈现可以组合本发明的各种特征的方式。因此，实施例不是相互排斥的特征组合；相反，如本领域的普通技术人员所理解的，本发明可以包括选自不同单独实施例的不同单独特征的组合。
上面通过引用对文献的任何并入受到限制，使得不会并入与此处的明确公开内容相左的主题内容。上面通过引用对文献的任何并入进一步受到限制，使得这些文献中包括的权利要求不会通过引用并入此处。此外，上面通过引用对文献的任何并入进一步受到限制，使得这些文献中提供的任何定义不会通过引用并入此处，除非这里明确包括。
出于解释本发明的权利要求的目的，明确的是，除非在权利要求中记载特定术语“用于…的装置”或者“用于…的步骤”，否则不要援引35U.S.C.的第六段第112节的规定。

Claims (20)

1.一种方法，包括：
从第一面划片小于硅晶片的整个厚度；
将叠层带施加到所述硅晶片的所述第一面；
对所述硅晶片的第二面进行背研磨；
将划片带施加到所述硅晶片的所述第二面；
移除所述叠层带；
对所述硅晶片进行过刻蚀；
对半导体晶片的半导体芯片进行分割；以及
利用至少一个分割的半导体芯片来形成磁场电流传感器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中从第一面划片小于硅晶片的整个厚度包括从所述第一面对所述硅晶片进行半切割划片。
3.根据权利要求1所述的方法，其中对所述硅晶片的第二面进行背研磨使所述硅晶片变薄并且分割所述硅晶片。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述划片在所述背研磨之前发生。
5.根据权利要求4所述的方法，其中背研磨之前的划片以及过刻蚀提供了分割的半导体芯片，所述半导体芯片从所述半导体芯片的边缘起超过约10微米（μm）基本上没有缺陷。
6.根据权利要求1所述的方法，其中形成磁场电流传感器包括：
在电流导体上提供隔离层；以及
在所述隔离层上提供至少分割的半导体芯片。
7.根据权利要求6所述的方法，进一步包括形成所述电流导体以包括至少一个磁场集中槽。
8.根据权利要求7所述的方法，其中在所述隔离层上提供所述至少一个分割的半导体芯片包括将所述至少一个分割的半导体芯片布置为使得至少一个磁场感测元件接近至少一个磁场集中槽的末端。
9.一种方法，包括：
从第一面划片小于硅晶片的整个厚度；
对所述硅晶片的第二面进行背研磨；以及
由所述硅晶片的至少一部分形成磁场电流传感器。
10.根据权利要求9所述的方法，其中所述划片在所述背研磨之前执行。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括对所述硅晶片进行过刻蚀。
12.根据权利要求11所述的方法，其中所述划片在所述过刻蚀之前被执行，并且其中执行背研磨之前的划片以及过刻蚀提供了所述硅晶片的分割的半导体芯片，所述半导体芯片从所述半导体芯片的边缘起超过约10微米（μm）基本上没有缺陷。
13.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
将第一带施加到所述硅晶片的所述第一面。
14.根据权利要求13所述的方法，其中所述第一带包括叠层带。
15.根据权利要求9所述的方法，进一步包括：
将第二带施加到所述硅晶片的所述第二面；
从所述第一面移除所述第一带；以及
对半导体晶片的半导体芯片进行分割，其中所述半导体芯片被用于形成磁场电流传感器。
16.根据权利要求15所述的方法，其中所述第二带包括划片带。
17.根据权利要求15所述的方法，其中对所述硅晶片的第二面进行背研磨使所述硅晶片变薄并且分割所述硅晶片。
18.根据权利要求9所述的方法，其中从第一面划片小于硅晶片的整个厚度包括从所述第一面对所述硅晶片进行半切割划片。
19.根据权利要求9所述的方法，其中形成磁场电流传感器包括：
在电流导体上提供隔离层；以及
在所述隔离层上提供所述硅晶片的至少一部分作为分割的半导体芯片。
20.根据权利要求19所述的方法，进一步包括形成所述电流导体以包括至少一个磁场集中槽。
CN201510720530.8A 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器 Active CN105242097B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US12/872,665 US8283742B2 (en) 2010-08-31 2010-08-31 Thin-wafer current sensors
US12/872665 2010-08-31
CN201110254393.5A CN102401851B (zh) 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110254393.5A Division CN102401851B (zh) 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105242097A true CN105242097A (zh) 2016-01-13
CN105242097B CN105242097B (zh) 2020-06-30

Family

ID=45566379

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510720530.8A Active CN105242097B (zh) 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器
CN201110254393.5A Active CN102401851B (zh) 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201110254393.5A Active CN102401851B (zh) 2010-08-31 2011-08-31 薄晶片电流传感器

Country Status (3)

Country Link
US (3) US8283742B2 (zh)
CN (2) CN105242097B (zh)
DE (1) DE102011081474A1 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109416377A (zh) * 2016-07-15 2019-03-01 阿尔卑斯电气株式会社 电流传感器

Families Citing this family (26)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8717016B2 (en) * 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8400139B2 (en) 2010-03-26 2013-03-19 Infineon Technologies Ag Sensor package having a sensor chip
US8760149B2 (en) 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
JP5993845B2 (ja) 2010-06-08 2016-09-14 ヘンケル アイピー アンド ホールディング ゲゼルシャフト ミット ベシュレンクテル ハフツング 先ダイシング法を行う微細加工されたウェーハへの接着剤の被覆
US8680843B2 (en) 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
IT1403421B1 (it) * 2010-12-23 2013-10-17 St Microelectronics Srl Sensore magnetoresistivo integrato, in particolare sensore magnetoresistivo triassiale e suo procedimento di fabbricazione
US8722514B2 (en) * 2011-01-17 2014-05-13 Infineon Technologies Ag Semiconductor devices having insulating substrates and methods of formation thereof
US8975889B2 (en) 2011-01-24 2015-03-10 Infineon Technologies Ag Current difference sensors, systems and methods
EP2671249A4 (en) 2011-02-01 2015-10-07 Henkel IP & Holding GmbH FILLING FILM APPLIED TO A PRE-CUTTING WAFER
JP2014511560A (ja) 2011-02-01 2014-05-15 ヘンケル コーポレイション プレカットされウェハに塗布されるダイシングテープ上のアンダーフィル膜
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor
KR101504461B1 (ko) * 2011-07-29 2015-03-24 헨켈 아이피 앤드 홀딩 게엠베하 반도체 웨이퍼를 개개의 반도체 다이로 개별화하는 방법
US9523720B2 (en) * 2013-03-15 2016-12-20 Infineon Technologies Ag Multiple current sensor device, a multiple current shunt device and a method for providing a sensor signal
EP2905626B1 (en) 2014-02-05 2019-09-11 ams AG Integrated current sensor system and method for producing an integrated current sensor system
US10168391B2 (en) * 2015-06-23 2019-01-01 Infineon Technologies Ag Multi-functional interconnect module and carrier with multi-functional interconnect module attached thereto
US9728493B2 (en) * 2015-08-28 2017-08-08 Infineon Technologies Ag Mold PackageD semiconductor chip mounted on a leadframe and method of manufacturing the same
US10352969B2 (en) * 2016-11-29 2019-07-16 Allegro Microsystems, Llc Systems and methods for integrated shielding in a current sensor
US10290554B2 (en) * 2016-12-12 2019-05-14 Melexis Technologies Sa Current sensor and method of making a current sensor
JP2021036199A (ja) * 2017-10-06 2021-03-04 株式会社村田製作所 磁気センサ及び電流センサ
DE102018113005B4 (de) 2018-05-30 2024-02-01 Infineon Technologies Austria Ag Magnetischer stromsensor
US10573803B1 (en) 2018-08-21 2020-02-25 Semiconductor Components Industries, Llc Current sensor packages with through hole in semiconductor
EP3644069A1 (en) * 2018-10-24 2020-04-29 Melexis Technologies SA Insulated current sensor
CN109406859B (zh) * 2018-11-30 2024-04-30 苏州汇川技术有限公司 电流检测板及驱动控制器
CN117581351A (zh) 2020-12-17 2024-02-20 益纳利科技私人有限公司 一种制造半导体制品的方法及其***

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041780A (en) * 1988-09-13 1991-08-20 California Institute Of Technology Integrable current sensors
CN1340855A (zh) * 2000-08-31 2002-03-20 琳得科株式会社 制造半导体器件的方法
US20050156587A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-21 Fieldmetrics Inc. Current sensor
CN101236439A (zh) * 2006-12-22 2008-08-06 凯尔西-海耶斯公司 自校准电流反馈的设备和方法
CN101401195A (zh) * 2006-03-28 2009-04-01 夏普株式会社 半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置
CN101567339A (zh) * 2008-04-24 2009-10-28 海力士半导体有限公司 半导体器件及其制造方法
CN101673769A (zh) * 2003-04-23 2010-03-17 株式会社半导体能源研究所 半导体元件、半导体器件以及其制作方法

Family Cites Families (76)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3323057A (en) 1966-05-02 1967-05-30 Halmar Electronics Hall generator current meter having extraneous field compensating apparatus
JPS63500961A (ja) 1985-09-14 1988-04-07 エルゲーツエット・ランディス・ウント・ギール・ツーク・アクチエンゲゼルシャフト 静的積算電気計器の変流装置
US5017804A (en) 1987-07-23 1991-05-21 Siliconix Incorporated Hall sensing of bond wire current
US4823075A (en) * 1987-10-13 1989-04-18 General Electric Company Current sensor using hall-effect device with feedback
US5173758A (en) 1991-10-28 1992-12-22 General Motors Corporation Hall generator with four arms
US5786976A (en) * 1996-07-16 1998-07-28 Hydraflow Coupling with hard metallic ductile conductive coating
US6127245A (en) * 1997-02-04 2000-10-03 Micron Technology, Inc. Grinding technique for integrated circuits
US5883770A (en) * 1997-07-18 1999-03-16 International Business Machines Corporation Partial width mass produced linear tape recording head
US6177806B1 (en) 1997-09-03 2001-01-23 International Business Machines Corp. Signal sensor for rf integrated systems
EP0944839B1 (en) 1997-09-15 2006-03-29 AMS International AG A current monitor system and a method for manufacturing it
DE19821492A1 (de) 1998-05-14 1999-11-25 Daimler Chrysler Ag Verfahren zur berührungslosen Messung eines einen Leiter durchfließenden Stromes mittels eines Hallsensors sowie Hallsensoranordnung
WO2004075311A1 (ja) 1998-10-02 2004-09-02 Sanken Electric Co., Ltd. ホール効果素子を有する半導体装置
JP3631925B2 (ja) 1999-09-07 2005-03-23 矢崎総業株式会社 電流検出器及びこれを用いた電気接続箱
DE19946935B4 (de) 1999-09-30 2004-02-05 Daimlerchrysler Ag Vorrichtung zur induktiven Strommessung mit mindestens einem Differenzsensor
JP2001165963A (ja) 1999-12-09 2001-06-22 Sanken Electric Co Ltd ホール素子を備えた電流検出装置
JP4164615B2 (ja) 1999-12-20 2008-10-15 サンケン電気株式会社 ホ−ル素子を備えた電流検出装置
US6853178B2 (en) 2000-06-19 2005-02-08 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit leadframes patterned for measuring the accurate amplitude of changing currents
DE10100597A1 (de) 2001-01-09 2002-07-18 Bosch Gmbh Robert Vorrichtung, Strommesser und Kraftfahrzeug
GB0102602D0 (en) 2001-02-01 2001-03-21 Plymouth Entpr Partnerships Lt Magnetic field detector and a current monitoring device including such a detector
EP1267173A3 (en) 2001-06-15 2005-03-23 Sanken Electric Co., Ltd. Hall-effect current detector
EP1281974B1 (en) 2001-07-06 2007-04-18 Sanken Electric Co., Ltd. Hall-effect current detector
FR2827962B1 (fr) 2001-07-25 2004-04-02 Socomec Sa Dispositif de mesure a effet hall de l'intensite d'un courant electrique
US6949927B2 (en) 2001-08-27 2005-09-27 International Rectifier Corporation Magnetoresistive magnetic field sensors and motor control devices using same
ATE537558T1 (de) * 2001-10-01 2011-12-15 Electro Scient Ind Inc Bearbeiten von substraten, insbesondere von halbleitersubstraten
TWI273266B (en) 2001-11-01 2007-02-11 Asahi Kasei Emd Corp Current sensor and current sensor manufacturing method
DE10231194A1 (de) 2002-07-10 2004-02-05 Infineon Technologies Ag Anschlussleitrahmen für eine in einem Halbleiterchip ausgeführte Sonde und Magnetfeldsensor
US7259545B2 (en) 2003-02-11 2007-08-21 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor
US7476816B2 (en) 2003-08-26 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7709754B2 (en) 2003-08-26 2010-05-04 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US6995315B2 (en) 2003-08-26 2006-02-07 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7166807B2 (en) 2003-08-26 2007-01-23 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US7075287B1 (en) 2003-08-26 2006-07-11 Allegro Microsystems, Inc. Current sensor
US20060219436A1 (en) 2003-08-26 2006-10-05 Taylor William P Current sensor
WO2005033716A1 (en) 2003-10-01 2005-04-14 Eaton Corporation System and method for current sensing using anti-differential, error correcting current sensing
TWI365989B (en) 2003-12-23 2012-06-11 Eliposki Remote Ltd L L C Semiconductor device and method for manufacturing the same
US7074695B2 (en) * 2004-03-02 2006-07-11 Chippac, Inc. DBG system and method with adhesive layer severing
US7112951B2 (en) 2004-06-07 2006-09-26 General Electric Company MEMS based current sensor using magnetic-to-mechanical conversion and reference components
US7221144B2 (en) 2004-06-07 2007-05-22 General Electric Company Micro-electromechanical system (MEMS) based current and magnetic field sensor having improved sensitivities
FR2872580B1 (fr) 2004-06-30 2006-09-01 Valeo Equip Electr Moteur Procede de mesure du courant electrique dans une pluralite de conducteurs
JP2006038518A (ja) 2004-07-23 2006-02-09 Denso Corp 電流計測装置
US7476953B2 (en) 2005-02-04 2009-01-13 Allegro Microsystems, Inc. Integrated sensor having a magnetic flux concentrator
ATE381024T1 (de) 2005-02-15 2007-12-15 Fiat Ricerche Oberflächenmontierter integrierter stromsensor
US7358724B2 (en) 2005-05-16 2008-04-15 Allegro Microsystems, Inc. Integrated magnetic flux concentrator
DE102005028461A1 (de) * 2005-06-17 2006-12-28 Micronas Gmbh Verfahren zum Testen eines Wafers, insbesondere Hall-Magnetfeld-Sensors und Wafer bzw. Hallsensor
TWI513989B (zh) 2005-09-13 2015-12-21 Ebara Corp 半導體裝置
EP1772737A3 (de) 2005-10-08 2008-02-20 Melexis Technologies SA Baugruppe zur Strommessung
EP1811311B1 (de) 2006-01-19 2016-08-31 Melexis Technologies NV Vorrichtung zur Strommessung
US20070279053A1 (en) 2006-05-12 2007-12-06 Taylor William P Integrated current sensor
US20080013298A1 (en) 2006-07-14 2008-01-17 Nirmal Sharma Methods and apparatus for passive attachment of components for integrated circuits
DE102006037633B4 (de) * 2006-08-10 2008-06-19 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip mit Beschädigungs-Detektierschaltung und ein Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterchips
CN101427365B (zh) * 2006-09-06 2011-06-15 日立金属株式会社 半导体传感器件的制造方法
DE102006045141B9 (de) 2006-09-25 2009-02-19 Infineon Technologies Ag Magnetfeld-Sensor-Vorrichtung
JP2008197089A (ja) 2007-01-17 2008-08-28 Fujikura Ltd 磁気センサ素子及びその製造方法
US9116195B2 (en) 2007-03-23 2015-08-25 Asahi Kasei Emd Corporation Magnetic sensor and sensitivity measuring method thereof
DE102007025000B3 (de) 2007-05-30 2008-12-11 Infineon Technologies Ag Magnetfeldsensor
US7605580B2 (en) 2007-06-29 2009-10-20 Infineon Technologies Austria Ag Integrated hybrid current sensor
US20090008794A1 (en) * 2007-07-03 2009-01-08 Weng-Jin Wu Thickness Indicators for Wafer Thinning
US7923987B2 (en) 2007-10-08 2011-04-12 Infineon Technologies Ag Magnetic sensor integrated circuit with test conductor
US8125216B2 (en) 2008-01-04 2012-02-28 Allegro Microsystems, Inc. Methods and apparatus for angular position sensing using multiple quadrature signals
US8159254B2 (en) * 2008-02-13 2012-04-17 Infineon Technolgies Ag Crack sensors for semiconductor devices
JP5366418B2 (ja) 2008-03-24 2013-12-11 東光東芝メーターシステムズ株式会社 電流検出器およびこれを用いた電力量計
US7816905B2 (en) 2008-06-02 2010-10-19 Allegro Microsystems, Inc. Arrangements for a current sensing circuit and integrated current sensor
DE102008039568B4 (de) 2008-08-25 2015-03-26 Seuffer gmbH & Co. KG Stromerfassungsvorrichtung
US9222992B2 (en) 2008-12-18 2015-12-29 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8203328B2 (en) 2009-03-12 2012-06-19 Consolidated Edison Company Of New York, Inc. Current measuring device
US8193803B2 (en) 2009-03-23 2012-06-05 Consolidated Edison Company Of New York, Inc. Current measuring device
WO2011011289A2 (en) 2009-07-18 2011-01-27 Nexlent, Llc Electrical power system sensor devices, electrical power system monitoring methods, and electrical power system monitoring systems
US8717016B2 (en) * 2010-02-24 2014-05-06 Infineon Technologies Ag Current sensors and methods
US8400139B2 (en) * 2010-03-26 2013-03-19 Infineon Technologies Ag Sensor package having a sensor chip
US9013890B2 (en) * 2010-03-26 2015-04-21 Infineon Technologies Ag Semiconductor packages and methods for producing the same
US8760149B2 (en) * 2010-04-08 2014-06-24 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8461824B2 (en) 2010-06-07 2013-06-11 Infineon Technologies Ag Current sensor
US8680843B2 (en) * 2010-06-10 2014-03-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8283742B2 (en) 2010-08-31 2012-10-09 Infineon Technologies, A.G. Thin-wafer current sensors
US9476915B2 (en) 2010-12-09 2016-10-25 Infineon Technologies Ag Magnetic field current sensors
US8963536B2 (en) 2011-04-14 2015-02-24 Infineon Technologies Ag Current sensors, systems and methods for sensing current in a conductor

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5041780A (en) * 1988-09-13 1991-08-20 California Institute Of Technology Integrable current sensors
CN1340855A (zh) * 2000-08-31 2002-03-20 琳得科株式会社 制造半导体器件的方法
CN101673769A (zh) * 2003-04-23 2010-03-17 株式会社半导体能源研究所 半导体元件、半导体器件以及其制作方法
US20050156587A1 (en) * 2004-01-16 2005-07-21 Fieldmetrics Inc. Current sensor
CN101401195A (zh) * 2006-03-28 2009-04-01 夏普株式会社 半导体元件的转印方法和半导体装置的制造方法以及半导体装置
CN101236439A (zh) * 2006-12-22 2008-08-06 凯尔西-海耶斯公司 自校准电流反馈的设备和方法
CN101567339A (zh) * 2008-04-24 2009-10-28 海力士半导体有限公司 半导体器件及其制造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN109416377A (zh) * 2016-07-15 2019-03-01 阿尔卑斯电气株式会社 电流传感器

Also Published As

Publication number Publication date
CN102401851A (zh) 2012-04-04
CN105242097B (zh) 2020-06-30
US20130029432A1 (en) 2013-01-31
US8283742B2 (en) 2012-10-09
US9029966B2 (en) 2015-05-12
US8679895B2 (en) 2014-03-25
CN102401851B (zh) 2016-09-21
US20140183534A1 (en) 2014-07-03
DE102011081474A1 (de) 2012-03-01
US20120049304A1 (en) 2012-03-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105242097A (zh) 薄晶片电流传感器
US7064046B2 (en) Manufacturing method of semiconductor device
US6623330B2 (en) Lapping sensor used in fabrication of magnetic head with magnetoresistive effect element and lapping control method using the sensor
US7112874B2 (en) Forming a multi segment integrated circuit with isolated substrates
US9564401B2 (en) Method for thinning, metalizing, and dicing a semiconductor wafer, and semiconductor device made using the method
US10674601B2 (en) Printed wiring board and camera module
US20170033039A1 (en) Semiconductor package and method of manufacturing the same
KR102673421B1 (ko) 반도체 패키지의 제조 방법
KR101590541B1 (ko) 릴리프된 활성 영역을 가지는 다이를 포함하는 집적 회로 패키지 시스템
US20080251950A1 (en) Semiconductor device and processing method of the same
CN103907175B (zh) 通过使用有槽的衬底的低翘曲晶片结合
CN102903726A (zh) 图像传感器的晶圆级封装方法
JP2008306105A (ja) 半導体装置の製造方法
US8828846B2 (en) Method of computing a width of a scribe region based on a bonding structure that extends into the scribe reigon in a wafer-level chip scale (WLCSP) packaging
JP2007019221A (ja) 半導体装置製造用基板、半導体装置の製造方法
JP5080551B2 (ja) 半導体装置の製造方法
US11576260B2 (en) Method and apparatus for terminating an electrical cable to an integrated circuit
US9991196B2 (en) Printed circuit board and method of fabricating an element
US7291867B2 (en) Optical semiconductor device, electronic device, and method for producing optical semiconductor device
US8241960B2 (en) Semiconductor device manufacturing equipment and semiconductor device manufacturing method
US20160211297A1 (en) Chip package and manufacturing method thereof
CN106356383B (zh) 半导体结构、半导体器件、芯片结构及其形成方法
JP2008251873A (ja) 半導体装置及び半導体装置製造方法
KR100886715B1 (ko) 연마 웨이퍼의 제조 방법 및 이를 이용한 적층 반도체패키지의 제조 방법
JP2007180594A (ja) 半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant